專利名稱：制作斥液性擋墻的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制作斥液性擋墻的方法，特別是涉及一種在基板圖案化后定義親 斥水性的方法，其在黃光工藝中加入斥液膜工藝，使得經(jīng)黃光工藝所制作的圖案化光阻表 面為斥液性，由于基板與光阻表面具表面能的差異，有利液滴的噴印達(dá)到自我定位與互不 混墨的效果。
背景技術(shù)：
近年來，隨著計算機與信息網(wǎng)絡(luò)的進(jìn)步，顯示器扮演著不可或缺的角色。在新一代 的顯示器中，尤其以有機電激發(fā)光(Organic Electro-Luminescence, 0EL)受到更多的重 視，其主要分成兩種系統(tǒng)，一種是小分子系統(tǒng)的有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，0LED)，另一種是以共軛高分子為材料的電激發(fā)光二極管(Polymer Light-Emitting Diode, PLED)。PLED相較于OLED的優(yōu)勢在于工藝成本較低，耐熱性較佳，耗電較低，且具 有溶液特性，可以用噴墨印制(Ink Jet Printing)技術(shù)直接將紅、藍(lán)、綠三原色噴在像素 上，比傳統(tǒng)用旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)的方法更為簡單，且可大面積制作。然而，在噴墨的 工藝中，紅、藍(lán)、綠三原色噴墨位置的重復(fù)對位的高精準(zhǔn)度不易達(dá)成，使得PLED發(fā)展腳步較 慢，為達(dá)到噴印液滴自我定位、不互混墨的目的，需要對基板表面做差異性處理。一般顯示器對基板表面處理方式，是先對基板圖案化，定義出墨滴欲定位的位置， 之后于定位點之間制作擋墻，如圖1所示。圖1擋墻結(jié)構(gòu)以一般現(xiàn)有的微影蝕刻工藝，在基 板上10形成多個檔墻(bank) 11。之后再對圖案化后的基板10表面做親液性處理以形成一 親液層12，而對擋墻11表面做斥液性處理以形成一斥液層13。如此一來，墨滴會因為表面 差異性而形成于圖案化基板上，且因為表面張力和擋墻11的緣故，不會溢流到其它墨色的 區(qū)域。為使噴印液滴達(dá)到自我定位、不互混墨的目的，目前已有若干現(xiàn)有技術(shù)。美國專利US 7015503提出一薄膜圖案化基材，于一玻璃基板上，制造一無機材料 擋墻，用電漿技術(shù)對表面進(jìn)行改質(zhì)，讓基材表面具親液性，而讓擋墻的上表面具斥液性，達(dá) 到不互相混墨的效果。美國專利US 20060115749提出在擋墻制作后，先全部覆蓋一層親水材料，之后在 于擋墻上覆蓋一層斥水材料，其缺點是工藝較為繁瑣。美國專利US20070066080提出一種使表面具親斥液性差異的方法，使用含有無機 微粒的光阻于基板上制作一高分子檔墻，并配合電漿處理，使基板與擋墻有親斥水性差異。美國專利US7172842提出一彩色濾光片的制作方法，于無機或有機基板上形成一 擋墻，先沉積一親液膜，之后用印壓方式沉積一斥液膜于擋墻的上表面，達(dá)到不互相混墨的 效果。雖然此專利可適用于塑料基板上，但仍需制作擋墻的步驟，其工藝較為繁瑣。美國專利US20070212621提出一種使表面具親斥液性差異的方法，使用兩種親斥 液性不同干膜堆疊的方法，再配合黃光工藝制作，使基板與擋墻有親斥水性差異。美國專利US6399257提出一種使表面具親斥液性差異的方法，使用含有Ti02、SnO2, ZnO、W03、SrTiO3, Bi2O3或Fe2O3的光阻材料，使得光阻材料在紫外光照射后，產(chǎn)生親斥 水的差異，此專利雖可利用照光產(chǎn)生親斥水的差異，但若需要擋墻結(jié)構(gòu)，仍需另外制作。再 者，此一含有Ti02、SnO2, ZnO、WO3> SrTiO3> Bi2O3或Fe2O3的光阻材料，必需要高溫?zé)Y(jié)(> 4000C )才具有照光產(chǎn)生親斥水的特性。因此，本發(fā)明提供一種制作斥液性擋墻的方法，其在黃光工藝中加入斥液膜工藝，使得經(jīng)黃光工藝所制作的圖案化光阻表面為斥液性，由于基板與光阻表面具表面能的差 異，有利液滴的噴印達(dá)到自我定位與互不混墨的效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種制作斥液性擋墻的方法，其在基板圖案化后定義親斥水性，使得經(jīng)黃光工藝所制作的圖案化光阻表面為斥液性，由于基板與光阻 表面具表面能的差異，有利液滴的噴印達(dá)到自我定位與互不混墨的效果。本發(fā)明提供一種制作斥液性擋墻的方法，其改變傳統(tǒng)的黃光工藝，將傳統(tǒng)黃光工 藝為“涂布光阻、曝光、顯影”的工藝改變，于顯影工藝前加入了斥液膜工藝，此新式的黃光 工藝可以在圖案化的同時，使得基板表面圖案具表面能的差異。在一實施例中，本發(fā)明提供一種制作斥液性擋墻的方法，包括提供一基板，該 基板上具有一光阻層；形成一斥液性薄膜于該光阻層上；進(jìn)行一曝光工藝；以及進(jìn)行顯 影工藝，以將該光阻層及該斥液性薄膜圖案化，使得該圖案化光阻表面的斥液性(fluid repellency)大于該基板表面的斥液性。所述的方法，其中，該光阻層為正光阻、負(fù)光阻或干膜光阻。所述的方法，其中，該斥液性薄膜可為一自組裝薄膜(self-assembledmonolayer， SAM)。所述的方法，其中，該自組裝薄膜可為OTSkctadecyltrichlorosilane)或 FOTS(tridecafIuoro-1,1,2,2, -tetrahydrooctyltrichlorosilane)。所述的方法，其中，該曝光工藝以一紫外光源透過一光罩照射該光阻層及該斥液 性薄膜。所述的方法，其中，該基板為一可撓性基板。所述的方法，其中，該基板已進(jìn)行一親液處理程序，以在該基板表面形成一親液層。在另一實施例中，本發(fā)明提供一種制作斥液性擋墻的方法，包括提供一基板， 該基板上具有一光阻層；進(jìn)行一曝光工藝；形成一斥液性薄膜于該光阻層上；以及進(jìn)行顯 影工藝，以將該光阻層及該斥液性薄膜圖案化，使得該圖案化光阻表面的斥液性(fluid repellency)大于該基板表面的斥液性。所述的方法，其中，該光阻層為正光阻、負(fù)光阻或干膜光阻。所述的方法，其中，該斥液性薄膜可為一自組裝薄膜(self-assembledmonolayer， SAM)。所述的方法，其中，該自組裝薄膜可為OTSkctadecyltrichlorosilane)或 FOTS(tridecafIuoro-1,1,2,2, -tetrahydrooctyltrichlorosilane)。所述的方法，其中，該曝光工藝以一紫外光源透過一光罩照射該光阻層。
所述的方法，其中，該基板為一可撓性基板。所述的方法，其中，該基板已進(jìn)行一親液處理程序，以在該基板表面形成一親液層。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。
圖1為一現(xiàn)有擋墻結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A至圖2D為本發(fā)明第一具體實施例的制作斥液性擋墻的方法流程圖；圖3A至圖3D為本發(fā)明第二具體實施例的制作斥液性擋墻的方法流程圖。其中，附圖標(biāo)記10-基板11-擋墻12-親液層13-斥液層20-基板21-光阻層22-斥液性薄膜22，-斥液性薄膜23-紫外光源24-紫外光25-光罩26-擋墻30-基板31-光阻層32-斥液性薄膜32，-斥液性薄膜33-紫外光源34-紫外光35-光罩36-擋墻
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步更詳細(xì)的描述。本發(fā)明提供一種制作斥液性擋墻的方法，其在基板圖案化后定義親斥水性，使得 經(jīng)黃光工藝所制作的圖案化光阻表面為斥液性，由于基板與光阻表面具表面能的差異，有 利液滴的噴印達(dá)到自我定位與互不混墨的效果。 詳而言之，在本發(fā)明中，將傳統(tǒng)黃光工藝為“涂布光阻、曝光、顯影”的工藝改變，于 顯影工藝前加入了斥液膜工藝，此新式的黃光工藝可以在圖案化的同時，使得基板表面圖 案具表面能差異。
如圖2A至圖2D所示，其為本發(fā)明第一具體實施例的制作斥液性擋墻的方法流程 圖。在圖2A中，提供一基板20，該基板20上具有一光阻層21。在一具體實施例中，該光阻層 21可為正光阻、負(fù)光阻或干膜光阻，其可藉由旋轉(zhuǎn)涂布的方式而形成。在一具體實施例中， 該基板20為一可撓性基板。在一具體實施例中，該基板20已進(jìn)行一親液處理程序，以在該 基板20表面形成一親液層。在圖2B中，形成一斥液性薄膜22于該光阻層21上。在一具體實 施例中，該斥液性薄膜可為一自組裝薄膜(self-assembled monolayer，SAM)。在一具體實 施例中，該自組裝薄膜可為 OTS (octadecyltrichlorosilane)或 FOTS (tridecafluoro-1， 1,2,2, -tetrahydrooctyltrichlorosilane)。但本技術(shù)領(lǐng)域中的一般技藝者應(yīng)該明白，本 發(fā)明的斥液性薄膜并不限定于使用上述材料。接著，如圖2C所示，進(jìn)行一曝光工藝。該曝 光工藝以一紫外光源23透過一光罩25而照射紫外光24于該光阻層21及該斥液性薄膜22 上。最后，如圖2D所示，進(jìn)行顯影工藝，以將該光阻層21及該斥液性薄膜22圖案化，使得 該圖案化光阻表面的斥液性薄膜22具有大于該基板表面的斥液性。
如圖3A至圖3D所示，其為本發(fā)明第二具體實施例的制作斥液性擋墻的方法流程 圖。在圖3A中，提供一基板30，該基板30上具有一光阻層31。在一具體實施例中，該光阻 層31可為正光阻、負(fù)光阻或干膜光阻，其可藉由旋轉(zhuǎn)涂布的方式而形成。在一具體實施例 中，該基板30為一可撓性基板。在一具體實施例中，該基板30已進(jìn)行一親液處理程序，以 在該基板30表面形成一親液層。在圖3B中，進(jìn)行一曝光工藝。該曝光工藝以一紫外光源 33透過一光罩35而照射紫外光34于該光阻層31上。接著，如圖3C所示，形成一斥液性薄膜32于該光阻層31上。在一具體實施例中， 該斥液性薄膜可為一自組裝薄膜(self-assembled monolayer，SAM)。在一具體實施例中， 該自組裝薄膜可為 OTS(octadecyltrichlorosilane)或 FOTS (tridecafluoro-l，1,2,2,-t etrahydrooctyltrichlorosilane)。但本技術(shù)領(lǐng)域中的一般技藝者應(yīng)該明白，本發(fā)明的斥液 性薄膜并不限定于使用上述材料。最后，如圖3D所示，進(jìn)行顯影工藝，以將該光阻層31及 該斥液性薄膜32圖案化，使得該圖案化光阻表面的斥液性薄膜32具有大于該基板表面的 斥液性。由上述說明當(dāng)知，本發(fā)明與 US 7015503、US 2006/0115749、US20070066080、 US7172842的工藝有明顯不同，這四項先前技術(shù)的做法都是先制作好擋墻，才使用不同的工 藝進(jìn)行基板的表面處理，與本發(fā)明將斥液膜工藝直接整合到黃光工藝的工藝相比，其工藝 較為復(fù)雜。而與US20070212621比較，其專利使用親斥液性不同干膜堆疊再配合黃光工藝的 工藝，此工藝可使基板與擋墻有親斥水性差異，但干膜工藝有幾個明顯的問題，如一般的干 膜厚度較厚、價格昂貴、分辨率不高、并且在壓干膜的工藝中容易產(chǎn)生氣孔使得良率不佳等 問題，故與本發(fā)明將斥液膜工藝直接整合到黃光工藝的工藝相比，本發(fā)明有著厚度較薄、價 格便宜、分辨率高，工藝穩(wěn)定等進(jìn)步性。綜上所述，當(dāng)知本發(fā)明提供一種制作斥液性擋墻的方法，其在黃光工藝中加入斥 液膜工藝，使得經(jīng)黃光工藝所制作的圖案化光阻表面為斥液性，由于基板與光阻表面具表 面能的差異，有利液滴的噴印達(dá)到自我定位與互不混墨的效果。故本發(fā)明實為一富有新穎 性、進(jìn)步性，及可供產(chǎn)業(yè)利用功效者，應(yīng)符合專利申請要件無疑，爰依法提請發(fā)明專利申請， 懇請貴審查委員早日賜予本發(fā)明專利，實感德便。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
一種制作斥液性擋墻的方法，其特征在于，包括提供一基板，該基板上具有一光阻層；形成一斥液性薄膜于該光阻層上；進(jìn)行一曝光工藝；以及進(jìn)行顯影工藝，以將該光阻層及該斥液性薄膜圖案化，使得該圖案化光阻表面的斥液性大于該基板表面的斥液性。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該光阻層為正光阻、負(fù)光阻或干膜光阻。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該斥液性薄膜為一自組裝薄膜。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，該自組裝薄膜為OTS或FOTS。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該曝光工藝以一紫外光源透過一光罩照射 該光阻層及該斥液性薄膜。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該基板為一可撓性基板。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該基板已進(jìn)行一親液處理程序，以在該基板 表面形成一親液層。
8.一種制作斥液性擋墻的方法，其特征在于，包括 提供一基板，該基板上具有一光阻層；進(jìn)行一曝光工藝；形成一斥液性薄膜于該光阻層上；以及進(jìn)行顯影工藝，以將該光阻層及該斥液性薄膜圖案化，使得該圖案化光阻表面的斥液 性大于該基板表面的斥液性。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該光阻層為正光阻、負(fù)光阻或干膜光阻。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該斥液性薄膜為一自組裝薄膜。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該自組裝薄膜為OTS或F0TS。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該曝光工藝以一紫外光源透過一光罩照射 該光阻層。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該基板為一可撓性基板。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，該基板已進(jìn)行一親液處理程序，以在該基 板表面形成一親液層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制作斥液性擋墻的方法，包括提供一基板，該基板上具有一光阻層；形成一斥液性薄膜于該光阻層上；進(jìn)行一曝光工藝；以及進(jìn)行顯影工藝，以將該光阻層及該斥液性薄膜圖案化，使得該圖案化光阻表面的斥液性(fluid repellency)大于該基板表面的斥液性。該方法是以在黃光工藝中加入斥液膜工藝，使得經(jīng)黃光工藝所制作的圖案化光阻表面為斥液性，由于基板與光阻表面具表面能的差異，有利液滴的噴印達(dá)到自我定位與互不混墨的效果。
文檔編號H01L21/312GK101800166SQ20091000628
公開日2010年8月11日 申請日期2009年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月10日
發(fā)明者呂志平, 宋兆峰, 徐振諄, 李裕正, 陳富港 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院