OLED基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法與流程

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種oled基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，視覺資訊在人們生活中的地位越來越重要，因此，承載視覺資訊信息的平板顯示器件也在人們生活中占據(jù)著越來越重要的地位。這些常見的平板顯示器件包括液晶顯示器件(lcd)，有機(jī)電致發(fā)光二極管(oled)等。

oled基板中通常包括襯底基板、設(shè)置在襯底基板上方的平坦層、陽極和像素限定層。在現(xiàn)有oled基板的制備過程中，通常在平坦層形成之后通過兩步工藝制備陽極和像素限定層，而在制備像素限定層時，由于曝光量較大，會導(dǎo)致薄膜晶體管的特性vth漂移，影響oled基板的的穩(wěn)定性；另外，陽極和像素限定層分開制備的工藝會造成產(chǎn)能降低、成本增加等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種能夠避免在制備過程薄膜晶體管的特性vth漂移，以保證基板穩(wěn)定性，以及降低制備成本、提高產(chǎn)能的oled基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種oled基板的制備方法，包括：

通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底的上方形成包括oled器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形；其中，所述像素限定層包括間隔設(shè)置的多個像素?fù)鯄Γ恳粋€所述像素?fù)鯄ο薅ㄒ粋€所述oled器件的第一極。

其中，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底的上方形成包括oled器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形；其中，所述像素限定層包括間隔設(shè)置的多個像素?fù)鯄?，每一個所述像素?fù)鯄ο薅ㄒ粋€所述oled器件的第一極包括：

在所述襯底的上方依次沉積第一極材料和像素限定層材料；

對像素限定層材料進(jìn)行不同精度的曝光，形成完全曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域；

對曝光后的完全曝光區(qū)域和部分曝光區(qū)域的像素限定層材料進(jìn)行顯影、刻蝕，去除所述完全曝光區(qū)域的像素限定層材料，以暴露出與所述完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的部分所述第一極材料；

對暴露出的所述第一極材料進(jìn)行刻蝕，以形成所述第一極；

去除所述部分曝光區(qū)域剩余的像素限定層材料，以形成所述像素?fù)鯄Α?/p>

其中，在所述通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底的上方形成包括oled器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形之前，還包括：

在所述襯底上依次形成薄膜晶體管的各層結(jié)構(gòu)和平坦化層。

其中，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。

其中，在所述通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底的上方形成包括oled器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形之后，還包括：

在所述襯底的上方且相鄰兩個所述oled器件之間形成隔墊物。

其中，在所述通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底的上方形成包括oled器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形之后，還包括：

形成位于所述第一極之上的發(fā)光層和第二極。

其中，所述第一極采用導(dǎo)電的反射材料制成。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置的制備方法，包括上述任意一項(xiàng)所述的oled基板的制備方法的步驟。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種oled基板，包括多個oled器件，每個所述oled器件包括第一極和位于所述第一極上的像素限定層，所述像素限定層包括多個像素?fù)鯄?，每一個所述像素?fù)鯄鸵粋€所述oled器件的第一極在襯底上的正投影所限定的區(qū)域完全重合。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的oled基板。

本發(fā)明的oled基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法中，該oled基板的制備方法包括：通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底的上方形成包括oled器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形，也就是說，第一極和像素限定層可以采用一次構(gòu)圖工藝制備，同時，像素限定層可以作為第一極的刻蝕保護(hù)層(即相當(dāng)于光刻膠)，既可以減少一次構(gòu)圖工藝，還可以減少光刻膠的使用，從而大幅度降低成本、提高oled基板的產(chǎn)能；另外，第一極和像素限定層通過一次構(gòu)圖工藝制備，能夠完全避免第一極和像素限定層分開制備時所產(chǎn)生的圖案偏差，從而提高oled基板的開口率；而且，在進(jìn)行構(gòu)圖工藝時，由于第一極的存在能夠反射光線，因此，能夠有效的保護(hù)紫外光對位于第一極下方的薄膜晶體管的特性的影響，從而保證了oled基板的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法中執(zhí)行完步驟s1之后的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法中執(zhí)行完步驟s1之后的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法中執(zhí)行完步驟s21之后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法中執(zhí)行完步驟s23之后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法中執(zhí)行完步驟s24之后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法中執(zhí)行完步驟s25之后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法中執(zhí)行完步驟s3之后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明的實(shí)施例1的oled基板的制備方法中執(zhí)行完步驟s4之后的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，附圖標(biāo)記為：1、襯底；2、柵極；3、柵絕緣層；4、金屬氧化物層；5、源極；6、漏極；7、絕緣層；8、平坦化層；9、低溫多晶硅層；10、緩沖層；11、層間介質(zhì)層；12、第一極材料；13、像素限定層材料；14、第一極；15、像素?fù)鯄Γ?6、隔墊物；17、發(fā)光層；18、第二極；a、完全曝光區(qū)域；b、部分曝光區(qū)域；c、未曝光區(qū)域。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

請參照圖1至圖9，本實(shí)施例提供一種oled基板的制備方法，包括：

步驟s1，在襯底1上依次形成薄膜晶體管的各層結(jié)構(gòu)和平坦化層8。

其中，薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。當(dāng)然，薄膜晶體管的類型并不局限于此，在此不再贅述。

請參照圖2，當(dāng)薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，該氧化物薄膜晶體管包括在襯底1上依次形成的柵極2、柵絕緣層3、金屬氧化物層4(即有源層)、源極5、漏極6、絕緣層7，絕緣層7上形成平坦化層8。

請參照圖3，當(dāng)薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，該低溫多晶硅薄膜晶體管包括在襯底1上依次形成的低溫多晶硅層9((即有源層))、緩沖層10、柵極2、層間介質(zhì)層11、源極5、漏極6、絕緣層7，絕緣層7上形成平坦化層8。

需要說明的是，本實(shí)施例中是以底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管進(jìn)行描述的，但并不局限于此，還可以采用頂柵結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。以下，以采用氧化物薄膜晶體管的oled基板的制備方法進(jìn)行描述，當(dāng)然，采用低溫多晶硅薄膜晶體管的oled基板的制備方法相同，在此不再贅述。

步驟s2，通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底1的上方形成包括oled器件的第一極14和位于第一極14所在層上方的像素限定層的圖形；其中，像素限定層包括間隔設(shè)置的多個像素?fù)鯄?5，每一個像素?fù)鯄?5限定一個oled器件的第一極14。

其中，步驟s1具體包括：

請參照圖4，步驟s21，在襯底1的上方依次沉積第一極材料12和像素限定層材料13。從圖4中可以看出，第一極材料12實(shí)際上是沉積在平坦化層8上的，像素限定層材料13沉積在第一極材料12上。

步驟s22，對像素限定層材料13進(jìn)行不同精度的曝光，形成完全曝光區(qū)域a、部分曝光區(qū)域b和未曝光區(qū)域c。需要說明的是，本實(shí)施例中所說的不同精度的曝光可采用灰階掩膜板或半色調(diào)掩膜板進(jìn)行曝光，但不局限于此。此時，像素限定層材料13的作用相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)工藝中的光刻膠層，即像素限定層材料13除了在后續(xù)步驟中能夠形成像素限定層之外，還可以起到節(jié)省光刻膠的作用。

請參照圖5，步驟s23，對曝光后的完全曝光區(qū)域a和部分曝光區(qū)域b的像素限定層材料13進(jìn)行顯影、刻蝕，去除完全曝光區(qū)域a的像素限定層材料13，以暴露出與完全曝光區(qū)域a對應(yīng)的部分第一極材料12。

從圖5中可以看出，在進(jìn)行不同精度的曝光之后，第一極材料12完全裸露出來的區(qū)域?yàn)橥耆毓鈪^(qū)域a，像素限定層材料13的厚度減小的區(qū)域?yàn)椴糠制毓鈪^(qū)域，像素限定層材料13的厚度沒有發(fā)生變化的區(qū)域?yàn)槲雌毓鈪^(qū)域c。

請參照圖6，步驟s24，對暴露出的第一極材料12進(jìn)行刻蝕，以形成第一極14。

優(yōu)選地，第一極14采用導(dǎo)電的反射材料制成。之所以如此設(shè)置，是由于采用導(dǎo)電的反射材料制成第一極14，能夠?qū)φ丈涞降谝粯O14上的光線進(jìn)行反射，因此，不會使照射到第一極14上的紫外光照射到位于第一極14下方的薄膜晶體管上，從而能夠有效的保護(hù)紫外光對薄膜晶體管的特性的影響，進(jìn)而保證了oled基板的穩(wěn)定性。

進(jìn)一步優(yōu)選地，第一極14采用ito/ag/ito材料制成。之所以如此設(shè)置，是由于ito/ag/ito材料具有較高的發(fā)光效率和電子取出率，當(dāng)然，制備第一極14所采用的材料并不局限于此，還可以采用其他導(dǎo)電材料，在此不再贅述。

請參照圖7，步驟s25，去除部分曝光區(qū)域b剩余的像素限定層材料13，以形成像素?fù)鯄?5。

在本實(shí)施例中，可采用灰化工藝去除部分曝光區(qū)域b中剩余的像素限定層材料13，從而形成像素限定層中的像素?fù)鯄?5(位于未曝光區(qū)域c中)。從圖7中可以看出，在灰化工藝過程中，部分曝光區(qū)域b中的像素限定層材料13被去除，未曝光區(qū)域c中的像素限定層材料13的厚度被減小。

需要說明的是，每個oled器件的第一極14上均形成有一個像素?fù)鯄?5，每個像素?fù)鯄?5包括圖7中每個第一極14上的兩個梯形圖案，多個像素?fù)鯄?5共同組成像素限定層，也就是說，在本實(shí)施例中，像素限定層并不是一個整層結(jié)構(gòu)，而是包括多個分開的像素?fù)鯄?5的不連接結(jié)構(gòu)。

請參照圖8，步驟s3，在襯底1的上方且相鄰兩個oled器件之間形成隔墊物16。

從圖8中可以看出，在平坦化層8上，且位于相鄰兩個oled器件之間形成有隔墊物16，該隔墊物16能夠用于支撐對盒基板或形成彩膜時所用的掩膜板?？梢岳斫獾氖?，隔墊物16的上表面的高度應(yīng)大于像素?fù)鯄?5的上表面的高度。

請參照圖9，步驟s4，形成位于第一極14之上的發(fā)光層17和第二極18。需要說明的是，第一極14和第二極18中的一者為陽極，另一者為陰極，在本實(shí)施例中，第一極14為陽極，第二極18為陰極，當(dāng)然，本實(shí)施例的方案并不局限于此，也可第一極14為陰極，第二極18為陽極，在此不再贅述。

從圖9中可以看出，發(fā)光層17形成在部分曝光區(qū)域中，以與第一極14連接，第二極18位于像素?fù)鯄?5上并與發(fā)光層17連接。需要說明的是，第二極18也采用導(dǎo)電材料制成。在本實(shí)施例中，可通過噴墨打印工藝形成發(fā)光層17，通過蒸鍍工藝形成第二極18，當(dāng)然，形成發(fā)光層17和第二極18的構(gòu)圖工藝并不局限于此，在此不再贅述。

本實(shí)施例的oled基板的制備方法，包括：通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底1的上方形成包括oled器件的第一極14和位于第一極14所在層上方的像素限定層的圖形，也就是說，第一極14和像素限定層可以采用一次構(gòu)圖工藝制備，同時，像素限定層可以作為第一極14的刻蝕保護(hù)層(即相當(dāng)于光刻膠)，既可以減少一次構(gòu)圖工藝，還可以減少光刻膠的使用，從而大幅度降低成本、提高oled基板的產(chǎn)能；另外，第一極14和像素限定層通過一次構(gòu)圖工藝制備，能夠完全避免第一極14和像素限定層分開制備時所產(chǎn)生的圖案偏差，從而提高oled基板的開口率；而且，在進(jìn)行構(gòu)圖工藝時，由于第一極14的存在能夠反射光線，不會使紫外光照射到位于第一極14下方的薄膜晶體管上，因此，能夠有效的保護(hù)紫外光對薄膜晶體管的特性的影響，從而保證了oled基板的穩(wěn)定性。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供一種顯示裝置的制備方法，包括實(shí)施例1的oled基板的制備方法的步驟。

本實(shí)施例的顯示裝置的制備方法，包括實(shí)施例1的oled基板的制備方法，詳細(xì)描述可參照實(shí)施例1的oled基板的制備方法，在此不再贅述。

本實(shí)施例的顯示裝置的制備方法，第一極14和像素限定層可以采用一次構(gòu)圖工藝制備，同時，像素限定層可以作為第一極14的刻蝕保護(hù)層(即相當(dāng)于光刻膠)，既可以減少一次構(gòu)圖工藝，還可以減少光刻膠的使用，從而大幅度降低成本、提高oled基板的產(chǎn)能；另外，第一極14和像素限定層通過一次構(gòu)圖工藝制備，能夠完全避免第一極14和像素限定層分開制備時所產(chǎn)生的圖案偏差，從而提高oled基板的開口率；而且，在進(jìn)行構(gòu)圖工藝時，由于第一極14的存在能夠反射光線，不會使紫外光照射到位于第一極14下方的薄膜晶體管上，因此，能夠有效的保護(hù)紫外光對薄膜晶體管的特性的影響，從而保證了oled基板的穩(wěn)定性。

實(shí)施例3：

請參照圖9，本實(shí)施例提供一種oled基板，包括多個oled器件，每個oled器件包括第一極14和位于第一極14上的像素限定層，像素限定層包括多個像素?fù)鯄?5，每一個像素?fù)鯄?5和一個oled器件的第一極14在襯底1上的正投影所限定的區(qū)域完全重合。

也就是說，每個像素?fù)鯄?5是完全位于第一極14上的，因此，每個像素?fù)鯄?5在襯底1上的正投影完全位于其下方的第一極14在襯底1上的正投影所限定的區(qū)域內(nèi)。

本實(shí)施例的oled基板，采用實(shí)施例1的oled基板的制備方法制備而成，詳細(xì)描述可參照實(shí)施例1的oled基板的制備方法，在此不再贅述。

本實(shí)施例的oled基板，采用實(shí)施例1的oled基板的制備方法制備而成，其中，第一極14和像素限定層可以采用一次構(gòu)圖工藝制備，同時，像素限定層可以作為第一極14的刻蝕保護(hù)層(即相當(dāng)于光刻膠)，既可以減少一次構(gòu)圖工藝，還可以減少光刻膠的使用，從而大幅度降低成本、提高oled基板的產(chǎn)能；另外，第一極14和像素限定層通過一次構(gòu)圖工藝制備，能夠完全避免第一極14和像素限定層分開制備時所產(chǎn)生的圖案偏差，從而提高oled基板的開口率；而且，在進(jìn)行構(gòu)圖工藝時，由于第一極14的存在能夠反射光線，不會使紫外光照射到位于第一極14下方的薄膜晶體管上，因此，能夠有效的保護(hù)紫外光對薄膜晶體管的特性的影響，從而保證了oled基板的穩(wěn)定性。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括實(shí)施例3的oled基板。顯示裝置可以為：電子紙、oled面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本實(shí)施例的顯示裝置，其中，oled基板的第一極14和像素限定層可以采用一次構(gòu)圖工藝制備，同時，像素限定層可以作為第一極14的刻蝕保護(hù)層(即相當(dāng)于光刻膠)，既可以減少一次構(gòu)圖工藝，還可以減少光刻膠的使用，從而大幅度降低成本、提高oled基板的產(chǎn)能；另外，第一極14和像素限定層通過一次構(gòu)圖工藝制備，能夠完全避免第一極14和像素限定層分開制備時所產(chǎn)生的圖案偏差，從而提高oled基板的開口率；而且，在進(jìn)行構(gòu)圖工藝時，由于第一極14的存在能夠反射光線，不會使紫外光照射到位于第一極14下方的薄膜晶體管上，因此，能夠有效的保護(hù)紫外光對薄膜晶體管的特性的影響，從而保證了oled基板的穩(wěn)定性。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。