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中頻感應加熱方式制備高純氧化亞硅的方法及設備與流程

文檔序號:11061155閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及高純氧化亞硅的制備技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是中頻感應加熱方式制備高純氧化亞硅的方法及設備,其特征在于,采用如下制備方法:1、原料準備:含量>99.5wt%高純硅、含量>99.5wt%二氧化硅按重量比1:1混合;2、中頻感應加熱;3、冷卻得成品;當中頻感應加熱溫度在1200~1600℃時,調(diào)節(jié)原料高純硅與二氧化硅的摩爾比時,產(chǎn)物SiOx中x值為固定值;而當中頻感應加熱溫度≥1600℃時,控制原料高純硅與二氧化硅的摩爾比的比值在0.88~1.2時,產(chǎn)物SiOx中x的值在0.89~1.10范圍內(nèi)可調(diào)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,加熱效率高,設備穩(wěn)定;可以通過加熱溫度和原料配比的調(diào)整獲得不同硅氧比產(chǎn)品。

技術(shù)研發(fā)人員:馬飛;沈龍;丁曉陽;葛傳長
受保護的技術(shù)使用者:上海杉杉科技有限公司
文檔號碼:201611195184
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.21
技術(shù)公布日:2017.05.03

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