一種在LED燈帶表面形成納米層的設(shè)備及方法與流程

本發(fā)明涉及LED制造領(lǐng)域，尤其是一種在LED燈帶表面形成納米層的設(shè)備。

背景技術(shù)：

過去LED燈帶通常用于照明，隨著LED燈具日漸成熟，LED燈帶也用于建筑物外墻，作為裝飾，這樣一來就要求這種戶外的LED燈帶具有良好的防水性能?，F(xiàn)有LED燈帶的防水結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，如中國專利，公開號為205480398的一種LED燈帶的防水結(jié)構(gòu)，包括LED燈帶、第一堵頭、第二堵頭、引出線和套管；LED燈帶設(shè)置在套管中，第一堵頭和第二堵頭分別設(shè)于套管的兩端，引出線通過第一堵頭或第二堵頭和LED燈帶相連，套管的用于安裝LED燈帶的空間中部凸起。該種燈帶雖然也具有防水性能，但是結(jié)構(gòu)復(fù)雜，生產(chǎn)制造成本高；另外，套管容易老化變黃，從而影響LED芯片的出光效果。申請人為了改善LED燈帶的防水結(jié)構(gòu)，研發(fā)出在LED燈帶覆蓋一層納米層的防水結(jié)構(gòu)，使LED燈帶具有良好的防水性能和出光效果；形成該納米層需要一套設(shè)備和工藝之配套。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種在LED燈帶表面形成納米層的設(shè)備及方法，能夠在LED燈帶的表面沉積形成納米層，使LED燈帶具有防水性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案之一是：一種在LED燈帶表面形成納米層的設(shè)備，包括升華爐、裂解爐、沉積罐、冷阱和真空泵；所述升華爐的輸入端與裂解爐的輸入端連通，所述裂解爐的輸出端與沉積罐的輸入端連接，所述沉積罐內(nèi)形成涂裝空間，在涂裝空間的底部設(shè)有用于放置LED燈帶的托盤，所述沉積罐的輸入端位于沉積罐的上部，所述沉積罐的中部設(shè)有余料輸出口，所述余料輸出口與冷阱頂部的輸入口連通，所述冷阱內(nèi)的底部設(shè)有收集盤，所述真空泵的輸入端與冷阱連通。

作為改進(jìn)，所述沉積罐為圓柱體，托盤的底部設(shè)有驅(qū)動托盤旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)。

作為改進(jìn)，所述升華爐包括第一爐體和對第一爐體加熱到150-200℃的第一加熱裝置。

作為改進(jìn)，所述升裂解爐包括第二爐體和對第二爐體加熱到650-700℃的第二加熱裝置。

在LED燈帶表面形成納米層的設(shè)備的制造方法，包括以下步驟：

（1）將派瑞林粉末放入升華爐內(nèi)，升華爐內(nèi)的工作溫度為150~200℃，真空度為1Torr；

（2）派瑞林經(jīng)升華爐氣化后進(jìn)入裂解爐中，裂解爐內(nèi)的工作溫度為650-700℃，真空度為0.5Torr；

（3）氣化的派瑞林在裂解爐中裂解形成單體對二甲苯蒸氣并進(jìn)入沉積罐內(nèi)的涂裝空間內(nèi)，對處于托盤上的LED燈帶進(jìn)行涂裝，沉積罐的工作溫度為35~45℃，真空度為0.5Torr；

（4）沉積罐內(nèi)多余的單體對二甲苯蒸氣通過余料輸出口進(jìn)入冷阱中進(jìn)行收集，冷阱的工作溫度為-（80~60）℃，真空度為0.001~0.01Torr。

作為改進(jìn)，調(diào)整單體對二甲苯蒸氣的沉積時間，使在LED燈帶表面1小時沉積1納米的厚度。

作為改進(jìn)，沉積罐的工作時間為20~26小時。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比所帶來的有益效果是：

通過本發(fā)明的設(shè)備及制造方法，能夠在LED燈帶內(nèi)部縫隙及表面沉積一層納米層，使LED燈帶具有良好的防水性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為卷繞成盤裝的LED燈帶。

圖3為LED燈帶剖視圖。

圖4為發(fā)明工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，一種在LED燈帶表面形成納米層的設(shè)備，包括升華爐1、裂解爐2、沉積罐3、冷阱4和真空泵5。所述升華爐1包括第一爐體和對第一爐體加熱到150-200℃的第一加熱裝置，升華爐1正常工作時的溫度為150℃，真空度為1Torr。所述升裂解爐2包括第二爐體和對第二爐體加熱到650-700℃的第二加熱裝置，裂解爐2正常工作時的溫度為680℃，真空度為0.5Torr。所述沉積罐3為圓柱體，所述沉積罐3內(nèi)形成涂裝空間，在涂裝空間的底部設(shè)有用于放置LED燈帶的托盤31，托盤31的底部設(shè)有驅(qū)動托盤旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)；沉積罐3正常工作時的溫度為40℃，真空度為0.5Torr。所述冷阱4內(nèi)的底部設(shè)有收集盤41，用于收集多余的納米材料，冷阱4正常工作時的溫度為-70℃，真空度為0.001Torr。

所述升華爐1的輸入端與裂解爐2的輸入端連通，所述裂解爐2的輸出端與沉積罐3的輸入端連接，所述沉積罐3的輸入端位于沉積罐3的上部，所述沉積罐3的中部設(shè)有余料輸出口，所述余料輸出口與冷阱4頂部的輸入口連通，所述真空泵5的輸入端連接在冷阱4中部靠下位置。

如圖4所示，在LED燈帶表面形成納米層的制造方法：如圖2所示，先將卷繞成盤裝的LED燈帶6放入沉積罐3底部的托盤上；派瑞林粉末放入升華爐1內(nèi)，將升華爐1加熱至150℃，使派瑞林粉末氣化；氣化后的派瑞林進(jìn)入裂解爐2，裂解爐2加熱至680℃對高分子的派瑞林進(jìn)行裂解成為單體對二甲苯蒸氣；該單體對二甲苯蒸氣進(jìn)入溫度為40℃的沉積罐3后以氣相沉積的方式，均勻滲入處于底部托盤上的LED燈帶的內(nèi)部隙縫與表面，調(diào)整單體對二甲苯蒸氣的沉積時間，使在LED燈帶表面1小時沉積1納米的厚度，沉積時間為24小時，沉積時可以通過旋轉(zhuǎn)電機(jī)轉(zhuǎn)動LED燈帶。由于真空泵5與冷阱4連通，真空泵5工作時在冷阱4內(nèi)形成負(fù)壓，沉積罐3內(nèi)多余的單體對二甲苯蒸氣會通過余料輸出口進(jìn)入溫度為-70℃的冷阱4內(nèi)進(jìn)行收集。

經(jīng)過本發(fā)明設(shè)備和制造方法制造出來的LED燈帶具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1、如圖3所示，采用納米層9作為LED燈帶6的防水結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)簡單，而且施工方便，可以降低生產(chǎn)成本；

2、納米層9不僅具有防水性能，而且還抗氧化、抗老化，能夠有效保護(hù)LED燈帶6上的LED芯片7和電子元器件8，使LED燈帶6的使用壽命更長；

3、納米層9厚度小，LED燈帶6可以隨意彎曲，以滿足不同形狀的需求；4、透明的納米材料層透光性好，納米材料層不會變色，對LED芯片的出光影響小；

5、納米層9通過沉積形成，LED燈帶6表面覆蓋的納米材料層均勻度更好，而且不存在死角。