一種光掩模及光掩模套刻精度的監(jiān)測方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光掩模及光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，所述監(jiān)測方法包括步驟：1）提供一包括圖形區(qū)域及外圍區(qū)域的光掩模，至少于所述外圍區(qū)域四個(gè)角落的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)制作標(biāo)記圖形，其中，所述標(biāo)記圖形由兩個(gè)垂直相交的橫向矩形與縱向矩形組成；2）測量各該標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)，并計(jì)算出各該標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。本發(fā)明可以有效提高套刻精度監(jiān)測的簡易度、降低監(jiān)測的出錯(cuò)概率、縮短工作周期；圖形標(biāo)記放置在光掩模板子的四個(gè)角上，遠(yuǎn)離光刻的主圖形，既能很好的監(jiān)測位置精度，又不會(huì)對(duì)光刻的主圖形有任何影響。本發(fā)明步驟簡單實(shí)用，適用于生產(chǎn)監(jiān)測。
【專利說明】一種光掩模及光掩模套刻精度的監(jiān)測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種光掩模及光掩模套刻精度的監(jiān)測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體工藝中，光刻是至關(guān)重要的一步，通過光刻的對(duì)準(zhǔn)、曝光等一系列步驟，能夠?qū)崿F(xiàn)將掩模圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上的工藝過程。通常，在形成半導(dǎo)體芯片的過程中，需要進(jìn)行多層光刻工藝才能完成整個(gè)制造過程。這就使得當(dāng)前光刻圖形與前層光刻圖形的位置對(duì)準(zhǔn)變得尤為重要。套刻精度就是指晶圓的層與層的光刻圖形的位置對(duì)準(zhǔn)誤差。
[0003]光掩模有位置精度的指標(biāo)。現(xiàn)有的光掩模產(chǎn)品測量位置精度的標(biāo)記圖形一般是由客戶在光掩模圖形中人工查找符合條件的標(biāo)記，然后將其坐標(biāo)提供給光掩模生產(chǎn)廠商。再由生產(chǎn)廠商在把這些坐標(biāo)換算后，設(shè)置測量程式后進(jìn)行測量。這種流程存在以下缺點(diǎn):
[0004]I)部分光掩模上無符合測量條件的標(biāo)記圖形而導(dǎo)致位置精度指標(biāo)無法監(jiān)測；
[0005]2)不同客戶提供標(biāo)記坐標(biāo)的坐標(biāo)系和倍率不盡相同，對(duì)光掩模生產(chǎn)廠商的換算帶來困擾；
[0006]3)由于每套光掩模的標(biāo)記圖形都不同，生產(chǎn)人員需要對(duì)每套產(chǎn)品進(jìn)行坐標(biāo)換算并手動(dòng)更改測量程式。延長了生產(chǎn)周期，增大了出錯(cuò)概率；
[0007]4)客戶提供的標(biāo)記坐標(biāo)是由人工查找，存在錯(cuò)誤的概率(坐標(biāo)錯(cuò)誤，或者標(biāo)記不符合測量標(biāo)準(zhǔn))。光掩模生產(chǎn)人員在測量時(shí)發(fā)現(xiàn)問題，提交給數(shù)據(jù)部門確認(rèn)，數(shù)據(jù)部確認(rèn)存在問題，再由客戶服務(wù)部與客戶溝通后才能解決。延長了生產(chǎn)周期，增加了各部門的工作量。
[0008]因此，提供一種符合套刻精度要求的光掩模及監(jiān)測方法實(shí)屬必要。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種光掩模及光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中光掩模套刻精度的監(jiān)測工藝?yán)щy而導(dǎo)致監(jiān)測不便等問題。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，至少包括以下步驟:
[0011]I)提供一包括圖形區(qū)域及外圍區(qū)域的光掩模，至少于所述外圍區(qū)域四個(gè)角落的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)制作標(biāo)記圖形，其中，所述標(biāo)記圖形由兩個(gè)垂直相交的橫向矩形與縱向矩形組成；
[0012]2)測量各該標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)，并計(jì)算出各該標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。
[0013]作為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法的一種優(yōu)選方案，所述光掩模由透光層及及結(jié)合于所述透光層表面的遮光層組成，所述標(biāo)記圖形為去除了部分遮光層所形成的透光圖形。
[0014]作為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法的一種優(yōu)選方案，所述橫向矩形與縱向矩形的中心重合，且所述橫向矩形與縱向矩形的尺寸相同。
[0015]作為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法的一種優(yōu)選方案，所述橫向矩形的寬度為100?300um，高度為2?20um，所述縱向矩形的寬度為2?20um，高度為100?300um。
[0016]作為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法的一種優(yōu)選方案，所述圖形標(biāo)記距離所述光掩模的任一邊界的水平距離和垂直距離均不小于5mm。
[0017]作為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法的一種優(yōu)選方案，步驟2)包括以下步驟:
[0018]2-1)設(shè)置與所述橫向矩形垂直相交的縱向測試框及與所述縱向矩形垂直相交的橫向測試框，并設(shè)定所述橫向測試框的縱向中垂線及所述縱向測試框的橫向中垂線的交點(diǎn)坐標(biāo)為測試中心坐標(biāo)；
[0019]2-2)將所述測試中心坐標(biāo)移動(dòng)至任一標(biāo)記圖形的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的位置；
[0020]2-3)采用攝像設(shè)備獲得所述橫向測試框及所述縱向測試框中的光強(qiáng)分布，依據(jù)該光強(qiáng)分布獲得所述標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)；
[0021]2-4)計(jì)算出所述標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。
[0022]進(jìn)一步地，還包括步驟2-5)，依據(jù)步驟2-1)?2-4)計(jì)算出所有標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。
[0023]本發(fā)明還提供一種光掩模，包括:
[0024]圖形區(qū)域及圍繞所述圖形區(qū)域的外圍區(qū)域；
[0025]所述外圍區(qū)域的四個(gè)角落分別具有標(biāo)記圖形，所述標(biāo)記圖形由垂直相交的橫向矩形與縱向矩形組成。
[0026]作為本發(fā)明的光掩模的一種優(yōu)選方案，所述光掩模由透光層及及結(jié)合于所述透光層表面的遮光層組成，所述標(biāo)記圖形為去除了部分遮光層所形成的透光圖形。
[0027]作為本發(fā)明的光掩模的一種優(yōu)選方案，所述橫向矩形與縱向矩形的中心重合，且所述橫向矩形與縱向矩形的尺寸相同。
[0028]作為本發(fā)明的光掩模的一種優(yōu)選方案，所述橫向矩形的寬度為100?300um,高度為2?20um，所述縱向矩形的寬度為2?20um，高度為100?300um。
[0029]作為本發(fā)明的光掩模的一種優(yōu)選方案，所述圖形標(biāo)記距離所述光掩模的任一邊界的水平距離和垂直距離均不小于5mm。
[0030]如上所述，本發(fā)明提供一種光掩模及光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，所述監(jiān)測方法包括步驟:1)提供一包括圖形區(qū)域及外圍區(qū)域的光掩模，至少于所述外圍區(qū)域四個(gè)角落的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)制作標(biāo)記圖形，其中，所述標(biāo)記圖形由兩個(gè)垂直相交的橫向矩形與縱向矩形組成；2)測量各該標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)，并計(jì)算出各該標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。本發(fā)明具有以下有益效果:1)即使客戶圖形內(nèi)無符合條件的標(biāo)記圖形，仍可以利用該四個(gè)圖形標(biāo)記進(jìn)行正常的位置精度監(jiān)測；2)省略了坐標(biāo)換算環(huán)節(jié)，把換算坐標(biāo)出錯(cuò)的概率降為零。同時(shí)也大大減少了測量程式的重新設(shè)置。縮短了工作周期；3)簡化了客戶的工作，無需再查找標(biāo)記并提供坐標(biāo)，把客戶查找標(biāo)記的出錯(cuò)概率降為零。從而也簡化了光掩模膜生產(chǎn)廠商各部分的工作?？s短了工作周期；4)圖形標(biāo)記放置在光掩模板子的四個(gè)角上，遠(yuǎn)離客戶的主圖形，既能很好的監(jiān)測位置精度(標(biāo)記圖形越靠外圍所獲得的偏移量越大)，又不會(huì)對(duì)客戶的主圖形有任何影響。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]圖1顯示為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法步驟流程示意圖。
[0032]圖2顯示為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方中光掩模的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖3顯示為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方中圖形標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖4顯示為本發(fā)明的光掩模套刻精度的監(jiān)測方中偏移量的監(jiān)測方法示意圖。
[0035]元件標(biāo)號(hào)說明
[0036]11圖形區(qū)域
[0037]12外圍區(qū)域
[0038]13標(biāo)記圖形
[0039]131橫向矩形
[0040]132縱向矩形
[0041]141橫向測試框
[0042]142縱向測試框
[0043]151第一交疊區(qū)域
[0044]152第二交疊區(qū)域
[0045]511?512步驟
【具體實(shí)施方式】
[0046]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0047]請(qǐng)參閱圖1?圖3。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0048]實(shí)施例1
[0049]如圖1?圖4所示，本實(shí)施例提供一種光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，至少包括以下步驟:
[0050]如圖1?圖3所示，首先進(jìn)行步驟I) S11，提供一包括圖形區(qū)域11及外圍區(qū)域12的光掩模，至少于所述外圍區(qū)域12四個(gè)角落的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)制作標(biāo)記圖形13，其中，所述標(biāo)記圖形13由兩個(gè)垂直相交的橫向矩形131與縱向矩形132組成。
[0051]作為示例，所述光掩模由透光層及及結(jié)合于所述透光層表面的遮光層組成，具體地，所述透明層為玻璃，遮光層為鉻。
[0052]所述圖形區(qū)域11用于制作光刻工藝所需要的光刻圖形，所述外圍區(qū)域12的四個(gè)角落一般不會(huì)用于制作光刻圖形，而除四個(gè)角落以外的外圍區(qū)域12有可能制作有光刻圖形，因此，本發(fā)明選擇于所述外圍區(qū)域12的四個(gè)角落制作標(biāo)記圖形13，可以遠(yuǎn)離光刻圖形，不影響光掩模的性能，而且，由于圖形標(biāo)記越靠外圍所獲得的偏移量越大，可以獲得很好的監(jiān)測位置精度。
[0053]同時(shí)，考慮到標(biāo)記圖形13制作的穩(wěn)定性，本發(fā)明所述的圖形標(biāo)記距離所述光掩模的任一邊界的水平距離和垂直距離均不小于5mm，以圖2中右下方的圖形標(biāo)記為例，其離光掩模下邊界的距離A及離右邊界的距離B均大于5mm。
[0054]所述標(biāo)記圖形13為去除了部分遮光層所形成的透光圖形。在本實(shí)施例中，所述標(biāo)記圖形13與所需的光刻圖形同時(shí)制作，可以節(jié)省工藝步驟，降低成本。具體地，定義出標(biāo)記圖形13的中心坐標(biāo)(即預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)，為橫向矩形131與縱向矩形132垂直相交區(qū)域的中心)、形狀和尺寸，然后依據(jù)需求采用曝光-刻蝕工藝去除部分的遮光層，將標(biāo)記圖形13和光刻圖形寫入光掩模中。
[0055]為了提高監(jiān)測過程中的簡易程度，在本實(shí)施例中，所述橫向矩形131與縱向矩形132的中心重合，且所述橫向矩形131與縱向矩形132的尺寸相同。
[0056]如圖3所示，設(shè)計(jì)時(shí)考慮到測量系統(tǒng)(IPRO)的要求:1)圖形標(biāo)記的邊界不能為弧形或斜邊；2)圖形標(biāo)記的橫向和豎直方向的邊長小于等于20um ;所述圖形標(biāo)記優(yōu)選為:所述橫向矩形131的寬度Dl為100?300um，高度Hl為2?20um，所述縱向矩形132的寬度D2為2?20um，高度H2為100?300um。在本實(shí)施例中，所述橫向矩形131的寬度Dl為150um,高度Hl為10um，所述縱向矩形132的寬度D2為10um，高度H2為150um。
[0057]如圖1及圖4所示，然后進(jìn)行步驟2)S12，測量各該標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)，并計(jì)算出各該標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。
[0058]作為示例，包括以下步驟:
[0059]2-1)設(shè)置與所述橫向矩形131垂直相交的縱向測試框142及與所述縱向矩形132垂直相交的橫向測試框141，并設(shè)定所述橫向測試框141的縱向中垂線及所述縱向測試框142的橫向中垂線的交點(diǎn)坐標(biāo)為測試中心坐標(biāo),如圖4所示。
[0060]在本實(shí)施例中，所述橫向測試框141及縱向測試框142內(nèi)為透光區(qū)域，而除了橫向測試框141及縱向測試框142內(nèi)以外的其它區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域。
[0061]具體地，所述縱向測試框142的高度優(yōu)選為15?lOOum，寬度優(yōu)選為2?20um，所述橫向測試框141的高度優(yōu)選為2?20um，寬度優(yōu)選為15?lOOum。
[0062]所述橫向測試框141可以垂直相較于所述縱向矩形132的上部或下部的任意位置，所述縱向測試框142可以垂直相交于所述橫向矩形131的左部或右部的任意位置?？梢?，采用本發(fā)明的垂直相交矩形的圖形標(biāo)記可以大大地提高監(jiān)測時(shí)測試框的搜索范圍，使監(jiān)測非常容易進(jìn)行，降低了監(jiān)測難度并提高了監(jiān)測的可行性和穩(wěn)定性。
[0063]2-2)將所述測試中心坐標(biāo)移動(dòng)至任一標(biāo)記圖形13的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)K (X，Y)的位置。
[0064]具體地，在測試程序中，將所述測試中心坐標(biāo)設(shè)置為預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)，并使其移動(dòng)至該坐標(biāo)，但是，由于光刻圖形及圖形標(biāo)志被寫入光掩模的過程中可能存在誤差，此時(shí)，圖形標(biāo)記的實(shí)際中心坐標(biāo)其實(shí)為L (XI，Υ1)0
[0065]2-3)采用攝像設(shè)備獲得所述橫向測試框141及所述縱向測試框142中的光強(qiáng)分布，依據(jù)該光強(qiáng)分布獲得所述標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)。
[0066]由于光掩模在該區(qū)域中除圖形標(biāo)記以外的區(qū)域均不透光，而對(duì)于監(jiān)測設(shè)備除了所述橫向測試框141及縱向測試框142內(nèi)為透光區(qū)域以外，其它區(qū)域不透光，因此可見，只有所述標(biāo)記圖形13與橫向測試框141的第一交疊區(qū)域151、及所述標(biāo)記圖形13與縱向測試框142的第二交疊區(qū)域152為透光區(qū)域，如圖4中的虛線框所示，其余區(qū)域均不透光。鑒于上述原理，本實(shí)施例采用攝像設(shè)備獲得所述橫向測試框141及所述縱向測試框142中的光強(qiáng)分布，依據(jù)該光強(qiáng)分布獲得所述標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)。依據(jù)第一交疊區(qū)域151、及第二交疊區(qū)域152內(nèi)的光強(qiáng)分布可以得出第一交疊區(qū)域151及第二交疊區(qū)域152的中心位置，再依據(jù)兩個(gè)中心位置便可得出所述標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)L (XLYl)0
[0067]2-4)計(jì)算出所述標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)L (XI，Yl)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)K (X，Y)的偏移量。
[0068]具體地，以上步驟可以得出標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)L (X1，Y1)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)K (X，Y)，如此，便可以得出所述標(biāo)記圖形13在橫向上的偏移量Λ X=Xl-X,及在縱向上的偏移量Λ Y=Yl-Y,由此便可知道，所述光掩模在橫向上的偏移量Λ X=Xl-X,及在縱向上的偏移量Λ Υ=Υ1-Υ。
[0069]最后，還包括步驟2-5)，依據(jù)步驟2-1)?2-4)計(jì)算出所有標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量，從而可以獲得各該偏移量中的最大值，這個(gè)最大值便是最終我們所需的偏移量值。
[0070]實(shí)施例2
[0071]如圖2及圖3所示，本實(shí)施例提供一種光掩模，包括:
[0072]圖形區(qū)域11及圍繞所述圖形區(qū)域的外圍區(qū)域12 ；
[0073]所述外圍區(qū)域12的四個(gè)角落分別具有標(biāo)記圖形13，所述標(biāo)記圖形13由垂直相交的橫向矩形131與縱向矩形132組成。
[0074]作為示例，所述光掩模由透光層及及結(jié)合于所述透光層表面的遮光層組成，具體地，所述透明層為玻璃，遮光層為鉻。所述標(biāo)記圖形13為去除了部分遮光層所形成的透光圖形。
[0075]所述圖形區(qū)域11用于制作光刻工藝所需要的光刻圖形，所述外圍區(qū)域12的四個(gè)角落一般不會(huì)用于制作光刻圖形，而除四個(gè)角落以外的外圍區(qū)域12有可能制作有光刻圖形，因此，本發(fā)明選擇于所述外圍區(qū)域12的四個(gè)角落制作標(biāo)記圖形13，可以遠(yuǎn)離光刻圖形，不影響光掩模的性能，而且，由于圖形標(biāo)記越靠外圍所獲得的偏移量越大，因此，所述圖形標(biāo)記可以用于后續(xù)過程中套刻精度的監(jiān)測或套刻時(shí)的對(duì)準(zhǔn)。
[0076]同時(shí)，考慮到標(biāo)記圖形13制作的穩(wěn)定性，本發(fā)明所述的圖形標(biāo)記距離所述光掩模的任一邊界的水平距離和垂直距離均不小于5mm，以圖2中右下方的圖形標(biāo)記為例，其離光掩模下邊界的距離A及離右邊界的距離B均大于5mm。
[0077]在本實(shí)施例中，所述橫向矩形131與縱向矩形132的中心重合，且所述橫向矩形131與縱向矩形132的尺寸相同。
[0078]如圖3所示，設(shè)計(jì)時(shí)考慮到測量系統(tǒng)(IPRO)的要求:1)圖形標(biāo)記的邊界不能為弧形或斜邊；2)圖形標(biāo)記的橫向和豎直方向的邊長小于等于20um ;所述圖形標(biāo)記優(yōu)選為:所述橫向矩形131的寬度Dl為100?300um，高度Hl為2?20um，所述縱向矩形132的寬度D2為2?20um，高度H2為100?300um。在本實(shí)施例中，所述橫向矩形131的寬度Dl為150um,高度Hl為10um，所述縱向矩形132的寬度D2為lOum，高度H2為150um。
[0079]如上所述，本發(fā)明提供一種光掩模及光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，所述監(jiān)測方法包括步驟:1)提供一包括圖形區(qū)域11及外圍區(qū)域12的光掩模，至少于所述外圍區(qū)域12四個(gè)角落的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)制作標(biāo)記圖形13，其中，所述標(biāo)記圖形13由兩個(gè)垂直相交的橫向矩形131與縱向矩形132組成；2)測量各該標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)，并計(jì)算出各該標(biāo)記圖形13的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。本發(fā)明具有以下有益效果:1)即使客戶圖形內(nèi)無符合條件的標(biāo)記圖形13，仍可以利用該四個(gè)圖形標(biāo)記進(jìn)行正常的位置精度監(jiān)測；2)省略了坐標(biāo)換算環(huán)節(jié)，把換算坐標(biāo)出錯(cuò)的概率降為零。同時(shí)也大大減少了測量程式的重新設(shè)置。縮短了工作周期；3)簡化了客戶的工作，無需再查找標(biāo)記并提供坐標(biāo)，把客戶查找標(biāo)記的出錯(cuò)概率降為零。從而也簡化了光掩模膜生產(chǎn)廠商各部分的工作?？s短了工作周期；4)圖形標(biāo)記放置在光掩模板子的四個(gè)角上，遠(yuǎn)離客戶的主圖形，既能很好的監(jiān)測位置精度(標(biāo)記圖形13越靠外圍所獲得的偏移量越大)，又不會(huì)對(duì)客戶的主圖形有任何影響。本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0080]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，其特征在于，至少包括以下步驟: 1)提供一包括圖形區(qū)域及外圍區(qū)域的光掩模，至少于所述外圍區(qū)域四個(gè)角落的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)制作標(biāo)記圖形，其中，所述標(biāo)記圖形由兩個(gè)垂直相交的橫向矩形與縱向矩形組成； 2)測量各該標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)，并計(jì)算出各該標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，其特征在于:所述光掩模由透光層及結(jié)合于所述透光層表面的遮光層組成，所述標(biāo)記圖形為去除了部分遮光層所形成的透光圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，其特征在于:所述橫向矩形與縱向矩形的中心重合，且所述橫向矩形與縱向矩形的尺寸相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，其特征在于:所述橫向矩形的寬度為100?300皿，高度為2?20皿，所述縱向矩形的寬度為2?20皿，高度為100?300111110
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，其特征在于:所述圖形標(biāo)記距離所述光掩模的任一邊界的水平距離和垂直距離均不小于
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，其特征在于:步驟2)包括以下步驟: 2-1)設(shè)置與所述橫向矩形垂直相交的縱向測試框及與所述縱向矩形垂直相交的橫向測試框，并設(shè)定所述橫向測試框的縱向中垂線及所述縱向測試框的橫向中垂線的交點(diǎn)坐標(biāo)為測試中心坐標(biāo)； 2-2)將所述測試中心坐標(biāo)移動(dòng)至任一標(biāo)記圖形的預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的位置； 2-3)采用攝像設(shè)備獲得所述橫向測試框及所述縱向測試框中的光強(qiáng)分布，依據(jù)該光強(qiáng)分布獲得所述標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)； 2-4)計(jì)算出所述標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光掩模套刻精度的監(jiān)測方法，其特征在于:還包括步驟2-5),依據(jù)步驟2-1)?2-4)計(jì)算出所有標(biāo)記圖形的實(shí)際中心坐標(biāo)與預(yù)設(shè)中心坐標(biāo)的偏移量。
8.一種光掩模，其特征在于:包括: 圖形區(qū)域及圍繞所述圖形區(qū)域的外圍區(qū)域； 所述外圍區(qū)域的四個(gè)角落分別具有標(biāo)記圖形，所述標(biāo)記圖形由垂直相交的橫向矩形與縱向矩形組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光掩模，其特征在于:所述光掩模由透光層及及結(jié)合于所述透光層表面的遮光層組成，所述標(biāo)記圖形為去除了部分遮光層所形成的透光圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光掩模，其特征在于:所述橫向矩形與縱向矩形的中心重合，且所述橫向矩形與縱向矩形的尺寸相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光掩模，其特征在于:所述橫向矩形的寬度為100?30011%高度為2?20皿，所述縱向矩形的寬度為2?20皿，高度為100?300皿。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光掩模，其特征在于:所述圖形標(biāo)記距離所述光掩模的任一邊界的水平距離和垂直距離均不小于
【文檔編號(hào)】G03F1/44GK104423144SQ201310371397
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月23日
【發(fā)明者】李曉梅 申請(qǐng)人:上海凸版光掩模有限公司