多層PCB漲縮測量補償方法與流程

本發(fā)明涉及PCB板制造技術(shù)，特別涉及一種多層PCB漲縮測量補償方法。

背景技術(shù)：

在多層PCB板制作加工過程中，多個制作工序?qū)ψ罱K多層PCB成品的對準(zhǔn)度有影響，其中內(nèi)層芯板的漲縮控制對多層板的對準(zhǔn)度影響最大，并且最難控制，特別是層壓結(jié)構(gòu)中有多種厚度的內(nèi)層芯板時；因為影響內(nèi)層芯板漲縮的因素多，包括基板厚度、材料供應(yīng)廠家、內(nèi)層圖形設(shè)計、內(nèi)層銅厚等；通常為了控制多層板的對準(zhǔn)度，內(nèi)層制作時行業(yè)內(nèi)會在內(nèi)層線路制作的菲林上進行預(yù)補償，這個預(yù)補償系數(shù)通常是根據(jù)以往制作的經(jīng)驗給出，由于影響內(nèi)層芯板漲縮的因素較多，這些經(jīng)驗補償系數(shù)往往會有較大的偏差，特別是層數(shù)高或多種芯板厚度的高多層板，最終導(dǎo)致高多層板的各內(nèi)層芯板重影嚴(yán)重而報廢。

因此，有必要提供一種新的多層PCB漲縮測量補償方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種降低PCB板的漲縮偏差，提高其制造精度的多層PCB漲縮測量補償方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種多層PCB漲縮測量補償方法，包括如下步驟：

提供若干內(nèi)層芯板和外層子板，在所述內(nèi)層芯板的至少兩個角中設(shè)置對位靶標(biāo)；

確定所述內(nèi)層芯板上各個對位靶標(biāo)的坐標(biāo)，根據(jù)所述坐標(biāo)確定各個所述對位靶標(biāo)的參數(shù)，其中，各個所述對位靶標(biāo)的參數(shù)包括內(nèi)層芯板上一所述對位靶標(biāo)與該內(nèi)層芯板其它所述對位靶標(biāo)之間的距離；

將所述內(nèi)層芯板和所述外層子板壓合形成多層PCB，測量所述內(nèi)層芯板的各個對位靶標(biāo)的實際位置，并與參數(shù)位置進行比對，換算出各個所述內(nèi)層芯板的漲縮值；

根據(jù)各個所述內(nèi)層芯板的漲縮值，將所述參數(shù)嵌入到所述多層PCB生產(chǎn)線的工單的項目中，對各個所述內(nèi)層芯板的預(yù)補償進行調(diào)整優(yōu)化。

優(yōu)選的，所述內(nèi)層芯板為矩形，其四個角均具有所述對位靶標(biāo)，且位于同一邊的所述對位靶標(biāo)與該邊平行。

優(yōu)選的，設(shè)定所述內(nèi)層芯板的長度方向為X向，寬度方向為Y向，四個所述對位靶標(biāo)的X向的坐標(biāo)值、Y向的坐標(biāo)值不全相同。

優(yōu)選的，設(shè)置所述內(nèi)層芯板的中心點的坐標(biāo)為(X，Y)，且X＝0，Y＝0，獲取當(dāng)前所述對位靶標(biāo)的坐標(biāo)為(X_a，Y_b)，通過坐標(biāo)(X_a，Y_b)計算確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)的位置。

優(yōu)選的，當(dāng)X_a＞X，Y_b＞Y時，則確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)位于所述拼板圖的右上角；

當(dāng)X_a＞X，Y_b＜Y時，則確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)位于所述拼板圖的右下角；

當(dāng)X_a＜X，Y_b＞Y時，則確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)位于所述拼板圖的左上角；

當(dāng)X_a＜X，Y_b＜Y時，則確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)位于所述拼板圖的左下角。

優(yōu)選的，當(dāng)確定(X_a，Y_b)位于所述內(nèi)層芯板的右上角時，將該對位靶標(biāo)記為(X₁，Y₁)；

當(dāng)確定(X_a，Y_b)位于所述內(nèi)層芯板的右下角時，將該對位靶標(biāo)記為(X₂，Y₂)；

當(dāng)確定(X_a，Y_b)位于所述內(nèi)層芯板的左上角時，將該對位靶標(biāo)記為(X₃，Y₃)；

當(dāng)確定(X_a，Y_b)位于所述內(nèi)層芯板的左下角時，將該對位靶標(biāo)記為(X₄，Y₄)；

優(yōu)選的，所述參數(shù)包括：

左上角對位靶標(biāo)與右上角對位靶標(biāo)的距離，設(shè)定其為A；

左下角對位靶標(biāo)與右下角對位靶標(biāo)的距離，設(shè)定其為B；

左下角對位靶標(biāo)與左上角對位靶標(biāo)的距離，設(shè)定其為C；

右上角對位靶標(biāo)與右下角對位靶標(biāo)的距離，設(shè)定其為D；

則確定：

左上角對位靶標(biāo)與右上角對位靶標(biāo)的漲縮值為A-(X₁-X₃)；

左下角對位靶標(biāo)與右下角對位靶標(biāo)的漲縮值為B-(X₂-X₄)；

左下角對位靶標(biāo)與左上角對位靶標(biāo)的漲縮值為C-(Y₃-Y₄)；

右上角對位靶標(biāo)與右下角對位靶標(biāo)的漲縮值為D-(Y₁-Y₂)。

優(yōu)選的，采用X-RAY打靶機測量各所述內(nèi)層芯板的兩所述對位靶標(biāo)的靶心之間的距離。

優(yōu)選的，創(chuàng)建文本文件，其中包含所述參數(shù)；從所述文本文件中提取所述參數(shù)；將提取的所述參數(shù)嵌入到所述工單的對應(yīng)項目中；將補償后的同一工序的生產(chǎn)文件合并成一個新的文本文件進行存儲。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明在多層PCB內(nèi)層芯板的四個角各設(shè)計一組測量漲縮測試靶標(biāo)，所述測試靶標(biāo)能測出特定設(shè)計PCB的各內(nèi)層芯板完成壓合后的漲縮，并根據(jù)測量數(shù)據(jù)進行調(diào)整優(yōu)化內(nèi)層芯板的預(yù)補償系數(shù)，從而達到改善高多層板的層間對準(zhǔn)度，提高高多層板的制作良率。

【具體實施方式】

下面結(jié)合實施方式對本發(fā)明作進一步說明。

所述多層PCB漲縮測量補償方法，包括如下步驟：

提供若干內(nèi)層芯板和外層子板，在所述內(nèi)層芯板的至少兩個角中設(shè)置對位靶標(biāo)；

確定所述內(nèi)層芯板上各個對位靶標(biāo)的坐標(biāo)，根據(jù)所述坐標(biāo)確定各個所述對位靶標(biāo)的參數(shù)，其中，各個所述對位靶標(biāo)的參數(shù)包括內(nèi)層芯板上一所述對位靶標(biāo)與該內(nèi)層芯板其它所述對位靶標(biāo)之間的距離；

將所述內(nèi)層芯板和所述外層子板壓合形成多層PCB，測量所述內(nèi)層芯板的各個對位靶標(biāo)的實際位置，并與參數(shù)位置進行比對，換算出各個所述內(nèi)層芯板的漲縮值；在本實施例中，采用X-RAY打靶機測量各所述內(nèi)層芯板的兩所述對位靶標(biāo)的靶心之間的距離。

根據(jù)各個所述內(nèi)層芯板的漲縮值，將所述參數(shù)嵌入到所述多層PCB生產(chǎn)線的工單的項目中，對各個所述內(nèi)層芯板的預(yù)補償進行調(diào)整優(yōu)化，具體的，創(chuàng)建文本文件，其中包含所述參數(shù)；從所述文本文件中提取所述參數(shù)；將提取的所述參數(shù)嵌入到所述工單的對應(yīng)項目中；將補償后的同一工序的生產(chǎn)文件合并成一個新的文本文件進行存儲。

所述內(nèi)層芯板為矩形，其四個角均具有所述對位靶標(biāo)。

設(shè)定所述內(nèi)層芯板的長度方向為X向，寬度方向為Y向，四個所述對位靶標(biāo)的X向的坐標(biāo)值、Y向的坐標(biāo)值不全相同。

設(shè)置所述內(nèi)層芯板的中心點的坐標(biāo)為(X，Y)，且X＝0，Y＝0，獲取當(dāng)前所述對位靶標(biāo)的坐標(biāo)為(X_a，Y_b)，通過坐標(biāo)(X_a，Y_b)計算確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)的位置。

當(dāng)X_a＞X，Y_b＞Y時，則確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)位于所述拼板圖的右上角；

當(dāng)X_a＞X，Y_b＜Y時，則確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)位于所述拼板圖的右下角；

當(dāng)X_a＜X，Y_b＞Y時，則確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)位于所述拼板圖的左上角；

當(dāng)X_a＜X，Y_b＜Y時，則確定當(dāng)前所述對位靶標(biāo)位于所述拼板圖的左下角。

當(dāng)確定(X_a，Y_b)位于所述內(nèi)層芯板的右上角時，將該對位靶標(biāo)記為(X₁，Y₁)；

當(dāng)確定(X_a，Y_b)位于所述內(nèi)層芯板的右下角時，將該對位靶標(biāo)記為(X₂，Y₂)；

當(dāng)確定(X_a，Y_b)位于所述內(nèi)層芯板的左上角時，將該對位靶標(biāo)記為(X₃，Y₃)；

當(dāng)確定(X_a，Y_b)位于所述內(nèi)層芯板的左下角時，將該對位靶標(biāo)記為(X₄，Y₄)；

優(yōu)選的，所述參數(shù)包括：

左上角對位靶標(biāo)與右上角對位靶標(biāo)的距離，設(shè)定其為A；

左下角對位靶標(biāo)與右下角對位靶標(biāo)的距離，設(shè)定其為B；

左下角對位靶標(biāo)與左上角對位靶標(biāo)的距離，設(shè)定其為C；

右上角對位靶標(biāo)與右下角對位靶標(biāo)的距離，設(shè)定其為D；

則確定：

左上角對位靶標(biāo)與右上角對位靶標(biāo)的漲縮值為A-(X₁-X₃)；

左下角對位靶標(biāo)與右下角對位靶標(biāo)的漲縮值為B-(X₂-X₄)；

左下角對位靶標(biāo)與左上角對位靶標(biāo)的漲縮值為C-(Y₃-Y₄)；

右上角對位靶標(biāo)與右下角對位靶標(biāo)的漲縮值為D-(Y₁-Y₂)。

當(dāng)位于同一邊的所述對位靶標(biāo)與該邊平行時，X₁＝X₂，Y₁＝Y(jié)₃，X₃＝X₄，Y₂＝Y(jié)₄。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明在多層PCB內(nèi)層芯板的四個角各設(shè)計一組測量漲縮測試靶標(biāo)，所述測試靶標(biāo)能測出特定設(shè)計PCB的各內(nèi)層芯板完成壓合后的漲縮，并根據(jù)測量數(shù)據(jù)進行調(diào)整優(yōu)化內(nèi)層芯板的預(yù)補償系數(shù)，從而達到改善高多層板的層間對準(zhǔn)度，提高高多層板的制作良率。

以上所述的僅是本發(fā)明的實施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進，但這些均屬于本發(fā)明的保護范圍。