充電控制電路及終端的制作方法

本發(fā)明涉及充電技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種充電控制電路及一種終端。

背景技術(shù)：

目前，由于移動終端設(shè)備的普及和技術(shù)發(fā)展的瓶頸，快速充電技術(shù)越來越受到重視。

相關(guān)技術(shù)中，低壓快充方案多是采用CHARDER的供電輸出端(記作VBUS端)與蓄電裝置(記作BATTERY)的充電輸入端(記作VBAT端)之間設(shè)置兩個(gè)背靠背的MOS管(PMOS或NMOS)直接連接。

其中，兩個(gè)MOS管的作用有兩個(gè)：

(1)通過CPU主控的VGATE控制充電通道的通斷，進(jìn)行充電控制；

(2)防止VBUS意外短接到GND情況下，VBAT通過MOS管的體二極管電流倒灌。

采用兩個(gè)背靠背的MOS管，雖然解決了意外情況下電流倒灌的問題，但是使用兩個(gè)MOS管，至少存在以下問題：

(1)增加了成本；

(2)增加了線路阻抗，會導(dǎo)致發(fā)熱問題；

(3)增加了PCB(Printed Circuit Board，印制電路板)布局面積。

因此，如何在解決VBAT電流倒灌的同時(shí)，降低成本，減少線路阻抗，降低發(fā)熱，同時(shí)節(jié)省PCB布局面積，成為亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)或相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。

為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出了一種充電控制電路。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出了一種終端。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的技術(shù)方案，提出了一種充電控制電路，包括：單向?qū)ㄆ骷?；功率器件，與單向?qū)ㄆ骷?lián)連接于供電輸出端與充電輸入端之間；控制器，控制器的輸出端連接至功率器件的驅(qū)動端，功率器件的驅(qū)動端獲取導(dǎo)通信號時(shí)導(dǎo)通，以將供電輸出端的充電電流正向傳輸至充電輸入端，其中，單向?qū)ㄆ骷诔潆婋娏鞣聪騻鬏敃r(shí)不導(dǎo)通。

在該技術(shù)方案中，在供電輸出端和充電輸入端之間串聯(lián)設(shè)置單向?qū)ㄆ骷凸β势骷?，控制器?qū)動功率器件導(dǎo)通時(shí)，將供電輸出端的電流正向傳輸至充電輸入端。這樣，通過設(shè)置單向?qū)ㄆ骷?，在充電過程中，如果遇到意外情況，導(dǎo)致充電電流反向傳輸時(shí)，單向?qū)ㄆ骷矢咦钄嚅_狀態(tài)，以減少電流倒灌的可能性。同時(shí)，單向?qū)ㄆ骷脑O(shè)置，在解決意外情況下電流倒灌問題的同時(shí)，由于單向?qū)ㄆ骷某杀据^低，單向?qū)ㄆ骷膶?dǎo)通阻抗也相對較小，因此可降低充電控制電路的成本，減少線路阻抗，降低發(fā)熱，同時(shí)也可節(jié)省PCB布局面積。

根據(jù)本發(fā)明的上述技術(shù)方案的充電控制電路，還可以具有以下技術(shù)特征：

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷ǎ憾O管，二極管的正極連接至供電輸出端，二極管的負(fù)極連接至充電輸入端。

在該技術(shù)方案中，單向?qū)ㄆ骷ǘO管。二極管作為一種單向?qū)ㄆ骷譃檎?fù)極，具有單向?qū)щ娞匦浴ｋ娏骺捎烧龢O流向負(fù)極，但在二極管的正極接在低電位端時(shí)，二極管中幾乎沒有電流流過，此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，將二極管的正極連接在供電輸出端，負(fù)極連接在充電輸入端，當(dāng)出現(xiàn)意外情況，導(dǎo)致供電輸出端處于低電位時(shí)，充電電流由于二極管的存在減少倒流的可能性，因此，可以減少在意外情況下發(fā)生電流倒灌的可能性。并且，二極管的成本低廉，體積較小，阻抗和壓降都可以控制在較小范圍內(nèi)，并且過流能力也能達(dá)到充電電流，因此，可以節(jié)省成本，降低充電過程中的發(fā)熱，節(jié)省PCB布局面積。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，二極管為鍺功率二極管。

在該技術(shù)方案中，選擇鍺功率二極管作為單向?qū)ㄆ骷?。在充電過程中，電流在充電電路中會產(chǎn)生熱量，為了減少充電過程中電路過熱的可能性，因此應(yīng)盡量降低元器件的導(dǎo)通阻抗和導(dǎo)通壓降。在二極管中，鍺二極管具有導(dǎo)通阻抗小，正向壓降小的特性，因此，選擇鍺功率二極管作為單向?qū)ㄆ骷?，可以在減少意外情況下發(fā)生電流倒灌可能性的同時(shí)，降低充電過程中的發(fā)熱。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，功率器件包括MOSFET晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor晶體管，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，MOSFET晶體管的源極連接至二極管的負(fù)極，MOSFET晶體管的漏極連接至充電輸入端，功率器件的驅(qū)動端為MOSFET晶體管的柵極。

在該技術(shù)方案中，MOSFET晶體管的源極連接至二極管的負(fù)極，漏極連接至充電輸入端，柵極為功率器件的驅(qū)動端。其中，源極和漏極之間形成一個(gè)PN結(jié)(Positive-Negative結(jié))，具有單向?qū)щ娦?，因此將源極連接至二極管的負(fù)極，漏極連接至充電輸入端，可以使充電電路單向?qū)ǎ瑴p少意外情況下電流倒灌現(xiàn)象發(fā)生的可能性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，MOSFET晶體管還設(shè)有反向恢復(fù)二極管，反向恢復(fù)二極管的正極連接至MOSFET晶體管的源極，反向恢復(fù)二極管的負(fù)極連接至MOSFET晶體管的漏極。

在該技術(shù)方案中，MOSFET晶體管設(shè)置反向恢復(fù)二極管，其正極連接至MOSFET晶體管的源極，其負(fù)極連接至MOSFET晶體管的漏極。這樣，在因?yàn)橐馔馇闆r產(chǎn)生反向倒灌電流時(shí)，因?yàn)榉聪蚧謴?fù)二極管的存在，減少M(fèi)OSFET晶體管的源極和漏極之間因?yàn)榉聪虻构嚯娏鞫粨舸┑目赡苄浴?/p>

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，控制器為CPU、MCU和單片機(jī)中的一種。

在該技術(shù)方案中，電池采用疊片式電池，因?yàn)榀B片工藝過程可以使電池的內(nèi)阻較小，因此可以在充電過程中降低線路的阻抗，降低充電過程中線路的發(fā)熱情況。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷膶?dǎo)通電阻小于或等于10毫歐。

在該技術(shù)方案中，選擇導(dǎo)通電阻小于等于10毫歐的單向?qū)ㄆ骷梢詼p小線路中的阻抗，因此可以在充電過程中降低發(fā)熱。優(yōu)選地，該單向?qū)ㄆ骷膶?dǎo)通阻抗越小越好，這樣，充電過程中因?yàn)榫€路阻抗導(dǎo)致的電路發(fā)熱現(xiàn)象就能得到更好的控制。其中，該單向?qū)ㄆ骷倪x擇也可以選擇其他導(dǎo)通電阻的單向?qū)ㄆ骷?，根?jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體選擇。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷膶?dǎo)通壓降小于或等于0.2伏。

在該技術(shù)方案中，單向?qū)ㄆ骷膶?dǎo)通壓降控制在小于等于0.2伏特，則在進(jìn)行充電時(shí)，導(dǎo)通器件的自身壓降就控制在小于等于0.2伏特，這時(shí)，單向?qū)ㄆ骷﹄娐返挠绊戄^小，對充電的影響也較小。其中，該單向?qū)ㄆ骷倪x擇也可以選擇其他導(dǎo)通壓降的單向?qū)ㄆ骷鶕?jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體選擇。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷碾娏鏖撝荡笥诨虻扔诔潆婋娏鞯淖畲笾档?.2倍。

在該技術(shù)方案中，選擇電流閾值為大于等于充電電流最大值的1.2倍的單向?qū)ㄆ骷?，可以在充電過程中，在瞬時(shí)電流較大時(shí)，減少單向?qū)ㄆ骷粺龤У目赡苄裕瑫r(shí)，也能在充電電流過大時(shí)及時(shí)斷開電路，減少充電電流過大損壞待充電設(shè)備的可能性，進(jìn)一步保證充電過程的安全。其中，該電流閾值的設(shè)置可以根據(jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明第二方面的技術(shù)方案，還提出了一種終端，包括如第一方面技術(shù)方案提出的充電控制電路。

根據(jù)本發(fā)明第二方面技術(shù)方案的終端，具有第一方面技術(shù)方案中的充電控制電路的全部有益效果，在此不在贅述。

本技術(shù)方案中的終端可以是手機(jī)、平板電腦等移動終端，也可以是其他需要充電的設(shè)備。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的充電控制電路的示意圖；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的終端的示意框圖。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的充電控制電路的示意圖。

如圖1所示，充電控制電路包括：單向?qū)ㄆ骷﨑1；功率器件Q1，與單向?qū)ㄆ骷﨑1串聯(lián)連接于供電輸出端與充電輸入端之間；控制器，控制器的輸出端連接至功率器件Q1的驅(qū)動端，功率器件Q1的驅(qū)動端獲取導(dǎo)通信號時(shí)導(dǎo)通，以將供電輸出端的充電電流正向傳輸至充電輸入端，其中，單向?qū)ㄆ骷﨑1在充電電流反向傳輸時(shí)不導(dǎo)通，供電輸出端電壓為VBUS，供電輸出端電壓為VBAT，D2為功率器件的反向恢復(fù)功率器件，功率器件Q1的源極為S，功率器件Q1的漏極為D，功率器件Q1的柵極為G，選用CPU作為控制器，另外的，控制器還可以選用嵌入式控制器、單片機(jī)控制器和微處理器，或者根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案設(shè)計(jì)的集成電路的組合作為控制器，CPU的輸出端VGATE通過輸出控制信號來驅(qū)動功率器件Q1。

在該實(shí)施例中，在供電輸出端和充電輸入端之間串聯(lián)設(shè)置單向?qū)ㄆ骷﨑1和功率器件Q1，CPU驅(qū)動功率器件Q1導(dǎo)通時(shí)，將供電輸出端的電流正向傳輸至充電輸入端。這樣，通過設(shè)置單向?qū)ㄆ骷﨑1，在充電過程中，如果遇到意外情況，導(dǎo)致充電電流反向傳輸時(shí)，單向?qū)ㄆ骷﨑1呈高阻斷開狀態(tài)，以減少電流倒灌的可能性。同時(shí)，單向?qū)ㄆ骷﨑1的設(shè)置，在解決意外情況下電流倒灌問題的同時(shí)，由于單向?qū)ㄆ骷﨑1的成本較低，單向?qū)ㄆ骷﨑1的導(dǎo)通阻抗也相對較小，因此可降低充電控制電路的成本，減少線路阻抗，降低發(fā)熱，同時(shí)也可節(jié)省PCB布局面積。

優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷﨑1包括：二極管，二極管的正極連接至供電輸出端，二極管的負(fù)極連接至充電輸入端。

在該實(shí)施例中，單向?qū)ㄆ骷﨑1包括二極管。二極管作為一種單向?qū)ㄆ骷?，分為正?fù)極，具有單向?qū)щ娞匦?。電流可由正極流向負(fù)極，但在二極管的正極接在低電位端時(shí)，二極管中幾乎沒有電流流過，此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，將二極管的正極連接在供電輸出端，負(fù)極連接在充電輸入端，當(dāng)出現(xiàn)意外情況，導(dǎo)致供電輸出端處于低電位時(shí)，充電電流由于二極管的存在減少倒流的可能性，因此，可以減少在意外情況下發(fā)生電流倒灌的可能性。并且，二極管的成本低廉，體積較小，阻抗和壓降都可以控制在較小范圍內(nèi)，并且過流能力也能達(dá)到充電電流，因此，可以節(jié)省成本，降低充電過程中的發(fā)熱，節(jié)省PCB布局面積。

優(yōu)選地，二極管為鍺功率二極管。

在該實(shí)施例中，選擇鍺功率二極管作為單向?qū)ㄆ骷﨑1。在充電過程中，電流在充電電路中會產(chǎn)生熱量，為了減少充電過程中電路過熱的可能性，因此應(yīng)盡量降低元器件的導(dǎo)通阻抗和導(dǎo)通壓降。在二極管中，鍺二極管具有導(dǎo)通阻抗小，正向壓降小的特性，因此，選擇鍺功率二極管作為單向?qū)ㄆ骷?，可以在減少意外情況下發(fā)生電流倒灌可能性的同時(shí)，降低充電過程中的發(fā)熱。

優(yōu)選地，功率器件Q1包括MOSFET晶體管，MOSFET晶體管的源極S連接至二極管的負(fù)極，MOSFET晶體管的漏極D連接至充電輸入端，功率器件Q1的驅(qū)動端為MOSFET晶體管的柵極G。

在該實(shí)施例中，MOSFET晶體管的源極S連接至二極管的負(fù)極，漏極D連接至充電輸入端，柵極G為功率器件Q1的驅(qū)動端。其中，源極S和漏極D之間形成一個(gè)PN結(jié)，具有單向?qū)щ娦?，因此將源極S連接至二極管的負(fù)極，漏極D連接至充電輸入端，可以使充電電路單向?qū)ǎ瑴p少意外情況下電流倒灌現(xiàn)象發(fā)生的可能性。

優(yōu)選地，MOSFET晶體管還設(shè)有反向恢復(fù)二極管D2，反向恢復(fù)二極管D2的正極連接至MOSFET晶體管的源極，反向恢復(fù)二極管D2的負(fù)極連接至MOSFET晶體管的漏極。

在該實(shí)施例中，MOSFET晶體管設(shè)置反向恢復(fù)二極管D2，其正極連接至MOSFET晶體管的源極S，其負(fù)極連接至MOSFET晶體管的漏極D。這樣，在因?yàn)橐馔馇闆r產(chǎn)生反向倒灌電流時(shí)，因?yàn)榉聪蚧謴?fù)二極管D2的存在，減少M(fèi)OSFET晶體管的源極S和漏極D之間因?yàn)榉聪虻构嚯娏鞫粨舸┑目赡苄浴?/p>

優(yōu)選地，控制器為CPU、MCU和單片機(jī)中的一種。

在該實(shí)施例中，電池采用疊片式電池，因?yàn)榀B片工藝過程可以使電池的內(nèi)阻較小，因此可以在充電過程中降低線路的阻抗，降低充電過程中線路的發(fā)熱情況。

優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷﨑1的導(dǎo)通電阻小于或等于10毫歐。

在該實(shí)施例中，選擇導(dǎo)通電阻小于等于10毫歐的單向?qū)ㄆ骷?，可以減小線路中的阻抗，因此可以在充電過程中降低發(fā)熱。優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷﨑1的導(dǎo)通阻抗越小越好，這樣，充電過程中因?yàn)榫€路阻抗導(dǎo)致的電路發(fā)熱現(xiàn)象就能得到更好的控制。其中，該單向?qū)ㄆ骷﨑1的選擇也可以選擇其他導(dǎo)通電阻的單向?qū)ㄆ骷?，根?jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體選擇。

優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷﨑1的導(dǎo)通壓降小于或等于0.2伏。

在該實(shí)施例中，單向?qū)ㄆ骷﨑1的導(dǎo)通壓降控制在小于等于0.2伏特，則在進(jìn)行充電時(shí)，單向?qū)ㄆ骷淖陨韷航稻涂刂圃谛∮诘扔?.2伏特，這時(shí)，單向?qū)ㄆ骷﨑1對電路的影響較小，對充電的影響也較小。其中，該單向?qū)ㄆ骷﨑1的選擇也可以選擇其他導(dǎo)通壓降的單向?qū)ㄆ骷鶕?jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體選擇。

優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷﨑1的電流閾值大于或等于充電電流的最大值的1.2倍。

在該實(shí)施例中，選擇電流閾值為大于等于充電電流最大值的1.2倍的單向?qū)ㄆ骷﨑1，可以在充電過程中，在瞬時(shí)電流較大時(shí)，減少單向?qū)ㄆ骷粺龤У目赡苄裕瑫r(shí)，也能在充電電流過大時(shí)及時(shí)斷開電路，減少充電電流過大損壞待充電設(shè)備的可能性，進(jìn)一步保證充電過程的安全。其中，該電流閾值的設(shè)置可以根據(jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體設(shè)置。

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的終端的示意框圖。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的終端100設(shè)有充電控制電路，其中，充電控制電路包括：單向?qū)ㄆ骷?04；功率器件106，與單向?qū)ㄆ骷?04串聯(lián)連接于供電輸出端102與充電輸入端110之間；控制器108，控制器108的輸出端連接至功率器件106的驅(qū)動端，功率器件106的驅(qū)動端獲取導(dǎo)通信號時(shí)導(dǎo)通，以將供電輸出端102的充電電流正向傳輸至充電輸入端110，其中，單向?qū)ㄆ骷?04在充電電流反向傳輸時(shí)不導(dǎo)通，其中，控制器108可以選用CPU，還可以選用嵌入式控制器、單片機(jī)控制器和微處理器，或者根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例設(shè)計(jì)的集成電路的組合作為控制器。

在該實(shí)施例中，在供電輸出端102和充電輸入端110之間串聯(lián)設(shè)置單向?qū)ㄆ骷?04和功率器件106，控制器108驅(qū)動功率器件106導(dǎo)通時(shí)，將供電輸出端102的電流正向傳輸至充電輸入端110。這樣，通過設(shè)置單向?qū)ㄆ骷?04，在充電過程中，如果遇到意外情況，導(dǎo)致充電電流反向傳輸時(shí)，單向?qū)ㄆ骷?04呈高阻斷開狀態(tài)，以減少電流倒灌的可能性。同時(shí)，單向?qū)ㄆ骷?04的設(shè)置，在解決意外情況下電流倒灌問題的同時(shí)，由于單向?qū)ㄆ骷?04的成本較低，單向?qū)ㄆ骷?04的導(dǎo)通阻抗也相對較小，因此可降低充電控制電路的成本，減少線路阻抗，降低發(fā)熱，同時(shí)也可節(jié)省PCB布局面積。

優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷?04包括：二極管，二極管的正極連接至供電輸出端102，二極管的負(fù)極連接至充電輸入端110。

在該實(shí)施例中，單向?qū)ㄆ骷?04包括二極管。二極管作為一種單向?qū)ㄆ骷?，分為正?fù)極，具有單向?qū)щ娞匦?。電流可由正極流向負(fù)極，但在二極管的正極接在低電位端時(shí)，二極管中幾乎沒有電流流過，此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，將二極管的正極連接在供電輸出端102，負(fù)極連接在充電輸入端110，當(dāng)出現(xiàn)意外情況，導(dǎo)致供電輸出端102處于低電位時(shí)，充電電流由于二極管的存在減少倒流的可能性，因此，可以減少在意外情況下發(fā)生電流倒灌的可能性。并且，二極管的成本低廉，體積較小，阻抗和壓降都可以控制在較小范圍內(nèi)，并且過流能力也能達(dá)到充電電流，因此，可以節(jié)省成本，降低充電過程中的發(fā)熱，節(jié)省PCB布局面積。

優(yōu)選地，二極管為鍺功率二極管。

在該實(shí)施例中，選擇鍺功率二極管作為單向?qū)ㄆ骷?04。在充電過程中，電流在充電電路中會產(chǎn)生熱量，為了減少充電過程中電路過熱的可能性，因此應(yīng)盡量降低元器件的導(dǎo)通阻抗和導(dǎo)通壓降。在二極管中，鍺二極管具有導(dǎo)通阻抗小，正向壓降小的特性，因此，選擇鍺功率二極管作為單向?qū)ㄆ骷梢栽跍p少意外情況下發(fā)生電流倒灌可能性的同時(shí)，降低充電過程中的發(fā)熱。

優(yōu)選地，功率器件106包括MOSFET晶體管，MOSFET晶體管的源極S連接至二極管的負(fù)極，MOSFET晶體管的漏極連接至充電輸入端110，功率器件106的驅(qū)動端為MOSFET晶體管的柵極。

在該實(shí)施例中，MOSFET晶體管的源極連接至二極管的負(fù)極，漏極連接至充電輸入端110，柵極為功率器件106的驅(qū)動端。其中，源極和漏極之間形成一個(gè)PN結(jié)，具有單向?qū)щ娦裕虼藢⒃礃O連接至二極管的負(fù)極，漏極連接至充電輸入端110，可以使充電電路單向?qū)?，減少意外情況下電流倒灌現(xiàn)象發(fā)生的可能性。

優(yōu)選地，MOSFET晶體管還設(shè)有反向恢復(fù)二極管，反向恢復(fù)二極管的正極連接至MOSFET晶體管的源極，反向恢復(fù)二極管的負(fù)極連接至MOSFET晶體管的漏極。

在該實(shí)施例中，MOSFET晶體管設(shè)置反向恢復(fù)二極管，其正極連接至MOSFET晶體管的源極，其負(fù)極連接至MOSFET晶體管的漏極。這樣，在因?yàn)橐馔馇闆r產(chǎn)生反向倒灌電流時(shí)，因?yàn)榉聪蚧謴?fù)二極管的存在，減少M(fèi)OSFET晶體管的源極和漏極之間因?yàn)榉聪虻构嚯娏鞫粨舸┑目赡苄浴?/p>

優(yōu)選地，控制器為CPU、MCU和單片機(jī)中的一種。

在該實(shí)施例中，電池采用疊片式電池，因?yàn)榀B片工藝過程可以使電池的內(nèi)阻較小，因此可以在充電過程中降低線路的阻抗，降低充電過程中線路的發(fā)熱情況。

優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷?04的導(dǎo)通電阻小于或等于10毫歐。

在該實(shí)施例中，選擇導(dǎo)通電阻小于等于10毫歐的單向?qū)ㄆ骷?，可以減小線路中的阻抗，因此可以在充電過程中降低發(fā)熱。優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷?04的導(dǎo)通阻抗越小越好，這樣，充電過程中因?yàn)榫€路阻抗導(dǎo)致的電路發(fā)熱現(xiàn)象就能得到更好的控制。其中，該單向?qū)ㄆ骷?04的選擇也可以選擇其他導(dǎo)通電阻的單向?qū)ㄆ骷?，根?jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體選擇。

優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷?04的導(dǎo)通壓降小于或等于0.2伏。

在該實(shí)施例中，單向?qū)ㄆ骷?04的導(dǎo)通壓降控制在小于等于0.2伏特，則在進(jìn)行充電時(shí)，單向?qū)ㄆ骷淖陨韷航稻涂刂圃谛∮诘扔?.2伏特，這時(shí)，單向?qū)ㄆ骷?04對電路的影響較小，對充電的影響也較小。其中，該單向?qū)ㄆ骷?04的選擇也可以選擇其他導(dǎo)通壓降的單向?qū)ㄆ骷鶕?jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體選擇。

優(yōu)選地，單向?qū)ㄆ骷?04的電流閾值大于或等于充電電流的最大值的1.2倍。

在該實(shí)施例中，選擇電流閾值為大于等于充電電流最大值的1.2倍的單向?qū)ㄆ骷?04，可以在充電過程中，在瞬時(shí)電流較大時(shí)，減少單向?qū)ㄆ骷粺龤У目赡苄裕瑫r(shí)，也能在充電電流過大時(shí)及時(shí)斷開電路，減少充電電流過大損壞待充電設(shè)備的可能性，進(jìn)一步保證充電過程的安全。其中，該電流閾值的設(shè)置可以根據(jù)本發(fā)明實(shí)踐過程中的實(shí)際情況進(jìn)行具體設(shè)置。

該實(shí)施例中的終端100可以是手機(jī)、平板電腦等移動終端，也可以是其他需要充電的設(shè)備。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)說明了本發(fā)明的技術(shù)方案，考慮到現(xiàn)有技術(shù)提出的終端的電池在充電過程的技術(shù)缺陷，本發(fā)明提出一種充電控制電路，通過設(shè)置單向?qū)ㄆ骷頊p少充電過程中因?yàn)橐馔鈱?dǎo)致的電流倒灌的可能性，并且能夠降低成本，減少線路阻抗以降低發(fā)熱，同時(shí)節(jié)省PCB布局面積。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。