線路板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種線路板及其制作方法。此方法是先在介電基板上形成介電層，其中介電層中含有多個(gè)活化顆粒。然后，對介電層的表面進(jìn)行表面處理，以活化位于介電層表面的活化顆粒。接著，在介電層的經(jīng)活化的表面上形成第一導(dǎo)電層。而后，在介電基板與介電層中形成導(dǎo)通孔。繼之，在第一導(dǎo)電層上形成圖案化掩模層，此圖案化掩模層暴露出導(dǎo)通孔與部分該第一導(dǎo)電層。隨后，在圖案化掩模層所暴露出的第一導(dǎo)電層與導(dǎo)通孔上形成第二導(dǎo)電層。之后，移除圖案化掩模層與位于圖案化掩模層下方的第一導(dǎo)電層。
【專利說明】線路板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種線路板及其制作方法，且特別是涉及一種通過介電層中的活性顆粒來增加改良式半加成制作工藝中銅層與介電層之間的附著力的線路板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著電子技術(shù)的日新月異，高科技電子產(chǎn)業(yè)的相繼問世，使得更人性化、功能更佳的電子產(chǎn)品不斷地推陳出新，并朝向輕、薄、短、小的趨勢設(shè)計(jì)。在這些電子產(chǎn)品內(nèi)通常會配置具有導(dǎo)電線路的線路板。
[0003]為了提高線路板中的布線密度，可利用減成制作工藝(substrative process)來將線路板中的線路層制作為具有40 μ m以上的線寬。然而，對于40 μ m以下的線寬來說，利用減成制作工藝來制作線路層將導(dǎo)致產(chǎn)品良率降低。因此，目前皆以半加成制作工藝(sem1-additive process, SAP)或改良式半加成制作工藝(modified sem1-additiveprocess, MSAP)來制作線寬為40 μ m以下的線路層。
[0004]然而，對于改良式半加成制作工藝所使用的銅箔基板，其銅層使用厚度3μπι的超薄銅皮與介電基板壓合，由于厚度甚薄且通常具有低粗糙度(中心線平均粗糙度(Ra)與十點(diǎn)平均粗糙度(Rz))，使得線路層與介電層之間的附著力不好。因此，若要將銅皮厚度繼續(xù)縮減，則會在制造過程中導(dǎo)致銅層容易自介電基板剝離，因而降低了線路板的可靠度。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種線路板的制作方法，其通過介電層中的活性顆粒來增加線路層與介電層之間的附著力。
[0006]本發(fā)明另一目的在于提供一種線路板，其線路層與介電層之間通過介電層中的活性顆粒來增加附著力。
[0007]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種線路板的制作方法，此方法是先于介電基板上形成介電層，其中介電層中含有多個(gè)活化顆粒。然后，對介電層的表面進(jìn)行表面處理，以暴露出部分活化顆粒。接著，于介電層的表面上形成第一導(dǎo)電層。而后，于介電基板與介電層中形成導(dǎo)通孔。繼之，于第一導(dǎo)電層上形成圖案化掩模層，此圖案化掩模層暴露出導(dǎo)通孔與部分該第一導(dǎo)電層。隨后，于圖案化掩模層所暴露出的第一導(dǎo)電層與導(dǎo)通孔上形成第二導(dǎo)電層。之后，移除圖案化掩模層與位于圖案化掩模層下方的第一導(dǎo)電層。
[0008]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的活化顆粒的材料例如為金屬配位化合物。
[0009]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的表面處理例如為等離子體表面處理或化學(xué)溶液清洗處理。
[0010]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的第一導(dǎo)電層的形成方法例如為壓合法、涂布法或噴涂法。
[0011]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的第一導(dǎo)電層的厚度例如小于第二導(dǎo)電層的厚度。
[0012]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的第一導(dǎo)電層的面向介電層的表面的粗糙度例如小于或等于3 μ m。
[0013]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板的制作方法，上述的第一導(dǎo)電層的面向介電層的表面的中心線平均粗糙度與十點(diǎn)平均粗糙度例如小于或等于3 μ m。
[0014]本發(fā)明另提出一種線路板，其包括介電基板、介電層、導(dǎo)通孔以及線路層。介電層配置于介電基板上。介電層中含有多個(gè)活化顆粒，且介電層的表面暴露出部分活化顆粒。導(dǎo)通孔配置于介電基板與介電層中。線路層配置于介電層的表面上，且與導(dǎo)通孔連接。
[0015]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板，上述的活化顆粒的材料例如為金屬配位化合物。
[0016]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板，上述的線路層包括第一導(dǎo)電層與位于第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層配置于介電層的表面上，且第一導(dǎo)電層的厚度例如小于第二導(dǎo)電層的厚度。
[0017]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板，上述的第一導(dǎo)電層的面向介電層的表面的粗糙度例如小于或等于3 μ m。
[0018]依照本發(fā)明實(shí)施例所述的線路板，上述的第一導(dǎo)電層的面向介電層的表面的中心線平均粗糙度與十點(diǎn)平均粗糙度例如小于或等于3 μ m。
[0019]基于上述，在本發(fā)明中，第一導(dǎo)電層通過介電層中的活化顆粒而有效地附著于介電層上，因此第一導(dǎo)電層可以具有較薄的厚度與粗糙度且不會自介電層剝離。如此一來，本發(fā)明中的線路層的線寬也可進(jìn)一步地降低，以符合高布線密度的需求。
[0020]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]圖1A至圖1E為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的線路板的制作流程剖視圖。
[0022]主要元件符號說明
[0023]10:線路板
[0024]100:介電基板
[0025]102:介電層
[0026]102a:活化顆粒
[0027]104:表面處理
[0028]106:第一導(dǎo)電層
[0029]108:導(dǎo)通孔
[0030]108a:開孔
[0031]110:圖案化掩模層
[0032]112:第二導(dǎo)電層
[0033]114:線路層
【具體實(shí)施方式】[0034]圖1A至圖1E為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的線路板的制作流程剖視圖。首先，請參照圖1A，在介電基板100上形成介電層102。介電基板100的材料例如是選自于環(huán)氧樹脂、改質(zhì)的環(huán)氧樹脂、聚脂(？01768丨61')、丙烯酸酯、氟素聚合物(；^1101'0-?017111610、聚亞苯基氧化物(polyphenylene oxide)、聚酰亞胺(polyimide)、酹醒樹脂(phenolicresin)、聚砜(polysulfone)、娃素聚合物(silicone polymer)、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹脂(bismaleimide triazinemodified epoxy,即所謂的BT樹脂)、氰酸聚酯(cyanate ester)、聚乙烯(polyethylene)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate, PC)、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, ABS copolymer)、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(polyethylene terephthalate, PET)、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂(polybutyleneterephthalate,PBT)、液晶高分子(liquid crystal polymers,LCP)、聚酸胺 6 (polyamide6，PA 6)、尼龍(Nylon)、共聚聚甲醒(polyoxymethylene, Ρ0Μ)、聚苯硫醚(polyphenylenesulde, PPS)、環(huán)狀烯烴共聚高分子(cyclic olefin copolymer, C0C)或這些材料的任意組合。介電層102的材料例如是選自于環(huán)氧樹脂、改質(zhì)的環(huán)氧樹脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亞苯基氧化物、聚酰亞胺、酚醛樹脂、聚砜、硅素聚合物、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹月旨、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯樹脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龍、共聚聚甲醛、聚苯硫醚、環(huán)狀烯烴共聚高分子或這些材料的任意組合。。此外，介電層102中含有活化顆粒102a?；罨w粒102a均勻地分散于介電層102中?；罨w粒102a的材料例如為金屬配位化合物。對于后續(xù)形成于介電層102上的金屬材料，活化顆粒102a可提高介電層102與金屬材料之間的附著力。詳細(xì)而言，活化顆粒102a可以是金屬氧化物、金屬氮化物、金屬錯(cuò)合物、金屬螯合物或這些化合物的任意組合。舉例來說，活化顆粒102a例如是氮化鋁、氧化銅、氮化鈦、鈷鑰雙金屬氮化物(Co2Mo3Nx)顆?；騃E金屬顆粒。
[0035]然后，請參照圖1B，對介電層102的表面進(jìn)行表面處理104，以暴露出部分活化顆粒102a。表面處理104例如為等離子體表面處理或化學(xué)溶液清洗處理。詳細(xì)地說，表面處理104可對介電層102的表面進(jìn)行輕微地蝕刻，以將鄰近介電層102的表面的活化顆粒102a
`暴露出來。`
[0036]接著，請參照圖1C,在介電層102的表面上形成第一導(dǎo)電層106。第一導(dǎo)電層106的材料例如為銅、銀或鋁。第一導(dǎo)電層106的形成方法例如為壓合法、涂布法或噴涂法。由于介電層102的表面暴露出活化顆粒102a，因此使得第一導(dǎo)電層106可以有效地附著于介電層102上。特別一提的是，由于第一導(dǎo)電層106通過活化顆粒102a而可以有效地附著于介電層102上，因此第一導(dǎo)電層106可以具有較薄的厚度與較低的粗糙度，以利于細(xì)線路的制作。第一導(dǎo)電層106的厚度例如介于2 μ m至5 μ m之間。此外，第一導(dǎo)電層106的面向介電層102的表面的粗糙度例如小于或等于3 μ m。例如，第一導(dǎo)電層106的面向介電層102的表面的中心線平均粗糙度(Ra)與十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)例如皆小于或等于3μπι。關(guān)于上述粗糙度的定義與量測方法可參考日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS B 0601的內(nèi)容。
[0037]請繼續(xù)參照圖1C，于介電基板100與介電層102中形成導(dǎo)通孔108。導(dǎo)通孔108的形成方法例如是先進(jìn)行激光鉆孔制作工藝，于第一導(dǎo)電層106、介電層102與介電基板100中形成開孔108a。然后，以電鍍或其他方式于開孔108a中填入導(dǎo)電材料。
[0038]而后，請參照圖1D,在第一導(dǎo)電層106上形成圖案化掩模層110。圖案化掩模層110的材料例如為光致抗蝕劑。圖案化掩模層110暴露出導(dǎo)通孔108與部分第一導(dǎo)電層106，亦即暴露出預(yù)定布線的區(qū)域。接著，于圖案化掩模層110所暴露出的第一導(dǎo)電層106與導(dǎo)通孔108上形成第二導(dǎo)電層112。第二導(dǎo)電層112的材料例如為銅、銀或鋁。第二導(dǎo)電層112的形成方法例如為電鍍法。第二導(dǎo)電層112的厚度例如大于第一導(dǎo)電層106的厚度。
[0039]之后，請參照圖1E，移除圖案化掩模層110。然后，移除圖案化掩模層110下方的第一導(dǎo)電層106，以完成線路板10的制作。在本實(shí)施例中，例如是以蝕刻的方式來移除第一導(dǎo)電層106。在移除圖案化掩模層110下方的第一導(dǎo)電層106之后，第二導(dǎo)電層112以及位于其下方的第一導(dǎo)電層106構(gòu)成與導(dǎo)通孔108連接的線路層114。
[0040]上述圖1D至圖1E的步驟一般稱為改良式半加成制作工藝(modifiedsem1-additive process, MSAP)。以MSAP所形成的線路層114可具有40 μ m以下的線寬，因此可符合高布線密度的需求。此外，在本實(shí)施例中，由于第一導(dǎo)電層106通過介電層102中的活化顆粒102a而有效地附著于介電層102上，因此第一導(dǎo)電層106可以具有較薄的厚度與粗糙度而不會產(chǎn)生第一導(dǎo)電層106自介電層102剝離的問題，且因此線路層114的線寬可進(jìn)一步地降低至15μπι至25μπι的范圍中。在一實(shí)施例中，經(jīng)拉力測試，第一導(dǎo)電層106與介電層102之間的附著力可達(dá)到lkgf/cm2以上。換句話說，本實(shí)施例的線路板10的可靠度不會因線路層114具有較小的線寬而降低。
[0041]雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種線路板的制作方法，包括: 提供一介電基板； 在該介電基板上形成一介電層，其中該介電層中含有多個(gè)活化顆粒； 對該介電層的表面進(jìn)行一表面處理，以活化位于該介電層表面的該些活化顆粒； 在該介電層的經(jīng)活化的表面上形成一第一導(dǎo)電層； 在該介電基板與該介電層中形成一導(dǎo)通孔； 在該第一導(dǎo)電層上形成一圖案化掩模層，該圖案化掩模層暴露出該導(dǎo)通孔與部分該第一導(dǎo)電層; 在該圖案化掩模層所暴露出的該第一導(dǎo)電層與該導(dǎo)通孔上形成一第二導(dǎo)電層；以及 移除該圖案化掩模層與位于該圖案化掩模層下方的該第一導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作方法，其中該些活化顆粒的材料包括金屬配位化合物。
3.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作方法，其中該表面處理包括等離子體表面處理或化學(xué)溶液清洗處理。
4.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作方法，其中該第一導(dǎo)電層的形成方法包括壓合法、涂布法或噴涂法。
5.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作方法，其中該第一導(dǎo)電層的厚度小于該第二導(dǎo)電層的厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作方法，其中該第一導(dǎo)電層的面向該介電層的該表面的粗糙度小于或等于3 μ m。
7.如權(quán)利要求5所述的線路板的制作方法,其中該第一導(dǎo)電層的面向該介電層的該表面的中心線平均粗糙度與十點(diǎn)平均粗糙度小于或等于3 μ m。
8.—種線路板,包括: 介電基板； 介電層，配置于該介電基板上，該介電層中含有多個(gè)活化顆粒，且該介電層的一表面暴露出部分該些活化顆粒； 導(dǎo)通孔，配置于該介電基板與該介電層中；以及 線路層，配置于該介電層的該表面上，且與該導(dǎo)通孔連接。
9.如權(quán)利要求8所述的線路板，其中該些活化顆粒的材料包括金屬配位化合物。
10.如權(quán)利要求8所述的線路板，其中該線路層包括第一導(dǎo)電層與位于該第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層配置于該介電層的該表面上，且該第一導(dǎo)電層的厚度小于該第二導(dǎo)電層的厚度。
11.如權(quán)利要求10所述的線路板，其中該第一導(dǎo)電層的面向該介電層的該表面的粗糙度小于或等于3 μ m。
12.如權(quán)利要求11所述的線路板，其中該第一導(dǎo)電層的面向該介電層的該表面的中心線平均粗糙度與十點(diǎn)平均粗糙度小于或等于3 μ m。
【文檔編號】H05K3/38GK103517568SQ201210208348
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月19日
【發(fā)明者】余丞博, 黃尚峰, 李長明, 白蓉生 申請人:欣興電子股份有限公司