專(zhuān)利名稱(chēng)：電容濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及 一種家電產(chǎn)品濾波用的電容濾波器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的濾波器一般采用電感加x和y電容或電感加Y電容進(jìn)行濾波，這 種方式的濾波器由于所使用的負(fù)載電感不同而需要調(diào)整x或y電容值，所以 通用性不強(qiáng)，因此申請(qǐng)人對(duì)現(xiàn)有電容濾波器進(jìn)行了改進(jìn)，通過(guò)薄膜型的L 端導(dǎo)電層、N端導(dǎo)電層繞在骨架上形成電感和電容，并通過(guò)4妄地層和L端導(dǎo) 電層、N端導(dǎo)電層形成Y電容，和通過(guò)L端導(dǎo)電層、N端導(dǎo)電層之間的放電 組件使產(chǎn)品達(dá)到安規(guī)要求，降低了電路安裝的復(fù)雜性，提高了產(chǎn)品的使用 壽命和通用性，由于在使用時(shí)，濾波器的薄膜型的L端導(dǎo)電層和N端導(dǎo)電層 電阻比較大，所以產(chǎn)品不能適合在大電流的環(huán)境中使用。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種通用性強(qiáng)，能夠用較少的電子元 件就可以實(shí)現(xiàn)濾波功能且?guī)Х烹姽δ?，并能夠在大電流環(huán)境中使用的電容
濾波器。
本實(shí)用新型所提及的濾波器可以通過(guò)以下三個(gè)技術(shù)方案實(shí)現(xiàn) 第一技術(shù)方案 一種電容濾波器，包括骨架、兩塊薄膜型導(dǎo)體層和至少 三塊薄膜型絕緣層，兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)使兩塊 薄膜型導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通，兩塊薄膜型導(dǎo)體層表面再分別設(shè)有與其接觸的 大電流導(dǎo)體，其中一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成L端導(dǎo) 體層，另一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成N端導(dǎo)體層，L端 導(dǎo)體層設(shè)有輸入端和輸出端，N端導(dǎo)體層設(shè)有輸入端和輸出端，L端導(dǎo)體層 和N端導(dǎo)體層之間連接放電組件，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間還設(shè)有一塊 一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層，L端導(dǎo)體層與薄膜型接地導(dǎo)體層之間通 過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，N端導(dǎo)體層與薄膜型接地導(dǎo)體層之間 也通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，上述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕 緣層、大電流導(dǎo)體、薄膜型接地導(dǎo)體層層疊后共同巻成一個(gè)薄膜型繞組， 薄膜型繞組穿套在骨架上。
上述技術(shù)方案還可作下述進(jìn)一步完善
5所述薄膜型繞組和骨架通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸 入端和輸出端伸出絕緣體，薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端伸出絕緣體，或者 薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端與骨架(當(dāng)骨架為導(dǎo)體時(shí))連接、骨架設(shè)有伸 出絕緣體的接地端。
所述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體以及薄膜型接地導(dǎo)體層 層疊后先纏繞在空心的套筒上形成薄膜型繞組，套筒再穿套在骨架上。所 述薄膜型繞組、套筒和骨架通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸 入端和輸出端伸出絕緣體，薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端伸出絕緣體，或者 薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端與骨架(當(dāng)骨架為導(dǎo)體時(shí))連接、骨架設(shè)有伸 出絕緣體的接地端。
所述兩薄膜型導(dǎo)體層的電感量比在0. 8-1. 2范圍內(nèi)。
所述的骨架在外形、導(dǎo)^茲:生能和導(dǎo)t:生能方面沒(méi);要求。'C 、 第二技術(shù)方案 一種電容濾波器，包括骨架、兩塊薄膜型導(dǎo)體層和至少 三塊薄膜型絕緣層，兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)使兩塊 薄膜型導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通，兩塊薄膜型導(dǎo)體層表面再分別設(shè)有與接觸的大 電流導(dǎo)體，其中一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成L端導(dǎo)體 層，另一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成N端導(dǎo)體層，L端導(dǎo) 體層設(shè)有輸入端和輸出端，N端導(dǎo)體層i殳有輸入端和輸出端，L端導(dǎo)體層和 N端導(dǎo)體層之間連接放電組件，L端導(dǎo)體層還對(duì)應(yīng)設(shè)有一塊一端用于接地的 薄膜型接地導(dǎo)體層A，兩者之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，N 端導(dǎo)體層也對(duì)應(yīng)設(shè)有一塊一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層B，兩者之間通 過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，上述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣 層、大電流導(dǎo)體、薄膜型接地導(dǎo)體層A以及薄膜型接地導(dǎo)體層B層疊后共同
巻成一個(gè)薄膜型繞組，薄膜型繞組穿套在骨架上。 上述技術(shù)方案還可作下述進(jìn)一步完善
所述薄膜型繞組和骨架外表面通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體 層的輸入端和輸出端伸出絕緣體，薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜型 接地導(dǎo)體層B的接地端伸出絕緣體，或者薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄 膜型接地導(dǎo)體層B的接地端與骨架(當(dāng)骨架為導(dǎo)體時(shí))連接，骨架設(shè)有伸 出絕緣體的接地端。
6所述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體、薄膜型接地導(dǎo)體層A 以及薄膜型接地導(dǎo)體層B層疊后先纏繞在空心的套筒上形成薄膜型繞組， 套筒再穿套在骨架上。所述薄膜型繞組、套筒和骨架外表面通過(guò)絕緣體包 裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸入端和輸出端伸出絕緣體，薄膜型接地導(dǎo) 體層A的接地端和薄膜型接地導(dǎo)體層B的接地端伸出絕緣體，或者薄膜型接 地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜型接地導(dǎo)體層B的接地端與骨架(當(dāng)骨架為導(dǎo)體 時(shí))連接、骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地端。
所述兩薄膜型導(dǎo)體層的電感量比在0. 8-1. 2范圍內(nèi)。 所述的骨架在外形、導(dǎo)磁性能和導(dǎo)電性能方面沒(méi)有要求。
第三技術(shù)方案 一種電容濾波器，包括骨架、兩塊薄膜型導(dǎo)體層和至少 兩塊薄膜型絕緣層，薄膜型導(dǎo)體層和薄膜型絕緣層間隔層疊使兩塊薄膜型 導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通，兩塊薄膜型導(dǎo)體層表面再分別設(shè)有與其接觸的大電流 導(dǎo)體，其中一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成L端導(dǎo)體層， 另一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成N端導(dǎo)體層，L端導(dǎo)體層 設(shè)有輸入端和輸出端，N端導(dǎo)體層設(shè)有輸入端和輸出端，L端導(dǎo)體層和N端 導(dǎo)體層之間連接放電組件，薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體層 疊后共同巻成薄膜型繞組，薄膜型繞組穿套在骨架上。
上述技術(shù)方案還可作下述進(jìn)一步完善
所述薄膜型繞組和骨架通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸 入端和輸出端伸出絕》彖體。
所述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體層疊后先纏繞在空心的 套筒上形成薄膜型繞組，套筒再穿套在骨架上。所述薄膜型繞組、套筒和 骨架通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸入端和輸出端伸出絕緣 體。
所述兩薄膜型導(dǎo)體層的電i量比在f I-1. 2范圍^。'；' 所述的骨架在外形、導(dǎo)磁性能和導(dǎo)電性能方面沒(méi)有要求。 本實(shí)用新型改變以往使用銅線纏繞方式用薄膜型導(dǎo)電層替代，骨架上纏 繞有兩塊薄膜型導(dǎo)體層，兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間通過(guò)絕緣層隔開(kāi)使兩塊薄 膜型導(dǎo)體層不導(dǎo)通，兩塊薄膜型導(dǎo)體層表面再分別設(shè)有與其緊密接觸的大
7電流導(dǎo)體，其中一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其緊貼的大電流導(dǎo)體組成L端導(dǎo)體 層，另一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其緊貼的大電流導(dǎo)體組成N端導(dǎo)體層，L端導(dǎo) 體層設(shè)有輸入端和輸出端，N端導(dǎo)體層設(shè)有輸入端和輸出端，L端導(dǎo)體層在 濾波電路中連接在電源線的L輸出端和負(fù)載的L輸入端，N端導(dǎo)體層在濾波 電路中連接在電源線的N輸出端和負(fù)載的N輸入端，所以?xún)蓧K薄膜型導(dǎo)體層 可以看作是兩根導(dǎo)線繞在骨架上而形成的電感，另外，由于兩塊薄膜型導(dǎo) 體層之間存在絕緣層，所以在兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間形成一個(gè)電容，這 樣，本實(shí)用新型在工頻條件下具備了電感和電容的特性，通過(guò)放電組件放 電解決電容值有時(shí)會(huì)太高達(dá)不到安規(guī)的放電要求的問(wèn)題，通過(guò)大電流導(dǎo)體 解決薄膜型導(dǎo)體層電阻值大當(dāng)有大電流通過(guò)薄膜型導(dǎo)體層時(shí)其易發(fā)熱問(wèn) 題。以上是三個(gè)技術(shù)方案的共同特征。
以上三個(gè)技術(shù)方案還有以下一點(diǎn)區(qū)別，第 一技方案是在兩塊薄膜型導(dǎo)體 層之間再增加一個(gè)用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層，接地導(dǎo)體層連接到產(chǎn)品 的地線端，這樣一個(gè)電容既帶有電感的作用，又可以取代原來(lái)濾波器的X、 Y電容或Y電容。第二技方案是兩塊薄膜型導(dǎo)體層各自再增加一個(gè)用于接地 的薄膜型接地導(dǎo)體層，兩個(gè)接地導(dǎo)體層連接到產(chǎn)品的地線端，這樣一個(gè)電 容既帶有電感的作用，又可以取代原來(lái)濾波器的X、 Y電容或Y電容(兩塊 薄膜型導(dǎo)體層比接地導(dǎo)體層長(zhǎng)時(shí)，超出的部分的兩塊薄膜型導(dǎo)體層通過(guò)互 相間絕緣形成X電容，兩塊薄膜型導(dǎo)體層分別與接地導(dǎo)體層形成Y電容，當(dāng) 兩塊薄膜型導(dǎo)體層比接地導(dǎo)體層短或與接地導(dǎo)體層一樣長(zhǎng)時(shí)，濾波器只有Y 電容形成)。第三技術(shù)方案則只能取代X電容。
電組件的兩端連接在L端導(dǎo)體i和N端i^層?！?'^、、
所述的骨架在外形、導(dǎo)磁性能和導(dǎo)電性能方面沒(méi)有要求。 薄膜型繞組不需要增加骨架都有足夠的電感量時(shí)，可以不需要增加骨
架，這時(shí)可以把套管看作骨架，且套管的形狀在外形、導(dǎo)磁性能和導(dǎo)電性
能方面沒(méi)有要求。
上述技術(shù)方案中均可以在L端導(dǎo)體層或N端導(dǎo)體層的輸入端或輸出端增 加用于保護(hù)用的部件，如保險(xiǎn)絲等。
上述技術(shù)方案中提及的用于承受大電流的導(dǎo)體可以是薄膜型導(dǎo)體層通過(guò) 自身折疊形成或者是外加導(dǎo)體，且在薄膜型導(dǎo)體層中的位置沒(méi)有規(guī)定。
圖1為實(shí)施例1的電容濾波器的一橫向截面圖，只是簡(jiǎn)單示出了兩塊薄 膜型導(dǎo)體層、兩塊薄膜型絕緣層與骨架之間的配合關(guān)系。
圖2為實(shí)施例1的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(軸向截面圖)； 圖3為實(shí)施例1的電氣原理圖4為實(shí)施例2的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(軸向截面圖)； 圖5為實(shí)施例3的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(軸向截面圖)； 圖6為實(shí)施例4的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(軸向截面圖)； 圖7為實(shí)施例5的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(橫向截面圖)； 圖8為實(shí)施例6的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(軸向截面圖)； 圖9為實(shí)施例7的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(軸向截面圖)； 圖10為實(shí)施例8的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(軸向截面圖)； 圖11為實(shí)施例9的電氣原理圖12為實(shí)施例10的展開(kāi)結(jié)構(gòu)原理示意圖(軸向截面圖)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳述。
實(shí)施例1，結(jié)合圖1和圖3， 一種電容濾波器，包括骨架1、薄膜型導(dǎo) 體層3、薄膜型導(dǎo)體層3表面的大電流導(dǎo)體2、薄膜型導(dǎo)體層5、薄膜型導(dǎo) 體層5表面的大電流導(dǎo)體4、接地導(dǎo)體層9、薄膜型絕緣層6、 7、 8。薄膜 型導(dǎo)體層3和大電流導(dǎo)體2組成L端導(dǎo)體層3，，薄膜型導(dǎo)體層5和大電流 導(dǎo)體4組成N端導(dǎo)體層5， ， L端導(dǎo)體層3'和N端導(dǎo)體層5，分別設(shè)有輸 入端和輸出端。在薄膜型導(dǎo)體層3和接地導(dǎo)體層9之間有薄膜型絕緣層6， 使薄膜型導(dǎo)體層3和接地導(dǎo)體層9形成電容。在接地導(dǎo)體層9和薄膜型導(dǎo)體 層5之間設(shè)有薄膜型絕緣層7，使接地導(dǎo)體層9和薄膜型導(dǎo)體層5形成電 容。在薄膜型導(dǎo)體層5和骨架1之間設(shè)有薄膜型絕緣層8，接地導(dǎo)體層9的 長(zhǎng)度只有一小段，大大小于薄膜型導(dǎo)體層3和薄膜型導(dǎo)體層5長(zhǎng)度。大電流 導(dǎo)體2、 4寬度小于薄膜型導(dǎo)體層3、 5寬度，大電流導(dǎo)體2、 4長(zhǎng)度可大于 或等于薄膜型導(dǎo)體層3、 5長(zhǎng)度，如果大電流導(dǎo)體2、 4的長(zhǎng)度比薄膜型導(dǎo)體 層3、 5短，此時(shí)L端導(dǎo)體層3，和N端導(dǎo)體層5，的輸入端和輸出端都可以 直接從大電流導(dǎo)體2、 4的兩端引出。
9L端導(dǎo)體層3，和N端導(dǎo)體層5，之間串聯(lián)放電電阻10， L端導(dǎo)體層 3'的輸入端處連接有電流保險(xiǎn)絲25。
薄膜型導(dǎo)體層5、薄膜型導(dǎo)體層3、大電流導(dǎo)體2、大電流導(dǎo)體4、接地 導(dǎo)體層9、薄膜型絕緣層6、 7和8層疊后共同纏繞在骨架1 (見(jiàn)圖1)上， 其中薄膜型導(dǎo)體層5位于內(nèi)層，薄膜型導(dǎo)體層3位于外層，薄膜型絕緣層6 設(shè)在薄膜型導(dǎo)體層5和薄膜型導(dǎo)體層3之間保證兩導(dǎo)體層之間隔離形成電 容，接地導(dǎo)體層9、薄膜型導(dǎo)體層3和薄膜型導(dǎo)體層5是由薄膜型金屬層形 成的，薄膜型導(dǎo)體層3和薄膜型導(dǎo)體層5的電感量比為0. 8-1. 2之間。有一 用樹(shù)脂作絕緣材料的絕緣體11包裹電容濾波器外表面，N端導(dǎo)體層和L端 導(dǎo)體層均分別設(shè)有輸入端和輸出端(見(jiàn)圖3),輸入端和輸出端伸出絕緣體 11，輸入端和輸出端可以:沒(méi)在薄膜型導(dǎo)體層的端部或側(cè)部。，接地導(dǎo)體層9有 一端用于接地，接地導(dǎo)體層9的接地端伸出絕緣體11，或者是接地導(dǎo)體層9 的接地端與骨架1連接(骨架為金屬時(shí))，骨架設(shè)有伸出絕緣體11的接地 端。骨架4可是任何形狀的導(dǎo)磁或非導(dǎo)磁材料。
圖3為實(shí)施例電氣原理圖，L端導(dǎo)體層3'輸入端Ll與電源L線連接， L端導(dǎo)體層3，輸出端L2與負(fù)載的L輸入端連接，N端導(dǎo)體層5，的輸入端 Nl與電源的N線連接，N端導(dǎo)體層5'的輸出端N2與負(fù)載的N輸入端連 接，大電流導(dǎo)體2貼在薄膜型導(dǎo)體層3的表面，大電流導(dǎo)體4貼在薄膜型導(dǎo) 體層5的表面，大電流導(dǎo)體2、 4在電路中為電流提供通道，接地導(dǎo)體層9 的一端接地。
實(shí)施例2，結(jié)合圖4，實(shí)施例2和實(shí)施例1的區(qū)別在于把L端導(dǎo)體層 3， 、 N端導(dǎo)體層5， 、 ^接地導(dǎo)體層9、薄膜型絕緣層6、 7、 8按上述實(shí)施 例順序?qū)盈B后先共同纏繞在一空心套筒12上，再把套筒12穿套在骨架1 上，這樣可以提高電容濾波器生產(chǎn)效率。
實(shí)施例3，結(jié)合圖5， 一種電容濾波器，包括骨架l、薄膜型導(dǎo)體層3、 薄膜型導(dǎo)體層3表面的大電流導(dǎo)體2、薄膜型導(dǎo)體層5、薄膜型導(dǎo)體層5表 面的大電流導(dǎo)體4、接地導(dǎo)體層14、 15,薄膜型導(dǎo)體層3和大電流導(dǎo)體2組 成L端導(dǎo)體層3'，薄膜型導(dǎo)體層5和大電流導(dǎo)體4組成N端導(dǎo)體層5，， L端導(dǎo)體層3，和N端導(dǎo)體層5，分別設(shè)有輸入端和輸出端。在薄膜型導(dǎo)體 層3和接地導(dǎo)體層14之間設(shè)有薄膜型絕緣層6,使薄膜型導(dǎo)體層3和接地 導(dǎo)體層14形成電容。在接地導(dǎo)體層15和薄膜型導(dǎo)體層5之間設(shè)有薄膜型絕
10緣層7、使接地導(dǎo)體層15和薄膜型導(dǎo)體層5形成電容。在N端導(dǎo)體層5，和 骨架1之間設(shè)有薄膜型絕緣層17,接地導(dǎo)體層14、 15的長(zhǎng)度只有一小段， 大大小于薄膜型導(dǎo)體層3、 5長(zhǎng)度。大電流導(dǎo)體2、 4寬度小于薄膜型導(dǎo)體層 3、 5寬度，大電流導(dǎo)體2、 4長(zhǎng)度大于或等于薄膜型導(dǎo)體層3、 5長(zhǎng)度，如 果大電流導(dǎo)體2、 4的長(zhǎng)度比薄膜型導(dǎo)體層3、 5短，此時(shí)L端導(dǎo)體層3，和 N端導(dǎo)體層5，的輸入端和輸出端都直接從大電流導(dǎo)體2、 4的兩端引出。
L端導(dǎo)體層3，和N端導(dǎo)體層5，之間串聯(lián)放電電阻IO。薄膜型導(dǎo)體層 3是通過(guò)在薄膜型絕緣層16的表面通過(guò)電鍍、噴涂金屬形成的，薄膜型導(dǎo) 體層5是在薄膜型絕緣層17的表面通過(guò)電鍍、噴涂金屬形成的，接地導(dǎo)電 層14、 15是在薄膜型絕緣層13的兩表面通過(guò)電鍍、噴涂金屬形成的。
N端導(dǎo)體層5， 、 L端導(dǎo)體層3，、接地導(dǎo)體層14、 15、薄膜型絕緣層 16、 6、 13、 7、 17層疊后共同纏繞在骨架1上，其中薄月莫型導(dǎo)體層5位于 內(nèi)層，薄膜型導(dǎo)體層3位于外層，薄膜型絕緣層13設(shè)在薄膜型導(dǎo)體層5和 薄膜型導(dǎo)體層3之間保證兩導(dǎo)體層之間隔離形成電容，薄膜型導(dǎo)體層3和薄 膜型導(dǎo)體層5的電感量比為0. 8-1. 2之間。有一用樹(shù)脂作絕緣材料的絕緣體 包裹電容濾波器外表面，N端導(dǎo)體層5'和L端導(dǎo)體層3，均分別設(shè)有輸入 端和輸出端，輸入端和輸出端伸出絕緣體，輸入端和輸出端可以設(shè)在薄膜 型導(dǎo)體層的端部或側(cè)部。接地導(dǎo)體層14、 15有一端用于接地，接地導(dǎo)體層 14、 15的接地端伸出絕緣體11，或者是接地導(dǎo)體層14、 15的接地端與骨架 1連接(骨架為金屬時(shí))，骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地端。骨架1可是任何 形狀導(dǎo)磁或非導(dǎo)磁材料。
實(shí)施例4,結(jié)合圖6，實(shí)施例4和實(shí)施例2的區(qū)別在于取消骨架1， 直接把套管12作為骨架來(lái)使用。
實(shí)施例5，結(jié)合圖7，實(shí)施例7和實(shí)施例1的區(qū)別在于接地導(dǎo)體層9 先纏繞在骨架1上，再按實(shí)施例1中的順序?qū)盈B在骨架1上，骨架1可以為 金屬，也可以是套管或非金屬骨架。
實(shí)施例6，結(jié)合圖8,實(shí)施例8和實(shí)施例1的區(qū)別在于骨架1設(shè)有一 中心孔，層疊后各個(gè)薄膜共同穿過(guò)骨架1中心孔23纏繞在骨架上。
實(shí)施例7，結(jié)合圖9，實(shí)施例9和實(shí)施例1的區(qū)別在于取消接地導(dǎo)體 層9和薄膜型絕緣層7，此時(shí)的濾波器等效為X電容加電感。
ii實(shí)施例8，結(jié)合圖10，實(shí)施例IO和實(shí)施例1的區(qū)別在于放電組件為 電感組件24。
上述各個(gè)實(shí)施例中，放電組件可以被包裹在絕緣體內(nèi)也可放在絕緣體 外，可以帶也可以不帶保險(xiǎn)絲，可以使用也可以不使用套管，骨架和套管 的導(dǎo)電性、導(dǎo)磁性以及形狀等都不影響本專(zhuān)利的保護(hù)范圍。如果大電流導(dǎo) 體2、 4寬度與薄膜型導(dǎo)體層3、 5寬度相同的話則只需加厚它們即可。實(shí)施 例2至實(shí)施例8的電路結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1一致。
實(shí)施例9,結(jié)合圖11,實(shí)施例9和實(shí)施例1的區(qū)別在于大電流導(dǎo)體2 比薄膜型導(dǎo)體層3長(zhǎng)度短但寬度寬，大電流導(dǎo)體4比薄膜型導(dǎo)體層5長(zhǎng)度短 但寬度寬，此時(shí)薄膜型導(dǎo)體層5沒(méi)有被大電流導(dǎo)體4覆蓋的部分形成X電 容，薄膜型導(dǎo)體層3沒(méi)有被大電流導(dǎo)體2覆蓋的部分形成X電容。
實(shí)施例10,結(jié)合圖12,實(shí)施例IO和實(shí)施例8的區(qū)別在于取消大電流 導(dǎo)體2和大電流導(dǎo)體4，電感組件24為濾波器主要的電感來(lái)源，放電組件 為放電電阻IO。
上述各個(gè)實(shí)施例中，沒(méi)有規(guī)定哪個(gè)絕緣層或?qū)w層先與骨架接觸，大電 流導(dǎo)體只要沒(méi)有完全覆蓋薄膜型導(dǎo)體層即可，外型沒(méi)有要求。
權(quán)利要求1、一種電容濾波器，包括骨架，其特征在于還包括兩塊薄膜型導(dǎo)體層和至少三塊薄膜型絕緣層，兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)使兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通，兩塊薄膜型導(dǎo)體層表面再分別設(shè)有與其接觸的大電流導(dǎo)體，其中一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成L端導(dǎo)體層，另一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成N端導(dǎo)體層，L端導(dǎo)體層設(shè)有輸入端和輸出端，N端導(dǎo)體層設(shè)有輸入端和輸出端，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間連接放電組件，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間還設(shè)有一塊一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層，L端導(dǎo)體層與薄膜型接地導(dǎo)體層之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，N端導(dǎo)體層與薄膜型接地導(dǎo)體層之間也通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，上述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體、薄膜型接地導(dǎo)體層層疊后共同卷成一個(gè)薄膜型繞組，薄膜型繞組穿套在骨架上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型繞 組和骨架通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸入端和輸出端 伸出絕緣體，薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端伸出絕緣體，或者薄膜型接 地導(dǎo)體層的接地端與骨架連接、骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地端。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型導(dǎo) 體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體以及薄膜型接地導(dǎo)體層層疊后先纏 繞在空心的套筒上形成薄膜型繞組，套筒再穿套在骨架上。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型繞 組、套筒和骨架通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸入端和輸出端伸出絕緣體，薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端伸出絕緣體，或者薄 膜型接地導(dǎo)體層的接地端與骨架連接、骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地 端。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述電容濾波器，其特征在于所述放電 組件為放電電阻或》欠電電感或放電電阻與放電電感的組合。
6、 一種電容濾波器，包括骨架，其特征在于還包括兩塊薄膜型 導(dǎo)體層和至少三塊薄膜型絕緣層，兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)使兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通，兩塊薄膜型導(dǎo)體層表面 再分別設(shè)有與接觸的大電流導(dǎo)體，其中一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電流導(dǎo)體組成L端導(dǎo)體層，另一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大 電流導(dǎo)體組成N端導(dǎo)體層，L端導(dǎo)體層設(shè)有輸入端和輸出端，N端導(dǎo)體 層設(shè)有輸入端和輸出端，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間連接放電組件， L端導(dǎo)體層還對(duì)應(yīng)設(shè)有一塊一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層A,兩者 之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，N端導(dǎo)體層也對(duì)應(yīng)設(shè)有一 塊一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層B,兩者之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔 開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，上述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo) 體、薄膜型接地導(dǎo)體層A以及薄膜型接地導(dǎo)體層B層疊后共同巻成一 個(gè)薄膜型繞組，薄膜型繞組穿套在骨架上。
7、 才艮據(jù)權(quán)利要求6所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型繞 組和骨架外表面通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸入端和 輸出端伸出絕緣體，薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜型接地導(dǎo)體 層B的接地端伸出絕緣體，或者薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜 型接地導(dǎo)體層B的接地端與骨架連接，骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地 端。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型導(dǎo) 體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體、薄膜型接地導(dǎo)體層A以及薄膜型 接地導(dǎo)體層B層疊后先纏繞在空心的套筒上形成薄膜型繞組，套筒再 穿套在骨架上。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型繞 組、套筒和骨架外表面通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸 入端和輸出端伸出絕緣體，薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜型接 地導(dǎo)體層B的接地端伸出絕緣體，或者薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端 和薄膜型接地導(dǎo)體層B的接地端與骨架連接、骨架設(shè)有伸出絕緣體的 接地端。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6或8所述電容濾波器，其特征在于所述放電 組件為放電電阻或放電電感或》欠電電阻與放電電感的組合。
11、 一種電容濾波器，包括骨架，其特征在于還包括兩塊薄膜 型導(dǎo)體層和至少兩塊薄膜型絕緣層，薄膜型導(dǎo)體層和薄膜型絕緣層間 隔層疊使兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通，兩塊薄膜型導(dǎo)體層表面再分 別設(shè)有與其接觸的大電流導(dǎo)體，其中 一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的 大電流導(dǎo)體組成L端導(dǎo)體層，另一塊薄膜型導(dǎo)體層和與其接觸的大電 流導(dǎo)體組成N端導(dǎo)體層，L端導(dǎo)體層設(shè)有輸入端和輸出端，N端導(dǎo)體層 設(shè)有輸入端和輸出端，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間連接放電組件，薄 膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體層疊后共同巻成薄膜型繞 組，薄膜型繞組穿套在骨架上。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型 繞組和骨架通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸入端和輸出 端伸出絕緣體。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型 導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、大電流導(dǎo)體層疊后先纏繞在空心的套筒上形 成薄膜型繞組，套筒再穿套在骨架上。
14、 才艮據(jù)權(quán)利要求13所述電容濾波器，其特征在于所述薄膜型 繞組、套筒和骨架通過(guò)絕緣體包裹，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層的輸入端 和輸出端伸出絕緣體。
15、 根據(jù)權(quán)利要求11或13所述電容濾波器，其特征在于所述放 電組件為》文電電阻或》欠電電感或放電電阻與放電電感的組合。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種家電產(chǎn)品濾波用的電容濾波器。它包括骨架、兩塊薄膜型導(dǎo)體層和至少三塊薄膜型絕緣層，兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)使兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間串聯(lián)放電組件，L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間還對(duì)應(yīng)設(shè)有一塊一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層，L端導(dǎo)體層與薄膜型接地導(dǎo)體層之間通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，N端導(dǎo)體層與薄膜型接地導(dǎo)體層之間也通過(guò)薄膜型絕緣層隔開(kāi)不導(dǎo)通形成電容，上述層狀體共同卷成一個(gè)薄膜型繞組，薄膜型繞組穿套在骨架上。本實(shí)用新型降低了電路安裝的復(fù)雜性，提高了產(chǎn)品的使用壽命。
文檔編號(hào)H03H7/01GK201278511SQ20082020974
公開(kāi)日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月6日
發(fā)明者梁偉國(guó) 申請(qǐng)人:梁偉國(guó)