一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄片晶片蝕刻方法，尤其涉及一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法。
【背景技術(shù)】
[0002]Lam4520機(jī)臺本身是針對正常厚度675um的晶片(wafer)設(shè)計的一種介質(zhì)蝕刻機(jī)臺，在做蝕刻工藝過程中，夾具(clamp)將晶片(wafer)固定在機(jī)臺的卡盤(chuck)上，晶片(wafer)在蝕刻過程中將被等離子體加熱，通過在晶片(wafer)背面設(shè)定12T壓力的氦氣氣流(He flow)達(dá)到冷卻的效果。
[0003]但對于MEMS薄片工藝(300or 400um wafer)，由于蝕刻的膜厚度比較厚(um級別)，工藝時間比較長，而片子本身太薄，夾具(clamp)將無法完全將晶片(wafer)固定在卡盤(chuck)上，片子按正常的設(shè)定12T壓力的氦氣氣流(He flow)，晶片(wafer)會被背氦吹得懸浮起來，導(dǎo)致氦氣氣流(He flow)太大，機(jī)臺報警無法作業(yè)，這時可以降低背面氦氣氣流(He flow)的設(shè)定來使機(jī)臺不報警，但帶來另一個問題就是背面氦氣氣流(He flow)太高導(dǎo)致晶片(wafer)在加工過程中冷卻效果不好導(dǎo)致光阻因高溫而糊膠的現(xiàn)象發(fā)生。
[0004]要徹底解決這個問題，最佳方案就是對機(jī)臺進(jìn)行ESC(靜電吸盤)改造，但改造費(fèi)用比較高，預(yù)計超過15萬人民幣以上。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)解決LAM4520機(jī)臺跑薄片工藝糊膠問題的解決方法如下:
[0006]1.對機(jī)臺進(jìn)行改造，用ESC(靜電吸盤)來解決晶片(wafer)與卡盤(chuck)不能很好固定的問題，缺點(diǎn)是需要增加成本。
[0007]2.對夾具(clamp)進(jìn)行改造，增加夾具(clamp)的厚度使薄片晶片(wafer)能固定在卡盤(chuck)上，缺點(diǎn)是需要增加成本，而且跑正常厚度的片子會有破片的風(fēng)險，存在薄片和厚片不能同時作業(yè)的問題。
[0008]有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計人，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，該方法操作簡單，成本低，能同時兼容厚片和薄片加工，防止薄片工藝出現(xiàn)糊膠。
[0010]本發(fā)明提出一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，其特征在于:包括以下步驟:
[0011](I)將需要蝕刻加工的薄片晶片(wafer)通過夾具(clamp)裝夾到蝕刻機(jī)臺的卡盤(chuck)上；
[0012](2)將薄片晶片(wafer)蝕刻加工所需要的總時間拆分成若干次相同短時間的蝕刻加工；
[0013](3)第一次短時間的蝕刻加工過程中，在薄片晶片(wafer)背面通氦氣(He)氣流進(jìn)行冷卻，設(shè)定好氦氣(He)氣流的壓力，防止當(dāng)機(jī)，保證冷卻效果；
[0014](4)完成第一次蝕刻后加一個通氦氣的步驟，機(jī)臺腔體內(nèi)維持一定的壓力，利用氦氣良好的導(dǎo)熱性冷卻waf er表面
[0015](5)完成第一次短時間的蝕刻加工后，查看薄片晶片(wafer)的光刻膠(PR)在第一次短時間的蝕刻加工后是否出現(xiàn)糊膠；
[0016](6)若沒有出現(xiàn)糊膠，則以第一次短時間的蝕刻加工和冷卻步驟作為一個加工周期，進(jìn)行后續(xù)的加工，直到完成最后一次短時間的蝕刻加工和冷卻；
[0017](7)若出現(xiàn)糊膠，則增加蝕刻加工所需總時間拆分次數(shù)，從而縮短第一次蝕刻加工的時間，然后重復(fù)步驟(3)和步驟(4)，直到不再出現(xiàn)糊膠后，再按照該不糊膠的蝕刻加工和冷卻作為一個加工周期，進(jìn)行后續(xù)的加工，直到完成最后一次蝕刻加工和冷卻。
[0018]作為本發(fā)明方法的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟(I)中所述的蝕刻機(jī)臺為Lam4520介質(zhì)蝕刻機(jī)臺
[0019]作為本發(fā)明方法的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟(2)中所述蝕刻加工所需要的總時間拆分成相同短時間的蝕刻加工的次數(shù)根據(jù)工藝需求進(jìn)行設(shè)定。
[0020]作為本發(fā)明方法的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟(3)中所述氦氣(He)氣流的壓力設(shè)定為6?12T。
[0021 ]作為本發(fā)明方法的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟(3)中所述通氦氣(He)氣流進(jìn)行冷卻的時間為15?60秒。
[0022]借由上述方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明提供的一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，在不改造機(jī)臺，不增加成本的基礎(chǔ)上，能夠防止薄片工藝出現(xiàn)糊膠，同時兼容厚片和薄片加工，操作簡單，使用方便。
[0023]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)說明如后。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0025]實施例:一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，包括以下步驟:
[0026](I)將需要蝕刻加工的薄片晶片(wafer)通過夾具(clamp)裝夾到蝕刻機(jī)臺的卡盤(chuck)上；
[0027](2)將薄片晶片(wafer)蝕刻加工所需要的總時間拆分成若干次相同短時間的蝕刻加工；
[0028](3)第一次短時間的蝕刻加工過程中，在薄片晶片(wafer)背面通氦氣(He)氣流進(jìn)行冷卻，設(shè)定好氦氣(He)氣流的壓力，防止當(dāng)機(jī)，保證冷卻效果；
[0029](4)完成第一次蝕刻后加一個通氦氣的步驟，機(jī)臺腔體內(nèi)維持一定的壓力，利用氦氣良好的導(dǎo)熱性冷卻waf er表面
[0030](5)完成第一次短時間的蝕刻加工后，查看薄片晶片(wafer)的光刻膠(PR)在第一次短時間的蝕刻加工后是否出現(xiàn)糊膠；
[0031](6)若沒有出現(xiàn)糊膠，則以第一次短時間的蝕刻加工和冷卻步驟作為一個加工周期，進(jìn)行后續(xù)的加工，直到完成最后一次短時間的蝕刻加工和冷卻；
[0032](7)若出現(xiàn)糊膠，則增加蝕刻加工所需總時間拆分次數(shù)，從而縮短第一次蝕刻加工的時間，然后重復(fù)步驟(3)和步驟(4)，直到不再出現(xiàn)糊膠后，再按照該不糊膠的蝕刻加工和冷卻作為一個加工周期，進(jìn)行后續(xù)的加工，直到完成最后一次蝕刻加工和冷卻。
[0033]步驟(I)中所述的蝕刻機(jī)臺為Lam4520介質(zhì)蝕刻機(jī)臺
[0034]步驟(2)中所述蝕刻加工所需要的總時間拆分成相同短時間的蝕刻加工的次數(shù)根據(jù)工藝需求進(jìn)行設(shè)定。
[0035]步驟(3)中所述氦氣(He)氣流的壓力設(shè)定為6?12T。
[0036]步驟(3)中所述通氦氣(He)氣流進(jìn)行冷卻的時間為15?60秒。
[0037]實驗例:
[0038]蝕刻2.2um厚的氧化層薄片背氦設(shè)定8T，總共需要蝕刻300秒，若持續(xù)蝕刻300秒，則會發(fā)生糊膠問題。
[0039]使用本發(fā)明的方法將300秒拆分成若干短秒數(shù)(如60秒)，跑完60秒后加氦氣氣體的冷卻，確認(rèn)好這個蝕刻+冷卻的過程光刻膠(PR)沒有糊，就可以將原本300秒，拆分成5個蝕刻+冷卻的加工周期，從而解決薄片糊膠問題，拆分成若干加工周期，只要加起來總的蝕刻時間與原來一致，就不會影響蝕刻結(jié)果。
[0040]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，并不用于限制本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，其特征在于:包括以下步驟: (1)將需要蝕刻加工的薄片晶片(wafer)通過夾具(clamp)裝夾到蝕刻機(jī)臺的卡盤(chuck)上； (2)將薄片晶片(wafer)蝕刻加工所需要的總時間拆分成若干次相同短時間的蝕刻加工； (3)第一次短時間的蝕刻加工過程中，在薄片晶片(wafer)背面通氦氣(He)氣流進(jìn)行冷卻，設(shè)定好氦氣(He)氣流的壓力，防止當(dāng)機(jī)，保證冷卻效果； (4)完成第一次蝕刻后加一個通氦氣的步驟，機(jī)臺腔體內(nèi)維持一定的壓力，利用氦氣良好的導(dǎo)熱性冷卻wafer表面； (5)完成第一次短時間的蝕刻加工后，查看薄片晶片(wafer)的光刻膠(PR)在第一次短時間的蝕刻加工后是否出現(xiàn)糊膠； (6)若沒有出現(xiàn)糊膠，則以第一次短時間的蝕刻加工和冷卻步驟作為一個加工周期，進(jìn)行后續(xù)的加工，直到完成最后一次短時間的蝕刻加工和冷卻； (7)若出現(xiàn)糊膠，則增加蝕刻加工所需總時間拆分次數(shù)，從而縮短第一次蝕刻加工的時間，然后重復(fù)步驟(3)和步驟(4)，直到不再出現(xiàn)糊膠后，再按照該不糊膠的蝕刻加工和冷卻作為一個加工周期，進(jìn)行后續(xù)的加工，直到完成最后一次蝕刻加工和冷卻。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，其特征在于:步驟(I)中所述的蝕刻機(jī)臺為Lam4520介質(zhì)蝕刻機(jī)臺。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，其特征在于:步驟(2)中所述蝕刻加工所需要的總時間拆分成相同短時間的蝕刻加工的次數(shù)根據(jù)工藝需求進(jìn)行設(shè)定。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，其特征在于:步驟(3)中所述氦氣(He)氣流的壓力設(shè)定為6?12T。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，其特征在于:步驟(4)中所述通氦氣(He)氣流進(jìn)行冷卻的時間為15?60秒。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種防止蝕刻機(jī)臺做薄片工藝糊膠的蝕刻方法，該方法的原理是通過將蝕刻加工的總時間分為若干次短時間的蝕刻加工，并再每一次短時間的蝕刻加工完成后增加氦氣冷卻步驟，使晶片(wafer)表明溫度不會達(dá)到糊膠的溫度從而解決薄片糊膠的問題，只要每次短時間的蝕刻加工時間加起來和需要蝕刻加工的總時間一致，則不會影響晶片(wafer)的蝕刻結(jié)果。該方法在不改造機(jī)臺，不增加成本的基礎(chǔ)上，能夠防止薄片工藝出現(xiàn)糊膠，同時兼容厚片和薄片加工，操作簡單，使用方便。
【IPC分類】H01L21/311, H01L21/67, H01L21/66
【公開號】CN105609417
【申請?zhí)枴緾N201510988986
【發(fā)明人】姚海平, 韓冬, 李全寶
【申請人】蘇州工業(yè)園區(qū)納米產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月24日