專利名稱：一種多孔結構p型鋅銻基熱電材料及其制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體溫差發(fā)電和制冷材料，特別是一種多孔結構p型鋅銻基熱 電材料及其制備方法，屬于熱電轉換新能源材料領域。
背景技術：
熱電轉換技術是一種利用半導體材料的塞貝克(Seebeck)效應和帕爾帖 (Peltier)效應實現(xiàn)熱能和電能直接相互轉換的技術。熱電轉換系統(tǒng)具有無污染、無噪音、 體積小、可靠性高等優(yōu)點，在熱電發(fā)電、制冷和太陽能、工業(yè)余熱利用領域具有廣泛的應用 前景，作為特殊電源和高精度溫控器已成功應用于深空探測、軍事裝備、IT行業(yè)等高技術領 域。熱電轉換效率主要取決于材料的綜合熱電性能優(yōu)值ZT= a2oT/K，其中a是塞貝克 系數(shù)，o是電導率，k是熱導率，T是絕對溫度。熱導率K包括載流子熱導率K。和晶格 熱導率Kl，即K = kc+k10理論上，提高材料的電導率o和Seebeck系數(shù)a，降低熱導 率(K。+K i)均能提高ZT值。半導體重摻雜優(yōu)化載流子濃度和結構低維化增大聲子界面散 射是目前廣泛采用的兩種優(yōu)化ZT的方法，提高傳統(tǒng)熱電材料的ZT值和尋找新型高ZT值的 熱電材料是本領域的研究目標。Zintl相化合物由于具有復雜的晶體結構、大范圍可調節(jié)的化學成分和窄能隙半 導體的傳輸特性，是近年備受關注的一種新型熱電材料。這類化合物是由層間Zintl陽離 子(IA、IIA或稀土元素)和IIB或IIIA元素與磷族元素形成的電負性陰離子層構成的， 二者以離子鍵形式結合，其中電負性陰離子層中各原子之間以共價鍵形式結合，層間Zintl 原子通過向該化合物提供價電子的方式成為Zintl陽離子，Zintl原子提供的價電子以電 荷轉移形式向電負性陰離子層轉移，并保證整個結構的電價平衡。這種離子鍵和共價鍵共 存的結構特點決定了 Zintl相化合物具有“電子晶體-聲子玻璃”的電、熱輸運特性，共價鍵 結合的陰離子層亞結構保證了這類化合物具有高的載流子遷移率，以離子鍵結合的Zintl 陽離子極易被摻雜以及摻雜引起的結構無序使這類化合物通常具有低的晶格熱導率。三方 晶系化合物AT2M2具有P3ml空間對稱，屬于典型的Zintl相化合物，其中A為Ca、Yb、Eu等； T為Mg、Zn、Cd等；M為Sb、Si等。T原子和M原子通過共價鍵結合形成褶皺狀椅形六元壞 [T具]，這種褶皺狀椅形六元環(huán)在一維方向上無限延伸形成[T3M丄層，兩個[T3M丄層相互 錯開60°并通過T原子和M原子之間的共價鍵結合形成[T3M3]2m|層結構；A原子位于兩個 [T3M3]2m雙層結構之間，其價電子向[T具]2m雙層結構完全轉移，形成[T具]廣陰離子層被陽 離子A2+隔開的飽和電子構型，即整個化合物的電子構型滿足所謂的“8電子規(guī)則”，結構中 每個T原子與四個近臨的M原子構成四面體配位多面體，每個M原子與四個近臨的T原子 構成傘狀骨架。褶皺狀椅形六元環(huán)[T3M3]可保證具有“電子晶體”的電傳輸特性；層間A原 子由于質量較重且具有較大的原子序數(shù)，容易產生占位無序結構，且不會干擾共價網(wǎng)絡，可 保證具有“聲子玻璃”的熱傳輸特性。近年，已相繼發(fā)現(xiàn)了 一些具有優(yōu)良熱電性能的三方晶系Zint 1相AT具化 合物，如 YbZn2Sb2 (ZT7Q(ik 0. 47) [Wang et al. Appl. Phys. Lett. 94，092106 (2009)]，BaZn2Sb2(ZT650K 0.31) [Wang et al. Appl. Phys. Lett.90,232107 (2007)], CaxYbhZr^St^ (ZT750K 0. 5) [FrankGascoin, et al. Adv. Funct. Mater. 15,1860 (2005)], YbCduZnQjSbJZI^K 1. 2) [Wang et al. Appl. Phys. Lett. 94，092106 (2009)]。但是目 前制備這類化合物通常需要長時間的高溫退火處理，退火時間長達幾十甚至數(shù)百小時。如 EuZn2Sb2化合物的合成需將組成原料在900°C下保溫14天后再用24小時緩慢隨爐冷卻至 室溫，然后采用 SPS 燒結技術致密成型[Zhang et. al. J. Chem. Phys. 129，164713 (2008)]； YbZn2Sb2化合物的合成需將組成原料在1050°C下保溫30小時后再降溫至450°C，并在 此溫度下保溫30小時，爾后隨爐降至室溫，最后采用熱壓燒結技術致密成型[Yu et. al. J. Appl. Phys. 104，013705 (2008) ] ；YbCd2Sb2化合物的合成需將組成原料在900。C下保 溫30分鐘后再用2小時降至600°C并在此溫度下保溫7天，多晶鑄體的研磨粉體還需在 600°C下退火15天，最后采用SPS燒結技術致密成型[Wang et. al. Appl. Phys. Lett. 94, 092106(2009)]。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種多孔結構p型鋅銻基熱電材料的快速制 備方法，該方法能夠解決P型鋅銻基熱電材料傳統(tǒng)工藝的制備周期太長和難于工業(yè)化生產 問題，并且工藝簡單。本發(fā)明解決其技術問題采用以下的技術方案本發(fā)明提供的多孔結構p型鋅銻基熱電材料，其化學組成為R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2， 其中R為Yb、Eu或Ca ;T為In、Mn或Cd，x為T摻雜的化學計量比，范圍為0彡x彡2 ;M 為Si、Ge或As，y為M摻雜的化學計量比，范圍為0彡x彡2。本發(fā)明采用真空或惰性氣體保護下的母合金高溫熔融、熔體急冷和放電等離子體 燒結淬火母合金的制備工藝，來制備上述多孔結構P型鋅銻基熱電材料。該方法步驟包括(1)母合金原料準備采用金屬Yb、Eu、Ca中的一種或多種作為R(Zn2_xTx)2 (Sb2_yMy)2化合物中R位置的 原料，采用金屬Zn、In、Mn、Cd中的一種或多種作為R (Zn2_xTx) 2 (Sb2_yMy) 2化合物中 (Zn2_xTx)位置的原料，采用金屬Sb、Si、Ge、As中的一種或多種作為R (Zn2_xTx) 2 (Sb2_yMy) 2化合物中 (Sb2_yMx)位置的原料；(2)母合金配料按化學計量比為R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2的數(shù)量關系計算各原料的用量，準確稱量各 種原料，并置入不與原料和產物反應的耐熱容器中，然后在真空或惰性氣體保護下密封反 應容器；(3)多孔結構p型鋅銻基熱電材料制備將反應容器置于程序控溫熔煉爐中，以1 10°C /分的升溫速率升至 750 1000 °C，保溫2 20小時，得到R (Zn2_xTx) 2 (Sb2_yMy) 2母合金熔體并淬火；將 R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2母合金的淬火鑄體研磨成粉體，爾后該粉體在放電等離子體燒結條件 下結晶成Zintl相化合物R(Zn2_xTx) 2 (Sb2_yMy) 2，同時原位形成具有多孔結構的p型鋅銻基熱
4電材料；經(jīng)過上述步驟，得到所述的多孔結構p型鋅銻基熱電材料。在上述步驟(3)中，R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2母合金熔體可以在水或油中淬火， 得到R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2母合金的淬火鑄體。該淬火鑄體經(jīng)研磨、過400目篩，得到 R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2母合金的淬火粉體；然后該淬火粉體在放電等離子體燒結條件下結晶 成Zintl相化合物R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2，并原位形成多孔結構p型鋅銻基塊體熱電材料。所述放電等離子體燒結的工藝條件為燒結溫度600 800°C，燒結壓力20 60MPa，升溫速率50 200°C /min，保溫時間5 40min。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有以下主要優(yōu)點其一.制備周期短借助R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2母合金淬火粉的高反應活性和放電等離子體的高效活化 作用取代傳統(tǒng)工藝的長時間高溫退火過程，實現(xiàn)了 R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2母合金淬火粉快速 結晶成Zintl相化合物AT2M2，并在放電等離子體產生的瞬間高壓和外加應力的共同作用下 原位致密化，從而快速制備出多孔結構P型鋅銻基熱電材料，大幅度縮短了 P型鋅銻基熱電 材料的制備周期，使其制備周期縮短至10小時以內，有利于大規(guī)模工業(yè)化生產。其二.性能優(yōu)良所制備的多孔結構p型鋅銻基熱電材料具有優(yōu)良的熱電性能。如多孔結構 P型YbZn2Sb2材料，室溫熱導率為3. 57W m—1 K—1，室溫電導率和Seebeck系數(shù)分別為 20. 45X 104S m—1和74 y V 1^，4301時ZT值達到0. 47，與目前報道的相同化學成分材料 的最好ZT值(ZT滅=0. 47)幾乎一樣。而且發(fā)現(xiàn)利用這種化合物復雜的晶體結構特點，采用固溶或者摻雜方法還可進一 步優(yōu)化電、熱輸運特性，從而進一步提高其熱電轉換效率。如多孔結構P型YbZr^GedSbu 材料600 °C時ZT值達到0. 68，比未摻雜p型YbZn2Sb2材料600 °C時ZT值(ZT獻=0. 59) 提高了 15%。其三.熱穩(wěn)定高所制備的多孔結構p型鋅銻基熱電材料可在室溫至600°C穩(wěn)定應用，材料在600°C 高溫下仍具有非常高的ZT值，且尚未出現(xiàn)ZT值顯著降低現(xiàn)象，而現(xiàn)有的p型鋅銻基Zintl 相熱電材料的上限工作溫度為450°C左右。其四.實用性強所制備的多孔結構p型鋅銻基熱電材料為空穴導電的p型材料，可用于基于熱電 轉換原理的熱電發(fā)電或制冷領域中。
圖1 是本發(fā)明中多孔結構p 型 YbZn2Sb2、YbIn0.05ZnL95Sb2、Ybln0.機風、 YbIn0.16ZnL84Sb2 和 YbZn2Ge0.05SbL95 材料的 XRD 譜，JCPDS 數(shù)據(jù)庫中 CaZn2Sb2 的標準圖譜 (JCPDS 71-1815)以及計算的 Yb9Zn4.5Sb9 的 XRD 譜；圖2是本發(fā)明中多孔結構p型YbZn2Sb2和Yblna 乂叫.。、材料的斷口 SEM像；圖3 是多孔結構 p 型 YbZn2Sb2, YbIn0.05ZnL 95Sb2, YbIn0. 9Sb2, YbIn0.16ZnL 84Sb2 和 YbZnfec^Sb^M料的電導率與溫度的關系曲線，溫度范圍300 875K。
圖4 是多孔結構 p 型 YbZn2Sb2, YbIn0.05ZnL 95Sb2, YbIn0. 9Sb2, YbIn0.16ZnL 84Sb2 和 YbZn2Ge0.05SbL95材料的塞貝克系數(shù)與溫度的關系曲線，溫度范圍300 875K。圖5 是多孔結構 p 型 YbZn2Sb2, YbIn0.05ZnL 95Sb2, YbIn0. 9Sb2, YbIn0.16ZnL 84Sb2 和 YbZn2Ge0.05SbL95材料的熱導率與溫度的關系曲線，溫度范圍300 875K。圖6 是多孔結構 p 型 YbZn2Sb2, YbIn0.05ZnL 95Sb2, YbIn0. 9Sb2, YbIn0.16ZnL 84Sb2 和 YbZn2Ge0.05SbL95材料的ZT值與溫度的關系曲線，溫度范圍300 875K。
具體實施例方式為了更好地理解本發(fā)明，下面結合實施例來進一步闡明本發(fā)明的內容，但本發(fā)明 的內容不僅僅局限于下面的實施例。實施例1 多孔結構p型YbZn2Sb2材料(1)按名義組成為YbZn2Sb2的化學計量比準確稱量高純Yb塊體(純度 99. 995% )2. 8451g、Zn 粉(純度 99. 99% ) 2. 1507g 和 Sb 粉(純度 99. 999% )4. 0044g，將 三種原料裝入014 mmx60mm的石墨坩堝內，并將石墨坩堝密封于真空度小于K^MPa的真
空石英管中；(2)將上述真空石英管置于程序控溫熔融爐內，以3°C /min的升溫速率從室溫升 至850°C，真空熔融6小時后，母合金熔體在油中淬火，得到YbZn2Sb2母合金的淬火鑄體；(3)上述YbZn2Sb2母合金的淬火鑄體經(jīng)研磨、過400目篩，得到YbZn2Sb2母合金的 淬火粉體，并將該淬火粉體裝入內徑017.5 mm、外徑045 mm、內襯碳紙、壓頭直徑為17mm 的石墨模具中；(4)將裝有上述淬火粉體的石墨模具置于放電等離子體燒結設備中，在燒結溫度 650°C、燒結壓力60MPa、升溫速率70°C /min、保溫時間40min的放電等離子體燒結條件下， 使YbZn2Sb2母合金的淬火粉體結晶成Zintl相化合物YbZn2Sb2，同時原位形成多孔結構p型 YbZn2Sb2熱電材料。所得的多孔結構p型YbZn2Sb2材料的XRD譜和斷口 SEM像如圖1和圖2所示， 300 875K下該材料的電導率、塞貝克系數(shù)、熱導率和ZT值與溫度的關系曲線如圖3 圖 6所示。實施例2 多孔結構p型YbInQ.Q5Zni.95Sb2材料(1)按名義組成為YbInQ.Q5Zni.95Sb2的化學計量比準確稱量高純Yb塊體(純度 99. 995% ) 2. 8323g、In 粉(純度 99. 99% )0. 0940g、Zn 粉(純度 99. 99% ) 2. 0875g 和 Sb 粉(純度99. 999%) 3. 9864g，將四種原料裝入014 mmx60 mm的石墨坩堝內，并將石墨坩 堝密封于真空度小于lO—^Pa的真空石英管中；(2)將上述真空石英管置于程序控溫熔融爐內，以5°C /min的升溫速率從室溫升 至850°C，真空熔融8小時后，母合金熔體在水中淬火，得到YbIna(15Zni.95Sb2母合金的淬火 鑄體；(3)上述YbInQ.Q5Zni.95Sb2母合金的淬火鑄體經(jīng)研磨、過400目篩，得到 YbIn0.05ZnL95Sb2母合金的淬火粉體，并將該淬火粉體裝入內徑017.5 mm、外徑045 mm、內 襯碳紙、壓頭直徑為17mm的石墨模具中；(4)將裝有上述淬火粉體的石墨模具置于放電等離子體燒結設備中，在燒結溫度
6725°C、燒結壓力50MPa、升溫速率100°C /min、保溫時間30min的放電等離子體燒結條件下， 使Ybln^ZnuSh母合金的淬火粉體結晶成Zintl相化合物YbIna(15Zni.95Sb2，同時原位形 成多孔結構P型YbIna(15Zni.95Sb2熱電材料。所得的多孔結構p型Ybln^ZnuSh材料的XRD譜如圖1所示，300 875K下該 材料的電導率、塞貝克系數(shù)、熱導率和ZT值與溫度的關系曲線如圖3 圖6所示。實施例3 多孔結構p型YbInaiZni.9Sb2材料(1)按名義組成為YbInaiZni.9Sb2的化學計量比準確稱量高純Yb塊體(純度 99. 995% )2.8197g、In 粉(純度 99. 99% )0. 1871g、Zn 粉(純度 99. 99% ) 2. 0249g 和 Sb 粉(純度99. 999% ) 3. 9686g，將四種原料裝入014 mmx60 mm的石墨坩堝內，并將石墨坩 堝密封于真空度小于lO—^Pa的真空石英管中；(2)將上述真空石英管置于程序控溫熔融爐內，以7°C /min的升溫速率從室溫升 至900°C，真空熔融10小時后，母合金熔體在油中淬火，得到YbInaiZni.9Sb2母合金的淬火 鑄體；(3)上述YbInaiZni.9Sb2母合金的淬火鑄體經(jīng)研磨、過400目篩，得到 YbInaiZni.9Sb2母合金的淬火粉體，并將該淬火粉體裝入內徑017.5 mm、外徑045 mm、內襯 碳紙、壓頭直徑為17mm的石墨模具中；(4)將裝有上述淬火粉體的石墨模具置于放電等離子體燒結設備中，在燒結溫度 750°C、燒結壓力45MPa、升溫速率120°C /min、保溫時間15min的放電等離子體燒結條件下， 使YbInaiZni.9Sb2母合金的淬火粉體結晶成Zintl相化合物YbInaiZni.9Sb2，同時原位形成 多孔結構P型YbInaiZni.9Sb2熱電材料。所得的多孔結構p型YbInaiZni.9Sb2材料的XRD譜和斷口 SEM像如圖1和圖2所 示，300 875K下該材料的電導率、塞貝克系數(shù)、熱導率和ZT值與溫度的關系曲線如圖3 圖6所示。實施例4 多孔結構p型YbInQ. 16ZnL 84Sb2材料(1)按名義組成為YbInQ.16Zni.84Sb2的化學計量比準確稱量高純Yb塊體(純度 99. 995% ) 2. 8046g、In 粉(純度 99. 99% )0. 2978g、Zn 粉(純度 99. 99% ) 1. 9505g 和 Sb 粉(純度99. 999%) 3. 9474g，將四種原料裝入014 mmx60 mm的石墨坩堝內，并將石墨坩 堝密封于真空度小于lO—^Pa的真空石英管中；(2)將上述真空石英管置于程序控溫熔融爐內，以8V /min的升溫速率從室溫升 至950°C，真空熔融14小時后，母合金熔體在水中淬火，得到YbInai6Zni.84Sb2母合金的淬火 鑄體；(3)上述YbInQ.16Zni.84Sb2母合金的淬火鑄體經(jīng)研磨、過400目篩，得到 YbIn0.16ZnL84Sb2母合金的淬火粉體，并將該淬火粉體裝入內徑017.5 mm、外徑045 mm、內 襯碳紙、壓頭直徑為17mm的石墨模具中；(4)將裝有上述淬火粉體的石墨模具置于放電等離子體燒結設備中，在燒結溫度 775°C、燒結壓力40MPa、升溫速率150°C /min、保溫時間lOmin的放電等離子體燒結條件下， 使YbInai6Zni.84Sb2母合金的淬火粉體結晶成Zintl相化合物Yblna 16Zni.84Sb2，同時原位形 成多孔結構P型YbInQ.16Zni.84Sb2熱電材料。所得的多孔結構p型Yblna 16ZnL84Sb2材料的XRD譜如圖1所示，300 875K下該材料的電導率、塞貝克系數(shù)、熱導率和ZT值與溫度的關系曲線如圖3 圖6所示。實施例5 多孔結構p型YbZr^Gec^Sb^材料(1)按名義組成為YbZi^Gq^bii的化學計量比準確稱量高純Yb塊體(純度 99. 995% )2. 8580g、Zn 粉(純度 99. 99% ) 2. 1820g、Ge ±夬(純度 99. 999% )0. 0600g 和 Sb 粉(純度99. 999%) 3. 9219g，將四種原料裝入.014 mmx60 mm的石墨坩堝內，并將石墨坩 堝密封于真空度小于lO—^Pa的真空石英管中；(2)將上述真空石英管置于程序控溫熔融爐內，以10°C /min的升溫速率從室溫升 至1000°C，真空熔融16小時后，母合金熔體在油中淬火，得到YbZr^Ge^Sb^母合金的淬 火鑄體；(3)上述YbZr^Gec^Sb^母合金的淬火鑄體經(jīng)研磨、過400目篩，得到 YbZn2Ge0.05SbL95母合金的淬火粉體，并將該淬火粉體裝入內徑017.5 mm、外徑045 mm、內 襯碳紙、壓頭直徑為17mm的石墨模具中；(4)將裝有上述淬火粉體的石墨模具置于放電等離子體燒結設備中，在燒結溫度 800°C、燒結壓力30MPa、升溫速率175°C /min、保溫時間5min的放電等離子體燒結條件下， 使YbZr^Gec^Sb^母合金的淬火粉體結晶成Zintl相化合物YbZr^Ge^Sbn同時原位形 成多孔結構P型YbZr^Ge—Sbu熱電材料。所得的多孔結構p型YbZi^Ge^Sb^材料的XRD譜如圖1所示，300 875K下該 材料的電導率、塞貝克系數(shù)、熱導率和ZT值與溫度的關系曲線如圖3 圖6所示。
權利要求
一種多孔結構p型鋅銻基熱電材料，其特征在于該材料的化學組成為R(Zn2-xTx)2(Sb2-yMy)2，其中R為Yb、Eu或Ca；T為In、Mn或Cd，x為T摻雜的化學計量比，范圍為0≤x≤2；M為Si、Ge或As，y為M摻雜的化學計量比，范圍為0≤x≤2。
2.一種多孔結構p型鋅銻基熱電材料的制備方法，其特征在于該方法采用真空或惰性 氣體保護下的母合金高溫熔融、熔體急冷和放電等離子體燒結淬火母合金的制備工藝，來 制備權利要求1所述多孔結構P型鋅銻基熱電材料，該方法步驟包括(1)母合金原料準備采用金屬Yb、Eu、Ca中的一種或多種作為！^！^！^乂‘^山化合物中??？位置的原料，采用金屬Zn、In、Mn、Cd中的一種或多種作為R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2化合物中(Zn2_xTx) 位置的原料，采用金屬Sb、Si、Ge、As中的一種或多種作為R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2化合物中(Sb2_yMx) 位置的原料；(2)母合金配料按化學計量比為R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2的數(shù)量關系計算各原料的用量，準確稱量各種原 料，并置入不與原料和產物反應的耐熱容器中，然后在真空或惰性氣體保護下密封反應容 器；(3)多孔結構p型鋅銻基熱電材料制備將反應容器置于程序控溫熔煉爐中，以1 10°C /分的升溫速率升至750 1000°C， 保溫2 20小時，得到R (Zn2_xTx) 2 (Sb2_yMy) 2母合金熔體并淬火；將R (Zn2_xTx) 2 (Sb2_yMy) 2母合 金的淬火鑄體研磨成淬火粉體，爾后該淬火粉體在放電等離子體燒結條件下結晶成Zintl 相化合物R(Zn2_xTx)2(Sb2_yMy)2，同時原位形成具有多孔結構的p型鋅銻基熱電材料；經(jīng)過上述步驟，得到所述的多孔結構P型鋅銻基熱電材料。
3.按權利要求2所述的制備方法，其特征在于母合金熔體在水或油中淬火，得到 R(Zn2_xTx) 2 (Sb2_yMy) 2母合金的淬火鑄體。
4.按權利要求3所述的制備方法，其特征在于淬火鑄體經(jīng)研磨、過400目篩，得到 尺(21!2_；1!￡)2(5132_#7)2母合金的淬火粉體；然后該淬火粉體在放電等離子體燒結條件下結晶， 并原位形成多孔結構P型鋅銻基塊體熱電材料。
5.按權利要求4所述的制備方法，其特征在于放電等離子體燒結的工藝條件為燒結 溫度600 800°C，燒結壓力20 60MPa，升溫速率50 200°C /min，保溫時間5 40min。
全文摘要
本發(fā)明涉及多孔結構p型鋅銻基熱電材料及其制備方法。該材料的化學通式為R(Zn2-xTx)2(Sb2-yMy)2，其中R為元素Yb、Eu或Ca；T為In、Mn或Cd，x為T摻雜的化學計量比，范圍為0≤x≤2；M為Si、Ge或As，y為M摻雜的化學計量比，范圍為0≤x≤2。該方法采用真空或惰性氣體保護下的母合金高溫熔融、熔體急冷和放電等離子體燒結淬火母合金的工藝，來制備孔徑為20～200nm的多孔結構p型鋅銻基熱電材料，未摻雜YbZn2Sb2材料的材料ZT值達到0.59，而摻雜材料的ZT值還可得到進一步提高，用于熱電轉換發(fā)電或制冷領域。本發(fā)明工藝簡單，制備周期短，能耗低，適于工業(yè)化生產。
文檔編號C22C1/08GK101857929SQ201010143568
公開日2010年10月13日 申請日期2010年4月6日 優(yōu)先權日2010年4月6日
發(fā)明者張清杰, 梁燭, 趙文俞, 黃元輝 申請人:武漢理工大學