專利名稱：超快脈沖功率開關器件及自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于電子設備技術領域，涉及一種超快脈沖功率開關器件，還涉 及利用該超快脈沖功率開關器件制作的自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器。
背景技術：
超快功率脈沖發(fā)生器，特別是皮秒量級的功率脈沖發(fā)生器，是超高速電
子學、超寬帶通信、THz診斷、超寬帶反隱形沖擊雷達和電磁武器等領域的 研發(fā)重點。目前的皮秒量級超短脈沖發(fā)生器的主流技術是光電技術，即用半 絕緣超快光電半導體材料(GaAs、 InP等)作為開關器件。光電半導體開關 器件在暗態(tài)時能承受很高的直流偏置電壓；當受到激光脈沖照射后，由于內 光電效應產(chǎn)生大量的光生電子-空穴對參與導電，半導體電阻率迅速下降， 開關導通；當光生載流子被電極吸收后，開關關斷。如果激光的脈寬小于100 皮秒，則在這一過程中，電路可產(chǎn)生功率大、上升沿陡峭且無晃動的納秒， 甚至是亞納秒電脈沖，參見2004年6月(第53巻第6期)的《物理學報》 論文《用光電導開關產(chǎn)生穩(wěn)幅ps量級時間晃動超快電脈沖的研究》(施衛(wèi)、 馬德明、趙衛(wèi)等)。為了適應軍用、民用需求，超短脈沖發(fā)生器必須盡可能 小型化、低成本，工作可靠、抗惡劣環(huán)境能力強，顯然，現(xiàn)有的皮秒激光脈 沖發(fā)生器不能滿足這些需求，存在以下缺點皮秒量級的激光器配套電源和 散熱裝置的體積龐大，導致價格昂貴；皮秒激光器自身對工作環(huán)境要求很高 (如抗震動性差、對濕度要求高)；激光必須對準光電導開關的光窗或者用 光纖引導，所以必須保證光控通路的結合可靠性。這些缺點源自使用了皮秒激光器，所以要從根本上克服這些缺點，就必須放棄這種光電結構。
利用氣體放電技術也可產(chǎn)生亞納秒的脈沖，如用高壓氫氣放電管作為開
關器件，參見2006年1月(第25巻第1期)的《電工電能新技術》論文《一
種亞納秒高壓脈沖源的研制》(李軍浩、王晶、王頌等)，但是氣體開關器件 的通病是脈沖重復性差，關斷拖尾長。
利用脈沖整形技術也可產(chǎn)生亞納秒的脈沖，但是輸出電脈沖的峰值功率 很小，因此不適用于脈沖功率領域。如利用階躍恢復二極管和短路線用來產(chǎn)
生脈沖，用FET管來進行脈沖的放大和作為脈沖產(chǎn)生與脈沖整形兩部分電路 間的隔離，用肖特基二極管來減小脈沖的振鈴，參見2007年10月(第28 巻第10期)《兵工學報》論文《超寬帶皮秒級脈沖發(fā)生器》(紀建華、費元 春、周建明等)知峰值功率僅0.1W;如利用雪崩二極管在雪崩狀態(tài)的導通 瞬間獲得陡峭上升沿，再經(jīng)階躍恢復二極管整形，參見2007年5月(第36 巻第5期)《光子學報》論文《高功率激光裝置中超快電脈沖發(fā)生器的研究》
(行海、歐陽嫻、劉百玉等)知峰值功率僅10.6W。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種超快脈沖功率開關器件，克服了現(xiàn)有超快光電 半導體開關器件需要超快激光器觸發(fā)的缺點；克服了現(xiàn)有氣體開關器件輸出 脈沖重復性差，關斷拖尾長的缺點。
本發(fā)明的另一目的是提供一種自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器，克服了 現(xiàn)有光電電路需依賴皮秒激光器觸發(fā)、現(xiàn)有氣體放電電路脈沖重復性差和關 斷拖尾長，以及現(xiàn)有脈沖整形電路峰值功率小的缺點。
本發(fā)明所采用的一個技術方案是， 一種超快脈沖功率開關器件，包括封 裝外殼，在封裝外殼的一端開口安裝有陽極側的同軸端子，在封裝外殼的另一端開口安裝有陰極側的同軸端子，在封裝外殼的內部有一半導體晶片，半 導體晶片上設置有兩個共面的歐姆接觸電極，每個歐姆接觸電極都通過導電 銀膠與各自對應的微帶傳輸線連接，微帶傳輸線又與各自對應的同軸端子連 接；在陰極側的微帶傳輸線上設置有空氣隙。
兩個歐姆接觸電極之間距離與空氣隙之比應大于10: 1。
微帶傳輸線選用Al203雙層覆銅板制作。
一種超快脈沖功率開關器件，包括封裝外殼，在封裝外殼的一端開口安 裝有陽極側的同軸端子，在封裝外殼的另一端開口安裝有陰極側的同軸端 子，在封裝外殼的內部設置有一半導體晶塊，半導體晶塊正對陽極同軸端子 的端面上設置有一歐姆接觸電極，該歐姆接觸電極通過導電銀膠與同軸芯連 接，同軸芯與陽極側的同軸端子連接；半導體晶塊的正對陰極同軸端子的端
面上也設置有一歐姆接觸電極，該歐姆接觸電極與陰極側的同軸芯留有一定
的空氣隙，陰極側的同軸芯與陰極側的同軸端子連接；每個同軸芯與歐姆接 觸電極平面的正中心垂直對準。
兩個歐姆接觸電極之間距離與空氣隙之比應大于10: 1。
本發(fā)明所采用的另一個技術方案是， 一種自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生 器，包括高壓直流電源，高壓直流電源與電阻、電容依次串聯(lián)構成回路，高 壓直流電源l的負極接地，其特征在于超快脈沖功率開關器件與負載通過 同軸傳輸線串聯(lián)，該串聯(lián)支路與所述的電容并聯(lián)；超快脈沖功率開關器件的 封裝外殼接地。
本發(fā)明的脈沖發(fā)生器中所述的一種超快脈沖功率開關器件包括封裝外 殼，在封裝外殼的一端開口安裝有陽極側的同軸端子，在封裝外殼的另一端 開口安裝有陰極側的同軸端子，在封裝外殼的內部有一半導體晶片，半導體晶片上設置有共面的陰、陽歐姆接觸電極，每個電極都通過導電銀膠與各自
對應的微帶傳輸線連接，微帶傳輸線與各自對應的同軸端子連接；在陰極側
的微帶傳輸線上刻蝕有空氣隙。
本發(fā)明的脈沖發(fā)生器中所述的另一種超快脈沖功率開關器件包括封裝 外殼，在封裝外殼的一端開口安裝有陽極側的同軸端子，在封裝外殼的另一 端開口安裝有陰極側的同軸端子，在封裝外殼的內部設置有一半導體晶塊， 半導體晶塊正對陰、陽極的端面上各設置有一歐姆接觸電極，陽極側的歐姆
接觸電極通過導電銀膠與同軸芯連接，同軸芯與陽極側的同軸端子連接；半 導體晶塊的正對陰極的端面也安裝有一歐姆接觸電極，該歐姆接觸電極與陰 極側的同軸芯留有一定的空氣隙，陰極側的同軸芯與陰極側的同軸端子連 接；每個同軸芯與歐姆接觸電極平面的正中心垂直對準。
本發(fā)明的有益效果是，開關器件利用了氣體開關和光電半導體開關的優(yōu) 點，克服了其需超快激光器觸發(fā)而帶來的成本高、體積大、抗惡劣環(huán)境能力 差等一系列問題；脈沖發(fā)生器不需要任何激光器觸發(fā)，輸出的皮秒量級電脈 沖重復性好、峰值功率大、上升下降沿光滑，整個電路結構簡單、體積小、 重量輕、造價低、抗惡劣環(huán)境能力強。
圖1是現(xiàn)有的皮秒量級功率脈沖發(fā)生器的電路原理圖； 圖2是本發(fā)明的開關器件微帶傳輸橫向型實施例的結構示意圖； 圖3是本發(fā)明的開關器件同軸傳輸縱向型實施例的結構示意圖； 圖4是本發(fā)明的功率脈沖發(fā)生器實施例的電路原理圖； 圖5是本發(fā)明的功率脈沖發(fā)生器輸出單次脈沖與多次脈沖的波形比較 圖，其中a是單次脈沖波形圖，b是1250次脈沖的疊加波形圖。圖中，l.高壓直流電源，2.電阻，3.電容，4.光電半導體開關，5.皮秒激 光器，6.同軸傳輸線b， 7.負載，8.超快脈沖功率開關器件，9.封裝外殼，10. 同軸端子a， ll.同軸芯a， 12.歐姆接觸電極a， 13.半導體晶塊，14.半導體 晶片，15.微帶傳輸線a， 16.導電銀膠a， 20.同軸端子b， 21.同軸芯b， 22. 歐姆接觸電極b， 23.同軸傳輸線a， 25.微帶傳輸線b， 26.導電銀膠b。
具體實施例方式
下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明進行詳細說明。 圖1所示是現(xiàn)有的皮秒量級功率脈沖發(fā)生器的電路原理圖。其電路結構 中，高壓直流電源1與電阻2、電容3依次串聯(lián)構成回路，高壓直流電源l 的負極接地；光電半導體開關4經(jīng)同軸傳輸線6和負載7串聯(lián)構成的電路與 電容3并聯(lián);光電半導體開關4的封裝外殼9和同軸傳輸線6的外導體層(屏 蔽層)接地。該電路中使用了皮秒激光器5向光電半導體開關4發(fā)出激光脈 沖信號，光電半導體開關4再向負載7輸出皮秒脈沖信號，整個電路需要依 賴激光器觸發(fā)。
本發(fā)明的超快脈沖功率開關器件，包括有兩種結構，分別是微帶傳輸橫 向型結構(見附圖2)和同軸傳輸縱向型結構(見附圖3)，兩種結構的開關 器件工作原理相同。超快脈沖功率開關器件主要由半絕緣超快半導體材料、
空氣隙、傳輸線和同軸端子串聯(lián)構成，該開關器件必須滿足以下基本條件
首先、半導體材料必須滿足電阻率高、禁帶寬、載流子壽命短的要求，半絕
緣GaAs、 InP、 SiC等均可例如采用非故意摻雜的半絕緣GaAs:EL2，其電 阻率應大于lxl07￡lcm，電子遷移率大于〉2000cmVV's，表面閃絡電場強度 大于10kV/cm (實際應用中，為了避免表面擊穿，可采用Si3N4鈍化保護、 高壓絕緣材料封裝的技術，以增加表面閃絡電場強度)。半導體的陰極和陽極為歐姆接觸電極，是用電子束蒸發(fā)工藝淀積Au/Ge/Ni合金，經(jīng)退火處理 與GaAs半導體形成歐姆接觸。其次、半導體上歐姆接觸電極之間距離與空 氣隙之比應大于10: 1。空氣隙必須位于半導體的陰極一側，否則該器件不 能產(chǎn)生皮秒量級的超短脈沖，而是產(chǎn)生雜亂的波形。第三、傳輸線、同軸端 子的特性阻抗應與負載匹配。
圖2為本發(fā)明的開關器件微帶傳輸橫向型實施例的結構示意圖，圖中在 封裝外殼9的一端開口安裝有陽極側的同軸端子a10，在封裝外殼9的另一 端開口安裝有陰極側的同軸端子b20，在封裝外殼9的內部有一半導體晶片 14,半導體晶片14上設置有兩個共面的歐姆接觸電極a12和歐姆接觸電極 b22，其中的歐姆接觸電極a12通過導電銀膠a16與陽極側的微帶傳輸線a15 連接，陽極側的微帶傳輸線a15與陽極側的同軸端子a10連接。
歐姆接觸電極b22通過導電銀膠b26與陰極側的微帶傳輸線b25連接， 陰極側的微帶傳輸線b25與陰極側的同軸端子b20連接，在陰極側的微帶傳 輸線b25上刻蝕有空氣隙。
微帶傳輸線用高導熱性能的A1203覆銅板制作。空氣隙是在微帶傳輸線 b25上用光刻方法得到，刻蝕面要求平整。導電銀膠選用TK130-60低溫固化 導電銀膠，導電銀膠敷涂后需在常溫下自然干燥固化24小時以上。
圖3為本發(fā)明的開關器件同軸傳輸縱向型實施例的結構示意圖。圖中在 封裝外殼9的一端開口安裝有陽極側的同軸端子a10，在封裝外殼9的另一 端開口安裝有陰極側的同軸端子b20，在封裝外殼9的內部有半導體晶塊13， 半導體晶塊13的正對陽極的端面上設置有歐姆接觸電極a12，該歐姆接觸電 極a12通過導電銀膠a16與陽極側的同軸芯a1連接，陽極側的同軸芯all 與陽極側的同軸端子alO連接。半導體晶塊13的正對陰極的端面也安裝有歐姆接觸電極b22，該歐姆接 觸電極b22與陰極側的同軸芯b21留有一定的空氣隙，陰極側的同軸芯b21 與陰極側的同軸端子b20連接；同軸芯all和同軸芯b21與各自對應的歐姆 接觸電極平面的正中心垂直對準。 封裝外殼9采用不銹鋼材料制作。
本發(fā)明的兩種結構的開關器件的電特性具體體現(xiàn)在第一、空氣隙電離 產(chǎn)生的電子，能作為半導體導帶電子參與導電，具有調制半導體電導率的作 用；第二、空氣隙電離的雪崩倍增機制，增加了向半導體注入非平衡載流子 的注入效率；第三、空氣隙放電后分壓變小，半導體上分壓立即變大，高場 下半導體對電子有很強的加速作用；第四、電子作為多子從半導體陰極電注 入，擴散與漂移為同一方向，均對電流有貢獻；第五、半絕緣半導體與空氣 隙之間動態(tài)分壓，大大提高了開關的耐壓能力；而且這種動態(tài)分壓抑制了空 氣隙電子崩向流注的轉變，迫使電離立即終止，大大提高空氣隙的關斷速度； 第六、半絕緣半導體與空氣隙均處于導通狀態(tài)時，能量才能向負載釋放，因 為本發(fā)明選擇了載流子壽命短、遷移率高的超快半導體材料，其導通時間遠 遠小于空氣隙的導通時間，所以本脈沖發(fā)生器的脈寬主要由超快半導體的導 通時間決定，克服了氣體隙開關開通和關斷速度慢的缺點。
本脈沖發(fā)生器的輸出電脈沖的脈寬(半高全寬)小于340ps，脈沖上升 沿小于200ps，脈沖觸發(fā)晃動小于4ps，幅度在20V 1000V可調，脈沖重復 頻率 (0.2kHz lkHz) ±10%，功率峰值在800W以上。
如圖4所示，為本發(fā)明的自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器的電路連接示 意圖。包括高壓直流電源1，高壓直流電源1與電阻2、電容3依次串聯(lián)構 成回路，高壓直流電源l的負極接地；經(jīng)陽極端同軸傳輸線a23和陰極端同軸傳輸線b6，超快脈沖功率開關器件8和負載7串聯(lián)構成的支路與電容3 并聯(lián)；超快脈沖功率開關器件8的封裝外殼和同軸傳輸線的外導體層(屏蔽
層)接地。
超快脈沖功率開關器件8是本發(fā)明的功率脈沖發(fā)生器的核心元件，它的 參數(shù)和特性對超快脈沖的上升沿、下降沿、脈寬、幅值、波形等會產(chǎn)生最直 接、最敏感的影響。
本發(fā)明的自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器工作原理是當超快脈沖功率 開關器件8上偏置電壓在空氣隙放電閾值電壓(即本脈沖發(fā)生器自激勵閾值) 以下時，因為超快脈沖功率開關器件8的半導體處于半絕緣狀態(tài)，空氣隙處 于絕緣狀態(tài)(此時偏置電壓主要降在空氣隙上)，所以器件不導通，電路處 于斷路狀態(tài)，無電流通過負載。調節(jié)高壓直流電源1使超快脈沖功率開關器 件8上電壓達到閾值以上，空氣隙在高壓下放電，因為空氣雪崩電離產(chǎn)生能 自由運動的電子和正離子，所以空氣隙的電阻率迅速下降，分壓變小，雪崩 電離過程超快終止。與此同時，半導體上分壓變大。空氣隙內產(chǎn)生的自由電 子在外加電場的作用下，進入半導體的陰極。其中能量高于半導體導帶底的 電子，能進入半導體并作為導帶電子參與導電，稱為非平衡載流子注入，使 原本半絕緣半導體的電阻率迅速下降，超快脈沖功率開關器件8導通。這些 導帶電子在高電場條件下快速向陽極漂移，被陽極吸收后，半導體又恢復至 半絕緣狀態(tài)，超快脈沖功率開關器件8關斷。這一電流過程在負載上表現(xiàn)為 一個皮秒量級的脈沖。由于充電電容的能量瞬時釋放，電容電壓會下降。當 電容電壓再次被直流電源充電至超快脈沖功率開關器件8的自激勵閾值以上
時，空氣隙才會再次放電，周而復始，重復以上脈沖產(chǎn)生過程。通過調節(jié)直 流偏置電源大小，可以改變輸出脈沖的幅值大小。實施例
本實施例脈沖發(fā)生器的電路如附圖4所示，其選用參數(shù)為高壓直流電
源1為0 5000V可調直流高壓電源，電容3為耐壓6000V的O.l(iF陶瓷電 容器，電阻2為可調電阻。超快脈沖功率開關器件8的結構如附圖2所示， 其選用參數(shù)為半導體晶片14的材料為半絕緣GaAs:EL2，電阻率 5xl07Q'cm，電子遷移率5500cmVv's，半導體晶片14的尺寸為 9.0mmx6.0mmx0.6mir，半導體晶片14上電極a12和電極b22的尺寸均為 6.0mmx4.0mm，圓角半徑均為l.lmm，電極a12和電極b22之間的距離為 3.5mm，微帶傳輸線b25上制作空氣間隙0.2mm，微帶傳輸線、同軸端子的 特性阻抗均為50Q。負載7用Lecroy公司W(wǎng)aveMaster 8600A (帶寬6GHz) 數(shù)字存儲示波器作為50Q負載。因為本發(fā)明的脈沖發(fā)生器的輸出電壓較高， 所以在示波器前加了寬帶0 18GHz、特性阻抗50Q的60dB衰減器，示波器、 衰減器均使用50Q同軸傳輸線連接。
電路的測試將電阻2調至IOMQ，當高壓直流電源1的電壓小于閾值 電壓800V時，示波器無信號顯示；調節(jié)高壓直流電源l大小，在大于800V 后，就得到脈寬僅340ps左右且重復性很好的電脈沖，繼續(xù)逐漸提高電壓源 電壓，脈沖幅值隨之增加，脈寬幾乎不變。當電源電壓為1500V時，輸出電 脈沖波形如附圖5所示，圖a是本發(fā)明功率脈沖發(fā)生器的單次脈沖波形圖， 輸出電脈沖的脈寬為326ps，上升沿為191ps，下降沿為686ps，上升下降沿 光滑；圖b是本發(fā)明功率脈沖發(fā)生器的1250次脈沖疊加波形圖，脈沖重復 性好，晃動小于4ps，脈沖幅度晃動小于10%，平均幅度約200V，平均功率 峰值約800W。
本發(fā)明的兩種結構的超快脈沖功率開關器件利用了氣體開關耐壓高和通流能力強的優(yōu)點，克服了其輸出脈沖重復性差，關斷拖尾長的缺點；利用 了光電半導體開關觸發(fā)晃動小、關斷速度快的優(yōu)點，克服了其需超快激光器 觸發(fā)的缺點。本發(fā)明的脈沖發(fā)生器利用了該超快脈沖功率開關器件作為核心 部件制作，不需要任何激光器觸發(fā)，整個結構簡單、便攜性好、成本低、抗 惡劣環(huán)境能力強。
權利要求
1. 一種超快脈沖功率開關器件，其特征在于包括封裝外殼，在封裝外殼的一端開口安裝有陽極側的同軸端子，在封裝外殼的另一端開口安裝有陰極側的同軸端子，在封裝外殼的內部有一半導體晶片，半導體晶片上設置有兩個共面的歐姆接觸電極，每個歐姆接觸電極都通過導電銀膠與各自對應的微帶傳輸線連接，微帶傳輸線又與各自對應的同軸端子連接；在陰極側的微帶傳輸線上設置有空氣隙。
2、 根據(jù)權利要求1所述的超快脈沖功率開關器件，其特征在于所述 的兩個歐姆接觸電極之間距離與空氣隙之比應大于10: 1。
3、 根據(jù)權利要求1所述的超快脈沖功率開關器件，其特征在于所述 的微帶傳輸線選用Al203雙層覆銅板制作。
4、 一種超快脈沖功率開關器件，其特征在于包括封裝外殼，在封裝 外殼的一端開口安裝有陽極側的同軸端子，在封裝外殼的另一端開口安裝有 陰極側的同軸端子，在封裝外殼的內部設置有一半導體晶塊，半導體晶塊正 對陽極同軸端子的端面上設置有一歐姆接觸電極，該歐姆接觸電極通過導電 銀膠與同軸芯連接，同軸芯與陽極側的同軸端子連接；半導體晶塊的正對陰極同軸端子的端面上也設置有一歐姆接觸電極，該 歐姆接觸電極與陰極側的同軸芯留有一定的空氣隙，陰極側的同軸芯與陰極 側的同軸端子連接；每個同軸芯與歐姆接觸電極平面的正中心垂直對準。
5、 根據(jù)權利要求4所述的超快脈沖功率開關器件，其特征在于所述 的兩個歐姆接觸電極之間距離與空氣隙之比應大于10: 1。
6、 一種自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器，包括高壓直流電源，高壓直流電源與電阻、電容依次串聯(lián)構成回路，高壓直流電源1的負極接地，其特 征在于超快脈沖功率開關器件與負載通過同軸傳輸線串聯(lián)，該串聯(lián)支路與 所述的電容并聯(lián)；超快脈沖功率開關器件的封裝外殼接地。
7、 根據(jù)權利要求6所述的自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器，其特征在于所述的超快脈沖功率開關器件包括封裝外殼，在封裝外殼的一端開口安 裝有陽極側的同軸端子，在封裝外殼的另一端開口安裝有陰極側的同軸端 子，在封裝外殼的內部有一半導體晶片，半導體晶片上設置有共面的陰、陽 歐姆接觸電極，每個電極都通過導電銀膠與各自對應的微帶傳輸線連接，微帶傳輸線與各自對應的同軸端子連接；在陰極側的微帶傳輸線上刻蝕有空氣隙。
8、 根據(jù)權利要求6所述的自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器，其特征在于所述的超快脈沖功率開關器件包括封裝外殼，在封裝外殼的一端開口安裝有陽極側的同軸端子，在封裝外殼的另一端開口安裝有陰極側的同軸端 子，在封裝外殼的內部設置有一半導體晶塊，半導體晶塊正對陰、陽極的端 面上各設置有一歐姆接觸電極，陽極側的歐姆接觸電極通過導電銀膠與同軸芯連接，同軸芯與陽極側的同軸端子連接；半導體晶塊的正對陰極的端面也安裝有一歐姆接觸電極，該歐姆接觸電 極與陰極側的同軸芯留有一定的空氣隙，陰極側的同軸芯與陰極側的同軸端子連接；每個同軸芯與歐姆接觸電極平面的正中心垂直對準。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種超快脈沖功率開關器件，包括半絕緣超快半導體材料、空氣隙、傳輸線和同軸端子依次連接構成。本發(fā)明還公開了一種自激勵皮秒量級功率脈沖發(fā)生器，由高壓直流電源與電阻、電容依次串聯(lián)構成回路，高壓直流電源的負極接地；超快脈沖功率開關器件與負載通過同軸傳輸線串聯(lián)，該串聯(lián)支路與所述的電容并聯(lián)；超快脈沖功率開關器件的封裝外殼接地。本發(fā)明不需要任何激光器觸發(fā)，與現(xiàn)有技術相比整個結構簡單、便攜性好、成本低、抗惡劣環(huán)境能力強。
文檔編號H03K3/00GK101282113SQ20081001822
公開日2008年10月8日 申請日期2008年5月16日 優(yōu)先權日2008年5月16日
發(fā)明者磊 侯, 崢 劉, 鳴 徐, 衛(wèi) 施, 王馨梅 申請人:西安理工大學