專利名稱：導線的修補方法以及顯示面板的修補方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種修補方法以及顯示面板的修補方法。
背景技術：
平面顯示器技術已趨成熟，但顯示面板的組成元件，如主動元件陣列基板，在制造過程之中難免會產生一些瑕疵(defect)。例如，主動元件陣列基板上的掃描線與數據線因其長度很長，故容易發(fā)生斷線的情形。當掃描線與數據線發(fā)生斷線時，會導致一部分的像素無法動作(線缺陷)，故必須設法修補斷線。此外，若僅依賴改善工藝技術來實現零瑕疵率是非常困難的，因此，顯示面板的瑕疵修補技術就變得相當重要。在現有技術中，顯示面板的瑕疵修補通常采用激光熔接(laser welding)搭配激光切割(laser cutting)等方式來進行。一般來說，上述采用激光熔接以及激光切割技術來進行斷線的修補的方式，是先在顯示面板上預先形成修補線。當顯示面板制造完成之后，利用檢測工具檢測顯示面板上是否具有斷線缺陷。倘若發(fā)現特定信號現有斷線缺陷時，便利用位于具有缺陷的信號線附近的修補線來進行修補，也就是通過激光熔接方式使修補線與具有缺陷的信號線熔接在一起，再利用激光切割方式切割不需使用到的修補線。然而，上述修補方法因必須先在顯示面板上形成修補線，且當需要進行修補時需采用激光熔接以及激光切割技術。因此，傳統對于顯示面板的斷線的修補方法較為繁瑣，且修補線位置的設置也會受到許多限制。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種導線的修補方法以及顯示面板的修補方法，其可以不需預先于顯示面板中形成修補線，且不需采用傳統激光熔接以及激光切割程序，即可以達到修補導線的目的。本發(fā)明提出一種導線的修補方法，其包括提供導線，其中導線具有斷線缺陷。在斷線缺陷處涂布納米金屬溶液，其中，納米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散于有機溶劑中的金屬納米粒子。利用激光照射程序照射斷線缺陷處，以使納米金屬溶液硬化以形成修補部。其中，該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒包括納米金顆?；蚴羌{米銀顆粒。其中，該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2 3納米。其中，該納米金屬溶液的該有機溶劑包括己烷、苯或是甲苯。其中，該激光照射程序的溫度介于攝氏350至400度。本發(fā)明提出一種顯示面板的修補方法，其包括提供顯示面板，所述顯示面板包括多條信號線，其中所述信號線中的至少一條信號線具有斷線缺陷。在斷線缺陷處涂布納米金屬溶液，其中納米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散于有機溶劑中的金屬納米粒子。 利用激光照射程序照射斷線缺陷處，以使納米金屬溶液硬化以形成修補部。
其中，該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒包括納米金顆?；蚴羌{米銀顆粒。其中，該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2 3納米。其中，該納米金屬溶液的該有機溶劑包括己烷、苯或是甲苯。其中，該激光照射程序的溫度介于攝氏350至400度。基于上述，本發(fā)明在導線的斷線缺陷處涂布納米金屬顆粒，并且利用激光照射程序以使得納米金屬溶液硬化以形成修補部，即可使得導線的斷線缺陷獲得修補。由于本發(fā)明不需事先在顯示面板上設置修補線路，因而本發(fā)明的修補方法相較于傳統方法較為簡單且便利。以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。
圖IA至圖IC是根據本發(fā)明一實施例的導線的修補方法的流程示意圖。圖2是根據本發(fā)明一實施例的顯示面板的示意圖。圖3A至圖3C是根據本發(fā)明一實施例的顯示面板的修補方法的流程示意圖。其中，附圖標記L:導線D 斷線缺陷LR 激光S 納米金屬溶液0 有機溶劑N 納米金屬顆粒R 修補部100 顯示面板A 顯示區(qū)B:非顯示區(qū)SLl SLn 掃描線DLl DLn 數據線P 像素結構PE:像素電極T 主動元件Ll-I Ll-n、L2_l L2_n 引線
具體實施例方式圖IA至圖IC是根據本發(fā)明一實施例的導線的修補方法的流程示意圖。請參照圖 1A，本實施例的導線的修補方法首先包括提供導線L，其中導線L具有斷線缺陷D。在此，導線L的材質可為金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、 或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導材料的堆棧層。導線L可為直線導線、彎曲導線或是各種形式的導線。導線L的斷線缺陷D可能是導線L的工藝過程中所產生的缺陷， 或是于產品搬移過程中因機械碰撞或人為疏失所造成的缺陷。
當導線L發(fā)生斷線缺陷D時，導線L就無法順利的將信號從導線L的一端傳遞到另一端。因此，當導線L發(fā)生斷線缺陷D時，通常會采用修補方式將導線L的缺陷D處修補起來，以使導線L能夠恢復正常運作。在本實施例中，對于上述導線L的斷線缺陷D進行修補的方法如下所述。首先，配制納米金屬溶液，所述納米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散于有機溶劑中的金屬納米粒子。上述納米金屬溶液的有機溶劑包括己烷、苯、甲苯或是其它適用的有機溶劑。上述納米金屬溶液的納米金屬顆粒包括納米金顆粒、納米銀顆?；蚴瞧渌饘偌{米顆粒。特別是， 所述納米金屬溶液的納米金屬顆粒的顆粒尺寸約為2 3納米。 之后，如圖IB所示，將上述納米金屬溶液S涂布在導線L的斷線缺陷D處。由于納米金屬溶液S包含有機溶劑0以及均勻分散于有機溶劑0中的金屬納米粒子N，因此，涂布在斷線缺陷D處的納米金屬溶液S中的納米金屬顆粒N也是均勻的分布于斷線缺陷D處。之后，進行激光照射程序LR，也就是利用激光LR照射斷線缺陷D處，以使納米金屬溶液S硬化以形成修補部R，如圖IC所示。根據本實施例，上述激光照射程序LR的溫度是介于攝氏約350至400度。一般來說，金屬的熔點通常高達攝氏攝氏五百度以上，甚至高達攝氏九百多度或一千多度。但是當將金屬加工成金屬納米顆粒之后，也就是使得金屬納米顆粒的尺寸與傳導電子的德布羅意(deBroglie)波長相當或是更小時，金屬的周期性邊界將會被破壞，而使得納米金屬顆粒呈現的物理特性與宏觀金屬的物理特性不同。以金(Au)為例，當金到達納米尺寸之后，將會失去其原來的金屬光澤，而變成黑色，且納米金的尺寸越小，則色澤越黑。另外，金的熔點在一般的情況的下約為攝氏1064度。若是將金加工為粒徑為IOnm左右的納米顆粒，其熔點會下降至攝氏940度。若是將金進一步加工為粒徑2 3nm左右的納米顆粒，其熔點將可下降至攝氏350度 攝氏400度左右。承上所述，由于本實施例采用顆粒尺寸為2 3納米的金屬納米顆粒來修補導線的斷線缺陷，因此可以采用低溫激光照射程序(攝氏450至500度)即可以使得納米金屬顆粒熔融，并同時使有機溶劑揮發(fā)。如此一來，便可以使得納米金屬顆粒熔融之后形成修補部R。通過修補部R便可使得導線L恢復正常傳遞信號的功能。上述的導線的修補方法可以應用在各種電子產品中的導線上。以下舉出顯示面板的修補方法為例來說明，但本發(fā)明的修補方法不限于顯示面板中。換言之，在其它的實施例中，上述的導線的修補方法也可以應用于其它電子產品中。圖2是根據本發(fā)明一實施例的顯示面板的示意圖。請參照圖2，本實施例的顯示面板100包括顯示區(qū)A以及非顯示區(qū)B，且顯示面板100包括多條信號線。更詳細來說，在顯示面板100的顯示區(qū)A中包括設置有信號線(例如多條掃描線SLl SLn以及多條數據線DLl DLn)以及多個像素結構P。在顯示面板100的非顯示區(qū)B中則包括設置有信號線 (例如引線Ll-I Ll-n以及引線L2-1 L2_n)。掃描線SLl SLn與數據線DLl DLn彼此交越設置，且掃描線SLl SLn與數據線DLl DLn之間夾有絕緣層。換言之，掃描線SLl SLn的延伸方向與數據線DLl DLn的延伸方向不平行，較佳的是，掃描線SLl SLn的延伸方向與數據線DLl DLn的延伸方向垂直?；趯щ娦缘目紤]，掃描線SLl SLn與數據線DLl DLn —般是使用金屬材料。然，本發(fā)明不限于此，根據其它實施例，掃描線SLl SLn與數據線DLl DLn也可以使用其它導電材料。例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導材料的堆棧層。另外，像素結構P包括主動元件T以及像素電極PE。主動元件T可以是底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管，其包括柵極、通道、源極以及漏極。主動元件T 與對應的一條掃描線SLl SLn及對應的一條數據線DLl DLn電性連接。另外，主動元件T與像素電極PE電性連接。另外，掃描線SLl SLn延伸至非顯示區(qū)B中分別與對應的一條引線Ll-I Ll_n 電性連接。數據線DLl DLn延伸至非顯示區(qū)B中分別與對應的一條引線L2-1 L2_n電性連接。引線Ll-I Ll-n以及引線L2-1 L2-n將與驅動元件電性連接，以提供像素結構P驅動信號。承上所述，一般來說，因掃描線SLl SLn與數據線DLl DLn的長度會隨著顯示面板的尺寸越大而越長。而在顯示面板的工藝過程的中，有可能因為工藝步驟的失誤或是污染，或是搬運過程因為機械傷害，而導致信號線(掃描線SLl SLru數據線DLl DLru 引線Ll-I Ll-n以及引線L2-1 L2_n)至少其中的一產生斷線缺陷。當上述任一條信號線(掃描線SLl SLru數據線DLl DLru引線Ll-I Ll_n以及引線L2-1 L2_n)發(fā)生斷線缺陷時，就會使顯示面板100無法正常運作，或是產生顯示瑕疵影像。圖3A至圖3C是根據本發(fā)明一實施例的顯示面板的修補方法的流程示意圖。請參照圖3A，以下的說明是假設當圖2的顯示面板100中的信號線(掃描線SLl或引線L1-1) 發(fā)生斷線缺陷D時對其進行修補的詳細說明。類似地，首先配制納米金屬溶液，所述納米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散于有機溶劑中的金屬納米粒子。上述納米金屬溶液的有機溶劑包括己烷、苯、甲苯或是其它試用的有機溶劑。上述納米金屬溶液的納米金屬顆粒包括納米金顆粒、納米銀顆?；蚴瞧渌饘偌{米顆粒。特別是，所述納米金屬溶液的納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2 3納米。之后，如圖;3B所示，將上述納米金屬溶液S涂布在信號線(掃描線SLl或引線 L1-1)的斷線缺陷D處。由于納米金屬溶液S包含有機溶劑0以及均勻分散于有機溶劑0 中的金屬納米粒子N，因此涂布在斷線缺陷D處的納米金屬溶液S中的納米金屬顆粒N也是均勻的分布于斷線缺陷D處。之后，進行激光照射程序LR，也就是利用激光LR照射斷線缺陷D處，以使納米金屬溶液S硬化以形成修補部R，如圖3C所示。根據本實施例，上述激光照射程序LR的溫度是介于約攝氏350至400度。承上所述，由于本實施例采用顆粒尺寸為約2 3納米的金屬納米顆粒來修補導線的斷線缺陷，因此可以采用低溫激光照射程序(約攝氏450至500度)即可以使得納米金屬顆粒熔融，并同時使有機溶劑揮發(fā)。如此一來，便可以使得納米金屬顆粒熔融之后形成修補部R。通過修補部R便可使得信號線(掃描線SLl或引線L1-1)恢復正常傳遞信號的功能。綜上所述，本發(fā)明在導線的斷線缺陷處涂布納米金屬顆粒，并且利用激光照射程序以使得納米金屬溶液硬化以形成修補部，即可使得導線的斷線缺陷獲得修補。由于本發(fā)明不需事先在顯示面板上設置修補線路，因而本發(fā)明的修補方法相較于傳統方法較為簡單且便利。
當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員可根據本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種導線的修補方法，其特征在于，包括提供一導線，其中該導線具有一斷線缺陷；在該斷線缺陷處涂布一納米金屬溶液，其中該納米金屬溶液包括一有機溶劑以及均勻分散于該有機溶劑中的金屬納米粒子；以及利用一激光照射程序照射該斷線缺陷處，以使該納米金屬溶液硬化以形成一修補部。
2.根據權利要求1所述的導線的修補方法，其特征在于，該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒包括納米金顆?；蚴羌{米銀顆粒。
3.根據權利要求1所述的導線的修補方法，其特征在于，該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2 3納米。
4.根據權利要求1所述的導線的修補方法，其特征在于，該納米金屬溶液的該有機溶劑包括己烷、苯或是甲苯。
5.根據權利要求1所述的導線的修補方法，其特征在于，該激光照射程序的溫度介于攝氏350至400度。
6.一種顯示面板的修補方法，其特征在于，包括提供一顯示面板，該顯示面板包括多條信號線，其中該些信號線中的至少一條信號線具有一斷線缺陷；在該斷線缺陷處涂布一納米金屬溶液，其中該納米金屬溶液包括一有機溶劑以及均勻分散于該有機溶劑中的金屬納米粒子；以及利用一激光照射程序照射該斷線缺陷處，以使該納米金屬溶液硬化以形成一修補部。
7.根據權利要求6所述的顯示面板的修補方法，其特征在于，該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒包括納米金顆?；蚴羌{米銀顆粒。
8.根據權利要求6所述的顯示面板的修補方法，其特征在于，該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2 3納米。
9.根據權利要求6所述的顯示面板的修補方法，其特征在于，該納米金屬溶液的該有機溶劑包括己烷、苯或是甲苯。
10.根據權利要求6所述的顯示面板的修補方法，其特征在于，該激光照射程序的溫度介于攝氏350至400度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種導線的修補方法以及顯示面板的修補方法。所述導線的修補方法包括提供導線，其中導線具有斷線缺陷。在斷線缺陷處涂布納米金屬溶液，其中，納米金屬溶液包括有機溶劑以及均勻分散于有機溶劑中的金屬納米粒子。利用激光照射程序照射斷線缺陷處，以使納米金屬溶液硬化以形成修補部。本發(fā)明在導線的斷線缺陷處涂布納米金屬顆粒，并且利用激光照射程序以使得納米金屬溶液硬化以形成修補部，即可使得導線的斷線缺陷獲得修補。由于本發(fā)明不需事先在顯示面板上設置修補線路，因而本發(fā)明的修補方法相較于傳統方法較為簡單且便利。
文檔編號H01L21/77GK102368478SQ20111033007
公開日2012年3月7日 申請日期2011年10月24日 優(yōu)先權日2011年4月22日
發(fā)明者張俊德, 陳志宏, 黃柏輔 申請人:友達光電股份有限公司