TFT液晶基板金屬邊框局部鍍膜工藝的制作方法

本發(fā)明涉及tft超薄液晶基板鍍膜工藝。

背景技術(shù)：

近年來，中國電子信息產(chǎn)業(yè)取得了長足的發(fā)展，已成為中國工業(yè)部門的第一大產(chǎn)業(yè)，是拉動(dòng)中國經(jīng)濟(jì)增長的最主要的支柱之一；與此同時(shí)，液晶行業(yè)取得了突破性進(jìn)展；但隨著社會(huì)日益劇增的需求，需要不斷創(chuàng)新在保證高品質(zhì)、低成本提高其tft液晶屏的反應(yīng)速度及極端環(huán)境下的穩(wěn)定性；因金屬膜的導(dǎo)電反應(yīng)速度比常規(guī)ito膜的反應(yīng)速度快，膜層信賴性穩(wěn)定，在極端環(huán)境不使用不受外界環(huán)境干擾等特點(diǎn)，因此需要開發(fā)新的工藝提升產(chǎn)品的核心競(jìng)爭力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是實(shí)現(xiàn)一種在保證原有ito產(chǎn)品的高透過率，低反射率的同時(shí)提高產(chǎn)品的感知反應(yīng)速度及極端環(huán)境下的穩(wěn)定性，改良tft基板表面鍍膜設(shè)計(jì)和對(duì)生產(chǎn)過程中的工藝管控，來實(shí)現(xiàn)屏幕性能的提升。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：tft液晶基板金屬邊框局部鍍膜工藝：

1)在tft基板的鍍膜面鍍制ito膜；

2)將遮擋板覆蓋在tft基板的鍍膜面，所述遮擋板上預(yù)留有鏤空的鍍膜間隙，所述鍍膜間隙位置與tft基板上鍍至金屬邊框位置相同；

3)在遮擋板上鍍至金屬膜，金屬膜透過鍍膜間隙沉積在ito膜上的金屬層構(gòu)成金屬邊框；

4)取下遮擋板。

所述1)中，tft基板的鍍膜面整面鍍制有一層ito膜，所述ito膜的透過率≥93％以上，反射率≤0.5％以內(nèi)。

所述2)中遮擋板覆蓋在tft基板上時(shí)，mask與基板貼合對(duì)位時(shí)使用ccd高清鏡頭與tft基板邊緣的對(duì)位靶標(biāo)對(duì)標(biāo)，靶標(biāo)重合后開始鍍膜。

所述3)中金屬邊框厚50nm±5nm,阻抗≤15ω/sq。

所述遮擋板為不銹鋼材質(zhì)。

一種利用所述tft液晶基板金屬邊框局部鍍膜工藝生產(chǎn)的tft液晶基板，tft基板的鍍膜面設(shè)有ito層，tft基板的邊緣設(shè)有bm區(qū)域，其特征在于：所述bm區(qū)域上方鍍制有金屬邊框。

本發(fā)明通過改進(jìn)工藝在基板邊緣鍍制金屬邊框，與現(xiàn)有單純的ito導(dǎo)電膜相比，產(chǎn)品在保證原有的高透過率及低反射率的情況下，屏幕觸控反應(yīng)速度及觸控穩(wěn)定性明顯提升，并且產(chǎn)品設(shè)計(jì)方案已投入到實(shí)際生產(chǎn)中并量產(chǎn)，根據(jù)客戶段反饋的結(jié)果，該產(chǎn)品性能優(yōu)良。

附圖說明

下面對(duì)本發(fā)明說明書中每幅附圖表達(dá)的內(nèi)容作簡要說明：

圖1為基板局部鍍制金屬邊框的示意圖；

圖2為金屬邊框制作示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明針對(duì)tft表面膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行發(fā)明更改，以及對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行嚴(yán)格的管控，在保證原有ito產(chǎn)品的高透過率，低反射率的同時(shí)提高產(chǎn)品的感知反應(yīng)速度及極端環(huán)境下的穩(wěn)定性，改良tft基板表面鍍膜設(shè)計(jì)和對(duì)生產(chǎn)過程中的工藝管控，來實(shí)現(xiàn)屏幕性能的提升。

tft超薄液晶基板制作工藝如下：

1、tft基板整面鍍上ito膜；先整張基板整面鍍上常規(guī)ito膜；保證ito膜的高透過、低反射等條件，ito膜的透過率≥93％以上，反射率≤0.5％以內(nèi)。

2、使用遮擋板(mask)阻擋的方式在每單個(gè)屏幕的邊緣mb區(qū)域局部鍍上metal-border膜；根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制作對(duì)應(yīng)遮擋板，遮擋板的設(shè)計(jì)需滿足鍍膜條件，大張遮擋板上具有鍍膜間隙，遮擋板的大小根據(jù)一次性制作的tft基板數(shù)量來定。

遮擋板為不銹鋼材質(zhì)，因不銹鋼材質(zhì)強(qiáng)度大，不易變形；表面光滑，與基本貼合時(shí)不會(huì)對(duì)tft玻璃基板產(chǎn)生損傷；材料密度大，在真空鍍膜時(shí)，放氣量小，不易破壞真空鍍膜環(huán)境；

鍍金屬邊框(metal-border)時(shí)，使用之前設(shè)計(jì)的遮擋板，與tft基板需鍍膜面貼合，貼合過程需重點(diǎn)管控metal-border的精度，metal-border的位置精度≤0.3mm；

為保證產(chǎn)品質(zhì)量，確保局部metal-border的精度，mask與基板貼合對(duì)位時(shí)使用ccd高清鏡頭與tft基板邊緣的對(duì)位靶標(biāo)對(duì)標(biāo)，靶標(biāo)重合后開始鍍膜。

3、金屬鍍膜；metal-border選用磁控濺射方式鍍膜，該鍍膜方式膜層附著力強(qiáng)、膜層致密、膜厚均勻；金屬鍍膜會(huì)從遮擋板的鍍膜間隙滲入沉積在tft基板上(bm區(qū)域)，metal-border膜層主要性能如下：膜厚50nm±5nm,阻抗≤15ω/sq。

上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了示例性描述，顯然本發(fā)明具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭示了一種TFT液晶基板金屬邊框局部鍍膜工藝：1)在TFT基板的鍍膜面鍍制ITO膜；2)將遮擋板覆蓋在TFT基板的鍍膜面，所述遮擋板上預(yù)留有鏤空的鍍膜間隙，所述鍍膜間隙位置與TFT基板上鍍至金屬邊框位置相同；3)在遮擋板上鍍至金屬膜，金屬膜透過鍍膜間隙沉積在ITO膜上的金屬層構(gòu)成金屬邊框；4)取下遮擋板。本發(fā)明通過改進(jìn)工藝在基板邊緣鍍制金屬邊框，與現(xiàn)有單純的ITO導(dǎo)電膜相比，產(chǎn)品在保證原有的高透過率及低反射率的情況下，屏幕觸控反應(yīng)速度及觸控穩(wěn)定性明顯提升，并且產(chǎn)品設(shè)計(jì)方案已投入到實(shí)際生產(chǎn)中并量產(chǎn)，根據(jù)客戶段反饋的結(jié)果，該產(chǎn)品性能優(yōu)良。

技術(shù)研發(fā)人員：李章輝;潘明明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶永信科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.08.03
技術(shù)公布日：2017.10.03