用于工藝腔室的基臺(tái)及其控制方法、托盤及其設(shè)計(jì)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于工藝腔室的基臺(tái)及其控制方法、托盤及其設(shè)計(jì)方法。其中所述托盤包括：絕緣隔熱層，絕緣隔熱層在同一平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域；多個(gè)子基底，多個(gè)子基底分別設(shè)置在多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域中，其中，多個(gè)子基底由具有阻抗性能的介質(zhì)材料構(gòu)成。所述基臺(tái)包括：絕緣隔熱層，絕緣隔熱層在同一平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域；多個(gè)子基底，多個(gè)子基底分別設(shè)置在多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域中；控制裝置，用于對(duì)多個(gè)子基底的溫度和/或功率進(jìn)行控制。本發(fā)明實(shí)施例的阻抗型托盤及陣列控制型基臺(tái)，均可實(shí)現(xiàn)晶片上多個(gè)子區(qū)域相互獨(dú)立的溫度及功率控制，從而實(shí)現(xiàn)溫度場與功率分布的精細(xì)化調(diào)控。
【專利說明】用于工藝腔室的基臺(tái)及其控制方法、托盤及其設(shè)計(jì)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及工藝制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種用于工藝腔室的基臺(tái)及其控制方法、托盤及其設(shè)計(jì)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在多物理場耦合的工藝中，工藝因素與工藝目標(biāo)一般都具有連續(xù)的空間分布，因此為了實(shí)現(xiàn)工藝目標(biāo)的精細(xì)化調(diào)控，需要實(shí)現(xiàn)相應(yīng)工藝因素的空間分布的精細(xì)化調(diào)控。
[0003]目前，在工藝因素的調(diào)控中主要存在以下問題:多物理場耦合的工藝設(shè)備一般只能調(diào)節(jié)工藝因素的平均值，而缺乏足夠的自由度來實(shí)現(xiàn)工藝因素的空間分布的精細(xì)化調(diào)控；另外，多物理場耦合的工藝性能是各個(gè)工藝因素在關(guān)鍵區(qū)域內(nèi)協(xié)調(diào)性的體現(xiàn)，而現(xiàn)有的多物理場耦合的工藝設(shè)備沒有很好地利用同一工藝目標(biāo)可被多種工藝因素調(diào)節(jié)的關(guān)系。因此，當(dāng)出現(xiàn)偏差時(shí)，總是對(duì)直接導(dǎo)致偏差的工藝因素及其相關(guān)的部件進(jìn)行調(diào)整，而這種調(diào)整的代價(jià)往往是極其昂貴的，甚至是不可實(shí)現(xiàn)的。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。
[0005]為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種可實(shí)現(xiàn)溫度場和/或功率場精細(xì)化調(diào)控的用于工藝腔室的基臺(tái)。
[0006]本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提出一種用于工藝腔室的托盤。
[0007]本發(fā)明的第三個(gè)目的在于提出一種工藝腔室裝置。
[0008]本發(fā)明的第四個(gè)目的在于提出一種用于工藝腔室的基臺(tái)的控制方法。
[0009]本發(fā)明的第五個(gè)目的在于提出一種用于工藝腔室的托盤的設(shè)計(jì)方法。
[0010]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)，包括:絕緣隔熱層，所述絕緣隔熱層在同一平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域；多個(gè)子基底，所述多個(gè)子基底分別設(shè)置在所述多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域中；控制裝置，所述控制裝置用于對(duì)所述多個(gè)子基底的溫度和/或功率進(jìn)行控制。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)，可以先使用絕緣隔熱層在平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域，多個(gè)子基底分別設(shè)置在多個(gè)子區(qū)域中，因此多個(gè)子基底相互獨(dú)立，且相互絕緣和/或隔熱，由此帶來的一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)是每個(gè)子基底都可以被獨(dú)立地控制，從而很容易實(shí)現(xiàn)各種物理場(例如，溫度場和電磁場)的精細(xì)化調(diào)控。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述控制裝置包括:多個(gè)溫度控制單元，所述多個(gè)溫度控制單元分別與所述多個(gè)子基底一一對(duì)應(yīng)布置；第一控制器，所述第一控制器與所述多個(gè)溫度控制單元相連。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述溫度控制單元包括:加熱棒，所述加熱棒布置在對(duì)應(yīng)的所述子基底內(nèi)；溫度傳感器，所述溫度傳感器布置在對(duì)應(yīng)的所述子基底內(nèi)；冷卻模塊，所述冷卻模塊布置在所述加熱棒之下；其中，所述第一控制器分別與所述多個(gè)控制單元的所述加熱棒、溫度傳感器和冷卻模塊相連，所述第一控制器用于通過所述溫度傳感器獲取對(duì)應(yīng)的所述子基底的溫度，并通過所述加熱棒對(duì)對(duì)應(yīng)的所述子基底進(jìn)行加熱，及通過所述冷卻模塊對(duì)對(duì)應(yīng)的所述子基底進(jìn)行冷卻。
[0014]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述控制裝置包括:多個(gè)功率控制單元，所述多個(gè)功率控制單元分別與所述多個(gè)子基底一一對(duì)應(yīng)布置；第二控制器，所述第二控制器與所述多個(gè)功率控制單元相連。
[0015]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述功率控制單元包括:可調(diào)電阻電容，所述可調(diào)電阻電容與所述子基底一一對(duì)應(yīng)連接；阻抗檢測單元，所述阻抗檢測單元與所述可調(diào)電阻電容相連；第二控制器，所述第二控制器分別與所述多個(gè)功率控制單元的所述可調(diào)電阻電容和所述阻抗檢測單元相連，所述第二控制器用于通過所述可調(diào)電阻電容對(duì)對(duì)應(yīng)的所述子基底的功率進(jìn)行控制，并通過所述阻抗檢測單元獲取對(duì)應(yīng)的所述子基底的功率。
[0016]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)子基底分別為環(huán)形、扇形、扇環(huán)形和圓形中的一種或多種。
[0017]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第二方面實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤，包括:絕緣隔熱層，所述絕緣隔熱層在同一平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域；多個(gè)子基底，所述多個(gè)子基底分別設(shè)置在所述多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域中，其中，所述多個(gè)子基底由具有阻抗性能的介質(zhì)材料構(gòu)成。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤，可設(shè)置在基臺(tái)上，使得透過托盤的能量在法平面上具有一定梯度分布，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)工藝因素的空間分布的精細(xì)化調(diào)控；該托盤具有廉價(jià)、高效、可更換的特性。
[0019]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)子基底之間的介質(zhì)參數(shù)不完全相同。
[0020]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)子基底分別為環(huán)形、扇形、扇環(huán)形和圓形中的一種或多種。
[0021]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第三方面實(shí)施例的工藝腔室裝置，包括:腔室本體；本發(fā)明第一方面實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)，所述基臺(tái)容納在所述腔室本體內(nèi)；本發(fā)明第二方面實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤，所述托盤設(shè)置在所述基臺(tái)上。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例的工藝腔室裝置，通過基臺(tái)可實(shí)現(xiàn)溫度場中溫度分布和/或電磁場中功率分布的精細(xì)化調(diào)控；通過托盤可實(shí)現(xiàn)溫度場中溫度分布和/或電磁場中功率分布的精細(xì)化調(diào)控，而且托盤可更換。
[0023]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第四方面實(shí)施例的工藝腔室裝置的控制方法，所述工藝腔室裝置包括本發(fā)明第一方面實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)，所述方法包括以下步驟:獲取多個(gè)子基底的溫度和/或功率；根據(jù)所述多個(gè)子基底的溫度和/或功率獲取所述工藝腔室裝置的當(dāng)前溫度分布和/或功率分布；根據(jù)預(yù)設(shè)溫度分布和/或功率分布和所述當(dāng)前溫度分布和/或功率分布獲取溫度誤差分布和/或功率誤差分布；根據(jù)所述溫度誤差分布和/或功率誤差分布獲取所述多個(gè)子基底的溫度控制量和/或功率控制量，并根據(jù)所述溫度控制量和/或功率控制量調(diào)節(jié)所述多個(gè)子基底的溫度和/或功率，直至所述溫度誤差分布和/或功率誤差分布在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
[0024]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第五方面實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤的設(shè)計(jì)方法，所述托盤為本發(fā)明第二方面實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤，所述方法包括以下步驟:初始化所述多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)；根據(jù)所述多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)獲取當(dāng)前溫度分布和/或功率分布；根據(jù)預(yù)設(shè)溫度分布和/或功率分布和所述當(dāng)前溫度分布和/或功率分布獲取溫度誤差分布和/或功率誤差分布；根據(jù)所述誤差溫度分布和/或誤差功率分布獲取所述多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)的介質(zhì)參數(shù)調(diào)整量；根據(jù)所述介質(zhì)參數(shù)調(diào)整量對(duì)所述多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至所述溫度誤差分布和/或功率誤差分布在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以根據(jù)調(diào)整后的所述多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)制造所述子基底。
[0025]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2是圖1中A-A的剖視圖；
[0028]圖3 Ca)是本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的一種示例結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3 (b)是本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的另一種示例結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3 (c)是本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的又一種示例結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5是圖4中A-A的剖視圖；
[0033]圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的剖視圖；
[0034]圖7是根據(jù)本發(fā)明 實(shí)施例單腔室的PECVD工藝腔室裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖8是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖9是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的控制方法的流程圖；
[0037]圖10是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤的設(shè)計(jì)方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0039]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0040]在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0041]在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0042]流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個(gè)或更多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)特定邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的范圍包括另外的實(shí)現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時(shí)的方式或按相反的順序，來執(zhí)行功能，這應(yīng)被本發(fā)明的實(shí)施例所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員所理解。
[0043]下面參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)及其控制方法、托盤及其設(shè)計(jì)方法。
[0044]圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1中A-A的剖視圖。
[0045]如圖1和圖2所示，基臺(tái)包括多個(gè)子基底11、絕緣隔熱層12和控制裝置(圖中未示出)。
[0046]具體地，在多物理場耦合的工藝中，基臺(tái)可被加熱，產(chǎn)生溫度場，從而形成溫度分布；和/或，基臺(tái)也作為一個(gè)電極，產(chǎn)生射頻電磁場，從而形成功率分布。因此子基底11需由導(dǎo)熱和/或?qū)щ姷牟牧蠘?gòu)成。
[0047]絕緣隔熱層12在同一平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域。多個(gè)子基底11分別設(shè)置在多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域中。因此使得多個(gè)子基底11之間相互獨(dú)立，且多個(gè)子基底11之 間相互絕緣和/或隔熱。
[0048]絕緣隔熱層12需由絕緣和/或隔熱的材料構(gòu)成。其中，絕緣隔熱層12可以減少兩個(gè)相鄰的子基底11之間的熱擴(kuò)散效應(yīng)和/或?qū)щ娦浴?br>
[0049]控制裝置用于對(duì)多個(gè)子基底11的溫度和/或功率進(jìn)行控制。
[0050]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)子基底11在同一水平面上拼接成圓形整體。
[0051]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)子基底11分別為環(huán)形、扇形、扇環(huán)形和圓形中的一種或多種。具體地，如圖1所示，多個(gè)子基底11可拼接成一個(gè)整體，在圖1中子基底11包括扇環(huán)形和圓形。另外，圖3 (a)是本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的一種示例結(jié)構(gòu)不意圖，在圖3 (a)中子基底11包括扇環(huán)形和扇形；圖3 (b)是本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的另一種不例結(jié)構(gòu)不意圖，在圖3 (b)中子基底11為大小不同的圓環(huán)和圓形；圖3 (c)是本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的又一種示例結(jié)構(gòu)示意圖，在圖3 (c)中子基底11為大小相同的扇形。
[0052]應(yīng)當(dāng)理解的是，基臺(tái)是工藝腔室裝置內(nèi)不可移動(dòng)的載物臺(tái)，用于承載晶片、托盤等，在實(shí)際的設(shè)計(jì)中，可以根據(jù)工藝需求設(shè)置成不同形狀的子基底11，以便于控制，在此不再一一列舉可能的子基底11排列規(guī)則，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例設(shè)計(jì)出其他具有陣列排列的多個(gè)子基底11的基臺(tái)。
[0053]還應(yīng)當(dāng)理解的是，多個(gè)子基底11構(gòu)成的整體還可以是其他形狀，例如，矩形等，此時(shí)，多個(gè)子基底11也可以成陣列排列。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以根據(jù)實(shí)際的工藝需求設(shè)計(jì)多種多個(gè)子基底11構(gòu)成的整體。在此不再贅述。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)，可以先使用絕緣隔熱層在平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域，多個(gè)子基底分別設(shè)置在多個(gè)子區(qū)域中，因此多個(gè)子基底相互獨(dú)立，且相互絕緣和/或隔熱，由此帶來的一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)是每個(gè)子基底都可以被獨(dú)立地控制，從而很容易實(shí)現(xiàn)各種物理場(例如，溫度場和電磁場)的精細(xì)化調(diào)控。
[0055]圖4是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5是圖4中A-A的剖視圖。
[0056]具體地，如圖4和圖5所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，控制裝置包括多個(gè)溫度控制單兀(圖中未不出)和第一控制器16,多個(gè)溫度控制單兀分別與多個(gè)子基底11 對(duì)應(yīng)布置，第一控制器16與多個(gè)溫度控制單元相連。
[0057]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)溫度控制單元包括:加熱棒13、溫度傳感器14、冷卻模塊15。
[0058]具體地，加熱棒13布置在對(duì)應(yīng)的子基底11內(nèi)。溫度傳感器14布置在對(duì)應(yīng)的子基底11內(nèi)。冷卻模塊15布置在加熱棒13之下。其中，第一控制器16分別與多個(gè)控制單元的加熱棒13、溫度傳感器14和冷卻模塊15相連，第一控制器用于通過溫度傳感器14獲取對(duì)應(yīng)的子基底11的溫度，并通過加熱棒13對(duì)對(duì)應(yīng)的子基底11進(jìn)行加熱，及通過冷卻模塊15對(duì)對(duì)應(yīng)的子基底11進(jìn)行冷卻。
[0059]由此，每個(gè)子基底11對(duì)應(yīng)一個(gè)獨(dú)立的溫度控制單元，每個(gè)溫度控制單元包括獨(dú)立的加熱棒13、溫度傳感器14和冷卻模塊15，可以通過每個(gè)子基底11的溫度傳感器14獲取該子基底11的溫度，通過每個(gè)子基底11的加熱棒13單獨(dú)對(duì)該子基底11進(jìn)行加熱，通過每個(gè)子基底11的冷卻模塊15單獨(dú)對(duì)該子基底11進(jìn)行冷卻。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)，多個(gè)子基底分別對(duì)應(yīng)獨(dú)立的加熱棒、溫度傳感器和冷卻模塊，通過獨(dú)立的溫度傳感器，可分別獲取多個(gè)子基底的溫度，從而獲取基臺(tái)的溫度場的溫度分布；通過獨(dú)立的加熱棒，可實(shí)現(xiàn)多個(gè)子基底的相互獨(dú)立的加熱控制，從而實(shí)現(xiàn)基臺(tái)的溫度 場的溫度分布的精細(xì)化調(diào)控；通過獨(dú)立的冷卻模塊，可實(shí)現(xiàn)多個(gè)子基底的相互獨(dú)立的冷卻控制，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)基臺(tái)的溫度場的溫度分布的精細(xì)化調(diào)控。
[0061]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)控制單元的多個(gè)加熱棒13和/或多個(gè)溫度傳感器14環(huán)形布置。
[0062]具體地，如果基臺(tái)為圓形，多個(gè)加熱棒13環(huán)形布置，加熱棒13的截面面積為圓形(如圖2所示)，也可以是其他形狀。
[0063]具體地，多個(gè)溫度傳感器15環(huán)形布置，每一個(gè)環(huán)可以布置多個(gè)溫度傳感器15，例如，布置4個(gè)或者更多。溫度傳感器15可以是熱電偶傳感器或其他類型的傳感器，對(duì)此，本發(fā)明的實(shí)施例不進(jìn)行限定。通過多個(gè)溫度傳感器15可以獲取溫度場中的溫度分布。
[0064]圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的剖視圖。
[0065]如圖6所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，控制裝置包括多個(gè)功率控制單元(圖中未示出)和第二控制器19，多個(gè)功率控制單元分別與多個(gè)子基底11 一一對(duì)應(yīng)布置；第二控制19與多個(gè)功率控制單元相連。
[0066]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)功率控制單元包括:可調(diào)電阻電容17和阻抗檢測單元18。
[0067]具體地，可調(diào)電阻電容17與子基底11——對(duì)應(yīng)連接，可調(diào)電阻電容17和對(duì)應(yīng)的子基底11構(gòu)成回路。阻抗檢測單元18與可調(diào)電阻電容17相連。第二控制器19分別與多個(gè)功率控制單元的可調(diào)電阻電容17和阻抗檢測單元18相連，第二控制器19用于通過可調(diào)電阻電容17對(duì)對(duì)應(yīng)的子基底11的功率進(jìn)行控制，并通過阻抗檢測單元18獲取對(duì)應(yīng)的子基底11的功率。
[0068]由此，每個(gè)子基底11對(duì)應(yīng)一個(gè)獨(dú)立的功率控制單元,每個(gè)功率控制單元包括獨(dú)立的阻抗檢測單元18與可調(diào)電阻電容17，可以通過每個(gè)子基底11的阻抗檢測單元18獲取該子基底11的功率，通過每個(gè)子基底11的可調(diào)電阻電容17單獨(dú)對(duì)該子基底11的功率進(jìn)行控制。
[0069]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)子基底11的加熱棒13、溫度傳感器14和冷卻模塊是可選的。
[0070]本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)，多個(gè)子基底分別對(duì)應(yīng)獨(dú)立的阻抗檢測單元與可調(diào)電阻電容，通過獨(dú)立的阻抗檢測單元，可分別獲取多個(gè)子基底的功率，從而獲取基臺(tái)的電磁場的功率分布；通過獨(dú)立的可調(diào)電阻電容,可實(shí)現(xiàn)多個(gè)子基底的相互獨(dú)立的功率控制，從而實(shí)現(xiàn)基臺(tái)的電磁場的功率分布的精細(xì)化調(diào)控。 [0071]為了使得本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)更加明顯，下面舉例說明本發(fā)明實(shí)施例的基臺(tái)的應(yīng)用場景。
[0072]化學(xué)氣相沉積PECVD工藝是一個(gè)典型的多物理場耦合工藝，其中的多物理場主要包含溫度場、電磁場和等離子體。但是，現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積PECVD工藝腔室裝置普遍比較剛性，對(duì)溫度、電磁場、等離子體等關(guān)鍵物理場的空間分布沒有靈活調(diào)控能力，只能調(diào)節(jié)其平均值，從而難以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜沉積的空間分布進(jìn)行靈活調(diào)控。當(dāng)薄膜出現(xiàn)品質(zhì)偏差時(shí)，往往只能通過簡單、剛性地調(diào)節(jié)相關(guān)工藝因素該工藝品質(zhì)，但是這種對(duì)工藝品質(zhì)改善的程度非常有限，特別是隨著IC (Integrated Circuit,集成電路)制造晶圓尺寸不斷增大,特征尺寸不斷縮小，IC制造對(duì)薄膜沉積工藝的大面積高一致性的要求也越來越苛刻，現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積PECVD工藝腔室裝置難以滿足要求。
[0073]另外，現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積PECVD工藝腔室裝置在設(shè)計(jì)時(shí)還存在問題:其工藝品質(zhì)是由簡單的結(jié)構(gòu)與粗略的工藝條件控制來保證的，這導(dǎo)致化學(xué)氣相沉積PECVD工藝腔室裝置對(duì)不同工藝要求的適應(yīng)能力及對(duì)工藝偏差的調(diào)節(jié)矯正能力均相對(duì)較差，更不具備空間可編程能力，往往需要對(duì)裝置結(jié)構(gòu)進(jìn)行重新設(shè)計(jì)，成本較高、效率較低。
[0074]圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例單腔室的PECVD工藝腔室裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0075]如圖7所示，PECVD工藝腔室裝置包括:基臺(tái)1、工藝腔室8、腔室艙門2、噴淋頭3、遠(yuǎn)程等離子源4、質(zhì)量流量控制器5、射頻匹配器6、高頻源7、低頻源9、基臺(tái)調(diào)整支柱10、真空泵11、壓力表12、頂針盤13和襯底14。
[0076]具體地，當(dāng)腔室艙門2關(guān)閉時(shí)，工藝腔室8內(nèi)部與外界隔離，實(shí)現(xiàn)真空密封；遠(yuǎn)程等離子源4產(chǎn)生刻蝕等離子體，用于清洗附著在工藝腔室8內(nèi)壁的沉積物；質(zhì)量流量控制器5能夠?qū)α魅牍に嚽皇?的反應(yīng)氣體流量進(jìn)行調(diào)控，并通過噴淋頭3對(duì)氣流均勻性進(jìn)行調(diào)控；高頻源7和低頻源9在工藝腔室8內(nèi)產(chǎn)生射頻電磁場，使反應(yīng)氣體解離，進(jìn)而產(chǎn)生等離子體，并通過射頻匹配器6對(duì)包含等離子的射頻回路阻抗特性進(jìn)行調(diào)控，使得盡可能多的射頻功率被注入工藝腔室8，用于激發(fā)等離子而不被反射；基臺(tái)調(diào)整支柱10調(diào)整射頻電容耦合放電的極間距；頂針盤13能夠?qū)⒁r底14頂起和落下，主要用于將襯底14放入和取出工藝腔室8時(shí)；真空泵11和壓力表12能夠?qū)に嚽皇?內(nèi)真空度進(jìn)行調(diào)節(jié)；襯底14放置在基臺(tái)I上，薄膜在襯底14上沉積；基臺(tái)I可以是上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的基臺(tái)，其作為射頻電容耦合放電回路的下電極，同時(shí)能夠?qū)σr底14進(jìn)行加熱，可調(diào)節(jié)襯底14的溫度。
[0077]其中，在化學(xué)氣相沉積PECVD工藝腔室裝置中采用本發(fā)明實(shí)施例所述的基臺(tái)1，可通過相互絕緣且隔熱的多個(gè)子基底實(shí)現(xiàn)溫度分布和功率分布的精準(zhǔn)化控制，從而實(shí)現(xiàn)工藝因素空間分布的靈活、精細(xì)的調(diào)控，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝目標(biāo)的精細(xì)化控制。應(yīng)理解的是，上述化學(xué)氣相沉積PECVD工藝腔室裝置僅為舉例說明，本發(fā)明實(shí)施例所述的基臺(tái)可用于其他具有相似功能的工藝腔室裝置中。
[0078]本發(fā)明的實(shí)施例還提出另一種可實(shí)現(xiàn)工藝目標(biāo)的精細(xì)化調(diào)控的托盤。
[0079]圖8是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0080]如圖8所示，托盤包括:多個(gè)子基底151和絕緣隔熱層152。 [0081]具體地，絕緣隔熱層152在同一平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域。
[0082]多個(gè)子基底151分別設(shè)置在多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域中，其中，多個(gè)子基底由具有阻抗性能的介質(zhì)材料構(gòu)成。絕緣隔熱層152多個(gè)子基底151之間相互絕緣和/或隔熱。
[0083]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)子基底151之間的介質(zhì)參數(shù)不完全相同。
[0084]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)阻抗介質(zhì)子基底152分別為環(huán)形、扇形、扇環(huán)形和圓形中的一種或多種。
[0085]另外，該托盤主要設(shè)置在本發(fā)明上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的基臺(tái)之上，以實(shí)現(xiàn)功率分布的精準(zhǔn)化控制。因此，本發(fā)明實(shí)施例的托盤中的絕緣隔熱層152可對(duì)應(yīng)上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的基臺(tái)的絕緣隔熱層12理解；多個(gè)子基底152可對(duì)應(yīng)上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的基臺(tái)的子基底11理解。多個(gè)子基底151和多個(gè)絕緣隔熱層152的布置方式和陣列排列不再贅述。
[0086]應(yīng)當(dāng)理解的是，多個(gè)子基底151和絕緣隔熱層152的布置方式不限于圖8中所示。絕緣隔熱層152可根據(jù)需要調(diào)節(jié)的物理場分布的維度方向進(jìn)行設(shè)計(jì)，比如對(duì)于圓形區(qū)域，如需要調(diào)節(jié)徑向物理場分布，那么可以設(shè)計(jì)為環(huán)形陣列；如既需要調(diào)節(jié)徑向分布，又需要調(diào)節(jié)軸向分布，那么可以設(shè)計(jì)為矩形陣列。
[0087]更具體地，在托盤中，可以通過改變多個(gè)子基底151的填充介質(zhì)的材料特性，使得托盤的阻抗在法平面內(nèi)具有一定分布梯度，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)透過該托盤的能量在法平面內(nèi)具有一定分布梯度，從而調(diào)節(jié)溫度分布和/或功率分布。
[0088]多個(gè)子基底151為圓柱形，采用填充材料的阻抗參數(shù)根據(jù)仿真得到的能量分布預(yù)期要求進(jìn)行選擇，可以為氣體，也可以為其他材料，其中較為廉價(jià)的實(shí)現(xiàn)方式是:調(diào)節(jié)兩種不同阻抗參數(shù)材料在多個(gè)子基底151內(nèi)的配比實(shí)現(xiàn)多個(gè)子基底151的阻抗特性調(diào)節(jié)。
[0089]通過絕緣隔熱層152，減小相鄰的多個(gè)子基底151的互相影響的程度，進(jìn)而使得多個(gè)子基底151對(duì)透過能量的調(diào)節(jié)更加獨(dú)立。
[0090]更具體地，本發(fā)明實(shí)施例所述的托盤是放置在晶片與基臺(tái)之間的模塊化的圓盤，是固定的、不可控的。其對(duì)溫度或功率分布調(diào)節(jié)的原理是:通過在多個(gè)子基底151內(nèi)填充不同阻抗性能的介質(zhì)材料，實(shí)現(xiàn)透過多個(gè)子基底151的能量分布的不同，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片上溫度和/或功率分布的精細(xì)化調(diào)控。如果想要對(duì)當(dāng)前溫度和/或功率分布進(jìn)行重新調(diào)節(jié)，需要更換新的托盤。如果想要調(diào)節(jié)溫度分布，那么按照一定梯度填充熱阻抗介質(zhì)，如果調(diào)節(jié)功率分布，那么按照一定梯度填充電阻抗介質(zhì)。
[0091]本發(fā)明實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤，可設(shè)置在基臺(tái)上，使得透過托盤的能量在法平面上具有一定梯度分布，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)工藝因素的空間分布的精細(xì)化調(diào)控；該托盤具有廉價(jià)、高效、可更換的特性。
[0092]為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明的實(shí)施例還提出一種工藝腔室裝置。
[0093]本發(fā)明實(shí)施例的工藝腔室裝置包括:腔室本體；上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的基臺(tái)，托盤容納在腔室本體內(nèi)。
[0094]本發(fā)明實(shí)施例的工藝腔室裝置，通過基臺(tái)可實(shí)現(xiàn)溫度場中溫度分布和/或電磁場中功率分布的精細(xì)化調(diào)控。
[0095]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，工藝腔室裝置還包括:上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的托盤，托盤設(shè)置在基臺(tái)上。
[0096]本發(fā)明實(shí)施例的工藝腔室裝置，通過基臺(tái)和托盤可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)溫度場中溫度分布和/或電磁場中功率分布的精細(xì)化調(diào)控。
[0097]為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明的實(shí)施例還提出另一種工藝腔室裝置。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例的工藝腔室裝置包括:腔室本體；基臺(tái)，基臺(tái)容納在腔室本體之內(nèi)；上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的托盤，托盤設(shè)置在基臺(tái)上。
[0099]本發(fā)明實(shí)施例的工藝腔室裝置，通過托盤可實(shí)現(xiàn)溫度場中溫度分布和/或電磁場中功率分布的精細(xì)化調(diào)控，而且托盤可更換。
[0100]為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明的實(shí)施例還提出一種用于工藝腔室的基臺(tái)的控制方法。
[0101]圖9是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的基臺(tái)的控制方法的流程圖。
[0102]如圖9所示，工藝腔室裝置包括上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的基臺(tái)，工藝腔室裝置的控制方法包括以下步驟:
[0103]S901，獲取多個(gè)子基底的溫度和/或功率。
[0104]S902，根據(jù)多個(gè)子基底的溫度和/或功率獲取工藝腔室裝置的當(dāng)前溫度分布和/或功率分布。
[0105]S903，根據(jù)預(yù)設(shè)溫度分布和/或功率分布和當(dāng)前溫度分布和/或功率分布獲取溫度誤差分布和/或功率誤差分布。
[0106]S904，根據(jù)溫度誤差分布和/或功率誤差分布獲取多個(gè)子基底的溫度控制量和/或功率控制量，并根據(jù)溫度控制量和/或功率控制量調(diào)節(jié)多個(gè)子基底的溫度和/或功率，直至溫度誤差分布和/或功率誤差分布在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
[0107]為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明的實(shí)施例還提出一種用于工藝腔室的托盤的設(shè)計(jì)方法。
[0108]圖10是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于工藝腔室的托盤的設(shè)計(jì)方法的流程圖。
[0109]如圖10所示，阻抗裝置為上述任一項(xiàng)實(shí)施例所述的托盤，托盤的設(shè)計(jì)方法包括以下步驟:
[0110]S1001，初始化多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)。
[0111]S1002，根據(jù)多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)獲取當(dāng)前溫度分布和/或功率分布。
[0112]S1003，根據(jù)預(yù)設(shè)溫度分布和/或功率分布和當(dāng)前溫度分布和/或功率分布獲取溫度誤差分布和/或功率誤差分布。
[0113]S1004，根據(jù)溫度誤差分布和/或功率誤差分布獲取多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)的介
質(zhì)參數(shù)調(diào)整量。
[0114]S1005，根據(jù)介質(zhì)參數(shù)調(diào)整量對(duì)多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至溫度誤差分布和/或功率誤差分布在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以根據(jù)調(diào)整后的多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)制造多個(gè)子基底。
[0115]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個(gè)步驟或方法可以用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實(shí)現(xiàn)。例如，如果用硬件來實(shí)現(xiàn)，和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來實(shí)現(xiàn):具有用于對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等。
[0116]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
[0117]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和 變型。
【權(quán)利要求】
1.一種用于工藝腔室的基臺(tái)，其特征在于，包括: 絕緣隔熱層，所述絕緣隔熱層在同一平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域； 多個(gè)子基底，所述多個(gè)子基底分別設(shè)置在所述多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域中； 控制裝置，所述控制裝置用于對(duì)所述多個(gè)子基底的溫度和/或功率進(jìn)行控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于工藝腔室的基臺(tái)，其特征在于，所述控制裝置包括: 多個(gè)溫度控制單元，所述多個(gè)溫度控制單元分別與所述多個(gè)子基底一一對(duì)應(yīng)布置； 第一控制器，所述第一控制器與所述多個(gè)溫度控制單元相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于工藝腔室的基臺(tái)，其特征在于，所述溫度控制單元包括: 加熱棒，所述加熱棒布置在對(duì)應(yīng)的所述子基底內(nèi)； 溫度傳感器，所述溫度傳感器布置在對(duì)應(yīng)的所述子基底內(nèi)； 冷卻模塊，所述冷卻模塊布置在所述加熱棒之下； 其中，所述第一控制器分別與所述多個(gè)控制單元的所述加熱棒、溫度傳感器和冷卻模塊相連，所述第一控制器用于通過所述溫度傳感器獲取對(duì)應(yīng)的所述子基底的溫度，并通過所述加熱棒對(duì)對(duì)應(yīng)的所述子基底進(jìn)行加熱，及通過所述冷卻模塊對(duì)對(duì)應(yīng)的所述子基底進(jìn)行冷卻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于工藝腔室的基臺(tái)，其特征在于，所述控制裝置包括: 多個(gè)功率控制單元，所述多個(gè)功率控制單元分別與所述多個(gè)子基底一一對(duì)應(yīng)布置； 第二控制器，所述第二控制器與所述多個(gè)功率控制單元相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于工藝腔室的基臺(tái)，其特征在于，所述功率控制單元包括: 可調(diào)電阻電容，所述可調(diào)電阻電容與所述子基底一一對(duì)應(yīng)連接； 阻抗檢測單元，所述阻抗檢測單元與所述可調(diào)電阻電容相連； 第二控制器，所述第二控制器分別與所述多個(gè)功率控制單元的所述可調(diào)電阻電容和所述阻抗檢測單元相連，所述第二控制器用于通過所述可調(diào)電阻電容對(duì)對(duì)應(yīng)的所述子基底的功率進(jìn)行控制，并通過所述阻抗檢測單元獲取對(duì)應(yīng)的所述子基底的功率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的用于工藝腔室的基臺(tái)，其特征在于，所述多個(gè)子基底分別為環(huán)形、扇形、扇環(huán)形和圓形中的一種或多種。
7.一種用于工藝腔室的托盤，其特征在于，包括: 絕緣隔熱層，所述絕緣隔熱層在同一平面上組成多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域；多個(gè)子基底，所述多個(gè)子基底分別設(shè)置在所述多個(gè)相互絕緣和/或隔熱的子區(qū)域中，其中，所述多個(gè)子基底由具有阻抗性能的介質(zhì)材料構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于工藝腔室的托盤，其特征在于，所述多個(gè)阻抗介質(zhì)子基底之間的介質(zhì)參數(shù)不完全相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的托盤，其特征在于，所述多個(gè)子基底分別為環(huán)形、扇形、扇環(huán)形和圓形中的一種或多種。
10.一種工藝腔室裝置，其特征在于，包括: 腔室本體； 權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的用于工藝腔室的基臺(tái)，所述基臺(tái)容納在所述腔室本體內(nèi)； 權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的用于工藝腔室的托盤，所述托盤設(shè)置在所述基臺(tái)上。
11.一種用于工藝腔室的基臺(tái)的控制方法，其特征在于，所述工藝腔室裝置包括權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述的用于工藝腔室的基臺(tái)，所述方法包括以下步驟: 獲取多個(gè)子基底的溫度和/或功率； 根據(jù)所述多個(gè)子基底的溫度和/或功率獲取所述工藝腔室裝置的當(dāng)前溫度分布和/或功率分布； 根據(jù)預(yù)設(shè)溫度分布和/或功率分布和所述當(dāng)前溫度分布和/或功率分布獲取溫度誤差分布和/或功率誤差分布； 根據(jù)溫度誤差分布和/或功率誤差分布獲取多個(gè)基底的溫度控制量和/或功率控制量，并根據(jù)溫度控制量和/或功率控制量調(diào)節(jié)多個(gè)基底的溫度和/或功率，直至溫度誤差分布和/或功率誤差分布在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
12.一種用于工藝腔室的托盤的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述托盤為權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的用于工藝腔室的托盤，所述方法包括以下步驟: 初始化所述多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)； 根據(jù)所述多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)獲取當(dāng)前溫度分布和/或功率分布； 根據(jù)預(yù)設(shè)溫度分布和/或功率分布和所述當(dāng)前溫度分布和/或功率分布獲取溫度誤差分布和/或功率誤差分布； 根據(jù)所述誤差溫度分布和/或誤差功率分布獲取所述子基底的介質(zhì)參數(shù)的介質(zhì)參數(shù)調(diào)整量；` 根據(jù)所述介質(zhì)參數(shù)調(diào)整量對(duì)所述子基底的介質(zhì)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直至所述溫度誤差分布和/或功率誤差分布在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以根據(jù)調(diào)整后的所述多個(gè)子基底的介質(zhì)參數(shù)制造所述子基底。
【文檔編號(hào)】C23C16/52GK103726034SQ201410029395
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2014年1月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月22日
【發(fā)明者】向東, 夏煥雄, 楊旺, 牟鵬, 張瀚, 王偉, 劉學(xué)平 申請(qǐng)人:清華大學(xué)