可伸展的顯示設(shè)備的制作方法

本申請要求于2016年3月18日提交的第10-2016-0032904號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。

一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例涉及一種可伸展的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(“l(fā)ed”)是一種半導(dǎo)體器件，其中當(dāng)將電壓在正向方向上施加到pn結(jié)二極管時(shí)，空穴和電子被注入，空穴和電子復(fù)合以產(chǎn)生被轉(zhuǎn)換為光能的能量。

通過使用無機(jī)化合物發(fā)光的無機(jī)led被廣泛用作液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置的背光源、照明和電子顯示板。通過使用有機(jī)化合物發(fā)光的有機(jī)led被廣泛用于從諸如移動電話的電子設(shè)備到大型電視機(jī)。

近來，已經(jīng)提出了使用led的柔性和可伸展的顯示設(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例包括一種當(dāng)被拉伸時(shí)具有較小的亮度變化的可伸展顯示設(shè)備。

另外的方面將在隨后的描述中部分地被闡述，部分地將通過所述描述而清楚，或者可通過對所提出的實(shí)施例的實(shí)踐來獲知。

根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，顯示設(shè)備包括：多個(gè)發(fā)光二極管(“l(fā)ed”)；可伸展基底，包括平坦部和從平坦部突出的多個(gè)突起，每個(gè)突起具有彎曲的表面，發(fā)光二極管中的至少一些設(shè)置在突起上；多個(gè)薄膜晶體管，設(shè)置在可伸展基底中并且連接到led。

在實(shí)施例中，突出中的每個(gè)的彎曲的表面可以包括傾斜的表面，led中的一個(gè)led可以設(shè)置在傾斜的表面上。

在實(shí)施例中，可伸展基底還可以包括設(shè)置在led之間的阻擋壁。

在實(shí)施例中，阻擋壁可以設(shè)置在平坦部上并且位于突起中的兩個(gè)相鄰的突起之間。

在實(shí)施例中，阻擋壁可以設(shè)置在突起中的一個(gè)突起的中心上。

在實(shí)施例中，阻擋壁可以包括反射板或吸收板。

在實(shí)施例中，顯示設(shè)備還可以包括可伸展膜，可伸展膜位于可伸展基底上并且與突起的表面相接觸，其中，led可以設(shè)置在可伸展膜上。

在實(shí)施例中，突起中的每個(gè)可以包括相對于平坦部具有傾斜角度并且彼此間隔開的兩個(gè)側(cè)表面，以及連接兩個(gè)側(cè)表面的上平坦表面。

在實(shí)施例中，led可以包括：第一發(fā)光二極管，位于上平坦表面上；第二發(fā)光二極管，位于兩個(gè)側(cè)表面中的至少一個(gè)上。

在實(shí)施例中，第一led可以作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素進(jìn)行操作，而與可伸展基底的拉伸程度無關(guān)。

在實(shí)施例中，第二led可以在可伸展基底未被拉伸或被拉伸得比預(yù)定的拉伸程度小的狀態(tài)下，不作為顯示像素進(jìn)行操作，并且在可伸展基底被以預(yù)定的拉伸程度或更大的拉伸程度而拉伸的狀態(tài)下，作為顯示像素進(jìn)行操作。

在實(shí)施例中，第二led中的一個(gè)或更多個(gè)限定一個(gè)像素，在一個(gè)像素中的第二發(fā)光二極管的數(shù)量可以根據(jù)可伸展基底的拉伸程度而變化。

在實(shí)施例中，led還可以包括第三led，設(shè)置在平坦部上并且位于突起中的兩個(gè)相鄰的突起之間。

在實(shí)施例中，第一led和第三led可以作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素進(jìn)行操作，而與可伸展基底的拉伸程度無關(guān)。

在實(shí)施例中，第二led可以在可伸展基底未被拉伸或被拉伸得比預(yù)定的拉伸程度小的狀態(tài)下，不作為顯示像素進(jìn)行操作，并且在可伸展基底被以預(yù)定的拉伸程度或更大的拉伸程度拉伸的狀態(tài)下，作為顯示像素進(jìn)行操作。

在實(shí)施例中，突起中的每個(gè)的截面形狀可以是上表面大于下表面的倒梯形形狀。

在實(shí)施例中，led可以包括：第一led，位于上平坦平面上；第二led，位于平坦部上并且位于突起中的兩個(gè)相鄰的突起之間。

在實(shí)施例中，第一led可以作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素進(jìn)行操作，而與可伸展基底的拉伸程度無關(guān)。

在實(shí)施例中，第二led可以在可伸展基底未被拉伸或被拉伸得比預(yù)定的拉伸程度小的狀態(tài)下，不作為顯示像素進(jìn)行操作，并且在可伸展基底被以預(yù)定的拉伸程度或更大的拉伸程度拉伸的狀態(tài)下，作為顯示像素進(jìn)行操作。

在實(shí)施例中，顯示設(shè)備還可以包括可伸展膜，可伸展膜位于可伸展基底上并且與突起中的每個(gè)的上平坦表面和兩個(gè)側(cè)表面接觸，led可以設(shè)置在可伸展膜上。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述，這些和/或其它特征將變得清楚和更容易理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖2是圖1的顯示設(shè)備的部分的放大視圖；

圖3a和圖3b是示出當(dāng)圖1的顯示設(shè)備被拉伸時(shí)亮度的變化的概念圖；

圖4a至圖4f是示出制造圖1的顯示設(shè)備的方法的示例性實(shí)施例的圖；

圖5是根據(jù)可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖6是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖7a至圖7e是示出制造圖6的顯示設(shè)備的方法的示例性實(shí)施例的圖；

圖8是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖9是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖10a和圖10b是基于圖9的顯示設(shè)備的拉伸的用于示出包括在顯示設(shè)備中的作為像素進(jìn)行操作的發(fā)光二極管(“l(fā)ed”)的示圖；

圖11是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖12是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖13a至圖13c是基于圖12的顯示設(shè)備的拉伸用于示出在顯示設(shè)備中的作為像素進(jìn)行操作的led以及包括在每個(gè)像素中的led的數(shù)量的變化的圖；

圖14是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖15是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖16是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參照實(shí)施例，在附圖中示出了其示例，其中，同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。在這方面，本實(shí)施例可具有不同的形式并且不應(yīng)被解釋為受限于在此闡述的具體實(shí)施方式。因此，以下僅通過參照附圖來描述本實(shí)施例，以解釋本具體實(shí)施方式的多個(gè)方面。當(dāng)諸如“……中的至少一個(gè)(種)”的表述在一列元件(要素)之后時(shí)，修飾整列元件(要素)而非修飾所述列的個(gè)別元件(要素)。

在下文中，將通過參照附圖解釋本發(fā)明構(gòu)思的優(yōu)選實(shí)施例來詳細(xì)描述本公開。在附圖中同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。

將理解的是，當(dāng)元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在所述另一元件上，或者在該元件和所述另一元件之間可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。

將要理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述不同的組件，但是這些組件不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅僅用于將一個(gè)組件與另一個(gè)組件區(qū)分開。

如這里使用的，單數(shù)形式的“一個(gè)(種/者)”和“該/所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚指出?！盎颉币庵浮昂?或”。如這里所用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任意和全部組合。

還將理解的是，在此使用的術(shù)語“包括”和/或“包含”表明存在所述特征或組件，但是不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征或組件。

為了便于說明，可以夸大附圖中的組件的尺寸。換言之，因?yàn)闉榱吮阌谡f明而任意地示出了附圖中的組件的尺寸和厚度，所以下面的實(shí)施例不限于此。

圖1是根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備1001的示意性剖視圖，圖2是圖1的顯示設(shè)備1001的部分的放大視圖。

顯示設(shè)備1001包括可伸展基底100和在可伸展基底100上的多個(gè)發(fā)光二極管(led)150。可伸展基底100包括平坦部110和具有從平坦部110突出并彎曲的表面的多個(gè)突起120。平坦部110和突起120通過基于可伸展基底100的形狀而劃分可伸展基底100的區(qū)域來限定。突起120是其突出程度根據(jù)可伸展基底100的伸長或縮小而變化的區(qū)域，即，包括具有可變的傾斜角度的傾斜表面120a和120b的區(qū)域，其余區(qū)域被稱為平坦部110。

顯示設(shè)備1001還包括控制led150的驅(qū)動的薄膜晶體管tft。如圖2中所示，薄膜晶體管tft可以設(shè)置在可伸展基底100上。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，薄膜晶體管tft設(shè)置在包括可伸展材料的基底111上，包括可伸展材料的可伸展絕緣層125可以設(shè)置在薄膜晶體管tft上。在圖2中，薄膜晶體管tft嵌入在平坦部110中，但一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例不限于此?？缮煺够?00可以包括在其中任何位置的薄膜晶體管tft。

參照圖2，下面將描述顯示設(shè)備1001的組件。

基底111可以包括可伸展材料。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，基底111可以包括彈性硅樹脂，彈性聚氨酯，彈性聚異戊二烯和彈性聚氨酯丙烯酸酯中的至少一種?；?11可以包括透明材料或不透明材料。在顯示設(shè)備1001為透明顯示設(shè)備的實(shí)施例中，基底111可以包括透明或半透明材料。在顯示設(shè)備1001為頂部發(fā)射型的可選實(shí)施例中，基底111可以包括不透明材料。

在實(shí)施例中，緩沖層112可以設(shè)置在基底111上以形成薄膜晶體管tft。緩沖層112可以在基底111上提供平坦化的表面，并且可以有效地防止雜質(zhì)或濕氣滲入基底111中。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，緩沖層112可以包括諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦和氮化鈦的無機(jī)材料或者諸如聚酰亞胺、聚酯和丙烯酸樹脂的有機(jī)材料，并且可以具有包括以上列出的材料中的至少一種的多層結(jié)構(gòu)。

薄膜晶體管tft可以包括溝道層ch、柵電極ge、源電極s和漏電極d。在實(shí)施例中，薄膜晶體管tft可以是柵電極ge設(shè)置在溝道層ch上的頂柵型，但不限于此?？蛇x地，薄膜晶體管tft可以是底柵型。

溝道層ch可以包括例如非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體材料，但不限于此。例如，溝道層ch可以包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。在實(shí)施例中，溝道層ch可以包括半導(dǎo)體氧化物材料。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，溝道層ch可以包括從諸如鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)、鎘(cd)和鍺(ge)以及它們的組合的xii族、xiii族和xiv族金屬元素中選擇的至少一種材料的氧化物。

柵極絕緣層113設(shè)置在緩沖層112上，以覆蓋在緩沖層112上的溝道層ch。柵極絕緣層113使溝道層ch與柵電極ge絕緣。柵極絕緣層113可以具有包括包含諸如氧化硅和/或氮化硅的無機(jī)材料的層的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。

柵電極ge設(shè)置在柵極絕緣層113上。柵電極ge可以連接到將導(dǎo)通/截止信號發(fā)送到薄膜晶體管tft的柵極線(未示出)。

柵電極ge可以包括低電阻金屬材料。柵電極ge可以具有包括從例如鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)、鉬(mo)、鈦(ti)、鎢(w)和銅(cu)中選擇的至少一種的單層或多層結(jié)構(gòu)。柵電極ge的材料可以考慮到與相鄰層的附著、堆疊層的表面平坦度和加工性來確定。

層間絕緣層114設(shè)置在柵電極ge上。層間絕緣層114使源電極s和漏電極d與柵電極ge絕緣。層間絕緣層114可以具有包括無機(jī)材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，無機(jī)材料可以是金屬氧化物或金屬氮化物，具體地說，無機(jī)材料可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)、氧化鈦(tio2)、氧化鉭(ta2o5)、氧化鉿(hfo2)或氧化鋯(zro2)。

源電極s和漏電極d設(shè)置在層間絕緣層114上。源電極s和漏電極d可以均具有包括從al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和cu中選擇的至少一種的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。源電極s和漏電極d接觸溝道層ch。

可伸展絕緣層125設(shè)置在薄膜晶體管tft上?？缮煺菇^緣層125覆蓋薄膜晶體管tft以去除由薄膜晶體管tft引起的水平差或臺階，并且具有傾斜的表面120a，其中，傾斜的表面120a的傾斜角度基于可伸展基底100的伸長或縮小而變化?？缮煺菇^緣層125包括與基底111的材料相同的可伸展材料。然而，實(shí)施例不限于此。在可選實(shí)施例中，可伸展絕緣層125包括與基底111的材料不同的可伸展材料。例如，可伸展絕緣層125可以包括從彈性硅樹脂，彈性聚氨酯，彈性聚異戊二烯和彈性聚氨酯丙烯酸酯中選擇的至少一種。可伸展絕緣層125可以包括透明材料或不透明材料。

第一電極127和第二電極128設(shè)置在傾斜的表面120a上。第一電極127的一部分可以延伸通過可伸展絕緣層125，以電連接到薄膜晶體管tft的漏電極d。當(dāng)用于在led150中產(chǎn)生電場的電壓施加在第二電極128與第一電極127之間時(shí)，第二電極128用作提供參考電壓的共電極。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，電連接到led150的第二電極128可以彼此電連接，從而可以將參考共電壓施加到led150，第一電極127可以分別連接到彼此單獨(dú)設(shè)置的薄膜晶體管tft。led150設(shè)置在傾斜的表面120a上，led150的第一電極焊盤156和第二電極焊盤157可以分別電接觸第一電極127和第二電極128。

led150可以發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光，并且可以通過利用熒光材料或通過組合顏色來發(fā)射白光。led150可以包括第一半導(dǎo)體層153、第二半導(dǎo)體層151以及位于第一半導(dǎo)體層153與第二半導(dǎo)體層151之間的活性層152。

例如，第一半導(dǎo)體層153可以包括p型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層153可以包括具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的組成式的半導(dǎo)體材料，例如，從gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan和inaln中選擇的至少一種，并且可以摻雜有諸如mg、zn、ca、sr和ba的p型摻雜劑。

例如，第二半導(dǎo)體層151可以是n型半導(dǎo)體層。第二半導(dǎo)體層151可以包括具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的組成式的半導(dǎo)體材料，例如，從gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan和inaln中選擇的至少一種，并且可以摻雜有諸如si、ge和sn的n型摻雜劑。

以上描述的第一半導(dǎo)體層153和第二半導(dǎo)體層151的摻雜類型僅是示例性的，并不限于此?？蛇x地，第一半導(dǎo)體層153可以是n型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層151可以是p型半導(dǎo)體層。

活性層152是電子和空穴復(fù)合的區(qū)域，當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)，能級轉(zhuǎn)變到較低能級，以產(chǎn)生具有與轉(zhuǎn)變的能級對應(yīng)的波長的光。在實(shí)施例中，例如，活性層152可以包括具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的組成式的半導(dǎo)體材料，并且可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱(“mqw”)結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，活性層152可以具有量子線結(jié)構(gòu)或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

led150可以是翻蓋式(fliptype)，即，第一電極焊盤156和第二電極焊盤157彼此平行地設(shè)置，但不限于此?？蛇x地，led150可以是豎直式(verticaltype)。

第一電極127和第二電極128可以是透明電極或反射電極。反射電極可以包括反射層以及在反射層上的透明或半透明電極，所述反射層包括從ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir和cr中選擇的至少一種材料的化合物。透明或半透明電極可以包括導(dǎo)電氧化物，諸如氧化銦錫(“ito”)、氧化銦鋅(“izo”)、氧化鋅(“zno”)、氧化銦(“in2o3”)、氧化銦鎵(“igo”)或氧化鋁鋅(“azo”)。

在下文中，為便于描述，將詳細(xì)描述led150為無機(jī)led(“iled”)的實(shí)施例，但不限于此?？蛇x地，led150可以包括有機(jī)發(fā)光二極管(“oled”)。

圖3a和圖3b是示出當(dāng)圖1的顯示設(shè)備被拉伸時(shí)亮度的變化的概念圖。更具體地，圖3a和圖3b示出了當(dāng)顯示設(shè)備1001被拉伸時(shí)亮度變化較小。

圖3a示出了處于初始階段的顯示設(shè)備1001，即，可伸展基底100未被拉伸或收縮。由兩個(gè)相鄰的傾斜的表面120a和120b形成的角度為θ1，在傾斜的表面120a和120b中的每個(gè)上的led150在顯示表面ds上限定了具有寬度pw1的像素。這里，顯示表面ds為虛擬表面，所述虛擬表面被識別為猶如從led150輸出的圖像位于其上，所述led150響應(yīng)于圖像信息通過被導(dǎo)通或截止來輸出圖像?？缮煺骨彝该鞯纳w構(gòu)件可以位于顯示表面ds的位置處。

圖3b示出其中可伸展基底100被拉伸的顯示設(shè)備1001。因?yàn)榭缮煺够?00沿相反方向拉伸，所以像素具有增加的寬度pw2，每英寸的像素(“ppi”)(即，每單位長度的像素?cái)?shù)量)減少。在這樣的實(shí)施例中，因?yàn)榭缮煺够?00被拉伸，所以由兩個(gè)相鄰的傾斜表面120a和120b形成的角度θ1改變?yōu)?例如，增加到)角度θ2，兩個(gè)相鄰的傾斜表面120a和120b中的每個(gè)相對于顯示表面ds的傾斜角度減小。因此，當(dāng)可伸展基底100被拉伸時(shí)，從led150朝向顯示表面ds發(fā)射的光的強(qiáng)度增大。

如果當(dāng)可伸展基底100被拉伸時(shí)從led150朝向顯示表面ds發(fā)射的光的強(qiáng)度為常量，那么亮度因減少的ppi而降低。在實(shí)施例中，顯示設(shè)備1001具有l(wèi)ed150位于其上的傾斜表面120a和120b的傾斜角度根據(jù)可伸展基底100的拉伸程度而變化的結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)可伸展基底100被拉伸時(shí)，從led150朝向顯示表面ds發(fā)射的光的強(qiáng)度增大。這里，可伸展基底的拉伸程度可以由可伸展基底的拉伸比或者可伸展基底的長度減去可伸展基底的最小長度的量相對于可伸展基底的最大長度減去可伸展基底的最小長度的量的比來限定。因此，可以基本上最小化或有效地防止因ppi減少導(dǎo)致的亮度降低。

圖4a至圖4f是示出制造圖1的顯示設(shè)備1001的方法的示例性實(shí)施例的示圖。

顯示設(shè)備1001的實(shí)施例可以通過下面的制造方法的實(shí)施例的工藝來制造。

在實(shí)施例中，如圖4a中所示，準(zhǔn)備可伸展基底100。可伸展基底100包括平坦部110和從平坦部110突出且均包括兩個(gè)傾斜的表面120a和120b的突起120。在這樣的實(shí)施例中，可伸展基底100可以包括薄膜晶體管tft，如圖2中所示，并且可以在每個(gè)傾斜的表面120a和120b上設(shè)置將要與led150結(jié)合的第一電極127和第二電極128。

在這樣的實(shí)施例中，如圖4b中所示，可以沿相反方向拉伸可伸展基底100。在圖4b中，隨著拉伸可伸展基底100，突出部完全地消失，并且為了便于示出，可伸展基底100被示出為平坦的。然而，可伸展基底100的上表面可以在一定程度上是不平坦的。

在這樣的實(shí)施例中，如圖4c和圖4d中所示，可以使用轉(zhuǎn)移基底ts將led150轉(zhuǎn)移到可伸展基底100上。轉(zhuǎn)移基底ts可以包括例如彈性共聚物材料，以通過使用表面力附著led150或與led150分離。

如圖4e中所示，將led150轉(zhuǎn)移到可伸展基底100上?？梢詫ed150結(jié)合到預(yù)先設(shè)置在已經(jīng)拉伸的可伸展基底100上的電極圖案。

在這樣的實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移led150然后將處于拉伸狀態(tài)下的可伸展基底100返回到其原始狀態(tài)，從而制造如圖4f中示出的顯示設(shè)備1001。

圖5是根據(jù)可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1002的示意性剖視圖。

除了在相鄰的led150之間還設(shè)置了阻擋壁181和182之外，圖5中示出的顯示設(shè)備1002與圖1的顯示設(shè)備1001基本相同。圖5中示出的相同或相似的元件已經(jīng)用與上面使用的用于描述以上參照圖1描述的顯示設(shè)備的實(shí)施例相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，在下文中將省略或簡化對其的任何重復(fù)性的詳細(xì)描述。

在這樣的實(shí)施例中，阻擋壁181和182可被設(shè)置以有效地防止相鄰的led150之間的顏色混合。阻擋壁181和182可以是反射光的反射板或者吸收光的吸收板。阻擋壁181和182位于每兩個(gè)相鄰的led150之間，但是不限于此。可選地，阻擋壁181可以僅設(shè)置在每兩個(gè)相鄰的突起120之間，或者阻擋壁182可以僅設(shè)置在每個(gè)突起120的中心處。

圖6是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1003的示意性剖視圖。

除了沿突起120的傾斜表面120a和120b還設(shè)置了可伸展膜170并且led150在可伸展膜170上之外，圖6的顯示設(shè)備1003與圖1的顯示設(shè)備1001基本相同。圖6示出的相同或相似的元件已經(jīng)用與上面使用的用于描述以上參照圖1描述的顯示設(shè)備的實(shí)施例相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，在下文中將省略或簡化對其的任何重復(fù)性的詳細(xì)描述。

在實(shí)施例中，如圖6中所示，顯示設(shè)備1003還可以包括可伸展膜170以改善制造工藝的便利性。在這樣的實(shí)施例中，實(shí)現(xiàn)相對于顯示設(shè)備1003的拉伸程度具有較少亮度變化的顯示器的效果與以上描述的顯示設(shè)備1001的實(shí)施例的效果基本相同。

圖7a至圖7e是示出制造圖6的顯示設(shè)備1003的方法的示例性實(shí)施例的圖。

在實(shí)施例中，如圖7a中所示，準(zhǔn)備將要設(shè)置在顯示設(shè)備中的具有傾斜表面的可伸展膜170。在這樣的實(shí)施例中，可伸展膜170具有恒定的厚度，使得通過如圖7b示出的拉伸操作可以使可伸展膜170完全地平坦化?？梢灶A(yù)先在可伸展膜170上設(shè)置用于與led150導(dǎo)電的電極圖案。

在這樣的實(shí)施例中，如圖7c中所示，將led150轉(zhuǎn)移到可伸展膜170上。

在這樣的實(shí)施例中，如圖7d中所示，可伸展膜170恢復(fù)到其原始狀態(tài)，隨后，如圖7e中所示，將可伸展膜170附著到具有均包括傾斜表面120a和120b的突起120的可伸展基底100。

圖8是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1004的示意性剖視圖。

除了為防止顏色混合還設(shè)置了阻擋壁181和182之外，圖8的顯示設(shè)備1004與圖6的顯示設(shè)備1003基本相同。

圖9是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1005的示意性剖視圖。

除了突起130的形狀之外，顯示設(shè)備1005與圖1的顯示設(shè)備1001基本相同。在實(shí)施例中，如圖9中所示，顯示設(shè)備1005包括平坦部110和從平坦部110突出并包括彎曲的表面的突起130。突起130可以均包括相對于平坦部110具有預(yù)定傾斜角度并彼此間隔開的兩個(gè)側(cè)表面130a和130b、以及將兩個(gè)側(cè)表面130a和130b彼此連接的上平坦表面130c。在這樣的實(shí)施例中，第一led161設(shè)置在上平坦表面130c上，第二led162分別設(shè)置在兩個(gè)側(cè)表面130a和130b上。

在這樣的實(shí)施例中，如圖9中所示，例如，兩個(gè)側(cè)表面130a和130b以相對于上平坦表面130c將近直角或約90度來設(shè)置，但不限于此。兩個(gè)側(cè)表面130a和130b的角度可被確定為在初始階段有效地隱藏設(shè)置在兩個(gè)側(cè)表面130a和130b上的第二led162。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，上述角度可以比直角稍小，即，突起130的截面形狀可以是倒梯形形狀。

在這樣的實(shí)施例中，第一led161與可伸展基底101的拉伸程度無關(guān)地暴露。在這樣的實(shí)施例中，第二led162不被暴露，而是在初始階段被隱藏，然后，當(dāng)可伸展基底101被拉伸時(shí)可以被暴露。

在這樣的顯示設(shè)備1005的實(shí)施例中，第一led161作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素來操作，而與可伸展基底101的拉伸程度無關(guān)，第二led162基于可伸展基底101的拉伸程度而作為顯示像素選擇性地進(jìn)行操作。

圖10a和圖10b示例性地示出了在顯示設(shè)備1005中的根據(jù)圖9的可伸展基底101的拉伸而作為顯示像素進(jìn)行操作的第一led161和第二led162。

參照圖10a，當(dāng)可伸展基底101處于初始狀態(tài)時(shí)(即，未被拉伸)，僅將第一led161作為像素進(jìn)行操作。在初始狀態(tài)下，僅第一led161可以響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止，從而處于有效狀態(tài)。在初始狀態(tài)下，第二led162被隱藏，因此，不進(jìn)行操作，從而處于非有效狀態(tài)。

圖10a示出了在可伸展基底101未被拉伸的初始狀態(tài)下，第二led162不作為像素進(jìn)行操作。然而，第二led162不確切地在拉伸可伸展基底101之時(shí)作為像素進(jìn)行操作，即，在可伸展基底101以比預(yù)定拉伸程度小的程度進(jìn)行拉伸的情況下，第二led162也不作為像素進(jìn)行操作。

參照圖10b，拉伸可伸展基底101，第二led162全部被暴露。當(dāng)拉伸可伸展基底101時(shí)，將第一led161和第二led162作為像素進(jìn)行操作。即，第一led161和第二led162中的每個(gè)處于有效狀態(tài)，并且響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止。

在實(shí)施例中，當(dāng)完全地拉伸可伸展基底101時(shí)，第一led161和第二led162中的每個(gè)處于有效狀態(tài)，即，圖9中示出的側(cè)表面130a和130b以及上平坦表面130c處于同一行，但不限于此?？蛇x地，當(dāng)以預(yù)定拉伸程度或更大的拉伸程度拉伸可伸展基底101且充分暴露第二led162以用作像素時(shí)，可以將第二led162切換到有效狀態(tài)。

在顯示設(shè)備1005的實(shí)施例中，隱藏的像素基于如上描述的可伸展基底101的拉伸和收縮而被暴露和再次隱藏，ppi基本上不隨拉伸狀態(tài)的改變而改變。因此，亮度基本不隨拉伸狀態(tài)的改變而改變。

在下文中，將描述具有隱藏的像素的顯示設(shè)備的可選實(shí)施例。

圖11是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1006的示意性剖視圖。

除了在突起130之間的平坦部110的下平坦表面110a上還設(shè)置了第三led163之外，圖11的顯示設(shè)備1006與圖9的顯示設(shè)備1005基本相同。

在這樣的實(shí)施例中，與第一led161類似，第三led163也與可伸展基底101的拉伸程度無關(guān)地暴露，第三led163作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素進(jìn)行操作，而與可伸展基底101的拉伸程度無關(guān)。當(dāng)可伸展基底101以預(yù)定拉伸程度或更大的拉伸程度來拉伸時(shí)，第二led162可以作為顯示像素進(jìn)行操作。

圖12是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1007的示意性剖視圖。

除了側(cè)表面140a和140b的傾斜角度(即，每個(gè)突起140的截面形狀)之外，圖12的顯示設(shè)備1007與圖9的顯示設(shè)備1005基本相同。在實(shí)施例中，突起140的截面形狀可以是圖9中示出的矩形形狀。可選地，突起140的截面形狀可以是圖12中示出的梯形形狀。在這樣的突起140的截面形狀具有圖12示出的梯形形狀的實(shí)施例中，可以容易地執(zhí)行制造工藝(例如，轉(zhuǎn)移led的工藝)。在這樣的實(shí)施例中，通過拉伸可伸展基底102至較小的程度，可以有效地暴露隱藏的led。

位于突起140的上平坦表面140c上的第一led161作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素進(jìn)行操作，而與可伸展基底102的拉伸程度無關(guān)。

在可伸展基底102未被拉伸或者被拉伸得比預(yù)定的拉伸程度小的狀態(tài)下，位于突起140的側(cè)表面140a和140b上的第二led162被截止且不作為顯示像素進(jìn)行操作；在可伸展基底102被以預(yù)定的拉伸程度或更大的程度拉伸的狀態(tài)下，第二led162作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素進(jìn)行操作。

根據(jù)顯示設(shè)備1007的實(shí)施例，作為像素進(jìn)行操作的第二led162的數(shù)量可以根據(jù)可伸展基底102的拉伸程度而變化。

圖13a至圖13c示例性地示出了包括在顯示設(shè)備1007中的基于圖12的可伸展基底102的拉伸作為像素進(jìn)行操作的led以及包括在每個(gè)像素中的led的數(shù)量的變化。

參照圖13a，在可伸展基底102未被拉伸的初始狀態(tài)下，可以僅將第一led161作為像素或顯示像素進(jìn)行操作。在這樣的實(shí)施例中，第一led161處于有效狀態(tài)，其中，第一led161響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止，第二led162被隱藏且不操作，即，處于非有效狀態(tài)。

參照圖13b，以預(yù)定拉伸程度或更大的拉伸程度來拉伸可伸展基底102，且沒有充分地暴露每個(gè)第二led162，因此，還可以將led162用作像素來操作。然而，由于第二led162布置的角度，使得從第二led162朝向顯示表面ds發(fā)射的光的強(qiáng)度比從第一led161發(fā)射的光的強(qiáng)度相對地低。在這樣的實(shí)施例中，一組第二led162限定了一個(gè)像素或者作為一個(gè)像素共同地操作，例如，兩個(gè)相鄰的第二led162可以限定一個(gè)像素或者作為一個(gè)像素共同地操作。

參照圖13c，拉伸可伸展基底102，例如，充分地或完全地拉伸可伸展基底102，并且第二led162被全部暴露。當(dāng)?shù)诙ed162被全部暴露時(shí)，將全部的第一led161和第二led162作為像素進(jìn)行操作。因此，第一led161和第二led162中的每個(gè)處于有效狀態(tài)，即，響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止。當(dāng)?shù)诙ed162被全部暴露時(shí)，從第一led161發(fā)射并到達(dá)顯示表面ds的光的強(qiáng)度與從第二led162發(fā)射并到達(dá)顯示表面ds的光的強(qiáng)度幾乎相同，可以將第一led161和第二led162中的每個(gè)作為一個(gè)像素進(jìn)行操作。

在圖13c中，可伸展基底102被完全地拉伸，即，圖12中示出的側(cè)表面140a和140b以及上平坦表面140c是平行的，但是一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例不限于此。當(dāng)以預(yù)定的拉伸程度或更大的拉伸程度拉伸可伸展基底102且充分地暴露每個(gè)第二led162以作為一個(gè)像素進(jìn)行操作時(shí)，第二led162可以在有效狀態(tài)下操作。

圖14是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1008的示意性剖視圖。

除了在突起140之間的平坦部110的下平坦表面110a上設(shè)置第三led163之外，圖14的顯示設(shè)備1008與圖12的顯示設(shè)備1007基本相同。

在這樣的實(shí)施例中，與第一led161類似，第三led163與可伸展基底102的拉伸程度無關(guān)地暴露，使得第三led163作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素進(jìn)行操作，而與可伸展基底102的拉伸程度無關(guān)。當(dāng)可伸展基底102以預(yù)定拉伸程度或更大的拉伸程度來拉伸時(shí)，第二led162作為顯示像素進(jìn)行操作。

圖15是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1009的示意性剖視圖。

除了在可伸展基底103上的突起150的形狀以及第一led161和第二led164的布置之外，圖15的顯示設(shè)備1009與以上描述的顯示設(shè)備的實(shí)施例基本相同。

在實(shí)施例中，如圖15中所示，每個(gè)突起150具有倒梯形截面，所述倒梯形截面的上表面大于下表面，每個(gè)第一led161設(shè)置在上平坦表面150a上，每個(gè)第二led164設(shè)置在突起150之間的平坦部110的下平坦表面110a上。

即使當(dāng)?shù)诙ed164設(shè)置在平坦表面上而不設(shè)置在傾斜表面上時(shí)，第二led164也因突起150的形狀而被隱藏。因此，第一led161作為顯示像素進(jìn)行操作，而與可伸展基底103的拉伸狀態(tài)無關(guān)。在可伸展基底103未被拉伸或被拉伸得比預(yù)定的拉伸程度小的狀態(tài)下，第二led164不作為顯示像素進(jìn)行操作，在可伸展基底103以預(yù)定的拉伸程度或更大的拉伸程度來拉伸的狀態(tài)下，第二led164作為響應(yīng)于圖像信息而導(dǎo)通或截止的顯示像素進(jìn)行操作。

圖16是根據(jù)另一可選實(shí)施例的顯示設(shè)備1010的示意性剖視圖。

除了沿突起120的表面和可伸展基底100的平坦部110的表面還設(shè)置了可伸展膜170之外，圖16的顯示設(shè)備1010與圖12的顯示設(shè)備1007基本相同?？缮煺鼓?70是為了上述參照圖7a至圖7e描述的制造工藝的方便而設(shè)置的，并且可以應(yīng)用到參照圖9、圖11、圖14和圖15示出的顯示設(shè)備1005、1006、1008和1009。

根據(jù)依據(jù)發(fā)明的顯示設(shè)備的實(shí)施例，led被三維地設(shè)置在可伸展基底上，因此，顯示設(shè)備可以被容易地拉伸。

根據(jù)依據(jù)發(fā)明的顯示設(shè)備的實(shí)施例，即使當(dāng)拉伸狀態(tài)或拉伸程度改變時(shí)，顯示設(shè)備也具有基本恒定的亮度。

應(yīng)該理解的是，在此描述的實(shí)施例應(yīng)僅被視為描述性的含義，而非出于限制的目的。對每個(gè)實(shí)施例中的特征和方面的描述通常應(yīng)該被認(rèn)為可用于其它實(shí)施例中的其它相似的特征或方面。

盡管已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，對其可做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。