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開關(guān)裝置及其控制信號產(chǎn)生器的制作方法

文檔序號:7526425閱讀:278來源:國知局
專利名稱:開關(guān)裝置及其控制信號產(chǎn)生器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種開關(guān)裝置及其控制信號產(chǎn)生器,且特別是有關(guān)于一種可產(chǎn)生多 段波形的控制電壓的開關(guān)裝置及其控制信號產(chǎn)生器。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中開關(guān)會通過一控制信號來加以控制。當(dāng)開關(guān)的狀態(tài)迅速地被切換 時,會導(dǎo)致開關(guān)兩側(cè)的電荷快速中和,而使開關(guān)的兩側(cè)信號快速地達(dá)到平衡或達(dá)到預(yù)定 電平。然而,在某些電路應(yīng)用會因信號快速平衡,而導(dǎo)致非預(yù)期結(jié)果,例如產(chǎn)生瞬間 的大電流而造成功率下降(Power drop)...等。為了克服上述非預(yù)期的效應(yīng),通常會延長 控制信號的電平切換的時間,以避免開關(guān)兩側(cè)信號快速地平衡。然而,這樣作法卻會導(dǎo) 致開關(guān)兩側(cè)的信號的反應(yīng)時間(response time)過長。請參考圖1,圖1為現(xiàn)有的利用控制信號OPC控制開關(guān)10的操作的示意圖。其 中,開關(guān)10連接于第一端點(diǎn)A和第二端點(diǎn)B之間,用以建立或斷開第一端點(diǎn)A和第二端 點(diǎn)B之間的連結(jié)。一般說來,當(dāng)控制信號OPC為低電平,開關(guān)10會關(guān)閉(turned off), 而使第一端點(diǎn)A和第二端點(diǎn)B之間的連結(jié)斷開;而當(dāng)控制信號OPC為高電平,開關(guān)10 會開啟(tumedon),而建立起第一端點(diǎn)A和第二端點(diǎn)B之間的連結(jié)。此外,對另一種形 式的開關(guān)10而言,當(dāng)控制信號OPC為低電平,開關(guān)10會開啟;而當(dāng)控制信號OPC為高 電平,開關(guān)10會關(guān)閉。請參考圖2并同時參照圖1。圖2為圖1的控制信號OPC的時序圖。在此情況 下,因控制信號OPC的電平切換的時間過短,故容易造成上述功率下降(power drop)的 問題。請參考圖3并同時參照圖1。圖3為圖1的控制信號OPC的另一時序圖。在此 情況下,因控制信號OPC的電平切換的時間過長,故容易造成上述開關(guān)兩側(cè)的信號的反 應(yīng)時間過長的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種控制信號產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生合適的控制信號,以在避免開關(guān)反 應(yīng)過慢以及避免因瞬間大電流所造成的功率下降(Powerdrop)的問題上取得一平衡點(diǎn)。本發(fā)明提供一種開關(guān)裝置,其具有一開關(guān)以及一控制信號產(chǎn)生器。上述的控制 信號產(chǎn)生器適于產(chǎn)生合適的控制信號,以在避免開關(guān)反應(yīng)過慢以及避免因瞬間大電流所 造成的功率下降的問題上取得一平衡點(diǎn)。本發(fā)明提出一種控制信號產(chǎn)生器,適于產(chǎn)生用以控制一開關(guān)的開啟及關(guān)閉的一 控制信號。上述的控制信號產(chǎn)生器包括一反相器以及一調(diào)節(jié)電路。反相器的輸入端接 收一輸入電壓,反相器的輸出端輸出控制信號。調(diào)節(jié)電路包括一開關(guān)元件以及一電容。 其中開關(guān)元件的一第一端連接反相器的輸出端,開關(guān)元件的一第二端連接一第一系統(tǒng) 電壓,開關(guān)元件的一第三端連接電容的一第一端,而電容的一第二端連接一第二系統(tǒng)電壓。本發(fā)明提出一種開關(guān)裝置。上述的開關(guān)裝置包括一開關(guān)以及一控制信號產(chǎn)生 器。上述的控制信號產(chǎn)生器適于產(chǎn)生一控制信號,以控制開關(guān)的開啟及關(guān)閉。上述的控 制信號產(chǎn)生器包括一反相器以及一調(diào)節(jié)電路。反相器的輸入端接收一輸入電壓,反相器 的輸出端輸出控制信號。上述的調(diào)節(jié)電路包括一開關(guān)元件以及一電容。開關(guān)元件的一第 一端連接反相器的輸出端,開關(guān)元件的一第二端連接一第一系統(tǒng)電壓,開關(guān)元件的一第 三端連接電容的一第一端,而電容的一第二端連接一第二系統(tǒng)電壓。在本發(fā)明的一實施例中,上述的第一系統(tǒng)電壓高于第二系統(tǒng)電壓。在本發(fā)明的一實施例中,上述的反相器包括一第一晶體管以及一第二晶體管。 第一晶體管的一第一端連接第一系統(tǒng)電壓,第一晶體管的一第二端接收輸入電壓,而第 一晶體管的一第三端輸出控制信號。第二晶體管的一第一端連接第一晶體管的第三端并 輸出控制信號,第二晶體管的一第二端接收輸入電壓并連接第一晶體管的第二端,而第 二晶體管的一第三端連接第二系統(tǒng)電壓。在本發(fā)明的一實施例中,上述的控制信號產(chǎn)生器還包括一電流源。上述的電流 源連接于第一晶體管的第一端與第一系統(tǒng)電壓之間,用以提供一輸入電流至反相器。在本發(fā)明的一實施例中,上述的第一系統(tǒng)電壓低于第二系統(tǒng)電壓。在本發(fā)明的一實施例中,上述的反相器包括一第一晶體管以及一第二晶體管。 第一晶體管的一第一端連接第二系統(tǒng)電壓,第一晶體管的一第二端接收輸入電壓,而第 一晶體管的一第三端輸出控制信號。第二晶體管的一第一端連接第一晶體管的第三端并 輸出控制信號,第二晶體管的一第二端接收輸入電壓并連接第一晶體管的第二端,而第 二晶體管的一第三端連接第一系統(tǒng)電壓。在本發(fā)明的一實施例中,上述的控制信號產(chǎn)生器還包括一電流源。上述的電流 源連接于第二晶體管的第三端與第二系統(tǒng)電壓之間,用以提供一輸入電流至反相器。在本發(fā)明的一實施例中,上述額控制信號產(chǎn)生器還包括一電流源,連接于反相 器,用以提供一輸入電流至反相器。在本發(fā)明的一實施例中,上述的開關(guān)元件為一個N型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體 管(NMOSFET)。在本發(fā)明的一實施例中,上述的開關(guān)元件為一個P型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體 管(PMOSFET)?;谏鲜龈鲗嵤├景l(fā)明通過對調(diào)節(jié)電路的電容進(jìn)行充電,而控制上述調(diào)節(jié) 電路的開關(guān)元件的操作。其中當(dāng)調(diào)節(jié)電路的開關(guān)元件開啟時,調(diào)節(jié)電路的電容會被充 電,而使控制信號產(chǎn)生器所輸出的控制信號的電平以較緩慢的速度在改變;而當(dāng)調(diào)節(jié)電 路的開關(guān)元件關(guān)閉時,則停止對電容進(jìn)行充電,而使控制信號產(chǎn)生器所輸出的控制信號 的電平以較迅速的速度在改變。如此,即可在避免開關(guān)反應(yīng)過慢以及避免功率下降的問 題上取得一平衡點(diǎn)。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作 詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有的利用控制信號控制開關(guān)的操作的示意圖;圖2為圖1的控制信號OPC的時序圖;圖3為圖1的控制信號OPC的另一時序圖;圖4為本發(fā)明一實施例的開關(guān)裝置的電路圖;圖5為圖4中輸入電壓IN與控制信號OPCl的時序圖;圖6為本發(fā)明另一實施例的開關(guān)裝置的電路圖;圖7為圖6中輸入電壓IN與控制信號OPC2的時序圖。附圖中主要元件符號說明10-開關(guān);40、60-開關(guān)裝置;42、62-控制信號產(chǎn)生器;44、64-反相器;46、66-調(diào)節(jié)電路;48、68-電流源;A-第一端點(diǎn);B-第二端點(diǎn);MPl-第一晶體管;MNl-第二晶體管;MP2、MN2-開關(guān)元件; Cl、C2-電容;IN-輸入電壓;OPC、OPCl、OPC2-控制信號;VCC-系統(tǒng)電壓;GND-接地電壓;Tl T3、Ta Tc-時間點(diǎn); Va、Vb-電平。
具體實施例方式請參考圖4和圖5。圖4為本發(fā)明一實施例的開關(guān)裝置的電路圖,圖5為圖4中 一輸入電壓IN與一控制信號OPCl的時序圖。開關(guān)裝置40具有開關(guān)10和控制信號產(chǎn)生器 42。開關(guān)10連接于第一端點(diǎn)A和第二端點(diǎn)B之間,用以建立或斷開第一端點(diǎn)A和第二端 點(diǎn)B之間的連結(jié)。一般說來,當(dāng)控制信號OPCl為低電平,開關(guān)10會關(guān)閉,而使第一端點(diǎn) A和第二端點(diǎn)B之間的連結(jié)斷開;而當(dāng)控制信號OPCl為高電平,開關(guān)10會開啟,而建立 起第一端點(diǎn)A和第二端點(diǎn)B之間的連結(jié)。此外,對另一種形式的開關(guān)10而言,當(dāng)控制信 號OPCl為低電平,開關(guān)10會開啟;而當(dāng)控制信號OPCl為高電平,開關(guān)10會關(guān)閉。控制信號產(chǎn)生器42連接于開關(guān)10,用于產(chǎn)生控制信號OPC1,以控制開關(guān)10的 開啟及關(guān)閉??刂菩盘柈a(chǎn)生器42具有反相器44以及調(diào)節(jié)電路46。反相器44的輸入端 接收輸入電壓IN,而反相器44的輸出端則輸出控制信號OPC1。調(diào)節(jié)電路46包括開關(guān) 元件MN2以及電容Cl。其中開關(guān)元件MN2的第一端連接反相器44的輸出端,開關(guān)元 件MN2的第二端連接系統(tǒng)電壓VCC,開關(guān)元件MN2的第三端連接電容Cl的第一端, 而電容Cl的第二端則連接接地電壓GND。在本實施例中,系統(tǒng)電壓VCC稱為第一系統(tǒng) 電壓,而接地電壓GND稱為第二系統(tǒng)電壓。此外,開關(guān)元件MN2為一個N型金屬氧化 半導(dǎo)體場效晶體管(NMOSFET),且其第一端、第二端和第三端分別為其漏極、柵極和 源極。此外,第一系統(tǒng)電壓VCC為正電壓,而第二系統(tǒng)電壓GND則為接地電壓。但 本發(fā)明并不以此為限,例如開關(guān)元件MN2可以是一個雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT),而第一系統(tǒng)電壓VCC只要大于第二系統(tǒng)電壓GND即可。在本實施例中,控制信號產(chǎn)生器42還包括一電流源48,連接于反相器44,用以提供輸入電流至反相器44。值得注意地,電流源48存在的目的在于強(qiáng)化對電容C1充電 時的效能,故對本發(fā)明來說,電流源48是選擇性的元件。換言之,在本發(fā)明的一實施例 中,反相器44可直接連接于第一系統(tǒng)電壓VCC。反相器44具有第一晶體管MP1和第二晶體管MN1。第一晶體管MP1的第一端 連接第一系統(tǒng)電壓VCC,第一晶體管的第二端接收輸入電壓IN,而第一晶體管MP1的第 三端輸出控制信號OPC1。至于第二晶體管MN1,其第一端連接第一晶體管MP1的第三 端并輸出控制信號OPC1,其第二端接收輸入電壓IN并連接第一晶體管MP1的第二端, 而其第三端連接第二系統(tǒng)電壓GND。在本實施例中,第一晶體管MP1為一個P型金屬 氧化半導(dǎo)體場效晶體管(PMOSFET),而其第一端、第二端及第三端分別為其源極、柵極 和漏極;第二晶體管MN1則為一個N型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管(NMOSFET),而其 第一端、第二端及第三端分別為其漏極、柵極和源極。當(dāng)在時間點(diǎn)T1時,輸入電壓IN的電平由低電平切換至高電平,而使得第二晶體 管MN1導(dǎo)通,并使第一晶體管MP1關(guān)閉,而導(dǎo)致控制信號OPC1的電平由第一系統(tǒng)電壓 VCC降至第二系統(tǒng)電壓GND。當(dāng)在時間點(diǎn)T2時,輸入電壓IN的電平由高電平切換至低電平,而使得第一晶體 管MP1導(dǎo)通,并使第二晶體管MN1關(guān)閉。此時,因開關(guān)元件MN2的柵極連接于第一系 統(tǒng)電壓VCC,故開關(guān)元件MN2會開啟,而使得電容C1因其兩側(cè)分別電性連接于系統(tǒng)電 壓VCC和接地電壓GND而被充電,進(jìn)而使得電容C1連接于開關(guān)元件MN2的該側(cè)的電 平上升。如此一來,在時間點(diǎn)T2 T3的期間,控制信號OPC1的電平以及電容C1連 接于開關(guān)元件MN2的該側(cè)的電平會逐漸地上升。當(dāng)控制信號OPC1的電平在時間點(diǎn)T3被提升到電平Va時,因開關(guān)元件MN2的 柵極和源極之間的電壓差小于開關(guān)元件MN2的閾值電壓(thresholdvoltage),而使得開關(guān) 元件MN2關(guān)閉。如此,在時間點(diǎn)T3之后,電容C1與第一系統(tǒng)電壓VCC之間的電性連 結(jié)會被切斷,而使得控制信號0PC1的電平得以在時間點(diǎn)T3之后,被迅速地由電平Va提 升至第一系統(tǒng)電壓VCC。因控制信號0PC1的電平由第二系統(tǒng)電壓GND提升到電平Va所需的時間會因?qū)?電容C1充電而被延長,故可降低因瞬間大電流所造成的功率下降(Power drop)的機(jī)率。 此外,因控制信號0PC1的電平在時間點(diǎn)T3迅速地由電平Va提升至第一系統(tǒng)電壓VCC, 故相較于圖3的控制信號0PC對于開關(guān)10的影響,開關(guān)10在控制信號0PC1的控制下 其兩側(cè)的信號的反應(yīng)速度會變快。總言之,通過所產(chǎn)生的控制信號0PC1,即可在避免開 關(guān)反應(yīng)過慢以及避免因瞬間大電流所造成的功率下降的問題上取得一平衡點(diǎn)。請參考圖6和圖7。圖6為本發(fā)明另一實施例的開關(guān)裝置的電路圖,圖7為圖6 中輸入電壓IN與控制信號0PC2的時序圖。開關(guān)裝置60具有開關(guān)10和控制信號產(chǎn)生器 62。開關(guān)10的功能及操作方式可參見上面的說明,在此即不再贅述??刂菩盘柈a(chǎn)生器62連接于開關(guān)10,用于產(chǎn)生控制信號0PC2,以控制開關(guān)10的 開啟及關(guān)閉??刂菩盘柈a(chǎn)生器62具有反相器64以及調(diào)節(jié)電路66。反相器64的輸入端 接收輸入電壓IN,而反相器64的輸出端則輸出控制信號0PC2。調(diào)節(jié)電路66包括一開關(guān)元件MP2以及一電容C2。其中,開關(guān)元件MP2的第 一端連接反相器44的輸出端,開關(guān)元件MP2的第二端連接接地電壓GND,開關(guān)元件MP2的第三端連接電容C2的第一端,而電容C2的第二端則連接系統(tǒng)電壓VCC。與前 一個實施例不同的是,在本實施例中,接地電壓GND稱為第一系統(tǒng)電壓,而系統(tǒng)電壓 VCC稱為第二系統(tǒng)電壓。此外,開關(guān)元件MP2為一個P型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管 (PMOSFET),且其第一端、第二端和第三端分別為其漏極、柵極和源極。此外,第一系 統(tǒng)電壓GND為接地電壓,而第二系統(tǒng)電壓VCC則為正電壓。但本發(fā)明并不以此為限, 例如開關(guān)元件MP2可以是一個雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT),而 第一系統(tǒng)電壓GND只要小于第二系統(tǒng)電壓VCC即可。在本實施例中,控制信號產(chǎn)生器62還包括一電流源68,連接于反相器64,用以 產(chǎn)生電流。值得注意地,電流源68存在的目的在于強(qiáng)化對電容C2放電時的效能,故對 本發(fā)明來說,電流源68是選擇性的元件。換言之,在本發(fā)明的一實施例中,反相器64 可直接連接于第一系統(tǒng)電壓GND。反相器64具有第一晶體管MPl和第二晶體管MNl。第一晶體管MPl的第一端 連接系統(tǒng)電壓VCC,第一晶體管的第二端接收輸入電壓IN,而第一晶體管MPl的第三端 輸出控制信號0PC2。至于第二晶體管MN1,其第一端連接第一晶體管MPl的第三端并 輸出控制信號0PC2,其第二端接收輸入電壓IN并連接第一晶體管MPl的第二端,而其 第三端連接接地電壓GND。在本實施例中,第一晶體管MPl為一個P型金屬氧化半導(dǎo) 體場效晶體管(PMOSFET),而其第一端、第二端及第三端分別為其源極、柵極和漏極; 第二晶體管MNl則為一個N型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管(NM0SFET),而其第一端、 第二端及第三端分別為其漏極、柵極和源極。當(dāng)在時間點(diǎn)Ta時,輸入電壓IN的電平由高電平切換至低電平,而使得第一晶體 管MPl導(dǎo)通,并使第二晶體管MNl關(guān)閉,而導(dǎo)致控制信號0PC2的電平由接地電壓GND 提升至系統(tǒng)電壓VCC。當(dāng)在時間點(diǎn)Tb時,輸入電壓IN的電平由低電平切換至高電平,而使得第二晶 體管MNl導(dǎo)通,并使第一晶體管MPl關(guān)閉。此時,因開關(guān)元件MP2的柵極連接于系統(tǒng) 電壓GND,故開關(guān)元件MP2會開啟,而使得電容C2因其兩側(cè)分別電性連接于系統(tǒng)電壓 VCC和接地電壓GND而被放電,進(jìn)而使得電容C2連接于開關(guān)元件MP2的該側(cè)的電平下 降。如此一來,在時間點(diǎn)Tb Tc的期間,控制信號0PC2的電平以及電容C2連接于開 關(guān)元件MP2的該側(cè)的電平會逐漸地下降。當(dāng)控制信號0PC2的電平在時間點(diǎn)Tc被降至電平Vb時,因開關(guān)元件MP2的柵 極和源極之間的電壓差小于開關(guān)元件MP2的閾值電壓,而使得開關(guān)元件MP2關(guān)閉。如 此,在時間點(diǎn)Tc之后,電容C2與接地電壓GND之間的電性連結(jié)會被切斷,而使得控制 信號0PC2的電平得以在時間點(diǎn)Tc之后,被迅速地由電平Vb降至接地電壓GND。因控制信號0PC2的電平由系統(tǒng)電壓VCC降至電平Vb所需的時間會因電容C2 放電而被延長,故可降低因瞬間大電流所造成的功率下降(Powerdrop)的機(jī)率。此外, 因控制信號0PC2的電平在時間點(diǎn)Tc迅速地由電平Vb降至接地電壓GND,故開關(guān)10兩 側(cè)的信號的反應(yīng)速度在時間點(diǎn)Tc時會變快?;谏鲜龈鲗嵤├?,本發(fā)明通過對調(diào)節(jié)電路的電容進(jìn)行充電,而控制上述調(diào)節(jié) 電路的開關(guān)元件的操作。其中當(dāng)調(diào)節(jié)電路的開關(guān)元件開啟時,調(diào)節(jié)電路的電容會被充/ 放電,而使控制信號產(chǎn)生器所輸出的控制信號的電平以較緩慢的速度在改變;而當(dāng)調(diào)節(jié)電路的開關(guān)元件關(guān)閉時,則停止對電容進(jìn)行充/放電,而使控制信號產(chǎn)生器所輸出的控 制信號的電平以較迅速的速度在改變。如此,即可在避免開關(guān)反應(yīng)過慢以及避免因瞬間 大電流所造成的功率下降(Power drop)的問題上取得一平衡點(diǎn)。 最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對其限制; 盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其 依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等 同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方 案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種控制信號產(chǎn)生器,用于一控制信號,以控制一開關(guān)的開啟及關(guān)閉,該控制信 號產(chǎn)生器包括一反相器,其輸入端接收一輸入電壓,其輸出端輸出該控制信號;以及 一調(diào)節(jié)電路,該調(diào)節(jié)電路包括一開關(guān)元件以及一電容,其中該開關(guān)元件的一第一端 連接該反相器的該輸出端,該開關(guān)元件的一第二端連接一第一系統(tǒng)電壓,該開關(guān)元件的 一第三端連接該電容的一第一端,而該電容的一第二端連接一第二系統(tǒng)電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制信號產(chǎn)生器,其中該第一系統(tǒng)電壓高于該第二系統(tǒng)電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制信號產(chǎn)生器,其中該反相器包括一第一晶體管,該第一晶體管的一第一端連接該第一系統(tǒng)電壓,該第一晶體管的一 第二端接收該輸入電壓,而該第一晶體管的一第三端輸出該控制信號;以及一第二晶體管,該第二晶體管的一第一端連接該第一晶體管的第三端并輸出該控制 信號,該第二晶體管的一第二端接收該輸入電壓并連接該第一晶體管的第二端,而該第 二晶體管的一第三端連接該第二系統(tǒng)電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制信號產(chǎn)生器,還包括一電流源,連接于該第一晶體管的第一端與該第一系統(tǒng)電壓之間,用以提供一輸入 電流至該反相器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制信號產(chǎn)生器,其中該第一系統(tǒng)電壓低于該第二系統(tǒng)電壓。
6.如根據(jù)權(quán)利要求5所述的控制信號產(chǎn)生器,其中該反相器包括一第一晶體管,該第一晶體管的一第一端連接該第二系統(tǒng)電壓,該第一晶體管的一 第二端接收該輸入電壓,而該第一晶體管的一第三端輸出該控制信號;以及一第二晶體管,該第二晶體管的一第一端連接該第一晶體管的第三端并輸出該控制 信號,該第二晶體管的一第二端接收該輸入電壓并連接該第一晶體管的第二端,而該第 二晶體管的一第三端連接該第一系統(tǒng)電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制信號產(chǎn)生器,還包括一電流源,連接于該第二晶體管的第三端與該第二系統(tǒng)電壓之間,用以提供一輸入 電流至該反相器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制信號產(chǎn)生器,還包括一電流源,連接于該反相器,用以提供一輸入電流至該反相器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制信號產(chǎn)生器,其中該開關(guān)元件為一N型金屬氧化半導(dǎo)體 場效晶體管(NMOSFET),且該第二端為該N型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管的柵極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制信號產(chǎn)生器,其中該開關(guān)元件為一P型金屬氧化半導(dǎo) 體場效晶體管(PMOSFET),且該第二端為該P(yáng)型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管的柵極。
11.一種開關(guān)裝置,包括 一開關(guān);以及一控制信號產(chǎn)生器,連接于該開關(guān),適于產(chǎn)生一控制信號,以控制該開關(guān)的開啟及 關(guān)閉,該控制信號產(chǎn)生器包括一反相器,其輸入端接收一輸入電壓,其輸出端輸出該控制信號;以及一調(diào)節(jié)電路,該調(diào)節(jié)電路包括一開關(guān)元件以及一電容,其中該開關(guān)元件的一第一端 連接該反相器的該輸出端,該開關(guān)元件的一第二端連接一第一系統(tǒng)電壓,該開關(guān)元件的 一第三端連接該電容的一第一端,而該電容的一第二端連接一第二系統(tǒng)電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的開關(guān)裝置,其中該第一系統(tǒng)電壓高于該第二系統(tǒng)電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開關(guān)裝置,其中該反相器包括一第一晶體管,該第一晶體管的一第一端連接該第一系統(tǒng)電壓,該第一晶體管的一 第二端接收該輸入電壓,而該第一晶體管的一第三端輸出該控制信號;以及一第二晶體管,該第二晶體管的一第一端連接該第一晶體管的第三端并輸出該控制 信號,該第二晶體管的一第二端接收該輸入電壓并連接該第一晶體管的第二端,而該第 二晶體管的一第三端連接該第二系統(tǒng)電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的開關(guān)裝置,其中該控制信號產(chǎn)生器還包括一電流源,連接于該第一晶體管的第一端與該第一系統(tǒng)電壓之間,用以提供一輸入 電流至該反相器。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的開關(guān)裝置,其中該第一系統(tǒng)電壓低于該第二系統(tǒng)電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開關(guān)裝置,其中該反相器包括一第一晶體管,該第一晶體管的一第一端連接該第二系統(tǒng)電壓,該第一晶體管的一 第二端接收該輸入電壓,而該第一晶體管的一第三端輸出該控制信號;以及一第二晶體管,該第二晶體管的一第一端連接該第一晶體管的第三端并輸出該控制 信號,該第二晶體管的一第二端接收該輸入電壓并連接該第一晶體管的第二端,而該第 二晶體管的一第三端連接該第一系統(tǒng)電壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的開關(guān)裝置,其中該控制信號產(chǎn)生器還包括一電流源,連接于該第二晶體管的第三端與該第二系統(tǒng)電壓之間,用以提供一輸入 電流至該反相器。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的開關(guān)裝置,其中該控制信號產(chǎn)生器還包括一電流源,連接于該反相器,用以提供一輸入電流至該反相器。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的開關(guān)裝置,其中該開關(guān)元件為一N型金屬氧化半導(dǎo)體場效 根據(jù)權(quán)利要求晶體管(NMOSFET),且該第二端為該N型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管的 柵極。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的開關(guān)裝置,其中該開關(guān)元件為一P型金屬氧化半導(dǎo)體場效 晶體管(PMOSFET),且該第二端為該P(yáng)型金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管的柵極。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種開關(guān)裝置及其控制信號產(chǎn)生器。上述的控制信號產(chǎn)生器適于產(chǎn)生一控制信號,以控制該開關(guān)的開啟及關(guān)閉。該控制信號產(chǎn)生器包括一反相器以及一調(diào)節(jié)電路。反相器的輸入端接收一輸入電壓,反相器的輸出端輸出該控制信號。該調(diào)節(jié)電路包括一開關(guān)元件以及一電容。該開關(guān)元件的一第一端連接該反相器的該輸出端,該開關(guān)元件的一第二端連接一第一系統(tǒng)電壓,該開關(guān)元件的一第三端連接該電容的一第一端,而該電容的一第二端連接一第二系統(tǒng)電壓。
文檔編號H03K17/56GK102025347SQ20091016908
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月21日
發(fā)明者黃如琳 申請人:聯(lián)詠科技股份有限公司
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