存儲(chǔ)器布置的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器布置。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲(chǔ)器布置被配置為以數(shù)據(jù)位的形式存儲(chǔ)內(nèi)容。一般地，存儲(chǔ)器布置包括多個(gè)分別被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的存儲(chǔ)單元。有時(shí)當(dāng)需要讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位時(shí)，對(duì)存儲(chǔ)單元實(shí)施讀操作。有時(shí)當(dāng)需要寫數(shù)據(jù)位到存儲(chǔ)單元時(shí)，實(shí)施寫操作。一般通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元施加特定的電壓來(lái)控制讀操作和寫操作。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]提供該部分以用簡(jiǎn)化的形式介紹各種概念，在下文中將對(duì)這些概念做進(jìn)一步詳細(xì)的描述。本部分不是對(duì)所要求保護(hù)主題的綜述，、也沒(méi)有確定所要求保護(hù)主題的關(guān)鍵因素或者基本特征，也不意指用來(lái)限制所要求保護(hù)主題的范圍。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)器布置，包括:第一存儲(chǔ)單元，被配置為存儲(chǔ)內(nèi)容；以及第一字線驅(qū)動(dòng)器，可操作地連接至第一解碼器和第二解碼器，第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為根據(jù)經(jīng)由第一解碼器施加至第一字線驅(qū)動(dòng)器的第一電壓信號(hào)和經(jīng)由第二解碼器施加至第一字線驅(qū)動(dòng)器的第二電壓信號(hào)來(lái)激活第一存儲(chǔ)單元。
[0005]優(yōu)選地，第一存儲(chǔ)單元位于存儲(chǔ)器布置的第一物理層上，而第一字線驅(qū)動(dòng)器位于存儲(chǔ)器布置的第二物理層上。
[0006]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器包括邏輯門。
[0007]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器包括與門。
[0008]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器包括或非門。
[0009]優(yōu)選地，第一存儲(chǔ)單元位于包括一個(gè)或多個(gè)其它存儲(chǔ)單元的第一物理層上，第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為不激活位于第一物理層上的一個(gè)或者多個(gè)其它存儲(chǔ)單元。
[0010]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為激活位于存儲(chǔ)器布置的第三物理層上的第三存儲(chǔ)單元。
[0011]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器位于存儲(chǔ)器布置的第二物理層上。
[0012]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器與第一解碼器和第二解碼器位于存儲(chǔ)器布置的同一物理層上。
[0013]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器的第一元件位于存儲(chǔ)器布置的第二物理層上，而第一字線驅(qū)動(dòng)器的第二元件位于存儲(chǔ)器布置的第四物理層上。
[0014]優(yōu)選地，第一存儲(chǔ)單元位于存儲(chǔ)器布置的第一物理層上。
[0015]優(yōu)選地，第一存儲(chǔ)單元包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種存儲(chǔ)器布置，包括:第一存儲(chǔ)單元，被配置成存儲(chǔ)內(nèi)容并且位于存儲(chǔ)器布置的第一物理層上；以及第一字線驅(qū)動(dòng)器，可操作地連接至第一解碼器和第二解碼器，并且至少位于存儲(chǔ)器布置的第二物理層上，第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為根據(jù)經(jīng)由第一解碼器施加至第一字線驅(qū)動(dòng)器的第一電壓信號(hào)和經(jīng)由第二解碼器施加至第一字線驅(qū)動(dòng)器的第二電壓信號(hào)來(lái)激活第一存儲(chǔ)器單元。
[0017]優(yōu)選地，該存儲(chǔ)器布置包括:第三存儲(chǔ)單元，位于存儲(chǔ)器布置的第三物理層上，第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為根據(jù)第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)來(lái)激活第三存儲(chǔ)單元。
[0018]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為僅激活存儲(chǔ)器布置中的第一存儲(chǔ)單元。
[0019]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器包括邏輯門。
[0020]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動(dòng)器包括位于存儲(chǔ)器布置的第二物理層上的第一元件和位于存儲(chǔ)器布置的第四物理層上的第二元件。
[0021]優(yōu)選地，第一存儲(chǔ)單元為第一存儲(chǔ)器陣列的組成部分，第一存儲(chǔ)器陣列包括位于存儲(chǔ)器布置的第一物理層上的一個(gè)或者多個(gè)其它存儲(chǔ)單元，而第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為不激活第一存儲(chǔ)器陣列的一個(gè)或者多個(gè)其它存儲(chǔ)單元。
[0022]優(yōu)選地，第一存儲(chǔ)單元包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于激活第一存儲(chǔ)單元來(lái)為讀操作和寫操作中的至少一個(gè)做準(zhǔn)備的方法，包括:在第一字線驅(qū)動(dòng)器的第一輸入端感測(cè)第一電壓信號(hào)；在第一字線驅(qū)動(dòng)器的第二輸入端感測(cè)第二電壓信號(hào)；當(dāng)?shù)谝浑妷盒盘?hào)和第二電壓信號(hào)滿足規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，通過(guò)第一字線驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)由將第一字線驅(qū)動(dòng)器可操作地連接至第一存儲(chǔ)單元的第一字線，將門電壓信號(hào)施加至第一存儲(chǔ)單元以激活第一存儲(chǔ)單元，從而為讀操作和寫操作中的至少一個(gè)做準(zhǔn)備。
[0024]根據(jù)一些實(shí)施例，提供了一種包括第一存儲(chǔ)單元和第一字線驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)器布置。第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為控制第一存儲(chǔ)單元的激活以為讀操作和寫操作中的至少一個(gè)做準(zhǔn)備，并且可操作地連接至第一解碼器和第二解碼器。例如，第一字線驅(qū)動(dòng)器包括邏輯門，諸如，包括至少兩個(gè)輸入端的AND門或者NOR門。第一解碼器被配置為施加第一電壓信號(hào)至第一輸入端，而第二解碼器被配置為施加第二電壓信號(hào)至第二輸入端。當(dāng)邏輯門感測(cè)到第一電壓信號(hào)為高同時(shí)感測(cè)到第二電壓信號(hào)為高時(shí)，邏輯門生成激活第一存儲(chǔ)單元以幫助實(shí)施讀操作和寫操作中的至少一個(gè)的高門電壓信號(hào)。通過(guò)這種方式，例如，第一字線驅(qū)動(dòng)器根據(jù)至少兩個(gè)獨(dú)立受控的電壓信號(hào)來(lái)控制第一存儲(chǔ)單元的激活。此外，在一些實(shí)施例中，根據(jù)至少兩個(gè)獨(dú)立受控的電壓信號(hào)來(lái)控制第一存儲(chǔ)單元的激活具有抑制讀干擾的優(yōu)點(diǎn)，這種讀干擾是當(dāng)與執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮鞯拇鎯?chǔ)單元連接至同一字線的一個(gè)或者多個(gè)未選的存儲(chǔ)單元被無(wú)意激活時(shí)而引起的。
[0025]在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器布置包括多個(gè)物理層，并且第一存儲(chǔ)單元與第一字線驅(qū)動(dòng)器位于不同的物理層。例如，包括第一存儲(chǔ)單元的多個(gè)存儲(chǔ)單元位于存儲(chǔ)器布置的第一物理層上，而包括第一字線驅(qū)動(dòng)器的多個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器位于第二物理層上。在一些實(shí)施例中，相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)器被配置為僅控制位于第一物理層上的一個(gè)存儲(chǔ)單元的激活。因此，在這種實(shí)施例中，字線驅(qū)動(dòng)器和存儲(chǔ)單元之間具有1:1的比率。
[0026]在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器布置包括存儲(chǔ)單元位于其上的多個(gè)物理層。例如，第一物理層包括存儲(chǔ)單元(包括第一存儲(chǔ)單元)的第一存儲(chǔ)器陣列，第一存儲(chǔ)器陣列可操作地連接至第一輸入/輸出電路，而第三物理層包括存儲(chǔ)單元的第二存儲(chǔ)器陣列，第二存儲(chǔ)器陣列可操作地連接至第二輸入/輸出電路。在一些實(shí)施例中，第一字線驅(qū)動(dòng)器被配置為僅控制位于相應(yīng)的物理層上的一個(gè)存儲(chǔ)單元的激活。因此，例如，第一字線驅(qū)動(dòng)器控制位于第一物理層的存儲(chǔ)單元的激活和位于第三物理層的其它存儲(chǔ)單元的激活。
[0027]以下說(shuō)明和附圖提出某些說(shuō)明性的觀點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)。這些是對(duì)實(shí)現(xiàn)一個(gè)或者多個(gè)方面的不同方式的說(shuō)明。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點(diǎn)和新型特征將根據(jù)以下詳細(xì)描述而變得顯而易見(jiàn)。
【附圖說(shuō)明】
[0028]根據(jù)具體描述結(jié)合參考附圖可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)理解，附圖的部件和裝置未按比例繪出。因此，為了清楚的討論，可以任意地增大或減小各個(gè)部件的尺寸。
[0029]圖1示出了根據(jù)一些實(shí)施例的存儲(chǔ)器布置。
[0030]圖2示出了根據(jù)一些實(shí)施例的部分存儲(chǔ)器布置的電路圖。
[0031]圖3示出了根據(jù)一些實(shí)施例的存儲(chǔ)器布置。
[0032]圖4示出了根據(jù)一些實(shí)施例的存儲(chǔ)器布置。
[0033]圖5示出了根據(jù)一些實(shí)施例的部分存儲(chǔ)器布置的電路圖。
[0034]圖6示出了根據(jù)一些實(shí)施例的激活第一存儲(chǔ)單元以為讀操作和寫操作中的至少一個(gè)做準(zhǔn)備的方法的流程圖。
[0035]圖7是示出了根據(jù)一些實(shí)施例的示例性的包括被配置為體現(xiàn)本發(fā)明提出的一個(gè)或者多個(gè)原理的處理器可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]以下用具體的語(yǔ)言公開(kāi)了附圖中示出的實(shí)施例或者實(shí)例。然而，應(yīng)該理解，實(shí)施例或者實(shí)例不用于限制本發(fā)明。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例或?qū)嵗娜魏巫兓托薷囊约皩?duì)本文件中公開(kāi)的原理的進(jìn)一步應(yīng)用都被認(rèn)為是相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以想到的。
[0037]參見(jiàn)圖1，提供了根據(jù)一些實(shí)施例的示例性的存儲(chǔ)器布置100的組件框圖。存儲(chǔ)器布置100包括存儲(chǔ)器陣列102、驅(qū)動(dòng)器陣列104、第一解碼器106、第二解碼器108和輸入/輸出(I/O)電路110。
[0038]在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列102與驅(qū)動(dòng)器陣列104位于存儲(chǔ)器布置100的不同的物理層上。例如，存儲(chǔ)器陣列102位于存儲(chǔ)器布置100的第一物理層上而驅(qū)動(dòng)器陣列104位于第二物理層上。在其它的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列102與驅(qū)動(dòng)器陣列104位于存儲(chǔ)器布置100中的同一物理層上。
[0039]在一些實(shí)施例中，第一解碼器106和第二解碼器108中的至少一個(gè)與驅(qū)動(dòng)器陣列104位于同一物理層上。在其它的實(shí)施例中，第一解碼器106和第二解碼器108位于不同的物理層上或者與驅(qū)動(dòng)器陣列104位于不同的物理層上。
[0040]在一些實(shí)施例中，I/O電路110與存儲(chǔ)器陣列102位于同一物理層上。在其它的實(shí)施例中，I/o電路110與存儲(chǔ)器陣列102位于不同的物理層上。
[0041]存儲(chǔ)器陣列102包括多個(gè)存儲(chǔ)單元