一種基于氯化銦水溶性薄膜的oled器件的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，包括：玻璃基層；ITO透明陽極，該ITO透明陽極是設在玻璃基層上的ITO薄膜；氧化銦水溶性薄膜，其設在所述ITO透明陽極上作為空穴注入層；空穴傳輸層，設在所述氧化銦水溶性薄膜上；發(fā)光層，設在所述空穴傳輸層上；電子傳輸層，設在所述發(fā)光層上；電子注入層，設在所述電子傳輸層上；陰極，設在所述電子注入層上。本實用新型不僅能夠有效地提高器件的陽極空穴注入能力，提高器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性，還能降低制備成本，對環(huán)境友好。
【專利說明】
一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件
技術領域
[0001]本實用新型涉及光電子器件領域，具體為一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件。
【背景技術】
[0002]自1987年，鄧青云等人發(fā)明三明治結構的有機電致發(fā)光二極管(OLED)以來，OLED技術不斷地更新，使其具備了成本低，主動發(fā)光，發(fā)光色彩飽和度高，響應快等特點，已經(jīng)進入了初步商業(yè)化。
[0003]但是如何進一步提高陽極空穴注入仍然是OLED廣泛地商業(yè)化路上亟待解決的問題之一。為此人們嘗試使用不同的方法優(yōu)化注入界面:紫外臭氧處理、氧等離子體處理、CFx等離子處理、自組裝、熱蒸鍍一層有機物、熱蒸鍍過渡金屬氧化物都可以成功的增強OLED器件的空穴注入。近些年，赫蘭德(Helander)、曹(Cao)等人提出了采用紫外臭氧結合二氯苯處理或者氯氣等離子體處理提高ITO的功函數(shù)的方法，并指出功函數(shù)的提高是源于在ITO表面形成的In-Cl鍵。然而，這兩種方法都存在一些問題:不僅需要額外的設備，而且精確地控制溫度、濕度以及濃度狀況也是很困難的。在OLED中，目前最常用的一種方式是在陽極透明ITO電極上旋涂一層PEDOT: PSS來提高器件的空穴注入能力，但是PEDOT: PSS易吸水，酸性較強(pH約為I)，且易被光氧化，對于器件的穩(wěn)定性不利，所以急需一種材料來代替PED0T:PSSo
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于提供一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，以提高器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性。
[0005]本實用新型所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，包括:玻璃基層；ITO透明陽極，該ITO透明陽極是設在玻璃基層上的ITO薄膜，用于在電壓作用下形成空穴;氧化銦水溶性薄膜，其設在所述ITO透明陽極上作為空穴注入層;空穴傳輸層，設在所述氧化銦水溶性薄膜上，用于將空穴傳輸至發(fā)光層;發(fā)光層，設在所述空穴傳輸層上，用于將空穴和電子傳輸層傳輸?shù)碾娮舆M行結合，產(chǎn)生光亮；電子傳輸層，設在所述發(fā)光層上，用于將電子傳輸至發(fā)光層；電子注入層，設在所述電子傳輸層上；陰極，設在所述電子注入層上，用于在電壓作用下產(chǎn)生電子。
[0006]進一步的，通過封裝蓋對該OLED器件進行封裝。
[0007]進一步的，所述ITO薄膜厚度為120-140nm，空穴傳輸層厚度為35-38nm，發(fā)光層厚度15-18]1111，電子傳輸層厚度65-7011111，電子注入層厚度為1-211111，陰極厚度為150-180111110
[0008]進一步的，所述封裝蓋包括上蓋和下蓋，該OLED器件被封裝在上蓋和下蓋所形成的密閉腔室內(nèi)，在所述上蓋頂部設置有與所述密閉腔室連通的導管，在導管內(nèi)填充有吸水材料和吸氧材料，且在導管頂端中設有毛細管。
[0009]進一步的，所述毛細管的頂管密封。
[0010]本實用新型的優(yōu)點是:
[0011]1、在ITO透明陽極和空穴傳輸層之間，插入一層氯化銦水溶性薄膜，可以在ITO表面直接形成In-Cl鍵，從而提高ITO表面的功函數(shù)，進而提高空穴注入空穴傳輸層的能力，最終使得器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性得到提高。
[0012]2、制備方法簡單、成本低:采用旋涂的方法制備，優(yōu)于價格昂貴的真空熱蒸鍍方法，并且避開了紫外臭氧結合二氯苯處理或者氯氣等離子體處理外部環(huán)境條件難于控制的制備途徑。
[0013]3、氯化銦溶于去離子水中，無有機溶液的使用，有利于環(huán)境保護，對環(huán)境友好;且價格相對便宜，成本低廉，有利于商業(yè)化。
[0014]綜上所述，本實用新型不僅能夠有效地提高器件的陽極空穴注入能力，提高器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性，還能降低制備成本，對環(huán)境友好。
【附圖說明】
[0015]圖1是本實用新型的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的詳細闡述，以下實施例僅用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型保護范圍的限定。
[0017]實施例一:
[0018]如圖1所示的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件I，其是在玻璃基層101上沉積120nm的ITO薄膜作為ITO透明陽極102，該ITO薄膜用于在電壓作用下形成空穴。
[0019]再在該ITO透明陽極102上設置一層氧化銦水溶性薄膜103，作為空穴注入層，其中該氧化銦水溶性薄膜的制備方法是:1、將粉末狀的氧化銦溶解于去離子水中得到混合溶液，其中氧化銦濃度為Iwt.%; 2、將上述混合溶液旋涂在ITO透明陽極上，退火得到氧化銦水溶性薄膜，其中旋涂速度為4000rpm，旋涂時間40s，退火溫度120 °C，退火時間15min。
[0020]之后再真空熱鍍沉積其他功能層，由下至上依次是厚度35nm的用于將空穴傳輸至發(fā)光層的CBP空穴傳輸層104;15nm的CBP:1r(ppy)2(aCaC)發(fā)光層105，其用于將空穴和電子傳輸層傳輸?shù)碾娮舆M行結合，產(chǎn)生光亮;65nm的TPBi電子傳輸層106，用于將電子傳輸至發(fā)光層105; Inm的LiF電子注入層107; 150nm的Al金屬陰極108，其用于在電壓作用下產(chǎn)生電子。
[0021]如圖2所示，再利用加熱板使用涂有硅膠的封裝蓋對上述OLED器件進行封裝。所述封裝蓋包括玻璃材質的上蓋2和下蓋3，0LED器件I被封裝在上蓋2和下蓋3所密封形成的封閉腔室內(nèi)，在上蓋頂部設置有與所述密閉腔室連通的導管4，在導管內(nèi)填充有吸水和吸氧的材料5，且在導管4頂端還設有毛細管6，該毛細管6的頂端密封，與外界不連通。加熱時，封裝蓋內(nèi)的水分和氧氣向上循環(huán)，進入導管內(nèi)被吸水材料和吸氧材料截留，毛細管的作用是集聚水分，故本封裝蓋能夠有效吸取其內(nèi)的水和氧氣。
[0022]實施例二:
[0023]此實施例與實施例一的區(qū)別在于，所述ITO薄膜厚度為140nm，空穴傳輸層厚度為38nm，發(fā)光層厚度為18nm，電子傳輸層厚度為70nm，電子注入層厚度為2nm，陰極厚度為180nm，其與技術特征與實施例一相同，在此不再贅述。
【主權項】
1.一種基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于包括: 玻璃基層； ITO透明陽極，該ITO透明陽極是設在玻璃基層上的ITO薄膜，用于在電壓作用下形成空穴； 氧化銦水溶性薄膜，其設在所述ITO透明陽極上作為空穴注入層； 空穴傳輸層，設在所述氧化銦水溶性薄膜上，用于將空穴傳輸至發(fā)光層； 發(fā)光層，設在所述空穴傳輸層上，用于將空穴和電子傳輸層傳輸?shù)碾娮舆M行結合，產(chǎn)生光殼； 電子傳輸層，設在所述發(fā)光層上，用于將電子傳輸至發(fā)光層； 電子注入層，設在所述電子傳輸層上； 陰極，設在所述電子注入層上，用于在電壓作用下產(chǎn)生電子。2.根據(jù)權利要求1所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于:通過封裝蓋對該OLED器件進行封裝。3.根據(jù)權利要求1所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于:所述ITO薄膜厚度為120_140nm，空穴傳輸層厚度為35-38nm，發(fā)光層厚度15-18nm，電子傳輸層厚度65-70nm，電子注入層厚度為l-2nm，陰極厚度為150-180nm。4.根據(jù)權利要求2所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于:所述封裝蓋包括上蓋和下蓋，該OLED器件被封裝在上蓋和下蓋所形成的腔室內(nèi)，在所述上蓋頂部設置有與所述腔室連通的導管，在導管內(nèi)填充有吸水材料和吸氧材料，且在導管中還設有毛細管。5.根據(jù)權利要求4所述的基于氯化銦水溶性薄膜的OLED器件，其特征在于:所述毛細管的頂端密封。
【文檔編號】H01L51/56GK205723640SQ201620681635
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年7月1日
【發(fā)明人】高春紅, 孫衛(wèi)偉, 王治強, 熊自陽, 秦偉紅, 連心
【申請人】西南大學