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一種移動(dòng)終端及其強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路的制作方法

文檔序號(hào):9767907閱讀:1104來源:國知局
一種移動(dòng)終端及其強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種移動(dòng)終端及其強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前對(duì)于手機(jī)來說,當(dāng)手機(jī)出現(xiàn)死機(jī)時(shí),不管用戶按下什么按鍵,手機(jī)都沒有反應(yīng);碰到這種情況,用戶往往會(huì)選擇拔出電池。但是,采用內(nèi)置電池的手機(jī)已成為行業(yè)趨勢(shì),以往拔出電池的處理方式,已無法適用于此類內(nèi)置電池的手機(jī)。
[0003]對(duì)于內(nèi)置電池的手機(jī)而言,為了實(shí)現(xiàn)強(qiáng)制掉電關(guān)機(jī),一種可行的方式是:增加一個(gè)硬件reset電路,來進(jìn)行硬件reset。在常規(guī)的設(shè)計(jì)中,通常會(huì)在電源口增加reset模塊,以重啟系統(tǒng)電源。但是,由于引入了一個(gè)“大體積”的reset電路,直接影響了手機(jī)的體積。另外一種思路就是,主動(dòng)去控制整個(gè)手機(jī)系統(tǒng)的reset腳,或者電源管理單元PMU,或者中央處理器CPU??紤]到手機(jī)系統(tǒng)空間的局限性,優(yōu)選通過組合按鍵,來控制實(shí)現(xiàn)掉電功能的模塊。但是在使用組合按鍵的時(shí)候,需要避免與獨(dú)立按鍵功能發(fā)生混淆。在使用兩個(gè)或者三個(gè)按鍵進(jìn)行組合時(shí),為了隔離信號(hào),往往需要增加2或3個(gè)隔離器件以組成一個(gè)“與邏輯門”電路,最簡單常用的是使用二極管來實(shí)現(xiàn)。
[0004]如上所述的現(xiàn)有技術(shù)中,無論采用哪種強(qiáng)制手機(jī)掉電的實(shí)現(xiàn)方式,都造成手機(jī)內(nèi)部電路的復(fù)雜化,進(jìn)而浪費(fèi)了手機(jī)寶貴的走線空間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種移動(dòng)終端及其強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路,不僅實(shí)現(xiàn)了移動(dòng)終端的強(qiáng)制掉電關(guān)機(jī),而且節(jié)約了移動(dòng)終端內(nèi)部的走線空間,從而節(jié)約了生產(chǎn)成本、降低了制造復(fù)雜度。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路,應(yīng)用于移動(dòng)終端,所述強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路包含:第一電壓輸入端、第二電壓輸入端、第一機(jī)械開關(guān)、第二機(jī)械開關(guān)以及P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管;所述第一機(jī)械開關(guān)連接于所述第一電壓輸入端與所述移動(dòng)終端的接地端之間,所述第二機(jī)械開關(guān)連接于所述第二電壓輸入端與所述移動(dòng)終端的接地端之間;所述第一電壓輸入端連接于所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極,所述第二電壓輸入端連接于所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極;所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極用于連接至所述移動(dòng)終端的電源管理芯片;其中,當(dāng)所述第一機(jī)械開關(guān)和所述第二機(jī)械開關(guān)均由打開狀態(tài)變?yōu)殚]合狀態(tài)時(shí),所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管由截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài),所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極輸出的控制電壓由高電平變?yōu)榈碗娖?,所述電源管理芯片接收到低電平的控制電壓后控制所述移?dòng)終端進(jìn)入強(qiáng)制關(guān)機(jī)狀態(tài)。
[0007]本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種移動(dòng)終端,包含:殼體、電路板、電源管理芯片以及所述強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路;所述電路板設(shè)置于所述殼體內(nèi);所述強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路設(shè)置于所述電路板上,所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極連接于所述電源管理芯片;所述第一機(jī)械開關(guān)與所述第二機(jī)械開關(guān)分別設(shè)置于所述殼體。
[0008]本發(fā)明實(shí)施方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言,利用P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性并結(jié)合第一機(jī)械開關(guān)與第二機(jī)械開關(guān)組合按壓的方式,產(chǎn)生低電壓的控制電壓;所述電源管理芯片接收到低電平的控制電壓后控制所述移動(dòng)終端進(jìn)入強(qiáng)制關(guān)機(jī)狀態(tài)。即,本實(shí)施方式以簡單的電路實(shí)現(xiàn)了移動(dòng)終端的強(qiáng)制掉電關(guān)機(jī),節(jié)約了移動(dòng)終端內(nèi)部的走線空間,從而節(jié)約了生產(chǎn)成本、降低了制造復(fù)雜度。
[0009]優(yōu)選的,所述第一機(jī)械開關(guān)為所述移動(dòng)終端的開機(jī)鍵,所述第一電壓輸入端為所述開機(jī)鍵的開機(jī)觸發(fā)端。即,利用移動(dòng)終端本身的開機(jī)鍵作為第一機(jī)械開關(guān),從而無需增加額外的元器件。
[0010]優(yōu)選的,所述第二機(jī)械開關(guān)為音量調(diào)節(jié)鍵,所述第二電壓輸入端為所述音量調(diào)節(jié)鍵的調(diào)節(jié)觸發(fā)端。即,利用移動(dòng)終端本身的音量調(diào)節(jié)鍵作為第二機(jī)械開關(guān),從而無需增加額外的元器件。
[0011]優(yōu)選的,所述強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路還包含上拉電阻,所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極通過所述上拉電阻連接至所述電源管理芯片。即,移動(dòng)終端正常工作時(shí),利用上拉電阻將所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極輸出的高電平的控制電壓進(jìn)一步拉高,從而使得該強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路能夠適用于基于多種平臺(tái)的移動(dòng)終端(基于不同平臺(tái)的移動(dòng)終端的電源管理芯片對(duì)接收的控制電壓的要求不同)。
【附圖說明】
[0012]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路的第一種實(shí)現(xiàn)方式的電路連接圖;
[0013]圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路的第二種實(shí)現(xiàn)方式的電路連接圖;
[0014]圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的移動(dòng)終端的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解,在本發(fā)明各實(shí)施方式中,為了使讀者更好地理解本申請(qǐng)而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是,即使沒有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實(shí)施方式的種種變化和修改,也可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。
[0016]本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及一種強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路,應(yīng)用于基于MTK或展訊平臺(tái)的移動(dòng)終端。如圖1所示為本實(shí)施方式中的強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路的第一種實(shí)現(xiàn)方式的電路連接圖,強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路I包含第一電壓輸入端NOTEl、第二電壓輸入端N0TE2、第一機(jī)械開關(guān)Kl、第二機(jī)械開關(guān)K2以及P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PM0S管)Q1。
[0017]其中,第一機(jī)械開關(guān)Kl連接于第一電壓輸入端NOTEl與移動(dòng)終端的接地端GND之間;第二機(jī)械開關(guān)K2連接于第二電壓輸入端N0TE2與移動(dòng)終端的接地端GND之間;第一電壓輸入端NOTEl連接于PMOS管Ql的柵極,第二電壓輸入端N0TE2連接于PMOS管Ql的漏極;PMOS管Ql的源極用于連接至移動(dòng)終端的電源管理芯片PMU。即,第一電壓輸入端NOTEl與第二電壓輸入端N0TE2輸出的電壓分別作為PMOS管Ql的柵極電壓與漏極電壓;PMOS管Ql的源極電壓輸出至移動(dòng)終端的電源管理芯片PMU。其中,PMOS管Ql的源極實(shí)質(zhì)上用于連接至電源管理芯片PMU的后備電池供電接腳VRTC,8卩,源極電壓作為電源管理芯片PMU的后備電池供電接腳VRTC的控制電壓。
[0018]本實(shí)施方式中的強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路I應(yīng)用于移動(dòng)終端,因此,第一電壓輸入端NOTEl與第二電壓輸入端N0TE2實(shí)質(zhì)上分別為移動(dòng)終端內(nèi)部的兩個(gè)工作電壓;第一機(jī)械開關(guān)Kl與第二機(jī)械開關(guān)K2分別為設(shè)置于所述移動(dòng)終端上的兩個(gè)機(jī)械開關(guān)。較佳的,本實(shí)施例中,第一機(jī)械開關(guān)Kl與第二機(jī)械開關(guān)K2分別為移動(dòng)終端上的開機(jī)鍵與音量調(diào)節(jié)鍵(“音量+”或“音量均可),對(duì)應(yīng)的,第一電壓輸入端NOTEl與第二電壓輸入端N0TE2分別為開機(jī)鍵的開機(jī)觸發(fā)端與音量調(diào)節(jié)鍵的調(diào)節(jié)觸發(fā)端。為了能夠在不改變移動(dòng)終端既有結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上利用本發(fā)明的強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路來實(shí)現(xiàn)強(qiáng)制關(guān)機(jī),優(yōu)先選取移動(dòng)終端上的既有按鍵作為該強(qiáng)制關(guān)機(jī)電路的第一機(jī)械開關(guān)Kl與第二機(jī)械開關(guān)K2;然而,本實(shí)施方式對(duì)此不作任何限制。
[0019]其中,對(duì)于本實(shí)施方式中的基于MTK及展訊平臺(tái)的移動(dòng)終端而言,當(dāng)開機(jī)鍵(第一機(jī)械開關(guān)Kl)處于打開狀態(tài)時(shí),開機(jī)觸發(fā)端(第一電壓輸入端N0TE1)的電壓保持高電平,開機(jī)觸發(fā)端的電壓范圍是3.4?4.2V;當(dāng)音量調(diào)節(jié)鍵(第二機(jī)械開關(guān)K2)處于打開狀態(tài)時(shí),調(diào)節(jié)觸發(fā)端(第二電壓輸入端N0TE2)的電壓亦保持高電平,調(diào)節(jié)觸發(fā)端的電壓一般維持在1.8V。并且,移動(dòng)終端正常工作時(shí),電源管理芯片PMU的后備電池供電接腳VRTC的電壓需要維持在高電平,后備電池供電接腳VRTC的電壓一般維持在2.8V。需要說明的是,對(duì)于
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