振動元件、振子、電子裝置、電子設(shè)備、移動體及振動元件的制造方法

專利名稱：振動元件、振子、電子裝置、電子設(shè)備、移動體及振動元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激勵厚度切變振動模式的振子，特別涉及具有所謂的倒臺面型結(jié)構(gòu)的振動元件、振子、電子裝置、使用了振子的電子設(shè)備、使用了振子的移動體、及振動元件的制造方法。
背景技術(shù)：
由于作為振子的一個示例的AT切割水晶振子激勵的主振動的振動模式為厚度切變振動，而適用于小型化、高頻化，且頻率溫度特性呈優(yōu)異的三次曲線，因此在壓電振蕩器、電子設(shè)備等多方面被使用。近些年來，期待AT切割水晶振子的更進一步的高頻化，隨之而產(chǎn)生了使在AT切割 水晶振子中所使用的振動片的振動部進一步變薄的需要。然而，由于振動部變薄，該振動部的強度減弱，從而有可能產(chǎn)生耐沖擊特性等的劣化。為了應(yīng)對該問題，公開了一種例如專利文獻I所示這種的所謂的倒臺面型結(jié)構(gòu)的AT切割水晶振子，其通過在水晶基板的兩個主面即表背面上以對置的方式形成凹陷部(振動部)，從而實現(xiàn)了高頻化。詳細而言，具有下述結(jié)構(gòu)，即，在振動部的X軸方向上設(shè)置第三厚壁部，并以隔著振動部的方式而設(shè)置有沿著Z軸方向上的外邊而從第三厚壁部的兩端部延伸出的第一厚壁部、和第二厚壁部。水晶基板使用X長基板，并在確保了被形成在凹陷部內(nèi)的振動部的平坦性的區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有激勵電極。然而，在形成如上文所述的倒臺面型結(jié)構(gòu)的AT切割水晶振子時，一般使用蝕刻加工，但在被設(shè)置在Z軸方向上的第一厚壁部和第二厚壁部、與振動部的邊界上，會產(chǎn)生蝕刻殘渣(也稱作“飛邊”)。明確了存在下述問題，即，因產(chǎn)生該蝕刻殘渣，振動部的有效面積減少，從而主振動的Cl值、接近的寄生響應(yīng)Cl值比(=CIs/CIm,在此，CIm為主振動的Cl值，CIs為寄生響應(yīng)的Cl值,標(biāo)準(zhǔn)的一個示例為I. 8以上)等不滿足要求。專利文獻I:日本特開2003-264446號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決所述課題中的至少一部分問題而完成的，其能夠作為以下的方式或應(yīng)用例而實現(xiàn)。應(yīng)用例I本應(yīng)用例的振動元件的特征在于，具備基板，所述基板包括振動部；第一厚壁部，其沿著所述振動部的第一外邊緣而與所述振動部一體地設(shè)置，且厚度厚于所述振動部；第二厚壁部，其沿著與所述第一外邊緣對置的、所述振動部的第二外邊緣而與所述振動部一體地設(shè)置，且厚度厚于所述振動部，所述第一厚壁部從所述振動部的一側(cè)主面突出地設(shè)置，所述第二厚壁部從所述振動部的與一側(cè)主面相對的背側(cè)主面突出地設(shè)置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)的振動元件，第一厚壁部從振動部的一側(cè)主面突出地設(shè)置，而且，第二厚壁部從振動部的背側(cè)的主面突出地設(shè)置。因此，能夠選擇未產(chǎn)生蝕刻殘渣的一側(cè)的主面，來設(shè)置第一厚壁部和第二厚壁部，從而能夠增大振動部的有效面積。由此，具有下述效果，即主振動的Cl值、接近的寄生響應(yīng)Cl值比(=CIs/CIm,在此，CIm為主振動的Cl值，CIs為寄生響應(yīng)的Cl值，標(biāo)準(zhǔn)的一個示例為1.8以上)等提高。而且，由于設(shè)置了第一厚壁部和第二厚壁部，因此具有下述效果，即，可獲得對振動部的支承較為牢固，從而耐振動、耐沖擊等較強的振動元件。應(yīng)用例2在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，沿著對所述第一邊緣以及所述第二邊緣各自的一端部之間進行連結(jié)的、所述振動部的第三外邊緣，而與所述振動部一體地設(shè)置有厚度厚于所述振動部的第三厚壁部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于沿著振動部的三個外邊緣而設(shè)置第一厚壁部、第二厚壁部和第三厚壁部，因此具有下述效果，即，可獲得對振動部的支承更為牢固，從而耐振動、耐沖擊等·更強的振動元件。應(yīng)用例3在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，沿著對所述第一外邊緣以及所述第二外邊緣各自的另一端部之間進行連結(jié)的、所述振動部的第四外邊緣，而與所述振動部一體地設(shè)置有厚度厚于所述振動部的第四厚壁部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于沿著振動部的四個外邊緣，換而言之，以包圍振動部的方式而設(shè)置第一厚壁部、第二厚壁部、第三厚壁部、第四厚壁部，因此具有下述效果，即能夠獲得對振動部的支承更為牢固，從而耐振動、耐沖擊等更強的振動元件。應(yīng)用例4在上述應(yīng)用例的任一示例的振動元件中，其特征在于，所述基板為旋轉(zhuǎn)Y切割水
晶基板。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過使用以上述的切斷角度而切出的水晶基板來構(gòu)成振動元件，從而具有下述效果，即，能夠用更適合的切割角度來構(gòu)成要求規(guī)格的振動元件，且可獲得具有符合規(guī)格的頻率溫度特性，且Cl值較小從而Cl值比較大的高頻振動元件。應(yīng)用例5在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，所述第三厚壁部在俯視觀察時，以所述振動部為基準(zhǔn)而位于+ X軸側(cè)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，具有下述優(yōu)點，S卩，能夠構(gòu)成X軸方向上的尺寸大于Z’軸方向上的尺寸的、所謂的X長的振動兀件。應(yīng)用例6在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，所述第四厚壁部在俯視觀察時，以所述振動部為基準(zhǔn)而位于一 X軸側(cè)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，具有下述優(yōu)點，即，能夠構(gòu)成X軸方向上的尺寸大于Z’軸方向上的尺寸的、所謂的X長的振動兀件。應(yīng)用例7在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，所述第三厚壁部包括傾斜部，其厚度隨著從與所述振動部連接設(shè)置的一側(cè)端緣朝向另一側(cè)端緣離開而增加；厚壁部主體，其與該傾斜部的所述另一側(cè)端緣連接設(shè)置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，具有下述效果，S卩，能夠?qū)⒄駝游灰品忾]在振動部內(nèi)，且振動部的保持變得容易。應(yīng)用例8在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，在所述第三厚壁部上設(shè)置有至少一個狹縫。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于通過在第三厚壁部上形成至少一個狹縫，能夠抑制因粘合和固定引起的應(yīng)力的擴散，因此具有下述效果，即，可獲得頻率溫度特性、Cl溫度特性和頻率老化特性優(yōu)異的振動元件。應(yīng)用例9·在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，所述狹縫沿著所述傾斜部和所述厚壁部主體的邊界部，而被設(shè)置在所述厚壁部主體內(nèi)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于將狹縫設(shè)置在沿著傾斜部和厚壁部主體的邊界部的厚壁部主體內(nèi)，因此能夠抑制在粘合并固定壓電振動元件時產(chǎn)生的應(yīng)力的擴散。因此，具有可獲得頻率溫度特性、Cl溫度特性和頻率老化特性優(yōu)異的壓電振動元件的效果。應(yīng)用例10在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，所述狹縫從所述振動部的所述第三外邊緣離開而被配置在所述傾斜部內(nèi)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于狹縫從振動部的第三外邊緣離開而被配置在傾斜部內(nèi)，因此狹縫的形成較為容易，由于能夠抑制在粘合并固定振動元件時產(chǎn)生的應(yīng)力的擴散，因此具有可獲得頻率溫度特性和Cl溫度特性優(yōu)異的振動元件的效果。應(yīng)用例11在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，所述狹縫具備第一狹縫，其被配置在所述厚壁部主體內(nèi)；第二狹縫，其從所述振動部的所述第三外邊緣離開而被配置在所述傾斜部內(nèi)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在振動部和厚壁部主體之間設(shè)置有兩個狹縫，因此具有下述效果，即，能夠進一步良好地抑制在粘合并固定振動元件時產(chǎn)生的應(yīng)力的擴散，并且可獲得頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、Cl溫度特性和頻率老化特性優(yōu)異的振動元件的效果。應(yīng)用例12在上述應(yīng)用例的振動元件中，其特征在于，所述第一狹縫沿著所述傾斜部和所述厚壁部主體的所述邊界部，而被配置在所述厚壁部主體內(nèi)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，具有下述效果，S卩，能夠抑制在粘合并固定振動元件時產(chǎn)生的應(yīng)力的擴散，并且可獲得頻率溫度特性和Cl溫度特性優(yōu)異的振動元件應(yīng)用例13本應(yīng)用例的振子的特征在于，具備上述應(yīng)用例中任一例的振動元件、和對所述振動元件進行收納的封裝件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于具有如下的振動元件，即，因設(shè)置有第一厚壁部和第二厚壁部，因此對包含振動區(qū)域的振動部的支承較為牢固，從而耐振動、耐沖擊等較強的振動元件，所以能夠提高振子的耐振動性、耐沖擊性。此外，由于高頻且基波的振子被小型化，且能夠抑制因粘合和固定而產(chǎn)生的應(yīng)力，因此具有下述效果，即，可獲得頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、Cl溫度特性及頻率老化特性優(yōu)異的振子。而且，還具有下述效果，即，可獲得減少了主振動的Cl值，從而接近的寄生響應(yīng)的Cl值相對于主振動的Cl值之比、即Cl值比較大的振子，并且可獲得電容比較小的振子。應(yīng)用例14本應(yīng)用例的電子裝置的特征在于，在所述封裝件內(nèi)具有上述應(yīng)用例中任一例所述的振動兀件、和電子部件。根據(jù)本結(jié)構(gòu)，通過根據(jù)客戶要求來選擇電子裝置，從而具有下述效果，S卩，能夠有效利用上述應(yīng)用例的振動元件的特征，并可獲得例如頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性和頻率老化特性優(yōu)異，小型且高頻(例如，490MHz頻帶)的電子裝置。·此外，構(gòu)成將振動元件和電子部件(例如熱敏電阻)收納在封裝件內(nèi)的電子裝置。由于作為感溫元件的熱敏電阻被配置成非?？拷鼔弘娬駝釉?，因此具有能夠較快地對壓電振動元件的溫度變化進行檢測的效果。此外，通過內(nèi)置電子部件，從而具有能夠減輕使用的設(shè)備側(cè)的負擔(dān)的效果。應(yīng)用例15上述應(yīng)用例的電子裝置的特征在于，所述電子部件為可變電容元件、熱敏電阻、電感器和電容器中的至少某一種。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，當(dāng)使用可變電容元件、熱敏電阻、電感器和電容器中的任一種來構(gòu)成電子裝置(振動裝置)時，具有如下效果，即，能夠以小型且低成本來實現(xiàn)適合于要求規(guī)格的電子裝置。應(yīng)用例16本應(yīng)用例的電子裝置的特征在于，在所述封裝件內(nèi)具有上述應(yīng)用例中任一例所述的振動元件、和對所述振動元件進行激勵的振蕩電路。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過根據(jù)客戶要求來選擇電子裝置，從而具有下述效果，S卩，能夠有效利用上述應(yīng)用例的振動元件的特征，并可獲得例如頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性和頻率老化特性優(yōu)異，小型且高頻(例如，490MHz頻帶)的電子裝置。此外，由于振動裝置使用基波的振動元件，因此電容比較小，頻率可變幅度擴大。而且，具有可獲得S/N比良好的電壓控制型振蕩器的效果。應(yīng)用例17本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，具備上述應(yīng)用例中任一例所述的振動元件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過在電子設(shè)備中使用上述應(yīng)用例的振子，從而具有下述效果，SP，能夠構(gòu)成具備高頻且頻率穩(wěn)定度優(yōu)異，S/N比良好的基準(zhǔn)頻率源的電子設(shè)備。應(yīng)用例18本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，具備上述應(yīng)用例的電子裝置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過在電子設(shè)備中使用上述應(yīng)用例的電子裝置，從而具有下述效果，即，能夠構(gòu)成具備高頻且頻率穩(wěn)定度優(yōu)異，S/N比良好的基準(zhǔn)頻率源的電子設(shè)備。應(yīng)用例19本應(yīng)用例的移動體的特征在于，具備上述應(yīng)用例中任一例所述的振動元件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在移動體中所使用的振動元件為耐振動、耐沖擊等較強的振動元件，因此具有能夠構(gòu)成提高了耐振動性、耐沖擊性的移動體的效果。此外，具有下述效果，即，能夠構(gòu)成具備高頻且頻率穩(wěn)定度優(yōu)異，S/N比良好的基準(zhǔn)頻率源的移動體。應(yīng)用例20本應(yīng)用例的振動元件的制造方法的特征在于，所述振動元件具備基板，所述基板包括振動部；第一厚壁部和第二厚壁部，所述第一厚壁部和所述第二厚壁部分別沿著所述振動部的對置的第一外邊緣和第二外邊緣而與所述振動部一體地設(shè)置，并且所述第一厚壁部從所述振動部的一側(cè)主面突出，且厚度厚于所述振動部，所述第二厚壁部從所述振動部的與一側(cè)主面相對的背面的主面突出，且厚度厚于所述振動部，所述振動元件的制造方法包括準(zhǔn)備基板的工序；厚壁部形成工序，通過對所述基板進行蝕刻加工，從而形成所述第一厚壁部和所述第二厚壁部；振動元件外形形成工序，通過對所述基板進行蝕刻加工，從而形成所述振動元件的外形；電極形成工序，在所述振動元件上形成電極。
根據(jù)該制造方法，能夠通過使用簡單的加工工序，而制造出上述應(yīng)用例的振動元件。例如，具有如下效果，即，能夠通過在表背主面的任意位置處形成所需的厚壁部，從而簡單地制造出對包含振動區(qū)域的振動部的支承較為牢固，從而耐振動、耐沖擊等較強的振動元件。


圖I (a) 圖I (f)為表示第一實施方式的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖I(a)為俯視圖，圖I (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖I (C)為從+Z’軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖，圖I (d)、圖I (e)和圖I (f)為從+ Z’軸方向觀察表示狹縫形狀的改變例的Q-Q剖面時的剖視圖。圖2為說明AT切割水晶基板和結(jié)晶軸的關(guān)系的圖。圖3為表不第一實施方式的壓電振動兀件的改變例的俯視圖。圖4為表示第一實施方式的壓電振動元件的其他改變例的俯視圖。圖5 (a) 圖5 (C)為表不第二實施方式的壓電振動兀件的結(jié)構(gòu)的不意圖，圖5(a)為俯視圖，圖5 (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖5 (c)為從+Z’軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。圖6 (a) 圖6 (C)為表不第三實施方式的壓電振動兀件的結(jié)構(gòu)的不意圖，圖6(a)為俯視圖，圖6 (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖6 (c)為從+Z’軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。圖7 Ca)和圖7 (b)為表示第三實施方式的改變例的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖8 Ca) 圖8 Cf)為表示第四實施方式的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖8
(a)為俯視圖，圖8 (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖8 (c)為從+Z’軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖，圖8 (d)、圖8 (e)和圖8 (f)為從+ Z’軸方向觀察表示狹縫形狀的改變例的Q-Q剖面時的剖視圖。圖9 Ca)為表示引線電極和襯墊電極的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖9 (b)為表示激勵電極的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖10為表示第四實施方式的壓電振動元件的改變例的俯視圖。圖11為表示第四實施方式的壓電振動元件的其他改變例的俯視圖。
圖12 (a) 圖12 (c)為表示第五實施方式的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖
12(a)為俯視圖，圖12 (b)為從+X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖12 (c)為從+V軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。圖13 Ca) 圖13 (C)為表示第六實施方式的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖
13(a)為俯視圖，圖13 (b)為從+X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖13 (c)為從+V軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。圖14為表示第六實施方式的壓電振動元件的改變例的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖15為表示第四實施方式的壓電振動元件的改變例的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖16為表示壓電基板的外形和狹縫的形成工序的制造工序示意圖。圖17為表示壓電振動元件的激勵電極和引線電極的形成工序的制造工序示意圖。圖18為表示壓電振動元件的激勵電極和引線電極的其他形成工序的制造工序示意圖。圖19 (a)為通過蝕刻而形成的凹陷部的俯視圖，圖19 (b)至圖19 (e)為說明凹陷部和槽部的X軸方向上的一個剖面的切口(切斷面)的圖。圖20 (a)為通過蝕刻而形成的凹陷部的俯視圖，圖20 (b)至圖20 (e)為說明凹陷部和槽部的V軸方向上的一個剖面的切口(切斷面)的圖。圖21 (a)為表示第一實施方式的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的立體圖，圖21 (b)為從-V軸方向觀察圖I中的Q-Q剖面時的剖視圖。圖22為表不第一實施方式的壓電振動兀件的改變例的圖，且為從-Z’軸方向觀察圖I中的Q-Q剖面時的剖視圖。 圖23 Ca)和圖23 (b)為表示壓電振子的結(jié)構(gòu)的圖，圖23 Ca)為縱剖視圖，圖23
(b)為去除蓋部后的俯視圖。圖24為表示壓電振子的改變例的結(jié)構(gòu)的縱剖視圖。圖25為電子裝置(壓電裝置)的縱剖視圖。圖26 (a)為電子裝置(壓電裝置)的縱剖視圖，圖26 (b)為電子裝置(壓電裝置)的俯視圖。圖27為電子裝置的改變例的縱剖視圖。圖28為電子設(shè)備的模式圖。圖29為表示作為電子設(shè)備的一個示例的便攜型個人計算機的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖30為表示作為電子設(shè)備的一個示例的移動電話的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖31為表示作為電子設(shè)備的一個示例的數(shù)碼照相機的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖32為表示作為移動體的一個示例的汽車的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖33 (a) 圖33 (C)為壓電基板的改變例的立體圖。圖34 Ca) 圖34 (C)為壓電基板的改變例的立體圖。圖35 Ca) 圖35 (C)為壓電振動元件的改變例，圖35 Ca)為俯視圖，圖35 (b)為主要部位的放大圖，圖35 (c)為主要部位的剖視圖。
具體實施方式
以下，根據(jù)附圖，詳細說明本發(fā)明的實施方式。振動兀件的第一實施方式圖I (a) 圖I (f)為表示本發(fā)明的振動元件的一個實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖I (a)為俯視圖，圖I (b)為從十X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖I (c)為從+ Z’軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖，圖I (d)、圖I (e)和圖I (f)為從+ V軸方向觀察表示狹縫形狀的改變例的Q-Q剖面時的剖視圖。壓電振動元件I具備作為基板的壓電基板10，其具有包括薄壁的振動區(qū)域在內(nèi)的薄壁平板狀的振動部12 (以下，稱作振動部12)、以及與振動部12連接設(shè)置的厚壁部13 ；激勵電極25a、25b，其以分別對置的方式被形成在振動部12的兩個主面上；引線電極27a、27b，其從激勵電極25a、25b分別延長并形成在厚壁部13上；襯墊電極29a、29b，其與引線電極27a、27b各自的末端相連接。
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在此,兩主面是指將一側(cè)主面(也稱作表面)和與一側(cè)主面相對的背側(cè)的主面(也稱作背面或者另一側(cè)主面)合在一起的稱謂。此外，振動區(qū)域是指振動能量被封閉的區(qū)域、即振動能量幾乎為零的區(qū)域的內(nèi)側(cè)，并且X軸方向上的振動區(qū)域的尺寸和Z’軸方向上的振動區(qū)域的尺寸之比如眾所周知這樣，為1.26:1。此外，振動部12是指包含振動區(qū)域和其邊緣部在內(nèi)的薄壁部分。壓電基板10為矩形，且具備振動部12和厚壁部13，所述厚壁部13為沿著振動部12的邊緣(外邊緣)的四條邊而與振動部12—體地設(shè)置的四方形的環(huán)狀，而且，厚度厚于振動部12。換而言之，厚壁部13以從振動部12的兩主面中的任一主面突出設(shè)置的方式而被設(shè)置。厚壁部13具備第一厚壁部16、第二厚壁部17、第三厚壁部15和第四厚壁部14。第一厚壁部16和第二厚壁部17分別沿著作為第一外邊緣的邊12c、和作為第二外邊緣的邊12d而設(shè)置，所述邊12c和所述邊12d隔著振動部12而對置。第四厚壁部14和第三厚壁部15分別沿著作為第四外邊緣的邊12a和作為第三外邊緣的邊12b而設(shè)置，所述邊12a和所述邊12b隔著振動部12而對置。兩組對置的邊12c、12d和邊12a、12b以隔著振動部12相互大致平行的方式而配置。第四厚壁部14沿著位于第一厚壁部16與第二厚壁部17各自的另一端部之間的、振動部12的邊12a而連接設(shè)置，并分別被突出設(shè)置在兩主面?zhèn)?。即，第四厚壁?4被形成在振動部12的-X軸側(cè)。此外，第四厚壁部14具備第四傾斜部14b，其厚度隨著從與振動部12的邊12a連接設(shè)置的一側(cè)端緣朝向-X軸側(cè)的另一側(cè)端緣離開而逐漸增加；厚壁四方柱狀的第四厚壁部主體14a，其與第四傾斜部14b的另一側(cè)端緣連接設(shè)置。也就是說，如圖I (c)所示，第四厚壁部14以突出設(shè)置的方式而形成在振動部12的兩主面(表面和背面)上。同樣，第三厚壁部15沿著位于第一厚壁部16和第二厚壁部17各自的一端部之間的、振動部12的邊12b而連接設(shè)置，并分別被突出設(shè)置在兩主面?zhèn)?。即，第三厚壁?5被形成在振動部12的+X軸側(cè)。此外，第三厚壁部15具備第三傾斜部15b，其厚度隨著從與振動部12的邊12b連接設(shè)置的一側(cè)端緣朝向+ X軸側(cè)的另一側(cè)端緣離開而逐漸增加；厚壁四方柱狀的第三厚壁部主體15a，其與第三傾斜部15b的另一側(cè)端緣連接設(shè)置。也就是說，如圖I (C)所示，第三厚壁部15以突出設(shè)置的方式被形成在振動部12的兩主面(表面和背面)上。并且，厚壁部主體(第四厚壁部主體14a、和第三厚壁部主體15a)是指與Y’軸大致平行的厚度為固定的區(qū)域。第一厚壁部16沿著振動部12的邊12c而從一側(cè)主面突出地設(shè)置。即，第一厚壁部16在表面?zhèn)缺恍纬稍谡駝硬?2的+ V軸側(cè)。此外，第一厚壁部16具備第一傾斜部16b，其厚度隨著與振動部12的邊12c連接設(shè)置的一側(cè)端緣朝向+ Z’軸側(cè)的另一側(cè)端緣離開而逐漸增加；厚壁四方柱狀的第一厚壁部主體16a，其與第一傾斜部16b的另一側(cè)端緣連接設(shè)置。也就是說，第一厚壁部16的一側(cè)主面以從振 動部12的一側(cè)主面(表面)突出設(shè)置的方式而形成。而且，第一厚壁部16的另一側(cè)主面與振動部12的另一側(cè)主面(與一側(cè)主面相對的背側(cè)的主面)連續(xù)地連接，并被構(gòu)成為同一平面。并且，對于在振動區(qū)域內(nèi)具有臺面上的突出的能量封閉區(qū)域的情況，也只需使振動區(qū)域的邊緣部的主面與第一厚壁部16的另一側(cè)主面連續(xù)地連接，并構(gòu)成為同一平面即可。雖然在本實施方式中，優(yōu)選為，第一厚壁部16的所述另一側(cè)主面與振動部12的所述另一側(cè)主面連續(xù)地連接，并被構(gòu)成為同一平面，但第一厚壁部16的所述另一側(cè)主面也可以以殘渣對振動部12的影響較小、即對振動部12的振動區(qū)域的有效面積不會造成影響的程度，從振動部12的所述另一側(cè)主面稍微突出。第二厚壁部17沿著振動部12的邊12d而從與一側(cè)主面相對的背側(cè)的主面突出地設(shè)置。即，第二厚壁部17在背面?zhèn)缺恍纬稍谡駝硬?2的-Z’軸側(cè)。此外，第二厚壁部17具備第二傾斜部17b，其厚度隨著與振動部12的邊12d連接設(shè)置的一側(cè)端緣朝向-Z’軸側(cè)的另一側(cè)端緣離開而逐漸增加；厚壁四方柱狀的第二厚壁部主體17a，其與第二傾斜部17b的另一側(cè)端緣連接設(shè)置。也就是說，第二厚壁部17的一側(cè)主面以從振動部12的另一側(cè)主面(背面)突出設(shè)置的方式而形成，第二厚壁部17在振動部12的背面?zhèn)葘Φ谒暮癖诓?4與第三厚壁部15的另一端部之間進行連接。而且，第二厚壁部17的另一側(cè)主面與振動部12的一側(cè)主面連續(xù)地連接，并被構(gòu)成為同一平面。并且，關(guān)于在振動區(qū)域內(nèi)具有臺面上的突出的能量封閉區(qū)域的情況，也只需使振動區(qū)域的邊緣部的主面與第二厚壁部17的另一側(cè)主面連續(xù)地連接，并構(gòu)成為同一平面即可。雖然在本實施方式中，優(yōu)選為，第二厚壁部17的所述另一側(cè)主面與振動部12的所述另一側(cè)主面連續(xù)地連接，并被構(gòu)成為同一平面，但第二厚壁部17的所述另一側(cè)主面也可以以殘渣對振動部12的影響較小、即對振動部12的振動區(qū)域的有效面積不會造成影響程度，從振動部12的所述另一側(cè)主面稍微突出。如圖I (b)所示，第一厚壁部16和第二厚壁部17具有相對于振動部12的中心點對稱的關(guān)系。此外，第四厚壁部主體14a和第三厚壁部主體15a各自的一面(表面)、與第一厚壁部主體16a的一面(表面)位于同一平面上,第四厚壁部主體14a和第三厚壁部主體15a各自的另一面(背面)、與第二厚壁部主體17a的面(背面)位于同一平面上。而且，第一厚壁部16、第二厚壁部17、第三厚壁部15、第四厚壁部14各自的端部相連結(jié)，而形成四方環(huán)狀，并將振動部12保持在其中央部處。大致四方形的振動部12的邊緣的四條邊被第一厚壁部16、第二厚壁部17、第三厚壁部15、第四厚壁部14包圍。也就是說，從矩形平板狀的壓電基板10的兩主面進行蝕刻，而在兩主面上形成相對置的兩個凹陷部，并且為了實現(xiàn)小型化而切除不需要的部分，從而形成薄壁的振動部12。此外，壓電基板10在第三厚壁部15上貫穿形成有至少一個應(yīng)力緩和用的狹縫20。在圖I (a) 圖I (f)所示實施方式中，狹縫20沿著從振動部12的邊12b離開的、第三傾斜部15b與第三厚壁部主體15a的邊界部(連接部)，而被形成在第三厚壁部主體15a的面內(nèi)。如此，由于離開振動部12的邊12b而配置狹縫20，因此狹縫的形成較為容易。而且，由于靠近第三厚壁部主體15a的所述邊界部(連接部)而配置狹縫20，因此能夠較大地確保第三厚壁部主體15a的被支承部(襯墊電極)29a的面積，從而能夠擴大涂布的導(dǎo)電性粘合劑的直徑。與此相對，如果狹縫20靠近第三厚壁部主體15a的被支承部(襯墊電極)29a而配置，則被支承部(襯墊電極)29a的面積變窄，從而必須減小導(dǎo)電性粘合劑的直徑。其結(jié)果為，存在下述可能，即導(dǎo)電性粘合劑內(nèi)所包含的導(dǎo)電填充物的絕對量也減少，導(dǎo)電性 惡化，從而壓電振動元件I的共振頻率不穩(wěn)定，而容易產(chǎn)生頻率變動(通稱F跳躍)。因此，優(yōu)選為，狹縫20靠近第三厚壁部主體15a的所述邊界部(連接部)而配置。并且，狹縫20并不局限于如圖I (C)所示的被貫穿形成的狹縫，也可以是具有底部的槽狀的狹縫。對槽狀狹縫進行詳細介紹，例如，如圖I (d)所示，也可以由從第三厚壁部15的背面?zhèn)榷纬汕揖哂械撞康牡谝华M縫20a’、和從第三厚壁部15的表面?zhèn)榷纬汕揖哂械撞康牡诙M縫20b’這種的、分別被設(shè)置在表背兩面上的狹縫構(gòu)成。此外，如圖1(e)所示，也可以由從第三厚壁部主體15的背面?zhèn)榷纬汕揖哂械撞康牡谌M縫20c’構(gòu)成。此外，如圖I (f)所示，也可以由從第三厚壁部15的表面?zhèn)榷纬汕揖哂械撞康牡谒莫M縫20d，構(gòu)成。此外，本發(fā)明所涉及的狹縫在俯視觀察時被第三厚壁部15包圍，當(dāng)如圖I (d) 圖I (f)所示的狹縫為有底的槽時，狹縫的底部的厚度既可以厚于振動部的厚度，反之，也可以薄于振動部的厚度。在此說明的狹縫20的形狀也能夠應(yīng)用于以下說明的其他實施方式、改變例和應(yīng)用例中。作為壓電基板10的一個示例，采用如下的旋轉(zhuǎn)Y切割水晶基板，水晶等的壓電材料屬于三方晶系，如圖2所示，以由X軸(電軸)、Y軸(機械軸)、Z軸(光學(xué)軸)構(gòu)成的直角坐標(biāo)系中的X軸為中心，將使Z軸向Y軸的-Y軸方向傾斜而成的軸設(shè)定為Z’軸，將使Y軸向Z軸的+ Z軸方向傾斜而成的軸設(shè)定為Y’軸，所述旋轉(zhuǎn)Y切割水晶基板由與X軸和Z’軸平行的面構(gòu)成，且以與Y’軸平行的方向為厚度方向。在本實施方式中，使用作為旋轉(zhuǎn)Y切割水晶基板的一個不例的AT切割水晶基板而進行說明。AT切割水晶基板為，如圖2所示這樣沿著使XZ面繞X軸旋轉(zhuǎn)角度Θ而成的平面，從水晶中切出的平板。在AT切割水晶基板的情況下，Θ為大致35° 15'。并且，使Y軸和Z軸也繞X軸旋轉(zhuǎn)Θ，而分別形成為Y’軸和V軸。因此，AT切割水晶基板具有正交的結(jié)晶軸X、Y’、Z’。AT切割水晶基板中，厚度方向為Y’軸，與Y’軸正交的ΧΖ’面(包含X軸和V軸的面)為主面，厚度切變振動作為主振動而被激勵。并且，本發(fā)明所涉及的壓電基板并不局限于所述角度Θ為35° 15'的AT切割，當(dāng)然也可以廣泛應(yīng)用于對厚度切變振動進行激勵的BT切割等的壓電基板。
如圖I (a)所示，壓電基板10以與Y’軸平行的方向(以下，稱作“Y’軸方向”)為厚度方向，并具有矩形形狀，該矩形以與X軸平行的方向(以下，稱作“X軸方向”)為長邊，以與Z’軸平行的方向(以下，稱作“Z’軸方向”)為短邊。對壓電基板10進行驅(qū)動的激勵電極25a、25b在圖I (a) 圖I (f)所示實施方式中為四方形形狀，并在振動部12的大致中央部的表背兩面上對置形成。如圖I (b)所示，背面?zhèn)鹊募铍姌O25b的面積，相對于表面?zhèn)鹊募铍姌O25a的面積被設(shè)定得足夠大。其原因在于，為了不使因激勵電極的質(zhì)量效應(yīng)導(dǎo)致的能量封閉系數(shù)大到所需值以上。也就是說，通過充分增大背面?zhèn)鹊募铍姌O25b的面積，從而板后退(plate back)量Λ (= (fs 一fe)/fs，在此，fs為壓電基板的截止頻率，fe為將激勵電極附著在壓電基板整個面上的情況下的頻率)僅依賴于表面?zhèn)鹊募铍姌O25a的質(zhì)量效應(yīng)。激勵電極25a、25b使用蒸鍍裝置或陰極真空噴鍍裝置等，將鎳(Ni)成膜為基底， 再在其上重疊金(Au)并進行成膜。金(Au)的厚度優(yōu)選在歐姆損耗不會變大的范圍內(nèi)，且僅將主振動作為封閉模式(S0),而不將斜對稱非諧模式(A0、Al···)和對稱非諧模式(SI、S3···)作為封閉模式。然而，例如，在490MHz頻帶的壓電振動元件中，當(dāng)以避免電極膜厚的歐姆損耗的方式成膜時，低階的非諧模式在某種程度上被封閉是不可避免的。形成在表面?zhèn)鹊募铍姌O25a通過引線電極27a而與被形成在第三厚壁部主體15a的表面上的襯墊電極29a導(dǎo)通連接，所述引線電極27a從振動部12上起，經(jīng)由第一傾斜部16b和第一厚壁部主體16a的表面上，而形成至第三厚壁部主體15a的表面。此外，形成在背面?zhèn)鹊募铍姌O25b通過引線電極27b而與被形成在第三厚壁部主體15a的背面上的襯墊電極29b導(dǎo)通連接，所述引線電極27b從振動部12上起，經(jīng)由第二傾斜部17b和第二厚壁部主體17a的表面上，而形成至第三厚壁部主體15a的背面。圖I (a)所示的實施方式為引線電極27a、27b的引出結(jié)構(gòu)的一個示例，引線電極27a也可以經(jīng)由其他支承部。但是，引線電極27a、27b的長度優(yōu)選為最短，且優(yōu)選通過考慮到引線電極27a、27b彼此不交叉，從而抑制靜電電容的增加。靜電電容的增加將使壓電振動元件I的電容比Y (并聯(lián)電容(靜電電容)CO相對于串聯(lián)電容(動態(tài)電電容)Cl的比值)惡化。此外，在圖I (a) 圖I (f)的實施方式中，例示了以在壓電基板10的表背兩面接近的方式而分別形成襯墊電極29a、29b的示例。當(dāng)將壓電振動元件I收納在封裝件內(nèi)時，將壓電振動元件I翻過來，對襯墊電極29a進行固定，并用接合線對襯墊電極29b和封裝件的電極端子進行連接。當(dāng)像這樣支承部位為一個點時，則能夠減少因?qū)щ娦哉澈蟿┒a(chǎn)生的應(yīng)力。此外，也可以以隔開與上述示例相比較大的間隔的方式來形成壓電振動元件I的襯墊電極29a、29b。在振動部12、和作為壓電振動元件I的被支承部的襯墊電極29a、29b之間設(shè)置狹縫20的理由為，防止在導(dǎo)電性粘合劑固化時產(chǎn)生的應(yīng)力擴散。即，在利用導(dǎo)電性粘合劑而將壓電振動元件I的襯墊電極29a、29b支承在封裝件內(nèi)時，首先，將導(dǎo)電性粘合劑涂布在第三厚壁部主體15a的被支承部(襯墊電極)29a上，然后將其翻轉(zhuǎn)并載置在封裝件等的元件搭載襯墊上，并稍微進行按壓。為了使導(dǎo)電性粘合劑固化，而在高溫的爐內(nèi)保持預(yù)定的時間。由于在高溫狀態(tài)下，第三厚壁部主體15a和封裝件一起膨脹，粘合劑也暫時軟化，因此在被支承部(襯墊電極)29a上不產(chǎn)生應(yīng)力。在導(dǎo)電性粘合劑固化后，在第三厚壁部主體15a和封裝件冷卻，且其溫度返回至常溫(25°C)時，由于導(dǎo)電性粘合劑、封裝件和第三厚壁部主體15a的各自線膨脹系數(shù)的差異，由固化后的導(dǎo)電性粘合劑產(chǎn)生的應(yīng)力將被傳播到被支承部(襯墊電極)29a，而且從第三厚壁部主體15a向第四厚壁部14及第一厚壁部16、振動部12擴散。為了防止該應(yīng)力的擴散，而設(shè)置應(yīng)力緩和用的狹縫20。狹縫20的形成部位和壓電基板10上產(chǎn)生的應(yīng)力(a變形)分布的關(guān)系，一般通過使用了有限元法的模擬而進行解析。振動部12中的應(yīng)力越小，越可獲得頻率溫度特性、頻率再現(xiàn)性、頻率老化特性優(yōu)異的壓電振動元件。雖然作為導(dǎo)電性粘合劑，存在硅酮類、環(huán)氧類、聚酰亞胺類、雙馬來酰亞胺類等，但考慮到由壓電振動元件I的脫氣導(dǎo)致的頻率隨時間變化，而使用聚酰亞胺類的導(dǎo)電性粘合齊U。由于聚酰亞胺類的導(dǎo)電性粘合劑較硬，因此與在兩個分開的部位支承壓電振動元件I相比，在一個部位支承壓電振動元件I的方式，能夠降低所產(chǎn)生的應(yīng)力的大小。目標(biāo)為490MHz 頻帶的電壓控制型壓電振蕩器(Voltage Controlled Crystal Oscillator:VCXO)·用的壓電振動元件I使用了一處支承。也就是說，將導(dǎo)電性粘合劑涂布在襯墊電極29a上，然后翻轉(zhuǎn)襯墊電極29a并將其載置在用于進行收納的封裝件的元件搭載襯墊上，進行干燥，固定并連接，使用接合線而與另一個襯墊電極29b導(dǎo)通并連接。如圖I (a)所示，由于襯墊電極29a和襯墊電極29b大致對置地形成，因此構(gòu)成一處支承。圖I (a) 圖I (f)所示壓電基板10，X軸方向上的長度長于Z’軸方向上的長度，即形成所謂的X長。這是因為，眾所周知，當(dāng)對將力施加在AT切割水晶基板的X軸方向上的兩端時的頻率變化、和將相同的力施加在Z’軸方向上的兩端上時的頻率變化進行比較時，將力施加在Z’軸方向上的兩端時，頻率變化更小。也就是說，支承點沿著Z’軸方向而設(shè)置時由應(yīng)力導(dǎo)致的頻率變化更小，因此，作為壓電振動元件而優(yōu)選如此設(shè)置。此外，在圖I (a) 圖I (f)所示的實施方式中，雖然薄壁的振動部12為矩形，但薄壁的振動部12的、相當(dāng)于與第一厚壁部16連接的邊12c的兩端部的兩個角部也可以被倒角。在圖I (a) 圖I (f)的實施方式中，雖然作為激勵電極25a、25b的形狀，例示了四方形、即正方形或矩形(X軸方向為長邊)的示例，但本發(fā)明的壓電振動元件I所使用的激勵電極并不局限于此。在圖3所示實施方式中，圖中表面?zhèn)鹊募铍姌O25a為圓形，圖中背面?zhèn)鹊募铍姌O25b為與激勵電極25a相比充分大的四方形。并且，背面?zhèn)鹊募铍姌O25b也可以為足夠大的圓形。在圖4所示的實施方式中，圖中表面?zhèn)鹊募铍姌O25a為橢圓形，圖中背面?zhèn)鹊募铍姌O25b為面積充分大于激勵電極25a的四方形。因彈性常數(shù)的各向異性，X軸方向上的位移分布和Z’軸方向的位移分布不同，用與X-Z’平面平行的面剖切位移分布后的剖面為橢圓形。因此，在使用橢圓形的激勵電極25a的情況下，能夠最高效率地驅(qū)動壓電振動元件I。即，能夠使壓電振動元件I的電容比Y (= C0/C1，在此，CO為靜電電容，Cl為串聯(lián)共振電容)最小。
此外，激勵電極25a也可以為長圓形。振動元件的第二實施方式圖5 (a) 圖5 (C)為表示振動元件的第二實施方式所涉及的壓電振動元件2的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖5 (a)為壓電振動元件2的俯視圖，圖5 (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖5 (c)為從+ V軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。壓電振動元件2與圖I (a) 圖I (f)所示壓電振動元件I的不同之處在于，設(shè)置應(yīng)力緩和用狹縫20的位置。在本實施方式中，狹縫20被形成在從薄壁的振動部12的邊12b離開的第三傾斜部15b內(nèi)。并不是如壓電振動元件I那樣，沿著振動部12的邊12b，以狹縫20的一側(cè)端緣與邊12b相接的方式，將狹縫20形成在第三傾斜部15b內(nèi)，而是以從第三傾斜部15b的兩個端緣離開的方式來設(shè)置狹縫20。也就是說，在第三傾斜部15b內(nèi)，殘留 有與振動部12的邊12b的端緣連接的極細的傾斜部15b’。換言之，在邊12b和狹縫20之間形成有極細的傾斜部15b’。殘留極細的傾斜部15b’的理由如下。即，當(dāng)在振動部12內(nèi)形成激勵電極25a、25b,并施加高頻電壓以對振動部12進行激勵時，除主振動(SO)之外，非諧模式(AO、SI、A1、S2、…)也被激勵。優(yōu)選為，僅將主振動(SO)模式設(shè)為封閉模式，而其他非諧模式成為傳播模式(非封閉模式)。但是，在振動部12較薄，其基波頻率為幾百MHz時，為了避免電極膜的歐姆損耗，需要將激勵電極25a、25b的膜厚形成為預(yù)定厚度以上。因此，板后退量增大，接近主振動的非諧模式成為能量封閉模式。為了抑制該低階的非諧模式的振幅的大小(與Cl值成比例)，只需能避免非諧模式的駐波成立的條件即可。也就是說，圖5 (a) 圖5 (c)中的振動部12的V軸方向上的兩端緣的形狀如圖5 (b)所示這樣，相對于振動部12的重心點對稱，而且，X軸方向上的兩端緣的形狀由于殘留有極細的傾斜部15b’而呈非對稱，從而能夠抑制低階的非諧模式的駐波的振幅。振動元件的第三實施方式圖6 (a) 圖6 (C)為表示振動元件的第三實施方式所涉及的壓電振動元件3的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖6 (a)為壓電振動元件3的俯視圖，圖6 (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖6 (c)為從+ V軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。壓電振動元件3與圖I (a) 圖I (f)所示的壓電振動元件I的不同之處為，在第三厚壁部15上并排設(shè)置兩個應(yīng)力緩和用狹縫20a、20b。即，在第三厚壁部主體15a的面內(nèi)設(shè)置有第一狹縫20a，且在第三傾斜部15b的面內(nèi)形成有第二狹縫20b。通過分別在第三厚壁部主體15a的面內(nèi)和第三傾斜部15b的面內(nèi)形成單獨的狹縫，能夠進一步抑制在粘合并固定壓電振動元件3時所產(chǎn)生的應(yīng)力的擴散，從而可獲得頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、Cl溫度特性以及頻率老化特性優(yōu)異的壓電振動元件3?？梢圆幌駡D6 Ca)所示的俯視圖這樣，將第一狹縫20a和第二狹縫20b在X軸方向上并排設(shè)置，而是如圖7 Ca)的俯視圖所示這樣，以在V軸方向上相互離開的方式錯開配置。設(shè)置有兩個狹縫20a、20b的壓電振動元件3更能夠提高抑制因?qū)щ娦哉澈蟿┒a(chǎn)生的應(yīng)力擴散至振動部12的效果。此外，圖7 (b)所示的改變例的結(jié)構(gòu)為，將圖I (a) 圖I (f)、圖6 (a) 圖6 (c)所示的狹縫20、20a、20b的效果合并在一起的壓電振動元件3，狹縫20被構(gòu)成為，跨越第三傾斜部15b和第三厚壁部主體15a。振動元件的第四實施方式
圖8 (a) 圖8 (f)為表示振動元件的第四實施方式所涉及的壓電振動元件4的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖8 (a)為壓電振動元件4的俯視圖，圖8 (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖8 (c)為從+ V軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。壓電振動元件4具備壓電基板10，其具有矩形且包含薄壁的振動區(qū)域在內(nèi)的振動部12、以及與振動部12 —體化且厚度厚于振動部12的厚壁部13 ;激勵電極25a、25b，其分別被配置在振動部12的表面和背面(兩主面)上；引線電極27a、27b，其從各個激勵電極25a、25b分別朝向被設(shè)置在厚壁部13上的襯墊電極29a、29b延伸設(shè)置。
厚壁部13具備第三厚壁部15，其沿著振動部12的邊12a而連接設(shè)置，且分別在兩主面?zhèn)韧怀鲈O(shè)置(突出);第一厚壁部16，其沿著與振動部12的邊12a的一端部連續(xù)的邊12b而連接設(shè)置，且在振動部12的一側(cè)主面?zhèn)?表面?zhèn)?與第三厚壁部15的一端部連接設(shè)置。而且，厚壁部13具備第二厚壁部17，所述第二厚壁部17沿著與振動部12的邊12a的另一端部連續(xù)的邊12c而連接設(shè)置，且在振動部12的另一側(cè)主面?zhèn)?背面?zhèn)?，與第三厚壁部15的另一端部連接設(shè)置。也就是說，壓電基板10具備沿著振動部12的三條邊12a、12b、12c而一體化的厚壁的厚壁部13(第一厚壁部16、第二厚壁部17、第三厚壁部15)。第一厚壁部16和第二厚壁部17以相對于振動部12的重心點對稱的方式而被配置。所述兩條邊12b、12c相互對置，并以隔著振動部12而大致平行的方式配置。第一厚壁部16的一側(cè)主面以從振動部12的一側(cè)主面(表面)突出設(shè)置的方式而形成。而且，第一厚壁部16的另一側(cè)主面與振動部12的另一側(cè)主面連續(xù)地連接，并被構(gòu)成為
同一平面。第二厚壁部17的一側(cè)主面以從振動部12的另一側(cè)主面(背面)突出設(shè)置的方式而形成。而且，第二厚壁部17的另一側(cè)主面與振動部12的一側(cè)主面連續(xù)地連接，并被構(gòu)成為
同一平面。并且，關(guān)于在振動區(qū)域具有臺面狀的突出的能量封閉區(qū)域的情況，也只需使振動區(qū)域的邊緣部的主面與第二厚壁部17的另一側(cè)主面連續(xù)地連接，并構(gòu)成為同一平面即可。第三厚壁部15具備第三傾斜部15b，其與振動部12的邊12a連接設(shè)置，且厚度隨著從與振動部12的邊12a連接的一側(cè)端緣(內(nèi)側(cè)端緣)朝向另一側(cè)端緣(外側(cè)端緣)離開而逐漸增加；厚壁四方柱狀的第三厚壁部主體15a，其與第三傾斜部15b的所述另一側(cè)端緣(外側(cè)端緣)連接設(shè)置。同樣,第一厚壁部16具備 第一傾斜部16b,其與振動部12的邊12b連接設(shè)置,且厚度隨著從與振動部12的邊12b連接的一側(cè)端緣(內(nèi)側(cè)端緣)朝向另一側(cè)端緣(外側(cè)端緣)離開而逐漸增加；厚壁四方柱狀的第一厚壁部主體16a，其與第一傾斜部16b的所述另一側(cè)端緣(外側(cè)端緣)連接設(shè)置。此外，第二厚壁部17具備第二傾斜部17b，其與振動部12的邊12c連接設(shè)置，其厚度隨著從與振動部12的邊12c連接的一側(cè)端緣(內(nèi)側(cè)端緣)朝向另一側(cè)端緣(外側(cè)端緣)離開而逐漸增加；厚壁四方柱狀的第二厚壁部主體17a，其與第二傾斜部17b的所述另一側(cè)端緣(外側(cè)端緣)連接設(shè)置。而且，在第三厚壁部15上貫穿形成有至少一個狹縫20。第三厚壁部15和第一厚壁部16各自的一面(表面?zhèn)?位于同一平面上，即位于圖
8(a) 圖8 (f)所示的坐標(biāo)軸的X-Z’平面上，第三厚壁部15的另一面(背面?zhèn)?和第二厚壁部17的背面位于同一平面(X-Z’平面)上。換言之，振動部12的另一側(cè)主面(背面)和第一厚壁部16的另一面(背面)位于同一平面上,振動部12的一側(cè)主面(表面)和第二厚壁部17的另一面(表面)位于同一平面上。也就是說，減少了不需要的厚壁部。此外，第三厚壁部15被突出設(shè)置在振動部的表背面(兩面)上。此外，第一厚壁部16和第二厚壁部17以如圖8 (b)所示這樣相對于振動部12的中心點對稱的方式，而分別僅被突出設(shè)置在壓電基板的一面?zhèn)?。而且，在第三厚壁?5上，至少一個應(yīng)力緩和用的狹縫20在振動部12和作為被支承部的襯墊電極29a、29b之間，沿Z’軸方向而被貫穿形成。在圖8 (a) 圖8 (f)所示的實施方式中，狹縫20沿著第三傾斜部15b和第三厚壁部主體15a的邊界部(連接部)，而被形成在第三厚壁部主體15a內(nèi)。并且，厚壁部主體(15a、16a、17a)是指，Y’軸方向上的厚度為固定的區(qū)域。 此外，狹縫20并不局限于如圖8 (C)所示的被貫穿形成的狹縫，也可以為具有底部的槽狀的狹縫。對槽狀的狹縫進行詳細介紹，例如，如圖8 (d)所示，可以由從第三厚壁部15的表面?zhèn)榷纬汕揖哂械撞康牡谝华M縫20a’、和從第三厚壁部15的背面?zhèn)榷纬汕揖哂械撞康牡诙M縫20b’這種的、分別設(shè)置在表背兩面?zhèn)鹊莫M縫構(gòu)成。此外，如圖8 (e)所示，也可以由從第三厚壁部主體15的表面?zhèn)榷纬汕揖哂械撞康牡谌M縫20c’構(gòu)成。另夕卜，如圖8 Cf)所示，也可以為設(shè)置有從第三厚壁部15的背面?zhèn)榷纬汕揖哂械撞康牡谒莫M縫20d’的結(jié)構(gòu)。在此說明的狹縫20的形狀也可以應(yīng)用于以下說明的其他實施方式、改變例和應(yīng)用例中。對于用于驅(qū)動壓電基板10的激勵電極25a、25b、和引線電極27a、27b等的電極的結(jié)構(gòu)、及設(shè)置狹縫20的理由等，省略與所述第一實施方式相同的說明。圖9 (a)和圖9 (b)為表不壓電振動兀件4的結(jié)構(gòu)部件的俯視圖。圖9 (a)為表示在壓電基板10上所形成的引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b的配置、結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖9 (b)為表示激勵電極25a、25b的配置、結(jié)構(gòu)的俯視圖。引線電極27a以下述方式形成，即，從表面?zhèn)鹊募俣ǖ募铍姌O25a的端緣延伸，經(jīng)由第一厚壁部16的表面，而與被設(shè)置在第三厚壁部15的中央部的表面上的襯墊電極29a相連接。此外，引線電極27b以下述方式形成，即，從背面?zhèn)鹊募俣ǖ募铍姌O25b的端緣延伸，經(jīng)由背面?zhèn)鹊牡诙癖诓?7的表面，而與被設(shè)置在第三厚壁部15的中央部的背面上的襯墊電極29b相連接。引線電極27a、27b具備由鉻(Cr)的薄膜構(gòu)成的第一層、和由層疊在該第一層上的金(Au)的薄膜構(gòu)成的第2層。在圖9 (a)中，左側(cè)的虛線圓27A中圖示了對引線電極27a的一部分進行了放大后的R-R線剖視圖。在第一厚壁部16和第三厚壁部15的表面?zhèn)?上表面?zhèn)?以鉻(Cr)的薄膜27c為基底，并在其上對形成金(Au)的薄膜27g進行層疊并成膜，由此構(gòu)成引線電極27a。對于引線電極27b，也以相同方式構(gòu)成。此外，被設(shè)置在第三厚壁部15的中央部的表背面上的襯墊電極29a、29b具備由鉻(Cr)的薄膜構(gòu)成的第一層、和由層疊在該第一層上的金(Au)的薄膜構(gòu)成的第2層。在圖
9Ca)中，下部的虛線圓29A中圖示了對襯墊電極29a的一部分進行了放大后的T-T線剖視圖。在第三厚壁部15的表面?zhèn)?上表面?zhèn)?以鉻(Cr)的薄膜29c為基底，并在其上對金(Au)的薄膜29g進行層疊并成膜，由此構(gòu)成襯墊電極29a。對于襯墊電極29b，也以相同方式構(gòu)成。由于引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b由同一工序形成，因此膜厚的一個不例為，第一層的鉻(Cr)的薄膜27c、29c被形成為1.00 Ad A=O. iron(納米))的厚度，第二層的金(Au)的薄膜27g、29g被形成為20()A的厚度。因此，不會產(chǎn)生引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b的歐姆損耗，連接強度也較為充分。另外，也可以采用在鉻(Cr)薄膜和金(Au)薄膜之間，夾有其他金屬膜的結(jié)構(gòu)。圖9 (b)為以與在先前工序中所形成的引線電極27a、27b整合的方式，表示被形成在壓電基板10上的激勵電極25a、25b的配置、結(jié)構(gòu)的俯視圖。在壓電基板10的表面?zhèn)刃纬杉铍姌O25a，在背面?zhèn)刃纬杉铍姌O25b，所述激勵電極25b的面積充分大于激勵電極25a的面積，且將激勵電極25a收納收納在其面積內(nèi)。激勵電極25a、25b的結(jié)構(gòu)一個示·例具備由鎳(Ni)的薄膜構(gòu)成的第一層、和由層疊在該第一層上的金(Au)的薄膜構(gòu)成的第2層。在圖9 (b)中，右側(cè)的虛線圓內(nèi)圖示了激勵電極25a、25b的一部分、即虛線圓的U-U線剖視圖。鎳(Ni)的薄膜25η被形成為振動部12的表背面上的第一層，金(Au)的薄膜25g被層疊并成膜為第二層。膜厚的一個示例為，第一層的鎳(Ni)的薄膜25η為7() Af第二層的金(Au)的薄膜25g為冊O(shè) A。并且，也可以采用在鎳(Ni)薄膜和金(Au)薄膜之間夾持其他金屬膜的結(jié)構(gòu)。在下文對使引線電極27a、27b以及襯墊電極29a、29b與激勵電極25a、25b各自的電極材料及電極膜厚不同的理由進行說明。將壓電基板10的振動部12的基波頻率例如為490MHzο將引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b以及激勵電極25a、25b設(shè)定為，例如第一層由70 A的鎳(Ni)的薄膜構(gòu)成，第二層由600 A的金(Au)的薄膜構(gòu)成。主振動充分成為封閉模式，從而可期待其晶體阻抗(Cl ;等效電阻)減小。然而，由于引線電極27a、27b的金(Au)的膜厚較薄，因此存在產(chǎn)生薄膜的歐姆損耗，從而壓電振動元件4的Cl值增大的可能。而且，在襯墊電極29a、29b由70 A的鎳(Ni)的薄膜和600 A的金(Au)的薄膜構(gòu)成時，有可能導(dǎo)致引線接合的強度不足。此外，當(dāng)將引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b以及激勵電極25a、25b設(shè)定為，例如第一層由70 A的鉻(Cr)的薄膜構(gòu)成，第二層由600 A的金(Au)的薄膜構(gòu)成時，由于金(Au)的膜厚較薄，因此存在鉻(Cr)由于熱量而向金(Au)的薄膜內(nèi)擴散，從而產(chǎn)生薄膜的歐姆損耗,導(dǎo)致主振動的Cl值增大的可能。因此，將引線電極27a、27b以及襯墊電極29a、29b、與激勵電極25a、25b的形成工序分開，并且將各個電極薄膜的材料和膜厚設(shè)定為，最適合于各個薄膜的功能。也就是說，對于激勵電極25a、25b而言，例如將激勵電極25a、25b的膜厚較薄地設(shè)定為，鉻(Cr)的薄膜為70 Α 金(Au)的薄膜為600 A，以使主振動為封閉模式，并使接近的非諧模式盡可能成為傳播模式(非封閉模式)。另一方面，對于引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b而言,為了減小較細的引線電極的膜電阻，并提高接合的粘合強度，而將鉻(Cr)的膜厚較厚地設(shè)定為1001,將金(Au)的膜厚較厚地設(shè)定為2000/L上述的膜厚僅是一個示例，本發(fā)明并不局限于該數(shù)值，可對應(yīng)于振動部12的頻率的差異而進行改變。總之，只需考慮到能量封閉理論和薄膜的歐姆損耗，而使激勵電極25a、25b使用最佳膜厚的鎳(Ni)和金(Au)的層疊膜即可。此外，對于引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b的膜厚而言，只需考慮到薄膜的歐姆損耗和接合強度，而使用必要的厚度的鉻(Cr)和金(Au)的層疊膜即可。關(guān)于激勵電極25a、25b和引線電極27a、27b以及襯墊電極29a、29b的制造方法，
將在后文敘述。雖然在圖8 (a) 圖8 (f)所示的第四實施方式中，作為激勵電極25a、25b的形狀，示出了四方形、即正方形或矩形(以X軸方向為長邊)的示例，但并不需要局限于此。圖10所示的實施方式中，表面?zhèn)鹊募铍姌O25a為圓形，背面?zhèn)鹊募铍姌O25b為四方形電極，其面積充分大于激勵電極25a的面積，且將激勵電極25a收納在其面積內(nèi)。此外，背面?zhèn)鹊募铍姌O25b也可以為面積足夠大的圓形。圖11所示的實施方式中，表面?zhèn)鹊募铍姌O25a為橢圓形，背面?zhèn)鹊募铍姌O25b為四方形的電極，其面積充分大于激勵電極25a的面積，且將激勵電極25a收納在其面積內(nèi)。在壓電基板10為水晶的情況下，因彈性常數(shù)的各向異性，X軸方向的位移分布和V軸方向的位移分布不同，用與X-Z’平面平行的面剖切位移分布后的剖面為橢圓形。因此，在使用橢圓形的激勵電極25a的情況下，能夠最高效率地驅(qū)動壓電振動元件4。S卩，能夠使壓電振動元件4的電容比Y (= C0/C1，在此，CO為靜電電容，Cl為串聯(lián)共振電容)最小。此夕卜，激勵電極25a也可以是長圓形。此外，背面?zhèn)鹊募铍姌O25b也可以為，面積充分大于激勵電極25a的面積，且將激勵電極25a收納在其面積內(nèi)的圓形、橢圓形、長圓等。振動元件的第五實施方式圖12 (a) 圖12 (C)為表示振動元件的第五實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖12 (a)為壓電振動元件6的俯視圖，圖12 (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖12 (c)為從+ V軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。壓電振動兀件6與圖8 (a) 圖8 (f)所不的壓電振動兀件4的不同之處為，設(shè)置應(yīng)力緩和用的狹縫20的位置。在本示例中，狹縫20被貫穿形成在從薄壁的振動部12的 邊12a的端緣離開的第三傾斜部15b內(nèi)。并不是像壓電振動元件4那樣，沿著振動部12的邊12a，而以狹縫20的一側(cè)端緣與邊12a相接的方式，將狹縫20形成在第三傾斜部15b內(nèi)，而是以從第三傾斜部15b的兩個端緣離開的方式來設(shè)置狹縫20。也就是說，在第三傾斜部15b內(nèi)，殘留有與振動部12的邊12a的端緣連接的極細的傾斜部15bb。換言之，在邊12a和狹縫20之間形成有極細的傾斜部15bb。殘留極細的傾斜部15bb的理由如下。S卩，當(dāng)對被配置在振動部12內(nèi)的激勵電極25a、25b施加高頻電壓以激勵振動部12時，處主振動(SO)之外，非諧模式(A0、SI、Al、S2、…)也被激勵。優(yōu)選為，僅將主振動(SO)模式設(shè)為封閉模式(S0)，而其他非諧模式成為傳播模式(非封閉模式)。然而，在振動部12變薄，其基本頻率高達幾百MHz時，為了避免電極膜的歐姆損耗，而需要將激勵電極25a、25b形成為預(yù)定厚度以上。因此，在將激勵電極25a、25b的厚度形成為所述預(yù)定厚度以上時，接近主振動的低階非諧模式成為封閉模式。為了抑制該低階非諧模式的振幅的大小(Cl)，只需避免非諧模式的駐波成立的條件即可。也就是說，圖12 (a) 圖12 (c)的振動部12的X軸方向上的兩端緣的形狀由于殘留了細片(極細的傾斜部15bb)而變成非對稱，從而能夠抑制低階的非諧模式的駐波的振幅。振動元件的第六實施方式
圖13為表示振動元件的第六實施方式所涉及的壓電振動元件的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖13 Ca)為壓電振動元件7的俯視圖，圖13 (b)為從+ X軸方向觀察P-P剖面時的剖視圖，圖13 (c)為從+Z’軸方向觀察Q-Q剖面時的剖視圖。壓電振動兀件7與圖8 (a) 圖8 (f)所不的壓電振動兀件4的不同之處為，設(shè)置了兩個應(yīng)力緩和用的狹縫。也就是說，在第三厚壁部主體15a內(nèi)貫穿形成有第一狹縫20a，且在第三傾斜部15b內(nèi)貫穿形成有第二狹縫20b。由于在第三厚壁部主體15a內(nèi)和第三傾斜部15b內(nèi)分別設(shè)置單獨的狹縫20a、20b的目的已經(jīng)進行了說明，因此在此省略。圖14為表示圖13所示的壓電振動元件7的 改變例的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在壓電振動元件7’中，第一狹縫20a以貫穿形成在第三厚壁部主體15a內(nèi)的方式而設(shè)置，第二狹縫20b被貫穿形成在第三傾斜部15b內(nèi)。然而，第一狹縫20a和第二狹縫20b并不像圖13 (a)所示的俯視圖那樣，將第一狹縫20a和第二狹縫20b在X軸方向上并排設(shè)置，而是以在V軸方向上相互離開的方式錯開配置成臺階狀，這一點與壓電振動元件3不同。通過設(shè)置兩個狹縫20a、20b，從而能夠使因?qū)щ娦哉澈蟿┒a(chǎn)生的應(yīng)力不擴散到振動部12。圖15為表示圖8 (a) 圖8 (f)所示的實施方式的壓電振動元件4的改變例的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在壓電振動元件4’中，引線電極27a以下述方式形成，即，從表面的激勵電極25a的端緣延伸出，經(jīng)由第一厚壁部16的表面(上表面)，而與被設(shè)置在第三厚壁部15的表面上的襯墊電極29a連接。此外，引線電極27b以下述方式形成，即，從背面?zhèn)鹊募铍姌O25b的端緣延伸出，經(jīng)由第二厚壁部17的表面?zhèn)龋c被設(shè)置在第三厚壁部15的背面?zhèn)鹊囊r墊電極29b連接設(shè)置。與圖8 (a) 圖8 (f)所示的實施方式的壓電振動元件4的區(qū)別在于，襯墊電極29a、29b被配置的位置。襯墊電極29a、29b以相互尚開的方式而被設(shè)置在第三厚壁部主體15a的表面上。襯墊電極29b由導(dǎo)體薄膜從背面跨越壓電基板10的端緣而形成至表面上，從而與被形成在背面上的引線電極27b導(dǎo)通。襯墊電極29a、29b被構(gòu)成為，當(dāng)將導(dǎo)電性粘合劑涂布在表面?zhèn)鹊囊r墊電極29a、29b上，然后將襯墊電極29a、29b翻轉(zhuǎn)并載置在封裝件的元件搭載襯墊上時，容易實現(xiàn)導(dǎo)通。振動元件的制造方法元件的外形形成工序圖16為表示在壓電基板10的兩個面上形成凹陷部11、11’，且與壓電基板10的外形和狹縫20的形成有關(guān)的制造工序示意圖。在此，作為壓電晶片，以水晶晶片為示例，雖然對在水晶晶片IOW上形成多個壓電振動元件I的制造工序進行說明，但在剖視圖中，圖示了被分片化的壓電振動元件I的形成工序。在工序SI中，對兩個面(表面和背面)被實施了拋光加工的、預(yù)定的厚度例如80 μ m的水晶晶片IOW進行充分清洗、干燥后，在表背面上通過陰極真空噴鍍等而分別形成金屬膜(耐蝕膜)M，該金屬膜通過以鉻(Cr)為基底，并在其上層疊金(Au)而形成。在工序S2，將光刻膠膜(以下，稱作抗蝕劑膜)R涂布在表背面的金屬膜M各自的上表面上。在工序S3中，使用曝光裝置和掩模圖案，而對表背面上相當(dāng)于凹陷部11、11’的部位的抗蝕劑膜R進行曝光。當(dāng)對通過曝光而感光了的抗蝕劑膜R進行顯影并將其剝離時，表背面上的相當(dāng)于凹陷部11、11’的位置處的金屬膜M將露出。當(dāng)使用王水等溶液將通過抗蝕劑膜R的剝離而露出的各個金屬膜M溶解并去除時，相當(dāng)于凹陷部11、11’的位置處的水晶晶片IOW的表背面將露出。在工序S4中，使用氫氟酸(氟酸)和氟化銨的混合液，將露出的水晶晶片IOW的表背面蝕刻至成為所需的厚度。在工序S5中，使用預(yù)定的溶液來剝離表背面的抗蝕劑膜R，而且使用王水等將露出的表背面的金屬膜M去除。在該階段的俯視觀察時，水晶晶片IOW的表背面的凹陷部11、11’相互稍微錯開地形成，并且同一個面上的各個凹陷部11、11’處于以網(wǎng)格狀規(guī)律地排列的狀態(tài)。在工序S6中，在工序S5中所獲得的水晶晶片IOW的兩個面上形成金屬膜M(Cr +Au)。在工序S7中，在工序S6中所形成的金屬膜M (Cr + Au)的兩個面上分別涂布抗·蝕劑膜R。在工序S8中，使用曝光裝置和預(yù)定的掩模圖案，從表背兩面對相當(dāng)于壓電基板10的外形和狹縫(圖未示)的部位的各個抗蝕劑膜R進行感光、顯影，并剝離各個抗蝕劑膜R。而且，使用王水等的溶液來溶解并去除露出的金屬膜M。在工序S9中，使用氫氟酸(氟酸)和氟化銨的混合液，對露出的水晶晶片IOW的兩個面進行蝕刻，從而形成壓電基板10的外形和狹縫(圖未示)。在工序SlO中，剝離殘留的抗蝕劑膜R，溶解并去除露出的剩余的金屬膜M。在該階段，水晶晶片IOW處于多個壓電基板10由支承細片連接并以網(wǎng)格狀規(guī)律地排列的狀態(tài)。在本實施方式中，如工序SlO所示，在壓電基板10的兩主面上分別形成凹陷部11、11’，而構(gòu)成振動部12，并且與振動部12連接設(shè)置的第一厚壁部16和第二厚壁部17被形成為相對于壓電基板10的重心點對稱。在工序SlO結(jié)束后，例如采用光學(xué)方法而對在水晶晶片IOW上以網(wǎng)格狀規(guī)律地排列的多個壓電基板10的振動部12的厚度進行測量。在測量出的各個振動部12的厚度厚于預(yù)定厚度的情況下，分別對厚度進行微調(diào)，以使其進入預(yù)定的厚度的范圍內(nèi)。元件的電極形成工序一 I使用圖17所示的制造工序示意圖，而對以下步驟(工序)進行說明，即，在將被形成在水晶晶片IOW上的多個壓電基板10的振動部12的厚度調(diào)節(jié)到預(yù)定的厚度的范圍內(nèi)后，在各個壓電基板10上形成激勵電極25a、25b和引線電極27a、27b的步驟。在工序Sll中，通過陰極真空噴鍍等，在水晶晶片IOW的表面和背面整個面上對鎳(Ni)薄膜進行成膜，并在其上層疊金(Au)薄膜，以對金屬膜M進行成膜。接著，在工序S12中，分別在金屬膜M上涂布抗蝕劑以對抗蝕劑膜R進行成膜。在工序S13中，使用掩模圖案Mk，而對相當(dāng)于激勵電極25a、25b和引線電極27a、27b的部位的抗蝕劑膜R進行曝光。在工序S14中，對感光后的抗蝕劑膜R進行顯影，并留下感光后的抗蝕劑膜R，而使用溶液將未曝光的抗蝕劑膜R剝離。然后，使用王水等的溶液將通過剝離抗蝕劑膜R而露出的金屬膜M溶解并去除。在工序S15中，當(dāng)將殘留在金屬膜M上的抗蝕劑膜R剝離時，在各個壓電基板10上將形成激勵電極25a、25b和引線電極27a、27b等。然后通過折取與水晶晶片IOW的多個壓電基板10相連接的、通過半蝕刻而形成的支承細片，從而獲得被分割并被分片化的壓電振動元件I。元件的電極形成工序一 2使用圖18所示的制造工序示意圖，而對下述其他的步驟(工序)進行說明，即，在將被形成在水晶晶片IOW上的多個壓電基板10的振動部12的厚度調(diào)節(jié)到預(yù)定的厚度的范圍內(nèi)后，在各個壓電基板10上形成激勵電極25a、25b和引線電極27a、27b的步驟。在工序S21中，通過陰極真空噴鍍等，在水晶晶片IOW的表面和背面整個面上對鎳(Ni)薄膜進行成膜，并在其上層疊金(Au)薄膜，以對金屬膜M進行成膜。接著，在工序S22中，分別在金屬膜M上涂布抗蝕劑以形成抗蝕劑膜R。
在工序S23中，使用引線電極和襯墊電極用的掩模圖案Mk，而對相當(dāng)于引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b的部位的抗蝕劑膜R進行曝光。在接下來的工序S24中，對感光后的抗蝕劑膜R進行顯影，并留下感光后的抗蝕劑膜R，而將未曝光的抗蝕劑膜R剝離。然后，使用王水等的溶液將通過該剝離而露出的金屬膜M溶解并去除。引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b上的抗蝕劑膜R就此殘留。在接下來的工序S25中，通過陰極真空噴鍍等，在水晶晶片IOW的表面和背面整個面上對鎳(Ni)薄膜進行成膜，并在其上層疊金(Au)薄膜，以對金屬膜M進行成膜。而且，在金屬膜M上涂布抗蝕劑膜R。在工序S25的圖中，為了避免煩雜，而用符號(M+R)來表示將引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b用的金屬膜M與抗蝕劑膜R合在一起的層。而且，使用激勵電極用的掩模圖案Mk，而對相當(dāng)于激勵電極25a、25b的部位的抗蝕劑膜R進行曝光。 在工序S26中，對感光后的抗蝕劑膜R進行顯影，并留下感光后的抗蝕劑膜R，而使用溶液將未曝光的抗蝕劑膜R剝離。在接下來的工序S27中，使用王水等的溶液將通過剝離抗蝕劑膜R而露出的金屬膜M溶解并去除。當(dāng)將殘留在金屬膜M上的不需要的抗蝕劑膜R剝離時，在各個壓電基板10的表背面上將形成(Ni+Au)的激勵電極25a、25b、(Cr+Au)的引線電極27a、27b以及襯墊電極29a、29b (工序S28)。然后通過折取與水晶晶片IOW的多個壓電基板10相連接的、通過半蝕刻而形成的支承細片，從而獲得被分割并被分片化的壓電振動元件I。可是，雖然當(dāng)對水晶進行濕蝕刻時，沿著Z軸而進行蝕刻，但具有蝕刻的速度對應(yīng)于各個結(jié)晶軸的方向而發(fā)生變化的這種水晶特有的蝕刻各向異性。因而，通過該蝕刻的各向異性而呈現(xiàn)出的蝕刻面對應(yīng)于各個結(jié)晶軸的方向而顯現(xiàn)出差異的現(xiàn)象，已迄今為止以蝕刻各向異性為研究課題的大量的學(xué)術(shù)論文和在先專利文獻中進行了論述。盡管已具有這種背景，但針對水晶的蝕刻各向異性，尚無明確制訂系統(tǒng)的資料。為了制造小型壓電振動元件，今后越來越需要納米加工技術(shù)。然而，現(xiàn)狀為，由蝕刻的各種條件(蝕刻溶液的種類、蝕刻速率、蝕刻溫度等)的不同導(dǎo)致的蝕刻各向異性，或者，根據(jù)文獻，也經(jīng)常發(fā)現(xiàn)在呈現(xiàn)出的結(jié)晶面中存在差異的情況。因此，本發(fā)明人在使用光刻法和濕蝕刻法來制造本發(fā)明所涉及的壓電振動元件時，反復(fù)進行蝕刻模擬和試制實驗，以及納米級的表面分析和觀察，由于明確了本發(fā)明所涉及的壓電振動元件能夠?qū)崿F(xiàn)以下的一種形態(tài)，因此在以下進行詳細說明。
圖19 (a) 圖19 (e)和圖20 (a) 圖20 (e)為對通過蝕刻而被形成在水晶晶片IOW的兩個面上的凹陷部11、11’進行說明的圖。圖19 (a)為圖16的工序S5中的水晶晶片IOW的俯視圖。在該階段，凹陷部11、11’以網(wǎng)格狀且規(guī)律地形成在水晶晶片IOW的兩個面上。圖19 (b)為從水晶晶片IOW的凹陷部11、11’穿過的、沿X軸方向的剖面(切口)，水晶晶片IOW的上側(cè)(表面?zhèn)?的凹陷部11和下側(cè)(背面?zhèn)?的凹陷部11’的各個壁面不是垂直的壁面，而是呈傾斜壁面。也就是說，上側(cè)的凹陷部11的一 X軸方向上的壁面形成傾斜壁面XI，+ X軸方向上的壁面形成傾斜壁面X2。此外，下側(cè)的凹陷部11’的一 X軸方向上的壁面被形成為傾斜壁面XI，+ X軸方向上的壁面被形成為傾斜壁面X2。各個傾斜壁面被蝕刻成相對于從振動部12的Y軸方向上的中心穿過的X軸線對稱。以此種方式，由于蝕刻的進行在結(jié)晶軸方向上具有各向異性，因此蝕刻用開口部一般在上下面上稍微錯開地配置。 圖19 (C)至圖19 Ce)是凹陷部11、11’的傾斜壁面X1、X2及槽部的傾斜壁面X3的放大圖。如圖19 (c)所示，上側(cè)的凹陷部11的一 X軸方向上的傾斜壁面Xl以相對于水晶晶片IOW的平面大致傾斜62度的方式被蝕刻。此外，雖然+ X軸方向上的傾斜壁面X2以與水晶晶片IOW的平面正交(90度)的方式而進行少量蝕刻，但之后以緩和的傾角進行蝕亥IJ。下側(cè)的凹陷部11’的一 X軸方向上的壁面成為傾斜壁面XI，+ X軸方向上的壁面成為傾斜壁面X2。也就是說，上側(cè)的凹陷部11的傾斜壁面和下側(cè)的凹陷部11’的傾斜壁面具有相對于從振動部12的Y軸方向上的中心穿過的X軸線對稱的關(guān)系。由上側(cè)的凹陷部11的底面和下側(cè)的凹陷部11’的底面形成的振動部12的兩個面，被蝕刻成與水晶晶片IOW的蝕刻前的平面大致平行。也就是說，振動區(qū)域12成為表背面大致平行的平板狀。圖19 Cd)為表示壓電基板10的外形和狹縫20的剖視圖。在圖16的工序S9的蝕刻工序中，形成外形和狹縫20，在一 X軸方向(圖中左側(cè))上的端部，形成有由第四厚壁部主體14a和第四傾斜部14b構(gòu)成的第四厚壁部14，在+ X軸方向(圖中右側(cè))的端部，形成有由第三厚壁部主體15a和第三傾斜部15b構(gòu)成的第三厚壁部15。在第三厚壁部主體15a的面內(nèi)形成有狹縫20。圖19 Ce)為形成在水晶晶片IOW上的折取用的槽部(支承細片)的剖視圖，在圖16的工序S9的蝕刻工序中被形成。以與X軸正交的方式形成的槽部的剖面呈楔型。這是因為，壓電基板10的上側(cè)槽部的傾斜壁面X3a由一 X軸方向上的傾斜壁面Xl和+ X軸方向上的傾斜壁面X2形成，下側(cè)槽部的傾斜壁面X3b被形成為相對于槽部的中心，而與上側(cè)的槽部的傾斜壁面X3a相對于從水晶晶片IOW的Y軸方向(厚度方向)上的中心穿過的X軸線對稱，因此形成為大致楔型。在將電極設(shè)置在形成有凹陷部11、11’的面上的情況下，需要注意傾斜壁面X2的垂直壁面。由于容易引起電極膜的斷裂，因此優(yōu)選避開。圖20 (a)為圖16的工序S5中的水晶晶片IOW的俯視圖。圖20 (b)為水晶晶片IOW的上側(cè)凹陷部11和下側(cè)凹陷部11’的沿著Z’軸方向的剖面(切口)。上側(cè)凹陷部11的一 Z’軸方向上的壁面被形成為傾斜壁面Zl，+ Z’軸方向上的壁面被形成為傾斜壁面Z2。下側(cè)凹陷部11’被形成為關(guān)于振動部12的中心而與上側(cè)凹陷部11點對稱的關(guān)系。也就是說，下側(cè)凹陷部11’的一 Z’軸方向上的壁面被形成為傾斜壁面Z2，+ Z’軸方向上的壁面被形成為傾斜壁面Zl。圖20 (C)至圖20 Ce)為上側(cè)凹陷部11和下側(cè)凹陷部11’的傾斜壁面Zl、Z2及槽部的傾斜壁面Z3的放大圖。如圖20 (c)的圖中左側(cè)所示，上側(cè)凹陷部11的一 Z’軸方向上的壁面以相對于水晶晶片IOW的平面較為緩和的傾斜而被蝕刻，從而成為傾斜壁面Z1。如圖20 (c)的圖中右側(cè)所示，+Z’軸方向上的壁面呈傾斜壁面Z2。也就是說，雖然先通過相對于水晶晶片IOW的平面較為陡峭的傾斜面Z2a而被實施蝕刻，但其后通過緩和的傾斜面Z2b而進行蝕刻。下側(cè)凹陷部11’的沿著V軸方向的傾斜壁面Zl、Z2具有關(guān)于振動部12的中心而與上側(cè)凹陷部11點對稱的關(guān)系。圖20 (d)為被實施了外形加工后的壓電基板10的外形剖視圖，且為從圖20 (C)的兩條虛線Zcl、Zc2處起通過蝕刻而被實施了外形加工后的圖。在圖16的工序S9的蝕刻工序中形成外形，在一 V軸方向(圖中左側(cè))的端部，形成有由第一厚壁部主體16a和第一傾斜部16b構(gòu)成的第一厚壁部16，在+ Z’軸方向(圖中右側(cè))上的端部，形成有由第二厚壁 部主體17a和第二傾斜部17b構(gòu)成的第二厚壁部17。第一厚壁部16和第二厚壁部17被形成為關(guān)于振動部12的中心大致點對稱。圖20 (e)為與Z’軸方向正交而形成的上側(cè)槽部和下側(cè)槽部的剖視圖，均呈楔型剖面的傾斜壁面Z3。該上側(cè)和下側(cè)的槽部為用于水晶晶片IOW折取的槽部，上側(cè)槽部的傾斜壁面Z3由凹陷部11的一 V軸方向上的傾斜壁面ZljP+ V軸方向上的傾斜壁面Z2 (壁面Z2a和壁面Z2b)形成，下側(cè)槽部的傾斜壁面Z3由于被形成為相對于槽部的中心，而與上側(cè)的傾斜壁面Z3點對稱，因此呈大致楔型的剖面。當(dāng)在X軸方向、Z’軸方向上形成折取用槽部時，其剖面形狀成為楔型，從而折取較為容易。本方式的特征在于，從水晶晶片IOW的兩主面進行蝕刻，從而分別在兩主面上形成對置的凹陷部11、11’，以作為振動部12這一點，能夠?qū)⑽g刻所需的加工時間減半。此外，如圖20 Cd)所示，通過利用蝕刻將虛線Zcl、Zc2的圖中外側(cè)均去除，從而可實現(xiàn)壓電基板10的小型化，這也是特征之一。由于從壓電基板10的兩主面進行蝕刻，能夠?qū)⒆詨弘娀?0的各個主面起的蝕刻深度形成得較淺，因此能夠減少在制造時布置有水晶晶片IOW的各個單片的區(qū)域之間、或在水晶晶片low之間，成為薄壁的振動部12的厚度的偏差。其理由是因為存在如下問題，即，當(dāng)將壓電基板10長時間浸泡在蝕刻溶液中時，蝕刻溶液內(nèi)的溶液的濃度將有可能產(chǎn)生差異，由于該濃度差異，從而有可能無法保證對壓電基板10的蝕刻的均勻性，而導(dǎo)致在布置有水晶晶片的各個單片片的區(qū)域之間、或在水晶晶片之間，產(chǎn)生振動部12的厚度的偏差，從而對厚度的控制較為困難。而且，如圖20 (C)、圖20 (d)所示，以削除作為振動部12所不需要的圖中兩端部為前提，而確定制造方法。因此能夠?qū)崿F(xiàn)如下情況，即，與作為在先技術(shù)而披露的、現(xiàn)有的具備現(xiàn)有的厚壁部的結(jié)構(gòu)相比，在確保成為振動部的平坦的超薄部的面積的同時，使壓電振動元件I的尺寸小型化。此外，而且如前文所述，對向AT切割水晶基板的X軸方向上的兩端施加力(以在封裝時產(chǎn)生的應(yīng)力及變形作為所述力而進行說明)時的頻率變化、與向V軸方向上的兩端施加相同力時的頻率變化進行比較，能夠減小向V軸方向上的兩端施加力時的頻率變化量。由此，由于將壓電基板10的X軸方向上的長度設(shè)為長于Z’軸方向上的長度的、所謂的X長，因此能夠在X軸方向上較大地確保振動部12的面積。此外，由于在本實施方式的壓電振動元件I的振動部12的整周上，相對于振動部12的主面，而在表背面中的至少某一側(cè)設(shè)置有厚壁的厚壁部13，因此振動部12的端部不會露出于外部。由此，即使從應(yīng)對下述情況的、壓電振動元件I的耐沖擊性等的可靠性的觀點出發(fā)，也由于維持了較高的強度，因此能夠維持較高的可靠性，所述情況為，在制造壓電振動元件I時、或?qū)弘娬駝釉蘒封裝在封裝件(容器)內(nèi)而制造壓電振子的過程等中等，將壓電振動元件I碰撞在某種物體上等的情況。其結(jié)果為，能夠充分考慮下述情況來進行設(shè)計，S卩，在振動部中被激勵的厚度切變振動模式的位移分布由于彈性常數(shù)的各向異性而成為在X軸方向具有長徑的橢圓形狀的·情況，因此能夠充分地將長軸與短軸之比設(shè)計為I. 26:1，并且在考慮到制造尺寸的偏差等的情況下，能夠充分地將長軸與短軸之比設(shè)計在I. 14 I. 39:1的范圍左右。圖21 (a)和圖21 (b)為圖I (a) 圖I (f)所示壓電振動元件I的詳細的圖，圖21 (a)為立體圖，圖21 (b)為從-Z’軸方向觀察圖I (a)中的Q-Q剖面時的剖視圖。如圖21 (a)所示，在壓電振動元件I的與X軸相交的外形端面上，呈現(xiàn)出傾斜面。也就是說，如圖21 (b)所示，在一 X軸側(cè)的端面上呈現(xiàn)出傾斜面I (傾斜面al、a2)，在+X軸側(cè)的端面上呈現(xiàn)出傾斜面2 (傾斜面bl、b2、b3、b4)，傾斜面I和傾斜面2的與XY’平面平行的剖面形狀有所不同。此外，在傾斜面I和傾斜面2上，于與壓電基板10的主表面相交處的附近，均未呈現(xiàn)出如圖19 (b)、圖19 (e)所示這種被形成在+ X軸方向上的傾斜壁面X2的垂直的壁面。其理由如下，即，與用于形成凹陷部11、11’所需的蝕刻時間相比，傾斜面I (傾斜面al、a2)和傾斜面2的形成時間為，蝕刻至壓電基板(水晶基板)10的外形貫穿為止的時間，由于蝕刻時間足夠長，因此通過過度蝕刻的作用，從而不會呈現(xiàn)出垂直的壁面。明確了構(gòu)成傾斜面I的傾斜面al、a2具有相對于X軸大致對稱的關(guān)系，在構(gòu)成傾斜面2的傾斜面bl、b2、b3、b4中，傾斜面bl和傾斜面b4、傾斜面b2和傾斜面b3具有分別相對于X軸大致對稱的關(guān)系。而且，可知傾斜面al、a2相對于X軸的傾斜角度α與傾斜面bl、b4相對于X軸的傾斜角度β之間存在β < α的關(guān)系。圖22所示的實施方式的壓電振動元件I’為圖I (a) 圖I (f)所示的壓電振動元件I的改變例，其結(jié)構(gòu)為，通過蝕刻等而將作為第三厚壁部主體15a的靠近外端部的一部分即第三厚壁部主體15a’的厚度減薄。其理由如下，即，在利用接合線BW對形成在第三厚壁部主體15a’上的襯墊電極2%、和外部的電極端子進行連接時，不使接合線的+Y軸方向上的頂點部分與覆蓋于封裝件上的蓋部件接觸。如圖I (a) 圖I (f)、圖5 (a) 圖5 (C)、圖6 (a) 圖6 (C)、圖7 (a)和圖7 (b)的實施方式所示，具有下述效果，即，高頻的壓電振動元件被小型化，且可獲得對振動部進行支承的厚壁部較為牢固，從而耐振動、耐沖擊等較強的壓電振動元件。而且，由于通過設(shè)置狹縫，能夠抑制因粘合及固定而導(dǎo)致的應(yīng)力的擴散，因此具有下述效果，即，可獲得頻率溫度特性、Cl溫度特性以及頻率老化特性優(yōu)異，且主振動的Cl值較小，從而接近的寄生響應(yīng)的Cl值相對于主振動的Cl值之比、即Cl值比較大的壓電振動元件。此外，當(dāng)支承壓電振動元件的部位為一點時，能夠減少因?qū)щ娦哉澈蟿┒a(chǎn)生的應(yīng)力。
此外，通過如圖I (a) 圖I (f)、圖5 (a) 圖5 (C)、圖6 (a) 圖6 (C)所示這樣，與振動部相接而在其端部設(shè)置厚壁部，從而具有強化了壓電振動元件的耐沖擊性和耐振動性的效果。如圖8 Ca) 圖8 (f)、圖12 Ca) 圖12 (C)、圖13的實施方式所示，由于實現(xiàn)了厚壁部的消減，因此可實現(xiàn)使用了基波的高頻壓電振動元件的小型化，和對耐沖擊性的強化，且能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)化。而且，通過在支承部和振動區(qū)域之間形成至少一個狹縫，能夠抑制因粘合及固定而導(dǎo)致的應(yīng)力的擴散，因此具有下述效果，即，可獲得頻率溫度特性、Cl溫度特性以及頻率老化特性優(yōu)異的壓電振動元件。此外，如圖9 (a)和圖9 (b)的實施方式所示，激勵電極25a、25b與引線電極27a、27b及襯墊電極29a、29b分別由不同種類結(jié)構(gòu)的金屬材料形成，即，激勵電極25a、25b由鎳和金的層疊膜形成，引線電極27a、27b和襯墊電極29a、29b由鉻 和金的層疊膜形成。通過以這種方式形成，從而具有下述效果，即，可獲得主振動的Cl值較小，從而接近的寄生響應(yīng)的Cl值相對于主振動的Cl值之比、即Cl值比較大的壓電振動元件。此外，圖8 (a) 圖8 (f)、圖12 (a) 圖12 (C)、圖13的實施方式所示的壓電振動元件I中，振動部12的另一側(cè)主面(背面)、和第一厚壁部16的另一面(背面)位于同一平面上，振動部12的一側(cè)主面(表面)、和第二厚壁部17的另一面(表面)被形成為,位于同一平面上。因此，由于削減了不需要的厚壁部，因此具有小型化、強化耐沖擊性的效果。而且，通過從表背兩面對壓電基板10進行蝕刻來形成振動區(qū)域，從而具有縮短了蝕刻時間的效果。另外，具有如下效果，即，通過削除不需要的厚壁部，從而可實現(xiàn)小型化，且可獲得頻率溫度特性優(yōu)異的高頻的基波壓電振動元件的效果。此外，如圖6 (a) 圖6 (C)、圖13的實施方式所示，由于通過在第三厚壁部15上設(shè)置兩個狹縫，能夠更好地抑制在粘合及固定壓電振動元件時所產(chǎn)生的應(yīng)力的擴散，因此具有可獲得頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、Cl溫度特性以及頻率老化特性優(yōu)異的壓電振動元件的效果。此外，由于壓電基板10以圖2的切斷角度圖所示的方式被形成，因此具有下述效果，即，能夠用更適合的切割角度來構(gòu)成要求規(guī)格的壓電振動元件，且可獲得具有符合規(guī)格的頻率溫度特性，Cl值較小且Cl值比較大的高頻壓電振動元件。此外，由于壓電基板使用旋轉(zhuǎn)Y切割水晶基板，而能夠活用與光刻技術(shù)和蝕刻法有關(guān)的長期的實際成果及經(jīng)驗，因此具有下述效果，即，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)壓電基板的量產(chǎn)，而且可獲得高精度的壓電基板，從而壓電振動元件的成品率被大幅度地改善。此外，如圖I (a) 圖I (f)所示，當(dāng)?shù)谌癖诓?5以下述方式被構(gòu)成時，S卩，具備第三傾斜部15b，其厚度隨著從與振動部12連接設(shè)置的一側(cè)端緣朝向另一側(cè)端緣離開而逐漸增加；第三厚壁部主體15a，其與該第三傾斜部15b的另一側(cè)端緣連接設(shè)置，則具有如下效果，即，高頻且基波的壓電振動元件被小型化，且可獲得對振動部的支承較為牢固，從而耐振動、耐沖擊等較強的壓電振動元件。振子振子的方式I圖23 (a)和圖23 (b)為表示作為本發(fā)明所涉及的振子的實施方式的壓電振子的結(jié)構(gòu)的圖，圖23 (a)為縱剖視圖，圖23 (b)為去除蓋部件后的俯視圖。壓電振子50具備例如上述的第四實施方式中的壓電振動元件4 (雖然在圖23 (a)和圖23 (b)中，示出了使用壓電振動元件4的示例，但也可以為其他實施方式所涉及的壓電振動元件)和對壓電振動元件4進行收納的封裝件。封裝件包括被形成為矩形箱狀的封裝件主體40，和由金屬、陶瓷、玻璃等構(gòu)成的蓋部件49。如圖23 (a)和圖23 (b)所示，封裝件主體40通過對第一基板41、第二基板42、第三基板43進行層疊而形成，且通過對作為絕緣材料的氧化鋁質(zhì)的陶瓷生片進行成形而制成箱狀之后，進行燒結(jié)而形成。多個安裝端子45被形成在第一基板41的外部底面上。第三基板43為被去除了中央部的環(huán)狀體，在第三基板43的上部邊緣上，形成有例如科瓦鐵鎳鈷合金等的金屬密封環(huán)44。利用第三基板43和第二基板42，而形成收納壓電振動元件4的凹部(腔室)。在第二基板42的上表面的預(yù)定位置處，設(shè)置有通過導(dǎo)體46而與安裝端子45電導(dǎo)通的多個元件搭載襯墊47。元件搭載襯墊47的位置被配置為，在載置壓電振動元件4時與第三厚壁部主體15a上所形成的襯墊電極29a相對應(yīng)。 在將壓電振動元件4固定在封裝件主體40上時，首先，將導(dǎo)電性粘合劑30涂布在壓電振動元件4的襯墊電極29a上，將將壓電振動元件4翻轉(zhuǎn)(翻過來)，載置在元件搭載襯墊47上并施加載荷。作為導(dǎo)電性粘合劑30的特性，因?qū)щ娦哉澈蟿?0而產(chǎn)生的應(yīng)力變形)的大小按照硅酮類粘合劑、環(huán)氧類粘合劑、聚酰亞胺類粘合劑的順序而增大。此外，脫氣按照聚酰亞胺類粘合劑、環(huán)氧類粘合劑、硅酮類粘合劑的順序而增大。作為導(dǎo)電性粘合劑30，考慮到隨時間變化，而使用脫氣較少的聚酰亞胺類粘合劑。為了使被搭載在封裝件主體40上的壓電振動元件4的導(dǎo)電性粘合劑30固化，而將其放置在預(yù)定溫度的高溫爐內(nèi)預(yù)定時間。使導(dǎo)電性粘合劑30固化后，使用接合線BW來對通過翻轉(zhuǎn)而成為表面?zhèn)鹊囊r墊電極2%、和封裝件主體40的電極端子48進行導(dǎo)通連接。如圖23(b)所示，由于將壓電振動元件4支承并固定在封裝件主體40上的部分為一處(一點)，即，僅為導(dǎo)電性粘合劑30這一點，因此能夠減少因支承固定而產(chǎn)生的應(yīng)力的大小。實施了退火處理后，通過向激勵電極25b附加重量或減輕重量，從而進行頻率調(diào)節(jié)。將蓋部件49載置在形成于封裝件主體40的上表面上的金屬密封環(huán)44上，并在真空中或氮氣N2氣體的氣氛中，對蓋部件49縫焊而實施密封?；蛘撸部梢圆捎萌缦路椒?，即，將蓋部件49載置于被涂布在封裝件主體40的上表面上的低熔點玻璃上，并進行熔融來而實現(xiàn)緊貼的方法。將封裝件主體的腔室內(nèi)形成為真空，或向封裝件主體的腔室內(nèi)填充氮氣N2等的惰性氣體，從而制成壓電振子50。并且，壓電振動元件4中，在形成壓電振動元件4的壓電基板的上下面上，以接近的方式分別形成有襯墊電極29a、29b。在將壓電振動元件4收納在封裝件主體40內(nèi)時，翻轉(zhuǎn)壓電振動元件4，并用導(dǎo)電性粘合劑30固定并連接襯墊電極29a和封裝件主體40的元件搭載襯墊47。使用接合線BW來連接成為表面?zhèn)鹊囊r墊電極29b和封裝件的電極端子48。當(dāng)以這種方式支承壓電振動元件4的部位為一點時，將能夠減少因?qū)щ娦哉澈蟿?0而產(chǎn)生的應(yīng)力。此外，當(dāng)收納在封裝件主體40內(nèi)時，若翻轉(zhuǎn)壓電振動元件4，而使更大的激勵電極25b位于上表面時，對壓電振動元件40的頻率微調(diào)將變得較為容易。振子的方式2圖24為表示振子的其他實施方式的壓電振子50’的結(jié)構(gòu)的縱剖視圖。與圖23(a)和圖23 (b)所示的實施方式的不同點為，對壓電振動元件4的支承方法。與圖23 (a)和圖23 (b)的實施方式中為一處支承相對，在圖24的實施方式中為如下結(jié)構(gòu)，即，將導(dǎo)電性粘合劑30涂布在壓電振動元件4的一面上的第三厚壁部15的兩處(兩點)上，以實現(xiàn)導(dǎo)通和支承固定。雖然為適合于扁平化的結(jié)構(gòu)，但有可能使因?qū)щ娦哉澈蟿?0引起的應(yīng)力稍微增大。因此，通過采用作為第三實施方式和第六實施方式的、如圖6 (a) 圖6 (C)、圖7(a)和圖7 (b)、圖13、圖14所示這種設(shè)置有兩個狹縫的壓電振動元件3、7、7’，可以期待能夠抑制所述應(yīng)力對振動部的影響的效果?；蛘?，還具有下述方法，即，在導(dǎo)電性粘合劑的硬度比較硬的情況下，通過縮小涂布導(dǎo)電性粘合劑的“兩處(兩點)”的中心間的距離，從而減少在所述兩點之間所產(chǎn)生的與封裝有關(guān)的變形(應(yīng)力)。另一方面，還存在下述方法，即，通過使用導(dǎo)電性粘合劑的硬度比較軟的硅酮類粘合劑，從而使導(dǎo)電性粘合劑具有緩沖性，進而減少在所述兩點之間所產(chǎn)生的與安裝有關(guān)的變形(應(yīng)力)。雖然在上述的壓電振子50、50’的實施方式中，對封裝件主體40使用層壓板的示例進行了說明，但也可以采用如下方式來構(gòu)成壓電振子，即，封裝件主體40使用單層陶瓷·板，蓋體使用實施了拉深加工而得到的罩。如上文所述，由于使用前文所述的實施方式所示的壓電振動元件4，因此具有如下效果，即，高頻的壓電振子50、50’被小型化，且可獲得耐沖擊性得到了提高的壓電振子。而且，由于支承壓電振動元件4的部位為一點，且在被支承部(襯墊電極29a)和振動部12之間形成有至少一個狹縫20，從而能夠減小因?qū)щ娦哉澈蟿?0而產(chǎn)生的應(yīng)力。其結(jié)果為，具有下述效果，即，可獲得頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、Cl溫度特性以及頻率老化特性優(yōu)異的壓電振子。另外，還具有下述效果，即，可獲得主振動的Cl值較小，從而接近的寄生響應(yīng)的Cl值相對于主振動的Cl值之比、即Cl值比較大的壓電振子，并且可獲得電容比Y較小的壓電振子50、50’。此外，如圖24的實施方式所示，通過構(gòu)成兩點支承的壓電振子，從而具有能夠獲得扁平化的壓電振子50’的效果。通過設(shè)置兩個狹縫，從而能夠抑制因兩點支承所引起的支承應(yīng)力對振動部的影響。此外，如圖I (a) 圖I (f)和圖3至圖6 (a) 圖6 (C)的實施方式所示，由于使用被構(gòu)成為，使激勵電極25a、25b的電極材料與引線電極27a、27b及襯墊電極29a、29b的電極材料不同，并且上述電極的膜厚也分別最適合于各自的功能的壓電振動元件1、2、3，因此具有下述效果，即，可獲得主振動的Cl值較小，從而接近的寄生響應(yīng)的Cl值相對于主振動的Cl值之比、即Cl值比較大的壓電振動元件I、2、3。作為電子裝置的壓電裝置圖25為表示本發(fā)明涉及的電子裝置的實施方式的縱剖視圖。作為電子裝置的壓電裝置60大致具備第一實施方式的壓電振動兀件I ;熱敏電阻Th,其為電子部件的一種，且為作為溫度傳感器的感溫元件；封裝件，其收納壓電振動元件I和熱敏電阻Th。并且，雖然在本示例中，示出了使用壓電振動元件I的示例，但也可以為其他實施方式所示的壓電振動元件。封裝件具備封裝件主體40a和蓋部件49。封裝件主體40a在上表面?zhèn)刃纬捎惺占{壓電振動元件I的腔室31，在外部背面?zhèn)刃纬捎惺占{熱敏電阻Th的凹部32。在腔室31的內(nèi)底面的端部設(shè)置有元件搭載襯墊47，元件搭載襯墊47利用被配置在封裝件主體40a內(nèi)部的導(dǎo)體46而與多個安裝端子45導(dǎo)通連接。將導(dǎo)電性粘合劑30涂布在壓電振動元件I的襯墊電極29a上，然后將其翻轉(zhuǎn)，并載置在元件搭載襯墊47上。使用接合線BW對通過翻轉(zhuǎn)而成為表面?zhèn)鹊囊r墊電極29b和電極端子48進行連接。在封裝件主體40a的上部，燒成有由科瓦鐵鎳鈷合金等構(gòu)成的金屬密封環(huán)44，將蓋部件49載置在該金屬密封環(huán)44上，使用電阻焊接器等進行焊接，從而將腔室31氣密密封。腔室31內(nèi)既可以形成為真空，也可以封入惰性氣體。使用焊錫球等而將熱敏電阻Th的端子連接在背面的凹部32的電子部件搭載用襯墊33上，從而制成壓電裝置60。雖然在以上的實施方式中，對在封裝件主體40a的外部下表面?zhèn)刃纬砂疾?2，以搭載電子部件的示例進行了說明，但也可以在封裝件主體40a的內(nèi)部底面形成凹部32，以搭載電子部件。
此外，雖然對將壓電振動元件I和熱敏電阻Th收納在封裝件主體40a內(nèi)的示例進行了說明，但優(yōu)選為，對作為收納在封裝件主體40a內(nèi)的電子部件的、熱敏電阻、電容器、電抗元件、半導(dǎo)體元件中的至少一個進行收納，而構(gòu)成電子裝置。圖25所示實施方式為將壓電振動元件I和熱敏電阻Th收納在封裝件主體40a內(nèi)的示例。當(dāng)采用這種結(jié)構(gòu)時，由于感溫元件的熱敏電阻Th位于非?？拷鼔弘娬駝釉蘒的位置處，因此具有能夠較快地對壓電振動元件I的溫度變化進行檢測的效果。此外，由于通過利用本發(fā)明所涉及的壓電振動元件和上述的電子部件來構(gòu)成電子裝置(壓電裝置)，從而能夠構(gòu)成高頻、且小型的電子裝置(壓電裝置)，因此具有能夠利用于多方面的用途中的效果O此外，當(dāng)電子部件使用可變電容元件、熱敏電阻、電感器、電容器中的任一種來構(gòu)成電子裝置(壓電裝置)時，則具有能夠以小型且低成本來實現(xiàn)更適合要求規(guī)格的電子裝置的效果。圖26 (a)和圖26 (b)為表示作為本發(fā)明的實施方式所涉及的電子裝置的一種的、壓電振蕩器70的結(jié)構(gòu)的圖，圖26 (a)為縱剖視圖，圖26 (b)為去除了蓋部件后的俯視圖。壓電振蕩器70具備封裝件主體40b、蓋部件49、第一實施方式的壓電振動兀件I、搭載有對壓電振動元件I進行激勵的振蕩電路的IC部件51、和至少一個電子部件52，所述電子部件52為電容隨著電壓而發(fā)生改變的可變電容元件、電阻隨著溫度而發(fā)生改變的熱敏電阻、電感器等。并且，雖然在本示例中，示出了使用壓電振動元件I的示例，但也可以使用其他實施方式所示的壓電振動元件。將導(dǎo)電性粘合劑(聚酰亞胺類)30涂布在壓電振動元件I的襯墊電極29a上，然后將其翻轉(zhuǎn)，并載置在封裝件主體40b的元件搭載襯墊47a上，而實現(xiàn)襯墊電極29a和元件搭載襯墊47a的導(dǎo)通。使用接合線BW對通過翻轉(zhuǎn)而成為上表面?zhèn)鹊囊r墊電極29b和封裝件主體40b的其他電極端子48進行連接，而實現(xiàn)導(dǎo)通。IC部件51固定在封裝件主體40b的預(yù)定的位置上，并用接合線BW對IC部件51的端子和封裝件主體40b的電極端子55進行連接。此外，電子部件52載置在封裝件主體40b的預(yù)定的位置上，并使用金屬凸點等進行連接。將封裝件主體40b抽真空或用氮氣等惰性氣體充滿，并用蓋部件49對封裝件主體40b進行密封，從而制成壓電振蕩器70。使用接合線BW對襯墊電極29b和封裝件的電極端子48進行連接的方法，使得支承壓電振動元件I的部位成為一點，從而能夠減小因?qū)щ娦哉澈蟿?0而產(chǎn)生的應(yīng)力。此外，當(dāng)收納在封裝件主體40b內(nèi)時，由于將壓電振動元件I翻轉(zhuǎn)(翻過來)，而使更大的激勵電極25b位于上表面，因此作為電子裝置的壓電振蕩器70的頻率微調(diào)變得較為容易。雖然圖26 (a)和圖26 (b)所不壓電振蕩器70將壓電振動兀件I、IC部件51和電子部件52配置在同一個封裝件主體40b的內(nèi)部底面上，但圖27所示的實施方式的壓電振蕩器70’使用H型的封裝件主體40a，并將壓電振動元件I收納形成于上部的腔室31內(nèi)，將腔室31內(nèi)部抽真空，或用氮氣N2氣體充滿，并用蓋部件61來密封。在下部，經(jīng)由金屬凸點(Au凸點)68，而將IC部件51和電子部件52與封裝件主體40a的端子67導(dǎo)通并連接，其中，所述IC部件51搭載有激勵壓電振動元件I的振蕩電路、放大電路等，電子部件52為可變電容元件、根據(jù)需要，也可以為電感器、熱敏電阻、電容器等。由于本實施方式的電子裝置(壓電振蕩器)70’將壓電振動元件I與IC部件51及 電子部件52分開，并且對壓電振動元件I單獨地進行氣體密封，因此壓電振蕩器70的頻率老化較為優(yōu)異。通過構(gòu)成如圖26 (a)和圖26 (b)、圖27所示的作為電子裝置的一種的壓電振蕩器70、70’(例如，電壓控制型壓電振蕩器)，從而具有下述效果，即，可獲得頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、老化特性優(yōu)異，小型且高頻(例如490MHz頻帶)的電壓控制型壓電振蕩器。此夕卜，由于壓電振蕩器70、70 ’使用基波的壓電振動元件I，因此電容比較小，并且由于使用基波壓電振動元件而擴大頻率可變幅度，從而具有可獲得S/N比良好的電壓控制型壓電振蕩器的效果。此外，具有下述效果，S卩，作為電子裝置，能夠構(gòu)成壓電振蕩器、溫度補償型壓電振蕩器以及電壓控制型壓電振蕩器等，并且可獲得能夠構(gòu)成頻率再現(xiàn)性、老化特性優(yōu)異的壓電振蕩器，頻率溫度特性優(yōu)異的溫度補償型壓電振蕩器，頻率穩(wěn)定、可變范圍廣且S/N比(信噪比)良好的電壓控制型壓電振蕩器。電子設(shè)備圖28為表示本發(fā)明實施方式所涉及的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。電子設(shè)備8具備上述的壓電振子50、50’。作為使用壓電振子50的電子設(shè)備8,可以列舉出傳輸設(shè)備等。在這些電子設(shè)備8中，壓電振子50、50’被用作基準(zhǔn)信號源、或電壓控制型壓電振蕩器(VCXO)等，從而能夠提供小型且特性優(yōu)異的電子設(shè)備。通過將本發(fā)明所涉及的壓電振子應(yīng)用在電子設(shè)備中，從而具有下述效果，即，能夠構(gòu)成具備高頻且頻率穩(wěn)定性優(yōu)異、S/N比良好的基準(zhǔn)頻率源的電子設(shè)備。接下來，根據(jù)圖29至圖31，對采用本發(fā)明的一個實施方式所涉及的振動元件的電子設(shè)備進行詳細說明。圖29為表示作為具備本發(fā)明的一個實施方式所涉及的振動元件的電子設(shè)備的、便攜型(或筆記本型)的個人計算機的結(jié)構(gòu)的立體示意圖。在該圖中，個人計算機1100由具備鍵盤1102的主體部1104、和具備顯示部100的顯示單元1106構(gòu)成,顯示單元1106通過鉸鏈結(jié)構(gòu)部而以能夠相對于主體部1104轉(zhuǎn)動的方式被支承。在這種個人計算機1100內(nèi)，內(nèi)置有作為濾波器、共振器、基準(zhǔn)時鐘等而發(fā)揮功能的振動元件I。圖30為表示作為具備本發(fā)明的一個實施方式所涉及的振動元件的電子設(shè)備的移動電話(也包含PHS :Personal Handy-phone System,個人手持式電話系統(tǒng))的結(jié)構(gòu)的立體示意圖。在該圖中，移動電話1200具備多個操作按鈕1202、聽筒1204和話筒1206，在操作按鈕1202和聽筒1204之間配置有顯示部100。這種移動電話1200中內(nèi)置有作為濾波器、共振器等而發(fā)揮功能的振動元件I。圖31為表示作為具備本發(fā)明的一個實施方式所涉及的振動元件的電子設(shè)備的、數(shù)碼照相機的結(jié)構(gòu)的立體示意圖。并且在該圖中，簡略地圖示了與外部設(shè)備之間的連接。在此，通常的照相機通過被攝物體的光像而使氯化銀照片膠卷感光，與此相對，數(shù)碼照相機1300通過CCD (Charge Coupled Device :電荷稱合裝置)等的攝像元件來對被攝物體的光像進行光電轉(zhuǎn)換，從而生成攝像信號(圖像信號)。在數(shù)碼照相機1300的殼體(主體)1302的背面設(shè)置有顯示部100，并且成為根據(jù)CXD的攝像信號而進行顯示的結(jié)構(gòu)，顯示部100作為將被攝物體顯示為電子圖像的取景器而發(fā)揮功能。此外，在殼體1302的正面?zhèn)?圖中背面?zhèn)?，設(shè)置有包括光學(xué)透鏡(攝像光學(xué)系統(tǒng))和CXD等在內(nèi)的受光單元1304。
當(dāng)攝影者對顯示在顯示部100上的被攝物體圖像進行確認，并按下快門按鈕1306時，該時間點的CCD的攝像信號將被傳送并存儲于存儲器1308中。另外，在該數(shù)碼照相機1300中，在殼體1302的側(cè)面，設(shè)置有視頻信號輸出端子1312、和數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314。而且，如圖所示，根據(jù)需要，而在視頻信號輸出端子1312上連接有電視監(jiān)視器1430，在數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314上連接有個人計算機1440。而且，成為如下的結(jié)構(gòu)，即，通過預(yù)定的操作，從而使存儲于存儲器1308中的攝像信號向電視監(jiān)視器1430和個人計算機1440輸出。在這種數(shù)碼照相機1300內(nèi)，內(nèi)置有作為濾波器、共振器等而發(fā)揮功能的振動元件I。并且，具備本發(fā)明的一個實施方式涉及的振動元件的電子設(shè)備除了能夠應(yīng)用于圖29的個人計算機(便攜型個人計算機)、圖30的移動電話、圖31的數(shù)碼照相機中之外，還能夠應(yīng)用于如下的裝置中，例如，噴墨式噴出裝置(例如，噴墨式打印機)、膝上型個人計算機、電視、攝像機、錄像機、各種車輛導(dǎo)航裝置、尋呼機、電子記事本(也包括帶有通信功能的產(chǎn)品)、電子詞典、臺式電子計算器、電子游戲機、文字處理器、工作站、可視電話、防盜用視頻監(jiān)視器、電子雙筒望遠鏡、POS (Point of Sale)終端、醫(yī)療設(shè)備(例如，電子體溫計、血壓計、血糖儀、心電圖計測裝置、超聲波診斷裝置、電子內(nèi)窺鏡)、魚群探測器、各種測量設(shè)備、計量設(shè)備類(例如，車輛、飛機、船舶的計量設(shè)備類)、飛行模擬器等。移動體圖32為示意性地表示作為移動體的一個示例的汽車的立體圖。在汽車106中搭載有具有上述的振動元件的振子或電子裝置。例如，能夠廣泛應(yīng)用于無鑰匙進入系統(tǒng)、發(fā)動機防盜鎖止裝置、車輛導(dǎo)航系統(tǒng)、車輛空調(diào)器、防抱死制動系統(tǒng)(ABS)、安全氣囊、輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、發(fā)動機控制器、混合動力汽車或電動汽車的電池監(jiān)控器、車身姿勢控制系統(tǒng)等的電子控制單元(EOT electronic controlunit)。改變實施方式I作為進一步減小、抑制因壓電振動元件的封裝所產(chǎn)生的應(yīng)力的方法，可以采用以下所示的各種結(jié)構(gòu)。圖33 Ca)的壓電基板10具備具有振動部12的薄壁部、和設(shè)置在該薄壁部的邊緣且厚度厚于該薄壁部的厚壁部13。在厚壁部13內(nèi)的一個厚壁部分上，沿著振動部12而設(shè)置有狹縫20，在緣邊方向上，隔著緩沖部S而以橫向并排的方式連接有安裝部F。安裝部F在與安裝部F和緩沖部S及厚壁部13的并排方向正交的方向上的兩端部處，具有倒角部21。圖33 (b)的壓電基板10具備具有振動部12的薄壁部、和設(shè)置在該薄壁部的邊緣且厚度厚于該薄壁部的厚壁部13。在厚壁部13內(nèi)的一個厚壁部分上，沿著振動部12而設(shè)置有狹縫20，在緣邊方向上，隔著緩沖部S而以橫向并排的方式連接有安裝部F。安裝部F在與安裝部F和緩沖部S及厚壁部13的并排方向 正交的方向上的兩端部處，具有切口部22。狹縫20的長度方向與所述正交方向大致平行，并且將安裝部F在正交方向上的寬度形成為，小于狹縫20的長度方向上的寬度。而且，狹縫20的長度方向上的兩端部位于，與安裝部F的兩端部相比更靠所述正交方向上的外周的位置處。圖33 (C)的壓電基板10具備具有振動部12的薄壁部、和設(shè)置在該薄壁部的邊緣且厚度厚于該薄壁部的厚壁部13。在厚壁部13內(nèi)的一個厚壁部分上，沿著振動部12而設(shè)置有狹縫20，在緣邊方向上，緩沖部S與安裝部F以橫向并排的方式相連結(jié)。安裝部F在與安裝部F和緩沖部S及厚壁部13的并排方向正交的方向上的兩端部處，具有切口部22。設(shè)置有狹縫20和緩沖部S的厚壁部分中，與安裝部F和緩沖部S的并排方向正交的方向上的端部，比振動部12的端部、和被設(shè)置在與該厚壁部分的延伸方向正交的方向上的其他厚壁部分的端部更突出。圖34 (a) 圖34 (C)相對于圖33 (a) 圖33 (C)的結(jié)構(gòu)的特征在于，采用兩點支承的方式、即采用安裝部F1、安裝部F2以代替安裝部F的方式。并且，雖然在圖33 Ca) 圖33 (C)、圖34 Ca) 圖34 (C)中，在厚壁部13的各個厚壁部(第一厚壁部16、第三厚壁部15、第四厚壁部14)的內(nèi)壁上圖示有傾斜部，而在厚壁部13的外側(cè)的側(cè)壁面上未圖示如圖21 Ca)和圖21 (b)所示的傾斜面，但這些傾斜部、傾斜面以如圖21 (a)和圖21 (b)所示的方式被形成在對應(yīng)的部位上。并且，圖33 (a) 圖33 (C)、圖34 (a) 圖34 (C)中的各個符號與上述各個實施方式中的相同的符號所表不的部位相對應(yīng)。改變實施方式2圖35 (a) 圖35 (C)為壓電振動元件I的改變例，圖35 (a)為俯視圖，圖35 (b)為表示壓電振動元件I的襯墊電極29a (安裝部F)的俯視放大圖，圖35 (c)為安裝部F的剖視圖。在該安裝部F中，為了提高粘合強度，而將表面上形成為凹凸?fàn)?，從而擴大粘合面積。符號說明1、1’、2、3、4、6、7…壓電振動兀件8電子設(shè)備10壓電基板IOW水晶晶片iiur 凹陷部12振動部12a、12b、12c、12d 振動部的一條邊
13厚壁部14第四厚壁部14a第四厚壁部主體14b第四傾斜部15第三厚壁部15a第三厚壁部主體15b第三傾斜部15b、15bb’極細的傾斜部 16第一厚壁部16a第一厚壁部主體16b第一傾斜部17第二厚壁部17a第二厚壁部主體17b第二傾斜部20 狹縫20a 第一狹縫20b 第二狹縫21倒角部22 切口部25a、25b 激勵電極27a、27b 引線電極29a、29b 襯墊電極30導(dǎo)電性粘合劑31 腔室32 凹部33電子部件搭載用襯墊40、40a、40b 封裝件主體41第一基板42第二基板43第三基板44金屬密封環(huán)45安裝端子46 導(dǎo)體47元件搭載襯墊48電極端子49蓋部件50、50’壓電振子51 IC 部件52電子部件
55電極端子60、70壓電裝置61蓋部件65安裝端子66 導(dǎo)體67部件端子68金屬凸點(Au凸點)Th熱敏電阻·
F、F1、F2 安裝部S緩沖部。
權(quán)利要求
1.一種振動元件，其特征在于，具備基板， 所述基板包括 振動部； 第一厚壁部，其沿著所述振動部的第一外邊緣而與所述振動部一體地設(shè)置，且厚度厚于所述振動部； 第二厚壁部，其沿著與所述第一外邊緣對置的、所述振動部的第二外邊緣而與所述振動部一體地設(shè)置，且厚度厚于所述振動部， 所述第一厚壁部從所述振動部的一側(cè)主面突出地設(shè)置， 所述第二厚壁部從所述振動部的與一側(cè)主面相對的背側(cè)的主面突出地設(shè)置。
2.如權(quán)利要求I所述的振動元件，其特征在于， 沿著對所述第一邊緣以及所述第二邊緣各自的一端部之間進行連結(jié)的、所述振動部的第三外邊緣，而與所述振動部一體地設(shè)置有厚度厚于所述振動部的第三厚壁部。
3.如權(quán)利要求2所述的振動元件，其特征在于， 沿著對所述第一外邊緣以及所述第二外邊緣各自的另一端部之間進行連結(jié)的、所述振動部的第四外邊緣，而與所述振動部一體地設(shè)置有厚度厚于所述振動部的第四厚壁部。
4.如權(quán)利要求I 3中任一項所述的振動元件，其特征在于， 所述基板為旋轉(zhuǎn)Y切割水晶基板。
5.如權(quán)利要求4所述的振動元件，其特征在于， 所述第三厚壁部在俯視觀察時，以所述振動部為基準(zhǔn)而位于+ X軸側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的振動元件，其特征在于， 所述第四厚壁部在俯視觀察時，以所述振動部為基準(zhǔn)而位于一 X軸側(cè)。
7.如權(quán)利要求5或6所述的振動元件，其特征在于， 所述第三厚壁部包括 傾斜部，其厚度隨著從與所述振動部連接設(shè)置的一側(cè)端緣朝向另一側(cè)端緣離開而增加； 厚壁部主體，其與該傾斜部的所述另一側(cè)端緣連接設(shè)置。
8.如權(quán)利要求7所述的振動元件，其特征在于， 在所述第三厚壁部上設(shè)置有至少一個狹縫。
9.如權(quán)利要求8所述的振動元件，其特征在于， 所述狹縫沿著所述傾斜部與所述厚壁部主體的邊界部，而被設(shè)置在所述厚壁部主體內(nèi)。
10.如權(quán)利要求8所述的振動元件，其特征在于， 所述狹縫從所述振動部的所述第三外邊緣離開而被配置在所述傾斜部內(nèi)。
11.如權(quán)利要求8所述的振動元件，其特征在于， 所述狹縫具備 第一狹縫，其被配置在所述厚壁部主體內(nèi)； 第二狹縫，其從所述振動部的所述第三外邊緣離開，而被配置在所述傾斜部內(nèi)。
12.如權(quán)利要求11所述的振動元件，其特征在于， 所述第一狹縫沿著所述傾斜部與所述厚壁部主體的所述邊界部，而被配置在所述厚壁部主體內(nèi)。
13.一種振子，其特征在于，具備 權(quán)利要求I 3中任一項所述的振動元件； 對所述振動元件進行收納的封裝件。
14.一種電子裝置，其特征在于， 在封裝件內(nèi)具有權(quán)利要求I 3中任一項所述的振動元件、和電子部件。
15.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其特征在于， 所述電子部件為可變電容元件、熱敏電阻、電感器和電容器中的至少某一種。
16.一種電子裝置，其特征在于， 在封裝件內(nèi)具有權(quán)利要求I 3中任一項所述的振動元件、和對所述振動元件進行激勵的振蕩電路。
17.—種電子設(shè)備,其特征在于,具備 權(quán)利要求I 3中任一項所述的振動元件。
18.—種電子設(shè)備,其特征在于,具備 權(quán)利要求16所述的電子裝置。
19.一種移動體,其特征在于,具備 權(quán)利要求I 3中任一項所述的振動元件。
20.一種振動元件的制造方法，其特征在于， 所述振動元件包括振動部；第一厚壁部和第二厚壁部，所述第一厚壁部和所述第二厚壁部分別沿著所述振動部的對置的第一外邊緣和第二外邊緣，而與所述振動部一體地設(shè)置，并且所述第一厚壁部從所述振動部的一側(cè)主面突出，且厚度厚于所述振動部，所述第二厚壁部從所述振動部的與一側(cè)主面相對的背側(cè)的主面突出，且厚度厚于所述振動部， 所述振動元件的制造方法包括 準(zhǔn)備基板的工序； 厚壁部形成工序，通過對所述基板進行蝕刻加工，從而形成所述第一厚壁部和所述第二厚壁部； 振動元件外形形成工序,通過對所述基板進行蝕刻加工,從而形成所述振動元件的外形； 電極形成工序，在所述振動元件上形成電極。
全文摘要
本發(fā)明提供振動元件、振子、電子裝置、電子設(shè)備、移動體及振動元件的制造方法。本發(fā)明以基波實現(xiàn)CI值較小，從而抑制了附近的寄生響應(yīng)的高頻的小型壓電振動元件。壓電振動元件(1)具備壓電基板(10)，其具有矩形的振動部(12)、和厚壁部(13)；激勵電極(25a、25b)；引線電極(27a、27b)。厚壁部(13)具備第四厚壁部(14)、第三厚壁部(15)、第一厚壁部(16)和第二厚壁部(17)。第三厚壁部(15)具備第三傾斜部(15b)和第三厚壁部主體(15a)，在第三厚壁部(15)上設(shè)置有至少一個狹縫(20)。
文檔編號H03H9/19GK102957394SQ20121029107
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月18日
發(fā)明者石井修, 村上資郎 申請人:精工愛普生株式會社