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一種陣列基板及顯示器件的制作方法

文檔序號:9973875閱讀:429來源:國知局
一種陣列基板及顯示器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,隨著人們生活水平的不斷提高,顯示產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛,人們對顯示產(chǎn)品的質(zhì)量要求也越來越高。然而顯示產(chǎn)品在生產(chǎn)、運輸及工作中,經(jīng)常會受到靜電的影響,導(dǎo)致顯示產(chǎn)品無法提供高質(zhì)量的顯示要求。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中,在顯示裝置的陣列基板中,可以在信號線(數(shù)據(jù)線或者柵線)上設(shè)置多個懸浮保護電容,以防止信號線被靜電擊穿。示例的,如圖1所示,可以在數(shù)據(jù)線103上設(shè)置多個懸浮保護電容10。圖2為圖1沿AA’的截面圖,參考圖2所示,所述懸浮保護電容由三層結(jié)構(gòu)組成,即懸浮電極101、中間層102以及數(shù)據(jù)線103。其中,懸浮電極101可以與薄膜晶體管的柵極同步形成,中間層102 —般為柵極絕緣層。當(dāng)數(shù)據(jù)線103上存在高壓靜電時,通過懸浮電極101與數(shù)據(jù)線103之間形成的懸浮保護電容10可以對靜電進行分壓存儲,從而防止數(shù)據(jù)線103被靜電擊穿,保證顯示裝置的顯示效果。然而在此種方式中,需要數(shù)據(jù)線103作為懸浮保護電容10的一個電極,這樣會增加數(shù)據(jù)線103的負(fù)載,影響數(shù)據(jù)線103上信號的正常傳輸,進而影響產(chǎn)品的良率。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的實施例提供一種陣列基板及顯示器件,能夠在實現(xiàn)對信號線的靜電保護的基礎(chǔ)上,減少信號線的負(fù)載,提高產(chǎn)品的良率。
[0005]為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]—方面,本實用新型實施例提供一種陣列基板,包括:
[0007]第一信號線、第二信號線以及靜電保護裝置;
[0008]所述靜電保護裝置包括懸浮TFT,所述懸浮TFT的源極與所述第一信號線連接,所述懸浮TFT的柵極與所述第二信號線連接,所述懸浮TFT的漏極懸空;
[0009]所述漏極與所述柵極具有交疊區(qū)域。
[0010]可選的,每條所述第一信號線上連接至少兩個所述靜電保護裝置。
[0011]可選的,連接同一所述第一信號線的懸浮TFT的漏極電連接。
[0012]可選的,連接同一所述第一信號線的懸浮TFT的柵極電連接。
[0013]可選的,所述懸浮TFT還包括設(shè)置在柵極和漏極之間的有源層,連接同一所述第一信號線的懸浮TFT的有源層電連接。
[0014]可選的,相鄰兩條所述第一信號線上連接的懸浮TFT共用一個所述漏極和一個所述柵極。
[0015]可選的,所述靜電保護裝置同時連接兩條相鄰的所述第一信號線。
[0016]可選的,所述懸浮TFT的源極為U型、L型或W型。
[0017]可選的,所述陣列基板還包括公共電極線,所述第二信號線與所述公共電極線電連接。
[0018]可選的,所述陣列基板還包括第一防靜電單元;
[0019]所述第一防靜電單元的輸入端與所述第二信號線連接,所述第一防靜電單元的輸出端與所述公共電極線電連接。
[0020]可選的,所述第一信號線為柵線或數(shù)據(jù)線。
[0021]可選的,所述陣列基板還包括第二防靜電單元和短路環(huán),所述第二防靜電單元的輸入端與所述第一信號線連接,所述第二防靜電單元的輸出端與所述短路環(huán)連接。
[0022]另一方面,本實用新型實施例提供一種顯示器件,包括上述任意一種陣列基板。
[0023]本實用新型實施例提供的陣列基板及顯示器件,所述陣列基板包括第一信號線、第二信號線以及靜電保護裝置,靜電保護裝置包括懸浮TFT,懸浮TFT的源極與第一信號線連接,懸浮TFT的柵極與第二信號線連接,懸浮TFT的漏極懸空;漏極與柵極具有交疊區(qū)域。相較于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型實施例提供的陣列基板通過在第一信號線上連接懸浮TFT,第一信號線向懸浮TFT提供源極電壓,第二信號線在特定時間或周期性向懸浮TFT提供柵極開啟電壓,以開啟懸浮TFT ;在懸浮TFT開啟時間內(nèi),當(dāng)?shù)谝恍盘柧€上存在靜電電荷時,懸浮TFT的源極電壓變大,此時懸浮TFT的源極和漏極導(dǎo)通,這樣大量靜電電荷通過懸浮TFT的源極轉(zhuǎn)移到由懸浮TFT的漏極和柵極形成靜電存儲電容中,防止了第一信號線的靜電擊穿。當(dāng)?shù)诙盘柧€無柵極開啟電壓時,所述懸浮TFT會斷開,此時第一信號線與該懸浮TFT處于斷開狀態(tài),這樣減少了第一信號線的負(fù)載,保證了第一信號線上信號的正常傳輸,進而提尚了廣品的良率。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0026]圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種懸浮電容結(jié)構(gòu)剖視圖;
[0027]圖3為本實用新型實施例提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0028]圖4為本實用新型另一實施例提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0029]圖5為本實用新型又一實施例提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0030]圖6為本實用新型再一實施例提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0031]圖7為本實用新型又另一實施例提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0032]圖8為圖7中B區(qū)域的等效電路圖;
[0033]圖9為本實用新型又再一實施例提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0034]圖10為本實用新型再另一實施例提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖;
[0035]圖11為本實用新型再又一實施例提供的一種陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0036]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
[0037]本實用新型實施例提供一種陣列基板,如圖3所示,所述陣列基板包括:第一信號線31、第二信號線32以及靜電保護裝置,靜電保護裝置包括懸浮TFT33,懸浮TFT33的源極331與第一信號線31連接,懸浮TFT33的柵極333與第二信號線32連接,懸浮TFT33的漏極332懸空;漏極332與柵極333具有交疊區(qū)域。
[0038]其中,漏極332與柵極333具有交疊區(qū)域表明當(dāng)漏極332與柵極333上都存在電壓時,懸浮TFT33的漏極332和柵極333可以形成靜電存儲電容。
[0039]懸浮TFT33的源極331與第一信號線31連接,即第一信號線31可以向懸浮TFT33的源極331提供源極電壓;懸浮TFT33的柵極333與第二信號線32連接,即第二信號線32向懸浮TFT33的柵極333提供柵極電壓;懸浮TFT33的漏極332懸空指的是懸浮TFT33的漏極332不與任何導(dǎo)電層電連接。在特定時間或周期性向第二信號線32提供柵極開啟電壓,開啟懸浮TFT33,此時若第一信號線31上存在大量靜電電荷,懸浮TFT33的漏極332和柵極333就會形成靜電存儲電容,所述靜電存儲電容可以存儲第一信號線31上的靜電電荷。
[0040]相較于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型實施例提供的陣列基板通過在第一信號線上連接懸浮TFT,第一信號線向懸浮TFT提供源極電壓,第二信號線在特定時間或周期性向懸浮TFT提供柵極開啟電壓,以開啟懸浮TFT ;在懸浮TFT開啟時間內(nèi),當(dāng)?shù)谝恍盘柧€上存在靜電電荷時,懸浮TFT的源極電壓變大,此時懸浮TFT的源極和漏極導(dǎo)通,這樣大量靜電電荷通過懸浮TFT的源極轉(zhuǎn)移到由懸浮TFT的漏極和柵極形成靜電存儲電容中,防止了第一信號線的靜電擊穿。當(dāng)?shù)诙盘柧€無柵極開啟電壓時,所述懸浮TFT會斷開,此時第一信號線與該懸浮TFT處于斷開狀態(tài),這樣減少了第一信號線的負(fù)載,保證了第一信號線上信號的正常傳輸,進而提尚了廣品的良率。
[0041]本實用新型實施例對第一信號線31上連接的靜電保護裝置的數(shù)量、靜電保護裝置中包含懸浮TFT33的數(shù)量均不做限定,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以綜合考慮靜電保護能力、成本、制作工藝等方面因素來設(shè)定具體數(shù)量。
[0042]需要說明的是,所述懸浮TFT可以和陣列基板中的其他薄膜晶體管的至少一種薄膜晶體管具有相同的工藝步驟,例如可以和陣列基板中的開關(guān)晶體管和/或驅(qū)動晶體管采用光刻工藝同步制作完成;懸浮TFT也可以采用其他工藝,例如打印。本實用新型實施例對于所述懸浮TFT的制作方法不再贅述。
[0043]較佳的,每條第一信號線上連接至少兩個靜電保護裝置,這樣在沒有增加第一信號線的負(fù)載的基礎(chǔ)上,可以進一步增強對第一信號線的靜電保護能力,減小第一信號線被靜電擊穿的概率。在實際應(yīng)用中,一般會在每條第一信號線上連接4-6個靜電保護裝置,來實現(xiàn)對第一信號線的靜電
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