一種改善pcb減銅均勻性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板加工制造領(lǐng)域，具體涉及一種改善PCB減銅均勻性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，PCB加工制造技術(shù)水平得到了大幅提高，大規(guī)模甚至超大規(guī)模集成電路的廣泛應(yīng)用。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，PCB的孔壁金屬化工藝一般為:先通過金屬鈀催化的方法在孔壁上形成一層薄銅，然后再能過電化學(xué)的方法，把孔壁銅厚進(jìn)行加厚，再進(jìn)行圖形電鍍，使用孔壁銅厚及表面銅厚達(dá)到客戶要求。由于涉及到電鍍的深鍍能力，孔壁銅厚增長和表面銅厚的增長不是1:1的關(guān)系。即在同一條件下，表面銅厚的增長速度是孔壁銅厚增長速度的
1.2?1.5倍，而電路板板厚越厚時(shí)，倍數(shù)相差越大。
[0004]而現(xiàn)代的PCB設(shè)計(jì)技術(shù)，要求尺寸小、布線密度高，線路設(shè)計(jì)越來越小；而布線密度與表面銅厚是相矛盾的，布線密度越高，表面的銅厚需要越薄，反之亦然。為了達(dá)到表面銅厚度控制要求，現(xiàn)有技術(shù)一般為:在電鍍銅后進(jìn)行增加減銅處理。例如，電鍍面銅厚度80μπι(底銅17μπι，電鍍銅20X3 = 60 μπι)，需要減銅到20-25 μm，才能保證做出2mil線路。而電路板通孔孔銅厚度一般要求在25 μπι，業(yè)界通常是電鍍后直接過減銅線，印刷電路板面銅和孔銅同時(shí)經(jīng)過減銅線藥水刻蝕，往往面銅達(dá)到制作2mil以下線路的厚度(20-25 μ m)的要求，而孔銅經(jīng)藥水刻蝕卻達(dá)不到控制要求，但在減銅后如何保證銅厚均勻性的問題是沒有很好的方案。
[0005]中國專利文獻(xiàn)CN104135825A公開了一種印刷電路板的減銅工藝，通過在減銅步驟前用干膜掩蓋孔環(huán)，使得減銅步驟中的酸性刻蝕液與干膜不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，而保護(hù)孔銅，進(jìn)而保證孔銅厚度。盡管該方案對(duì)孔銅進(jìn)行了保護(hù)，但仍然不能對(duì)減銅后的銅厚均勻性進(jìn)行控制。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有減銅工藝中銅厚均勻性得不到有效控制。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種改善PCB減銅均勻性的方法，包括以下步驟:
[0008]在PCB板表層和孔壁上形成第一銅層；
[0009]在所述PCB板表層的除孔環(huán)的部分上形成第一阻蝕層；
[0010]在所述第一阻蝕層和所述孔壁上形成第二銅層；
[0011]去除所述第一阻蝕層上的第二銅層；
[0012]去除所述第一阻蝕層。
[0013]優(yōu)選地，所述在所述PCB板表層的除孔環(huán)的部分上形成第一阻蝕層的步驟包括:
[0014]在所述PCB板的孔環(huán)上設(shè)置覆蓋其的第一干膜；
[0015]在所述PCB板表層的除所述第一干膜的部分上形成第一阻蝕層；
[0016]去除第一干膜。
[0017]優(yōu)選地，所述去除所述第一阻蝕層上的第二銅層的步驟包括:
[0018]在PCB板表層形成覆蓋所述第一阻蝕層的第二干膜；
[0019]在所述孔壁上的第二銅層上形成第二阻蝕層；
[0020]去除所述第二干膜；
[0021]去除所述第二阻蝕層未覆蓋的所述第二銅層；
[0022]去除所述第二阻蝕層。
[0023]優(yōu)選地，還包括磨平所述孔環(huán)上緣使之與所述PCB板表層齊平的步驟。
[0024]所述第一銅層和/或所述第二銅層通過電鍍工藝制備。
[0025]所述第一阻蝕層通過電鍍工藝制備。
[0026]通過堿性刻蝕工藝除去所述第一阻蝕層。
[0027]優(yōu)選地，在所述去除所述第一阻蝕層之后，還包括:通過陶瓷研磨工藝磨平所述孔環(huán)上緣。
[0028]優(yōu)選地，所述第一阻蝕層和/或所述第二阻蝕層為錫層或錫的化合物層。
[0029]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0030]本發(fā)明實(shí)施例的改善PCB減銅均勻性的方法，在PCB板表層和孔壁上形成第一銅層，在所述PCB板表層的除孔環(huán)的部分上形成第一阻蝕層，在所述第一阻蝕層和所述孔壁上形成第二銅層，并去除所述第一阻蝕層上的第二銅層由此一次形成表面銅，多次形成孔銅，能夠通過以第一阻蝕層的形成來控制減銅量，通過第一阻蝕層的刻蝕控制減銅的均勻性，有效保證了表面銅的厚度和均勻性，操作方便，簡單易行。
【附圖說明】
[0031]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0032]圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述改善PCB減銅均勻性的方法流程圖；
[0033]圖2a?圖2f是本發(fā)明實(shí)施例所述改善PCB減銅均勻性的方法實(shí)施過程中的PCB板的剖視圖；
[0034]圖中附圖標(biāo)記表不為:1_PCB板、10-表層、100-孔壁、2_基銅層、3_第一銅層、4-第一阻蝕層、5-第二銅層、6-第二干膜、7-第二阻蝕層。
【具體實(shí)施方式】
[0035]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0036]本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0037]下面將結(jié)合附圖1，圖2a_圖2f對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0038]實(shí)施例
[0039]本實(shí)施例提供一種改善PCB減銅均勻性的方法，如圖1所示，包括以下步驟:
[0040]S1、在PCB板I表層10和通孔孔壁100上形成第一銅層3。其中，如圖2a所示，PCB板I上設(shè)置有若干貫穿其的通孔，PCB板I表層10上形成有基銅層2，通孔孔壁100上未設(shè)置基銅。形成第一銅層3后，如圖2b所示，第一銅層3直接形成在基銅層2上以及孔壁100上。
[0041]作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，第一銅層3通過電鍍工藝制備；作為本發(fā)明的可變換實(shí)施例，第一銅層3的制備方法不限于此，還可以為磁控濺射、化學(xué)氣相沉積等工藝。
[0042]S2、在PCB板I表層10的除孔環(huán)外的部分上形成第一阻蝕層4，如圖2c所示。作為一種可選實(shí)施方式，可以先在PCB板I的孔環(huán)上設(shè)置覆蓋其的第一干膜(圖中未示出)，由于第一干膜的覆蓋，在PCB板I表層10上形成第一阻蝕層4時(shí)，第一阻蝕層4僅形成在除第一干膜未覆蓋的部分上，即第一阻蝕層4覆蓋PCB表層10除孔環(huán)部分；然后，去除第一干膜。
[0043]作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，第一阻蝕層4通過電鍍工藝制備；作為本發(fā)明的可變換實(shí)施例，第一阻蝕層4的制備方法不限于此，還可以為磁控濺射、化學(xué)氣相沉積等工藝。
[0044]S3、如圖2c所示，通過電鍍工藝在第一阻蝕層4和孔壁100上形成第二銅層5。
[0045]S4、去除第一阻蝕層4上的第二銅層。
[0046]作為一種可選實(shí)施方式，如圖2e所示，可以先在PCB板I表層10形成第二干膜6，由于第二干膜6的覆蓋，在PCB板I上形成第二阻蝕層7時(shí)，第二阻蝕層7僅形成在孔壁100上，再形成第二阻蝕層7后即可以去除第二干膜6。作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，第一阻蝕層4和/或第二阻蝕層7為錫層或錫的化合物層。
[0047]然后，例如可以通過濕法刻蝕工藝去除未被第二阻蝕層7覆蓋的第二銅層5，同時(shí)由于第一阻蝕層4對(duì)第一銅層3的保護(hù)，除去第二銅層5時(shí)，不會(huì)對(duì)第一阻蝕層4下方的第一銅層3產(chǎn)生影響，就可實(shí)現(xiàn)通過第一銅層3對(duì)PCB板I表面銅厚度的控制。同時(shí)，由于第二阻蝕層的保護(hù)作用，形成在孔壁100上的第二銅層部分不會(huì)受到影響，從而保證了孔銅的厚度。最后即可以去除第二阻蝕層7，例如可以堿性刻蝕工藝去除第二阻蝕層7。
[0048]S5、例如通過堿性刻蝕工藝除去第一阻蝕層4，如圖2f所示。由于銅性質(zhì)穩(wěn)定，對(duì)第一阻蝕層4刻蝕時(shí)不會(huì)對(duì)第一銅層3產(chǎn)生影響，從而保證了第一銅層3的均勻性。
[0049]作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，步驟S5之后還包括磨平孔環(huán)上緣使之與PCB板表層10齊平的步驟，更優(yōu)選地，通過陶瓷研磨工藝磨平孔環(huán)上緣。
[0050]本實(shí)施例通過一次工藝形成表面銅，兩次形成孔銅，以第一阻蝕層4來表面銅厚度，以第二阻蝕層7保證孔銅厚度和均勻性。通過第一阻蝕層4的刻蝕控制表面銅的均勻性，有效保證了表面銅的厚度和均勻性，操作方便，簡單易行。
[0051]顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟: 在PCB板表層和孔壁上形成第一銅層； 在所述PCB板表層的除孔環(huán)的部分上形成第一阻蝕層； 在所述第一阻蝕層和所述孔壁上形成第二銅層； 去除所述第一阻蝕層上的第二銅層； 去除所述第一阻蝕層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，所述在所述PCB板表層的除孔環(huán)的部分上形成第一阻蝕層的步驟包括: 在所述PCB板的孔環(huán)上設(shè)置覆蓋其的第一干膜； 在所述PCB板表層的除所述第一干膜的部分上形成第一阻蝕層； 去除第一干膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，所述去除所述第一阻蝕層上的第二銅層的步驟包括: 在PCB板表層形成覆蓋所述第一阻蝕層的第二干膜； 在所述孔壁上的第二銅層上形成第二阻蝕層； 去除所述第二干膜； 去除所述第二阻蝕層未覆蓋的所述第二銅層； 去除所述第二阻蝕層。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，還包括磨平所述孔環(huán)上緣使之與所述PCB板表層齊平的步驟。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，所述第一銅層和/或所述第二銅層通過電鍍工藝制備。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，所述第一阻蝕層通過電鍍工藝制備。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，通過堿性刻蝕工藝除去所述第一阻蝕層。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，在所述去除所述第一阻蝕層之后，還包括:通過陶瓷研磨工藝磨平所述孔環(huán)上緣。9.根據(jù)權(quán)利要求3-8任一項(xiàng)所述的改善PCB減銅均勻性的方法，其特征在于，所述第一阻蝕層和/或所述第二阻蝕層為錫層或錫的化合物層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改善PCB減銅均勻性的方法，包括以下步驟：在PCB板表層和孔壁上形成第一銅層；在所述PCB板表層的除孔環(huán)的部分上形成第一阻蝕層；在所述第一阻蝕層和所述孔壁上形成第二銅層；去除所述第一阻蝕層上的第二銅層；去除所述第一阻蝕層。由此，通過一次形成表面銅，多次形成孔銅，能夠通過以第一阻蝕層的形成來控制減銅量，通過第一阻蝕層的刻蝕控制減銅的均勻性，有效保證了表面銅的厚度和均勻性，操作方便，簡單易行。
【IPC分類】H05K3/42, H05K3/18
【公開號(hào)】CN105392299
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510849051
【發(fā)明人】劉大輝
【申請(qǐng)人】北大方正集團(tuán)有限公司, 珠海方正科技多層電路板有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請(qǐng)日】2015年11月27日