專利名稱：一種多線切割方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多線切割技術(shù)，特別是涉及一種可提高生產(chǎn)效率的多線反復(fù)切割方法及設(shè)備。
背景技術(shù)：
多線切割技術(shù)是目前世界上比較先進(jìn)的晶體硅加工技術(shù)，它的原理是通過一根高速運(yùn)動的鋼線帶動附著在鋼線上的切割刃料(切割液或切割劑)對半導(dǎo)體等硬脆材料進(jìn)行摩擦，從而達(dá)到切割效果。多線切割技術(shù)與傳統(tǒng)的刀鋸片、砂輪片及內(nèi)圓切割相比有具有效率高，產(chǎn)能高，精度高等優(yōu)點(diǎn)，多線切割技術(shù)是目前采用最廣泛的半導(dǎo)體等硬脆材料切割技術(shù)。現(xiàn)有的多線切割設(shè)備例如晶體硅錠切斷機(jī)等通常至少包括有機(jī)架，設(shè)置于所述·機(jī)架上用于承載晶體硅錠的工作臺，用于繞絲的貯絲筒，多個(gè)導(dǎo)絲輪及可升降的切割輥等，在對晶體硅錠的切割過程中，作為切割線的鋼線通過十幾個(gè)導(dǎo)絲輪的引導(dǎo)，在多個(gè)切割輥之間上形成一張線網(wǎng)，而待加工的晶體硅錠被固定于所述工作臺上時(shí)，將切割輥降下來，并在壓力泵在的作用下，裝配在設(shè)備上的切割液自動噴灑裝置將切割液(切割劑)噴灑至鋼線和晶體硅錠的切削部位，由鋼線帶動切割液往復(fù)運(yùn)動，利用切割液中的研磨砂對工件產(chǎn)生切割，以將晶體硅錠一次同時(shí)切割為數(shù)段。請參閱圖1，顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的線切割過程示意圖，如圖所示，裝配在設(shè)備上的切割液自動噴灑裝置11將切割液12噴灑至鋼線13上，鋼線13在高速運(yùn)行的過程中攜帶切割液12壓迫工件14，當(dāng)鋼線13與工件14的待切割部位接觸時(shí)，附帶于其上的切割液12大部分會被擠出，鋼線13與工件14的接觸面而不能參與切割，換言之，鋼線13與工件14的接觸面并沒有攜帶切割液12進(jìn)行切割，進(jìn)而大大降低了切割的效率，不利于保證對工件切割的品質(zhì)。為此，在一些多線切割設(shè)備中采用了金剛線作為切割線，由于所述金剛線為表層具有金剛砂的金剛線，選用該種金剛線在加工過程中以減少切割液使用量，但是，在實(shí)際的切割過程中發(fā)現(xiàn)，在所述金剛線上未與工件接觸部分其上面的金剛砂并沒有得到利用，再者，金剛線被反復(fù)磨損后在后期切割過程中效率會逐步降低。因而，仍未能徹底解決效率提高的問題。所以，如何提供一種對硅晶體錠進(jìn)行多線切割的技術(shù)，以解決切割液或金剛線在切割過程中未被充分利用而造成的生產(chǎn)效率低下等問題，實(shí)為相關(guān)領(lǐng)域之業(yè)者目前亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種多線切割方法及設(shè)備，用來解決切割液在切割過程中被帶入切割區(qū)稀少的問題，以及切割線與工件、切割液未充分接觸而帶來產(chǎn)能低下等問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種多線切割方法，應(yīng)用于切割晶體硅錠的多線切割設(shè)備中，所述多線切割設(shè)備至少具有機(jī)架，設(shè)置在機(jī)架上用于承載待切割晶體硅錠的切割臺以及運(yùn)行切割線的多線切割系統(tǒng)，所述多線切割系統(tǒng)包括分別設(shè)置于所述機(jī)架四周側(cè)的四組可同時(shí)升降的切割輥、多個(gè)導(dǎo)絲輪、以及多根切割線，所述多根切割線通過各該導(dǎo)絲輪的引導(dǎo)在所述四組切割輥之間上形成一張切割網(wǎng)，所述多線切割方法至少包括1)預(yù)設(shè)第一時(shí)間段及第二時(shí)間段；2)啟動所述多線切割系統(tǒng)，高速運(yùn)行所述切割線；3)令所述切割線下降持續(xù)壓迫所述待切割晶體硅錠進(jìn)行切割作業(yè)；4)計(jì)時(shí)到第一時(shí)間段時(shí)，令所述切割線上升離開所述待切割晶體硅錠一預(yù)設(shè)距離；5)計(jì)時(shí)到第二時(shí)間段時(shí)，令所述切割線再次下降持續(xù)壓迫所述待切割晶體硅錠進(jìn)行切割作業(yè)；6)重復(fù)執(zhí)行所述步驟4)及步驟5)，直至將所述待切割晶體硅錠切割完畢。在本發(fā)明的多線切割方法中，所述切割線為鋼線或金剛線。于所述切割線為鋼線時(shí)，所述多線切割系統(tǒng)還包括裝配在所述機(jī)架上用于噴灑切割液至所述鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位的切割液自動噴灑裝置。所述步驟2)··還包括啟動所述切割液自動噴灑裝置的步驟，令其噴灑切割液至所述鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位。在本發(fā)明的多線切割方法中，所述第一時(shí)間段大于第二時(shí)間段。所述多線切割設(shè)備還包括一設(shè)置在所述切割臺上的容液槽，包括一具有多條溝槽的底板以及四個(gè)分別圍設(shè)在所述底板四周側(cè)緣固定的側(cè)板，所述容液槽用于盛裝切割液及放置所述待切割晶體硅錠，且所述待切割晶體硅錠浸沒于所述切割液中。本發(fā)明還提供一種多線切割設(shè)備，用于切割晶體硅錠，其包括機(jī)架；切割臺，設(shè)置在機(jī)架上用于承載待切割晶體硅錠；多線切割系統(tǒng)，包括分別設(shè)置于所述機(jī)架四周側(cè)的四組可同時(shí)升降的切割輥、多個(gè)導(dǎo)絲輪、以及多根切割線，所述多根切割線通過各該導(dǎo)絲輪的引導(dǎo)在所述四組切割輥之間上形成一張切割網(wǎng)，所述四組切割輥可帶動所述切割網(wǎng)下降壓迫所述待切割晶體硅錠進(jìn)行切割作業(yè)，并在切割過程中計(jì)時(shí)到預(yù)設(shè)的第一時(shí)間段時(shí)，上升離開所述待切割晶體硅錠一預(yù)設(shè)距離；在計(jì)時(shí)到預(yù)設(shè)的第二時(shí)間段時(shí)，再次下降壓迫所述待切割晶體硅錠進(jìn)行切割作業(yè)，直至將所述待切割晶體硅錠切割完畢。在本發(fā)明的多線切割設(shè)備中，所述切割線為鋼線或金剛線。于所述切割線為鋼線時(shí)，所述多線切割系統(tǒng)還包括裝配在所述機(jī)架上用于噴灑切割液至所述鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位的切割液自動噴灑裝置。在本發(fā)明的多線切割設(shè)備中，所述多線切割設(shè)備還包括一設(shè)置在所述切割臺上的容液槽，包括一具有多條溝槽的底板以及四個(gè)分別圍設(shè)在所述底板四周側(cè)緣固定的側(cè)板，所述容液槽用于盛裝切割液及放置所述待切割晶體硅錠，且所述待切割晶體硅錠浸沒于所述切割液中。如上所述，本發(fā)明的多線切割方法及設(shè)備，具有以下有益效果采用步進(jìn)切割技術(shù)，令切割線周期性地下降壓迫工件與上升離開工件的相結(jié)合的反復(fù)切割法，完全實(shí)現(xiàn)了切割線與工件或者切割線、工件以及切割液之間充分接觸，大大提升了切割的效率，節(jié)省了切割時(shí)間，同時(shí)保證了工件的切割品質(zhì)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明解決了切割液在切割過程中未被充分利用而造成的生產(chǎn)效率低下等問題，也解決了切割液在切割過程中被大量浪費(fèi)而造成的生產(chǎn)成本過高等問題。
圖I顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的線切割過程示意圖。圖2顯示為本發(fā)明的多線切割設(shè)備簡化結(jié)構(gòu)示意圖。圖3A 圖3F為本發(fā)明的多線切割方法的實(shí)施步驟狀態(tài)示意圖。圖4顯示為本發(fā)明的多線切割設(shè)備利用容液槽的切割示意圖。
具體實(shí)施例方式以下由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
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實(shí)施例一請參閱圖2，顯示為本發(fā)明的多線切割設(shè)備簡化結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明提供一種多線切割方法，應(yīng)用于切割晶體硅錠3的多線切割設(shè)備2中，以對待切割晶體硅錠3進(jìn)行線切割作業(yè)，在發(fā)明中，所述待切割晶體硅錠3為單晶硅錠、多晶硅錠或藍(lán)寶石硅錠，在本實(shí)施方式中，所述多線切割設(shè)備2至少具有機(jī)架21，設(shè)置在機(jī)架21上用于承載待切割晶體硅錠3的切割臺22以及運(yùn)行切割線25的多線切割系統(tǒng)，所述多線切割系統(tǒng)包括分別設(shè)置于所述機(jī)架四周側(cè)的四組可同時(shí)升降的切割輥23、多個(gè)導(dǎo)絲輪24、以及多根切割線25，所述多根切割線25通過各該導(dǎo)絲輪24的引導(dǎo)在所述四組切割輥23之間上形成一張切割網(wǎng)，懸于所述待切割晶體硅錠3上以待切割作業(yè)。需要說明的是，所述切割線25為鋼線或金剛線。其中，所述金剛線為線體上黏合或鑲嵌有例如為金剛石的微小顆粒(一般為600#金剛砂或800#金剛砂的顆粒)的切割線。在本實(shí)施例中，暫以所述切割線25為一般鋼線25為例進(jìn)行說明，于所述切割線為鋼線25時(shí)，所述多線切割系統(tǒng)還包括裝配在所述機(jī)架21上用于噴灑切割液(后續(xù)闡述的圖3A 圖3F中所示)至所述鋼線25和所述待切割晶體硅錠3的切削部位的切割液自動噴灑裝置(后續(xù)闡述的圖3A 圖3F中所示)。需要說明的是，為了便于闡述本發(fā)明的原理與功效以及閱讀理解，本實(shí)施例中將以兩個(gè)切割輥之間的單根鋼線對所述待切割晶體硅錠的切割過程進(jìn)行說明。請參閱圖3A 圖3F為本發(fā)明的多線切割方法的實(shí)施步驟狀態(tài)示意圖。如圖所示，所述多線切割方法至少包括首先執(zhí)行步驟1)，在多線切割系統(tǒng)中預(yù)設(shè)第一時(shí)間段及第二時(shí)間段；需要說明的是，所述多線切割設(shè)備為數(shù)控機(jī)床，其具有可以控制的多線切割系統(tǒng)的數(shù)控計(jì)算機(jī)設(shè)備。于實(shí)際的實(shí)施過程中，所述第一時(shí)間段或第二時(shí)間段例如為Is 60s，所述第一時(shí)間段大于第二時(shí)間段，如此以確保鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位接觸的時(shí)間大于鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位脫離的時(shí)間。再者，需要聲明的是，本方法中切割輥帶動的鋼線向下的行程總體上大于其向上的行程。然后執(zhí)行步驟2)，請參閱圖3A，啟動所述多線切割系統(tǒng)，令其呈圖中切割輥23中旋轉(zhuǎn)箭頭所示的方向旋轉(zhuǎn)，帶動所述鋼線25高速運(yùn)行，圖中箭頭F (F表示Forward)表示鋼線25的走線方向；同時(shí)啟動所述切割液自動噴灑裝置26，令其噴灑切割液4至所述鋼線25和所述待切割晶體硅錠3的切削部位。在本實(shí)施例中，所述鋼線25的運(yùn)行速度為IOOOm/mirio接著執(zhí)行步驟3)。在步驟3)中，令所述切割輥23朝圖3A箭頭D (D表示Down)所示的方向下移，帶動所述鋼線25下降持續(xù)壓迫所述待切割晶體硅錠3進(jìn)行切割作業(yè)。具體地，所述鋼線25由所述待切割晶體硅錠3的頂部開始切割，隨著所述切割輥23逐漸下降，對所述待切割晶體硅錠3的切割深度逐漸增加，首次被帶入鋼線25上的切割液4的量也相對減少，此時(shí)需要補(bǔ)充新的切割液4，于是接著執(zhí)行步驟4)。在步驟4)中，計(jì)時(shí)到第一時(shí)間段時(shí)，令所述切割輥23朝圖3B箭頭U (U表示Up)所示的方向上移，帶動所述鋼線25上升離開所述待切割晶體硅錠3的切削部位一預(yù)設(shè)距離，應(yīng)知曉的，所述預(yù)設(shè)距離所產(chǎn)出的空間(即鋼線25和待切割晶體硅錠3的切削部位之間的間隙)能夠補(bǔ)充新的切割液4即可。由于所述切割液自動噴灑裝置26持續(xù)在噴灑切割液4，使得新的切割液4再次被鋼線25攜帶以及再次被噴灑至待切割晶體硅錠3的切削部位，于是接著執(zhí)行步驟5)?！ぴ诓襟E5)中，計(jì)時(shí)到第二時(shí)間段時(shí)，令所述切割輥23朝圖3C箭頭D(D表示Down)所示的方向下移，帶動所述鋼線25再次下降持續(xù)壓迫所述待切割晶體硅錠3，進(jìn)行再次切割作業(yè)，由于鋼線25再次攜帶新的切割液4，進(jìn)而保持了鋼線25與所述待切割晶體硅錠3首次接觸的切割效果。在后續(xù)的工序中，重復(fù)執(zhí)行上述步驟4)及步驟5),呈如圖3D與圖3E所示的實(shí)施步驟狀態(tài)，直至將所述待切割晶體硅錠3切割完畢，呈圖3F所示。誠如上述，本切割方法采用步進(jìn)切割技術(shù)，令切割線周期性地下降壓迫工件與上升離開工件的相結(jié)合的反復(fù)切割法，完全實(shí)現(xiàn)了切割線與工件或者切割線、工件以及切割液之間充分接觸，大大提升了切割的效率，節(jié)省了切割時(shí)間，同時(shí)保證了工件的切割品質(zhì)。實(shí)施例二請參閱圖4，顯示為本發(fā)明的多線切割設(shè)備利用容液槽的切割示意圖。如圖所示，采用鋼線切割時(shí)，所述多線切割設(shè)備2還可以包括一設(shè)置在所述切割臺22上的容液槽27，所述溶液槽27包括一具有多條溝槽的底板(未予以標(biāo)號)以及四個(gè)分別圍設(shè)在所述底板四周側(cè)緣固定的側(cè)板271，所述容液槽27用于盛裝切割液4及放置所述待切割晶體硅錠3，令所述待切割晶體硅錠3浸沒于所述切割液4中，在實(shí)際的切割作業(yè)中，可以省去上述方法中的用切割液自動噴灑裝置持續(xù)在噴灑切割液的過程，在鋼線25在高速走線的過程中，其壓迫所述待切割晶體硅錠3—段時(shí)間后，因二者之間為零間隙，其線體與待切割晶體硅錠3的切削部位接觸的一面之間的切割液4被消耗殆盡，但是，當(dāng)鋼線25脫離所述待切割晶體硅錠3的切削部位時(shí)，容液槽27中盛裝切割液4隨著鋼線25和切削部位的間隙增大，再次流入新的切割液4，進(jìn)而使得在下一次壓迫切割的過程中(鋼線25再次壓迫切削部位進(jìn)行切割的過程中)參與切割作業(yè)，同樣達(dá)到了鋼線25上的有效切割液4與切削部位充分接觸的目的，進(jìn)而提升了切割效率。實(shí)施例三如果所述切割線為金剛線，采用上述方法亦可達(dá)到同樣良好的效果，金剛線在高速走線的過程中，其壓迫所述待切割晶體硅錠一段時(shí)間后，其線體與待切割晶體硅錠的切削部位接觸的一面上的金剛砂顆粒會有磨損或消耗，但是，當(dāng)金剛線脫離所述待切割晶體硅錠的切削部位，其線體會有一定扭轉(zhuǎn)，使得沒有被磨損到的金剛砂顆粒在下一次壓迫切割的過程中參與切割作業(yè)，同樣達(dá)到了切割線的有效切割面與切削部位充分接觸的目的，進(jìn)而提升了切割效率。實(shí)施例四請參閱圖2，顯示為本發(fā)明的多線切割設(shè)備簡化結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明還提供一種多線切割設(shè)備，應(yīng)用于切割晶體硅錠3的多線切割設(shè)備2中，以對待切割晶體硅錠3進(jìn)行線切割作業(yè)，在本實(shí)施例中，所述待切割晶體硅錠3為單晶硅錠、多晶硅錠或藍(lán)寶石硅錠，在本實(shí)施方式中，所述多線切割設(shè)備2至少具有機(jī)架21，設(shè)置在機(jī)架21上用于承載待切割晶體硅錠3的切割臺22以及運(yùn)行切割線25的多線切割系統(tǒng)，所述多線切割系統(tǒng)包括分別設(shè)置于所述機(jī)架四周側(cè)的四組可同時(shí)升降的切割輥23、多個(gè)導(dǎo)絲輪24、以及多根切割線25，所述多根切割線25通過各該導(dǎo)絲輪24的引導(dǎo)在所述四組切割輥23之間上形成一張切割網(wǎng)，懸于所述待切割晶體硅錠3上以待切割作業(yè)。
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所述四組切割輥23可帶動所述切割網(wǎng)下降壓迫所述待切割晶體硅錠3進(jìn)行切割作業(yè)，并在切割過程中計(jì)時(shí)到預(yù)設(shè)的第一時(shí)間段時(shí)，上升離開所述待切割晶體硅錠3 —預(yù)設(shè)距離；在計(jì)時(shí)到預(yù)設(shè)的第二時(shí)間段時(shí)，再次下降壓迫所述待切割晶體硅錠3進(jìn)行切割作業(yè)，直至將所述待切割晶體硅錠3切割完畢。需要說明的是，所述多線切割設(shè)備為數(shù)控機(jī)床，其具有可以控制的多線切割系統(tǒng)的數(shù)控計(jì)算機(jī)設(shè)備。于實(shí)際的實(shí)施過程中，所述第一時(shí)間段或第二時(shí)間段例如為Is 60s，所述第一時(shí)間段大于第二時(shí)間段，如此以確保鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位接觸的時(shí)間大于鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位脫離的時(shí)間。再者，需要聲明的是，本方法中切割輥帶動的鋼線向下的行程總體上大于其向上的行程。所述切割線25為鋼線或金剛線。其中，所述金剛線為線體上黏合或鑲嵌有例如為金剛石的微小顆粒(一般為600#金剛砂或800#金剛砂的顆粒)的切割線。在本實(shí)施例中，暫以所述切割線25為一般鋼線25為例進(jìn)行說明，于所述切割線為鋼線25時(shí)，所述多線切割系統(tǒng)還包括裝配在所述機(jī)架21上用于噴灑切割液至所述鋼線25和所述待切割晶體硅錠3的切削部位的切割液自動噴灑裝置。需要說明的是，為了便于闡述本發(fā)明的原理與功效以及閱讀理解，本實(shí)施例中將以兩個(gè)切割輥之間的單根鋼線對所述待切割晶體硅錠的切割過程進(jìn)行說明。請參閱圖3A 圖3F為本發(fā)明的多線切割設(shè)備的實(shí)施步驟狀態(tài)示意圖。請參閱圖3A，啟動所述多線切割系統(tǒng)，令其呈圖中切割輥23中旋轉(zhuǎn)箭頭所示的方向旋轉(zhuǎn)，帶動所述鋼線25高速運(yùn)行，圖中箭頭F (F表示Forward)表示鋼線25的走線方向；同時(shí)啟動所述切割液自動噴灑裝置26，令其噴灑切割液4至所述鋼線25和所述待切割晶體硅錠3的切削部位。在本實(shí)施例中，所述鋼線25的運(yùn)行速度為1000m/min。令所述切割輥23朝圖3A箭頭D (D表示Down)所示的方向下移，帶動所述鋼線25下降持續(xù)壓迫所述待切割晶體硅錠3進(jìn)行切割作業(yè)。具體地，所述鋼線25由所述待切割晶體硅錠3的頂部開始切割，隨著所述切割輥23逐漸下降，對所述待切割晶體硅錠3的切割深度逐漸增加，首次被帶入鋼線25上的切割液4的量也相對減少，此時(shí)需要補(bǔ)充新的切割液4。在計(jì)時(shí)到第一時(shí)間段時(shí)，令所述切割輥23朝圖3B箭頭U (U表示Up)所示的方向上移，帶動所述鋼線25上升離開所述待切割晶體硅錠3的切削部位一預(yù)設(shè)距離，應(yīng)知曉的，所述預(yù)設(shè)距離所產(chǎn)出的空間(即鋼線25和待切割晶體硅錠3的切削部位之間的間隙)能夠補(bǔ)充新的切割液4即可。由于所述切割液自動噴灑裝置26持續(xù)在噴灑切割液4，使得新的切割液4再次被鋼線25攜帶以及再次被噴灑至待切割晶體硅錠3的切削部位。在計(jì)時(shí)到第二時(shí)間段時(shí)，令所述切割輥23朝圖3C箭頭D (D表示Down)所示的方向下移，帶動所述鋼線25再次下降持續(xù)壓迫所述待切割晶體硅錠3，進(jìn)行再次切割作業(yè)，由于鋼線25再次攜帶新的切割液4，進(jìn)而保持了鋼線25與所述待切割晶體硅錠3首次接觸的切割效果。在后續(xù)的工序中，重復(fù)執(zhí)行上述切割輥23上升下降的過程，呈如圖3D與圖3E所示的實(shí)施步驟狀態(tài)，直至將所述待切割晶體硅錠3切割完畢，呈圖3F所示。誠如上述，本切割方法采用步進(jìn)切割技術(shù)，令切割線周期性地下降壓迫工件與上升離開工件的相結(jié)合的反復(fù)切割法，完全實(shí)現(xiàn)了切割線與工件或者切割線、工件以及切割液之間充分接觸，大大提升了切割的效率，節(jié)省了切割時(shí)間，同時(shí)保證了工件的切割品質(zhì)。
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實(shí)施例五請參閱圖4，顯示為本發(fā)明的多線切割設(shè)備利用容液槽的切割示意圖。如圖所示，采用鋼線切割時(shí)，所述多線切割設(shè)備2還可以包括一設(shè)置在所述切割臺22上的容液槽27，所述溶液槽27包括一具有多條溝槽的底板(未予以標(biāo)號)以及四個(gè)分別圍設(shè)在所述底板四周側(cè)緣固定的側(cè)板271，所述容液槽27用于盛裝切割液4及放置所述待切割晶體硅錠3，令所述待切割晶體硅錠3浸沒于所述切割液4中，在實(shí)際的切割作業(yè)中，可以省去上述方法中的用切割液自動噴灑裝置持續(xù)在噴灑切割液的過程，在鋼線25在高速走線的過程中，其壓迫所述待切割晶體硅錠3—段時(shí)間后，因二者之間為零間隙，其線體與待切割晶體硅錠3的切削部位接觸的一面之間的切割液4被消耗殆盡，但是，當(dāng)鋼線25脫離所述待切割晶體硅錠3的切削部位時(shí)，容液槽27中盛裝切割液4隨著鋼線25和切削部位的間隙增大，再次流入新的切割液4，進(jìn)而使得在下一次壓迫切割的過程中(鋼線25再次壓迫切削部位進(jìn)行切割的過程中)參與切割作業(yè)，同樣達(dá)到了鋼線25上的有效切割液4與切削部位充分接觸的目的，進(jìn)而提升了切割效率。實(shí)施例六如果所述切割線為金剛線，采用上述方法亦可達(dá)到同樣良好的效果，金剛線在高速走線的過程中，其壓迫所述待切割晶體硅錠一段時(shí)間后，其線體與待切割晶體硅錠的切削部位接觸的一面上的金剛砂顆粒會有磨損或消耗，但是，當(dāng)金剛線脫離所述待切割晶體硅錠的切削部位，其線體會有一定扭轉(zhuǎn)，使得沒有被磨損到的金剛砂顆粒在下一次壓迫切割的過程中參與切割作業(yè)，同樣達(dá)到了切割線的有效切割面與切削部位充分接觸的目的，進(jìn)而提升了切割效率。本發(fā)明的多線切割方法及設(shè)備，采用步進(jìn)切割技術(shù)，令切割線周期性地下降壓迫工件與上升離開工件的相結(jié)合的反復(fù)切割法，完全實(shí)現(xiàn)了切割線與工件或者切割線、工件以及切割液之間充分接觸，大大提升了切割的效率，節(jié)省了切割時(shí)間，同時(shí)保證了工件的切割品質(zhì)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明解決了切割液在切割過程中未被充分利用而造成的生產(chǎn)效率低下等問題，也解決了切割液在切割過程中被大量浪費(fèi)而造成的生產(chǎn)成本過高等問題。
權(quán)利要求
1.一種多線切割方法，應(yīng)用于切割晶體硅錠的多線切割設(shè)備中，所述多線切割設(shè)備至少具有機(jī)架，設(shè)置在機(jī)架上用于承載待切割晶體硅錠的切割臺以及運(yùn)行切割線的多線切割系統(tǒng)，所述多線切割系統(tǒng)包括分別設(shè)置于所述機(jī)架四周側(cè)的四組可同時(shí)升降的切割輥、多個(gè)導(dǎo)絲輪、以及多根切割線，所述多根切割線通過各該導(dǎo)絲輪的引導(dǎo)在所述四組切割輥之間上形成一張切割網(wǎng)，其特征在于，所述多線切割方法至少包括 1)預(yù)設(shè)第一時(shí)間段及第二時(shí)間段； 2)啟動所述多線切割系統(tǒng),高速運(yùn)行所述切割線； 3)令所述切割線下降持續(xù)壓迫所述待切割晶體硅錠進(jìn)行切割作業(yè)； 4)計(jì)時(shí)到第一時(shí)間段時(shí)，令所述切割線上升離開所述待切割晶體硅錠一預(yù)設(shè)距離； 5)計(jì)時(shí)到第二時(shí)間段時(shí)，令所述切割線再次下降持續(xù)壓迫所述待切割晶體硅錠進(jìn)行切割作業(yè)； 6)重復(fù)執(zhí)行所述步驟4)及步驟5)，直至將所述待切割晶體硅錠切割完畢。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多線切割方法，其特征在于所述切割線為鋼線或金剛線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多線切割方法，其特征在于所述多線切割系統(tǒng)還包括裝配在所述機(jī)架上用于噴灑切割液至所述鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位的切割液自動噴灑裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多線切割方法，其特征在于所述步驟2)還包括啟動所述切割液自動噴灑裝置的步驟，令其噴灑切割液至所述鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多線切割方法，其特征在于所述第一時(shí)間段大于第二時(shí)間段。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多線切割方法，其特征在于所述多線切割設(shè)備還包括一設(shè)置在所述切割臺上的容液槽，包括一具有多條溝槽的底板以及四個(gè)分別圍設(shè)在所述底板四周側(cè)緣固定的側(cè)板，所述容液槽用于盛裝切割液及放置所述待切割晶體硅錠，且所述待切割晶體硅錠浸沒于所述切割液中。
7.一種多線切割設(shè)備，用于切割晶體硅錠，其特征在于，至少包括 機(jī)架； 切割臺，設(shè)置在機(jī)架上用于承載待切割晶體硅錠； 多線切割系統(tǒng)，包括分別設(shè)置于所述機(jī)架四周側(cè)的四組可同時(shí)升降的切割輥、多個(gè)導(dǎo)絲輪、以及多根切割線，所述多根切割線通過各該導(dǎo)絲輪的引導(dǎo)在所述四組切割輥之間上形成一張切割網(wǎng)，所述四組切割輥可帶動所述切割網(wǎng)下降壓迫所述待切割晶體硅錠進(jìn)行切割作業(yè)，并在切割過程中計(jì)時(shí)到預(yù)設(shè)的第一時(shí)間段時(shí)，上升離開所述待切割晶體硅錠一預(yù)設(shè)距離；在計(jì)時(shí)到預(yù)設(shè)的第二時(shí)間段時(shí)，再次下降壓迫所述待切割晶體硅錠進(jìn)行切割作業(yè)，直至將所述待切割晶體硅錠切割完畢。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多線切割設(shè)備，其特征在于所述切割線為鋼線或金剛線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多線切割設(shè)備，其特征在于所述多線切割系統(tǒng)還包括裝配在所述機(jī)架上用于噴灑切割液至所述鋼線和所述待切割晶體硅錠的切削部位的切割液自動噴灑裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多線切割設(shè)備，其特征在于所述多線切割設(shè)備還包括一設(shè)置在所述切割臺上的容液槽，包括一具有多條溝槽的底板以及四個(gè)分別圍設(shè)在所述底板四 周側(cè)緣固定的側(cè)板，所述容液槽用于盛裝切割液及放置所述待切割晶體硅錠，且所述待切割晶體硅錠浸沒于所述切割液中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多線切割方法及設(shè)備，采用反復(fù)切割技術(shù)，令切割線周期性地下降壓迫工件與上升離開工件的相結(jié)合地反復(fù)切割，完全實(shí)現(xiàn)了切割線與工件或者切割線、工件以及切割液之間充分接觸，大大提升了切割的效率，節(jié)省了切割時(shí)間，同時(shí)保證了工件的切割品質(zhì)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明解決了切割液在切割過程中未被充分利用而造成的生產(chǎn)效率低下等問題，也解決了切割液在切割過程中被大量浪費(fèi)而造成的生產(chǎn)成本過高等問題。
文檔編號B28D5/04GK102785297SQ20121029800
公開日2012年11月21日 申請日期2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月20日
發(fā)明者盧建偉 申請人:上海日進(jìn)機(jī)床有限公司