專利名稱：薄膜電致發(fā)光顯示器件及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示器件及其制作方法，具體涉及一種具有改進的基底和薄膜層、從而可根據(jù)每個薄膜的折射率而改善光輸出效率的電致發(fā)光顯示器及其制作方法。
背景技術：
通常，電致發(fā)光顯示器件屬于高檔圖像顯示器件。它們是具有諸如尺寸小、重量輕、環(huán)境穩(wěn)定性強、耐用性好、壽命長、視角寬等許多優(yōu)點的平面顯示器件。
在電致發(fā)光顯示器件中，當電壓施加到熒光層兩端時，電子向著熒光屏內(nèi)側加速，進而與原子、即發(fā)光中心碰撞。于是，處于原子的電子能級的電子被激勵到較高能級，而后過渡到基態(tài)。此時，由于電子周圍的能級距離，產(chǎn)生具有特定波長范圍的光、即產(chǎn)生電致發(fā)光現(xiàn)象。
電致發(fā)光顯示器件被分為交流(AC)驅動型和直流(DC)驅動型、或薄膜型和厚膜型。這樣的電致發(fā)光顯示器件一般具有至少一個絕緣層和至少一個熒光層，并設有使電壓施加到熒光層兩端的電極。為改善絕緣層和熒光層的特性，這些層可由具有以不同材料制成的多個薄膜的多層結構形成。
圖1表示AC驅動型薄膜電致發(fā)光顯示器件的實例。參看圖1，第一電極層11、第一絕緣層12、熒光層13、第二絕緣層14和第二電極層15依次形成在基底10上。熒光層13可由諸如ZnS、SrS、或CsS等金屬硫化物，諸如CaCa2S4或SrCa2S4等堿土硫化鉀或金屬氧化物制成。對于包含在熒光層13材料中的原子、即對于發(fā)光中心而言，包括Mn、Ce、Tb、Eu、Tm、Er、Pr、Pb、或堿性灰分金屬(alkaline ashmetals)的過渡金屬可被使用。
在日本專利出版物2001-176671中公開了電致發(fā)光顯示器件的另一個實例。這個電致發(fā)光器件具有這樣的結構，其中第一電極、無機化合物的絕緣層、無機化合物的熒光層和第二電極被疊置在基底上。
在圖1所示的電致發(fā)光顯示器件中，當預定電壓施加到位于熒光層13兩側的第一和第二電極層11和15時，具有特定波長的光因電致發(fā)光現(xiàn)象而產(chǎn)生。
在這種電致發(fā)光顯示器件中，基本上平面的薄膜形成熒光層13以及第一和第二電極層11和15的每個層的頂表面，第一和第二電極層11和15的折射率很高，所以熒光層13中產(chǎn)生的大多數(shù)光不能穿過熒光層13和第二電極層15。因此，只有大約10％的光從電致發(fā)光顯示器件射出。
更具體地，電致發(fā)光顯示器件的光效率被分成內(nèi)部效率和外部效率。內(nèi)部效率取決于熒光層、即發(fā)光材料的特性，而外部效率取決于構成顯示器件的每個層的折射率。外部效率ηex可表示為ηex＝ηin×ηout。這里，ηin表示內(nèi)部效率，ηout表示輸出耦合效率。在薄膜電致發(fā)光顯示中對于輸出耦合效率的主要限制與將該器件內(nèi)所產(chǎn)生的光提取到外部環(huán)境有關。薄膜熒光體的折射率與空氣之間的折射率的明顯的不匹配將使大部分的光線進行全內(nèi)反射。于是，薄膜熒光體內(nèi)產(chǎn)生的一些光被阻攔而不能入射到空氣中。這種效應妨礙采用薄膜熒光體的EL結構。根據(jù)斯涅耳定律(Snell′s law)，只有以小于臨界角的角度發(fā)射的光可從該表面射出，所有的其它光將被內(nèi)反射回到該器件中。由諸如ZnS的材料制成的熒光層通常具有高折射率，因而具有低輸出效率。該輸出效率取決于公式ηe＝(2n2)-2。這里，“n”表示熒光層的折射率。
根據(jù)上述公式，在基于ZnS的熒光層的情況下，“n”是2.5，所以只有8％的光被輸出，而大多數(shù)光被引導到圖像顯示器件的薄膜層之間而消失。
為了克服上述問題，已經(jīng)提出了一種調整電致發(fā)光顯示器件中的熒光層顆粒尺寸以激起玻璃所制作的基底表面上的散射，從而增加光輸出的方法。這種方法只有當薄膜熒光層形成在基底上時才有效，而當電極層和絕緣層形成在熒光層與基底之間時作用不明顯。
為了提高熒光層的光輸出效率，在形成熒光層期間將O2的分壓調整至200mtorr(毫乇)或更大以將球粒尺寸增加到100nm的方法已被提出(S.I.Jones，D Kumar，K.-G.Cho，R.Singh，和P.H.Holloway，1999，Displays，19，151)，通過四次適于毛玻璃基底而提高光輸出特性的方法也被提出(Sella，C.；Martin，J.；Charreire，Y.1982，Thin Solid Films，90，181)。
由于只由特定薄膜層防止光被引導，所以這些方法在提高光輸出效率中具有局限性。
US 6,476,550公開一種包含具有用于衍射光的粗糙表面的薄膜的有機電致發(fā)光顯示器件。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電致發(fā)光顯示器件和制作該電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件能夠防止因折射率差而使光在基底和薄膜層即絕緣層、熒光層、和電極層之間被引導，并對使光衍射，從而提高光輸出效率。
本發(fā)明還提供一種電致發(fā)光顯示器件和制作該電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件通過提高光輸出效率來改善圖像亮度從而使圖像通過無機薄膜電致發(fā)光而形成。
本發(fā)明還提供一種電致發(fā)光顯示器件和制作該電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件利用高折射率層與低折射率層之間的界面的光分散效應而降低光損失。
本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點將在下面的說明書中進行部分地描述，并從說明書中部分地闡明，或可從本發(fā)明的實施中進行了解。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面提供的電致發(fā)光顯示器件包括基底；形成在該基底上的波狀結構，其中該波狀結構通過衍射和反射將光分散；和第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層、和第二電極層，這些層按照波狀結構的形狀依次形成在該基底上。
波狀結構可包括多個以預定間距排列的具有圓柱形或多邊錐形的點。波狀結構可包括折射率基本與基底折射率相同的材料。波狀結構可包含透明SiO2或聚酰亞胺。
波狀結構的波狀件之間的間距可以是熒光層所產(chǎn)生光的波長的λ/4-4λ。熒光層可與基底材料一樣具有大于1.6的折射率的氧化物或硫化物。熒光層可具有比相鄰層高的折射率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面提供的電致發(fā)光顯示器件包括透明基底；波狀結構，它通過衍射和反射而分散光；和第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層、和第二電極層，這些層依次形成在該基底上；其中，該波狀結構形成在基底上或形成在依次形成的層中的至少一個層上，依次形成的層中的至少一個層按照波狀結構的形狀形成在該波狀結構上。
根據(jù)本發(fā)明又一方面提供一種制作電致發(fā)光顯示器件的方法。該方法包括制備透明基底；在該透明基底上形成絕緣薄膜層；在該絕緣薄膜層上形成光刻膠層；利用激光全息照相在光刻膠層上形成圖案；蝕刻形成圖案的光刻膠層；并利用被蝕刻的光刻膠層蝕刻絕緣薄膜層，從而形成能利用衍射和反射分散光的波狀結構。
附圖簡述下面，結合附圖對實施例所作的說明將使本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點變得清楚和跟容易理解，在附圖中圖1是普通電致發(fā)光顯示器件的剖視圖；圖2是本發(fā)明實施例的電致發(fā)光顯示器件的剖視圖；圖3-5是本發(fā)明實施例的電致發(fā)光顯示器件結構實例的透視圖；圖6是本發(fā)明另一實施例的電致發(fā)光顯示器件結構實例的透視圖；圖7是本發(fā)明實施例的電致發(fā)光顯示器件的剖視圖，該圖表示電致發(fā)光顯示器件的操作；圖8是在具有波狀結構的電致發(fā)光顯示器件中和不具有波狀結構的電致發(fā)光顯示器件中亮度與施加電壓的關系曲線；圖9A是本發(fā)明又一實施例的電致發(fā)光顯示器件的剖視圖；圖9B是圖9A所示部分C的放大視圖；圖10是制作本發(fā)明的實施例的電致發(fā)光顯示器件的方法流程圖。
具體實施例方式
下面，將通過附圖中所示的實例詳細地說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中，相同標號始終表示相同的元件。以下對實施例的說明是為了借助附圖解釋本發(fā)明。
在本發(fā)明實施例的電致發(fā)光顯示器件中，通過衍射反射而分散光的波狀結構形成在基底的頂部表面上或多個疊置的薄膜層中的至少一個層上，至少一個層波狀地形成在該波狀結構上。本發(fā)明的電致發(fā)光顯示器件的實施例示于圖2中。
參看圖2，電致發(fā)光顯示器件20包括透明基底21和形成在基底21上通過對光進行衍射和反射而分散光的波狀結構30。電致發(fā)光顯示器件20還包括第一電極層22、第一絕緣層23、熒光層24、第二絕緣層25和第二電極層26，它們按照波狀結構30的表面形狀依次形成在具有波狀結構30的基底21上。
第一電極層22可由透明材料，即薄氧化銦層(ITO)構成。熒光層24可由單圖案層構成以發(fā)射單色光。另外，熒光層24可由按照預定圖案的紅、蘭、綠層構成以形成彩色圖像。在這種情況下，第一和第二電極22和26可形成相互垂直的矩陣，以便電場可施加到各紅、蘭、綠層的上下表面。熒光層24最好用諸如具有與基底材料相同的至少1.6折射率(n)的氧化物或硫化物的材料制成。熒光層24的折射率不限于上述實施例，但是最好大于其鄰接的層，即第一和第二絕緣層23和25的折射率。第一和第二絕緣層23和25可由氧化物或硫化物制成。
如圖3-5所示，形成在基底21的頂表面上用以衍射和反射產(chǎn)生于熒光層24的光，以便分散該光的波狀結構30包括多個具有圓柱形、方柱形或錐形周邊形狀的點31。點31的形狀不限于本發(fā)明的上述實施例，它可以是具有預定間距的任何形狀。在本發(fā)明的另一實施例中，如圖6所示，多個凹孔33以預定間距P形成在基底21或絕緣薄膜層32上而形成波狀結構。凹孔33的形狀不限于圖6所示的圓形。
在波狀結構30中，點31或凹孔33之間的間距P具有熒光層所產(chǎn)生光的波長的λ/4-4λ范圍內(nèi)的值，或具有100-2400nm范圍內(nèi)的值。波狀結構30的高度H小于熒光層24的高度HP。大致上，熒光層24的厚度是600nm。波狀結構30的高度設置最好考慮熒光層24、第一電極層22、和第一絕緣層23的厚度，以便可按照波狀結構30的形狀在熒光層24上形成層。波狀結構30的高度設置最好至少是50nm，并小于熒光層24的厚度。
點31或凹孔33的直徑D、和波狀結構30的間距P直接影響光輸出效率。基于考慮這一事實所進行的實驗，設置的直徑D最好應滿足公式0.05＜2×D/P＜0.5。當2×D/P是0.5或更大時，點31彼此相切，幾乎消除了波狀。相反，當2×D/P是0.05或更小時，點31太小以致不能構成有效的波狀。
波狀結構30最好具有基本上與基底21相同的折射率，或與形成波狀結構30的層的相同的折射率。波狀結構30可由諸如透明SiO2或聚酰亞胺等無機材料或聚合物材料制成。但是本發(fā)明不限于上述實施例。
當預定電壓通過第一和第二電極層22和26施加到電致發(fā)光顯示器件20時，電子穿過第一和第二絕緣層23和25而射入熒光層24。被磁場加速的電子移向熒光層24而與原子即發(fā)光中心碰撞、以激勵發(fā)光中心的電子。當被激勵的電子轉換到基態(tài)時，產(chǎn)生與該電子周圍能量差對應的特定波長的光，這被稱作電致發(fā)光現(xiàn)象。當AC電壓或具有特定波形的交變的正負電壓被重復施加時，與脈沖數(shù)一樣多的電致發(fā)光現(xiàn)象在交變的相反方向上產(chǎn)生，于是熒光層24的發(fā)光可被維持。
從熒光層24產(chǎn)生的光經(jīng)基底21而輸出。由于第一電極層22、第一絕緣層23、熒光層24、第二絕緣層25、和第二電極層26因為以預定間距P形成在基底21上的點31構成的波狀結構30而具有波形，如圖7所示，因此以臨界角或更大的角入射到界面的光因該界面的折射率差而不能被向內(nèi)引導，因而該光被分散。于是，避免了光在構成電致發(fā)光顯示器件的層之間的損失。
換言之，由于熒光層24的折射率比第一和第二電極層22和26，以及第一和第二絕緣層23和25的折射率高，所以光在它們的界面處被反射。但是，由于每個層具有波形，所以平行入射在界面上的光不會水平前進，而是經(jīng)基底21輸出，因而提高了光輸出效率。
通過將從具有本發(fā)明上述實施例的波狀結構的電致發(fā)光顯示器件輸出的光量與不具有波狀結構的電致發(fā)光顯示器件輸出的光量進行比較，可以證明，本發(fā)明提高了光的輸出效率。
{實驗實例1}在這個實驗中，在制作電致發(fā)光顯示器件時，包含具有圓柱形點的波狀結構利用SiO2被形成在基底的頂表面上。點之間的間距是620nm，點高度是200nm、直徑是220nm。第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層和第二電極層均按照該波狀結構的形狀以波形形成在基底上。
{實驗實例2}在這個實驗中，在制作電致發(fā)光顯示器件時，包含具有圓柱形點的波狀結構利用SiO2被形成在基底的頂表面上。點之間的間距是420nm，點高度是200nm、直徑是220nm。第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層和第二電極層均按照該波狀結構的形狀波形地形成在基底上。
{比較實例1}在不形成波狀結構而制作電致發(fā)光顯示器件時，第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層和第二電極層平坦地形成在基底的頂表面上。
在實驗實例1、2和比較實例1中制作的每個電致發(fā)光顯示器件的電致發(fā)光利用光譜儀進行測量，以估算光輸出效率。在施加用于激發(fā)的可變化的500Hz正弦波電壓的條件下測量亮度和光輸出效率。具體地，它們在40V和60V的閥值電壓下被測量。于是，對于分別在實驗實例1和比較實例1中制作的電致發(fā)光顯示器件，可得到如圖8所示的所施加電壓與亮度的關系曲線。另外，分別在實驗實例1、2和比較實例1中制作的電致發(fā)光顯示器件中在閥值電壓下測量的亮度和光輸出效率可被得到，并示于下表內(nèi)。
表
如圖8的曲線所示，具有在基底上的波狀結構的電致發(fā)光顯示器件的亮度是不具有該波狀結構的電致發(fā)光顯示器件的亮度的2.6倍或更高的倍數(shù)。
此外，如上述表格所示，每個具有在基底上的波狀結構的電致發(fā)光顯示器件的亮度是不具有該波狀結構的電致發(fā)光顯示器件的亮度的2.4倍或更高的倍數(shù)，其光輸出效率是不具有該波狀結構的電致發(fā)光顯示器件的光輸出效率的2.3倍或更高的倍數(shù)。
圖9A和9B示出本發(fā)明又一實施例的電致發(fā)光顯示器件。參看圖9A和9B，隔離層41形成在透明基底40上。用于形成像素的像素區(qū)A和其中形成有薄膜晶體管(TFT)和電容器的驅動區(qū)B被限定在隔離層41的上方。
在驅動區(qū)B中，在隔離層41的頂表面上排列成預定圖案的p型或n型半導體層42被柵極絕緣層43覆蓋。與半導體層42對應的柵電極層44形成在柵極絕緣層43的頂表面并被第一絕緣層45覆蓋。另外，漏電極46和源電極47形成在第一絕緣層45的頂表面，以便它們通過形成在第一絕緣層45和柵極絕緣層43上的接觸孔46a和47a被連接到半導體層42的兩端。第一輔助電極111形成在第一絕緣層45的頂表面以便連接到源電極47。第二輔助電極112與第一輔助電極111相對，并被第一絕緣層45覆蓋。第一和第二輔助電極111和112構成電容器110。第二絕緣層48形成在第一絕緣層45的表面上。由與上述實施例所述點相同的點31構成的波狀結構30形成在像素區(qū)A中的第二絕緣層48的頂表面上或第二絕緣層48的一部分上。
在像素區(qū)A中，具有開孔49a的第三絕緣層49形成在第二絕緣層48的頂表面上。電連接到漏電極46的第一電極層100波狀地形成在第三絕緣層49中的開孔49a的底部、即按照波狀結構30的形狀形成在其上形成有波狀結構30的第二絕緣層48的頂表面上。熒光層50形成在第一電極層100的頂表面上。第二電極層101形成在熒光層50和第三絕緣層49的頂表面上。第四和第五絕緣層51和52形成在相應的第一和第二電極層100和101與熒光層50之間。這里，熒光層50和與熒光層50對應的第一、第二電極層100、101和第四、第五絕緣層51、52均按照形成在第二絕緣層48上的波狀結構30的形狀而形成波狀。如上述實施例所述，熒光層50的折射率比第一到第五絕緣層45、48、49、51和52的折射率高。
另外，在使用TFT的電致發(fā)光顯示器件中，波狀結構30可形成在第一絕緣層45的頂表面上。
在上述的電致發(fā)光顯示器件中，當通過選擇的TFT將預定電壓施加到第一和第二電極層100和101時，通過電致發(fā)光從熒光層50產(chǎn)生光且被輸出。這里，由于熒光層50、第一和第二電極層100和101、和第四和第五絕緣層51和52的波狀，以臨界角或更大的角從熒光層50入射到上述層之間界面的光被散射，從而使該光的入射角小于該臨界角。因此，該界面的反射率被顯著減小。
圖10是制作本發(fā)明實施例的電致發(fā)光顯示器件的方法的流程圖。參看圖10，制備一個基底。通過衍射和反射而分散光的波狀結構形成在基底的頂表面上。這里，如果所設計的電致發(fā)光器件通過基底輸出光，則基底必須由諸如玻璃等透明材料制作。
波狀結構的形成可分成多個以下將說明的多個過程。
在清潔基底之后，用真空沉積法將SiO2沉積到5000的厚度而形成第一薄膜。為了遮擋第一薄膜，在該第一薄膜上沉積500厚度的Cr或Si而形成第二薄膜。將光刻膠層形成在第二薄膜的頂表面上，而后用激光掃描或全息照相的方法形成圖案。之后，對第二薄膜進行蝕刻。在以預定圖案完成第二薄膜的蝕刻后，利用蝕刻的第二薄膜對第一薄膜進行蝕刻，從而形成包含以預定間距排列的點的波狀結構。
在基底上形成包含具有預定尺寸點的波狀結構之后，第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層和第二電極層均按照波狀結構的形狀依次形成在基底上以具有波狀。
本發(fā)明在基底上形成波狀結構的方法不限于上述實施例。例如，該波狀結構可形成在第一或第二絕緣層上。
本發(fā)明的電致發(fā)光顯示器件包括用于在熒光層或絕緣層上形成波狀的波狀結構，從而減小內(nèi)部光損失并提高光輸出效率。具體地，本發(fā)明能使無機電致發(fā)光顯示器件的光輸出效率增加，因而使無機電致發(fā)光顯示器件的實際使用成為可能。
雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的幾個實施例，但是本領域的技術人員顯然可以理解在不脫離本發(fā)明原理和精神的前提下對這些實施例作出改變，本發(fā)明的范圍由權利要求書和它們的等同物限定。
權利要求
1.電致發(fā)光顯示器件，包括基底；波狀結構，它形成在所述基底上，其中該波狀結構通過衍射和反射將光分散；和第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層和第二電極層，這些層按照該波狀結構的形狀依次形成在該基底上。
2.如權利要求1的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，該波狀結構包括多個以預定間距排列的具有圓柱形或多邊錐形的點。
3.如權利要求1的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，該波狀結構包括具有以預定圖案形成的多個孔的薄膜層。
4.如權利要求1的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，該波狀結構所包含的材料的折射率基本與基底的折射率相同。
5.如權利要求4的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述材料包括SiO2、SiO2氣凝膠、硅聚合物、BCB、或聚酰亞胺。
6.如權利要求1的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，該波狀結構的波狀件之間的間距是熒光層所產(chǎn)生光的波長的λ/4-4λ。
7.如權利要求6的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，該波狀結構的波狀件之間的間距是100-2400nm。
8.如權利要求1的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，該波狀結構的波狀件的高度是50-1000nm。
9.如權利要求2的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，每個點的頂表面的形狀是圓形，該圓形直徑與點之間的間距之間的關系滿足公式0.05＜2×D/P＜0.5，其中，D和P分別表示所述直徑和間距。
10.如權利要求1的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述熒光層的折射率大于所述相鄰第一和第二絕緣層的折射率。
11.如權利要求1的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述熒光層與基底材料一樣包含大于1.6的折射率的氧化物或硫化物。
12.電致發(fā)光顯示器件，包括透明基底；波狀結構，它通過衍射和反射分散光；和第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層和第二電極層，這些層依次形成在所述基底上；其中，所述波狀結構形成在該基底上或依次形成的層中至少一個層上，依次形成的層中至少一個層按照該波狀結構的形狀形成在所述波狀結構上。
13.如權利要求12的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述波狀結構包含多個以預定間距排列的圓柱形或多邊錐形的點。
14.如權利要求12的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述波狀結構包含透明SiO2或聚酰亞胺。
15.如權利要求12的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，該波狀結構的波狀件之間的預定間距是熒光層所產(chǎn)生光的波長的λ/4-4λ。
16.如權利要求15的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述預定間距是100-2400nm。
17.如權利要求12的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述波狀結構的波狀件的高度是50-1000nm。
18.如權利要求13的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，每個點的頂表面的形狀是圓形，該圓形直徑與點之間的間距之間的關系滿足公式0.05＜2×D/P＜0.5，其中，D和P分別表示所述直徑和間距。
19.如權利要求12的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述熒光層的折射率大于相鄰層的折射率。
20.如權利要求12的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述熒光層與基底材料一樣包含大于1.6的折射率的氧化物或硫化物。
21.如權利要求12的電致發(fā)光顯示器件，還包括薄膜晶體管層，該薄膜晶體管層驅動所述第一電極層和第二電極層。
22.如權利要求12的電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述熒光層包括以預定圖案形成的紅、綠、和蘭層，并且該熒光層形成在所述第一電極層與第二電極層之間，該第一和第二電極層也以預定圖案形成。
23.一種制作電致發(fā)光顯示器件的方法，該方法包括制備透明基底；在該透明基底上形成絕緣薄膜層；在該絕緣薄膜層上形成光刻膠層；利用激光全息照相使該光刻膠層形成圖案；蝕刻形成圖案的光刻膠層；利用被蝕刻的光刻膠層蝕刻該絕緣薄膜層，從而形成能利用衍射和反射分散光的波狀結構。
全文摘要
一種電致發(fā)光顯示器件，它包括基底；波狀結構，它形成在該基底上，其中該波狀結構通過衍射和反射將光分散；和第一電極層、第一絕緣層、熒光層、第二絕緣層和第二電極層，這些層按照該波狀結構的形狀依次形成在該基底上。
文檔編號H05B33/02GK1535086SQ200310124060
公開日2004年10月6日 申請日期2003年12月31日 優(yōu)先權日2003年2月13日
發(fā)明者都永洛, 金潤昶, 安智薰, 曹尚煥, 李濬九 申請人:三星Sdi株式會社