驅(qū)動(dòng)電路、集成半導(dǎo)體電路和用于驅(qū)動(dòng)電路的器件的制作方法

本說(shuō)明書(shū)涉及驅(qū)動(dòng)電路。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以涉及用于例如在高電壓半橋開(kāi)關(guān)電路中使用的驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

高電壓(HV)半橋開(kāi)關(guān)電路可以用在各種應(yīng)用中，諸如例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、用于熒光燈的電子鎮(zhèn)流器和供應(yīng)。這樣的半橋電路可以采用跨HV電軌DC電壓供應(yīng)放置的成對(duì)的圖騰式連接的開(kāi)關(guān)元件(例如功率MOSFET、IGBT、FET和GaN器件)。

鑒于各種可能的應(yīng)用，尋求一種驅(qū)動(dòng)電路的持續(xù)改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本公開(kāi)的第一方面，提供一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一晶體管和第二晶體管，其中所述第一晶體管被設(shè)置在自舉端子與DC電壓供應(yīng)端子之間的共源共柵布置中，并且所述第二晶體管被耦合在所述自舉端子與感測(cè)比較器之間，其中所述感測(cè)比較器被設(shè)置在所述第二晶體管與所述DC電壓供應(yīng)端子之間；所述第一晶體管和所述第二晶體管具有與所述DC電壓供應(yīng)端子耦合的公共控制端子以及耦合至所述自舉端子的公共耦合端子；以及其中所述第一晶體管和所述第二晶體管組合操作以在對(duì)供應(yīng)電容器充電以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)時(shí)在所述DC電壓供應(yīng)端子與所述自舉端子之間提供高電壓低壓降的類(lèi)二極管傳導(dǎo)路徑，其中所述供應(yīng)電容器被設(shè)置在所述自舉端子與輸出端子之間，所述輸出端子在低電壓DC電壓與高電壓DC電壓之間交替地可切換。

根據(jù)本公開(kāi)的第二方面，提供一種集成半導(dǎo)體電路，包括：耦合在自舉節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)之間的供應(yīng)電容器，所述輸出節(jié)點(diǎn)在低電壓與高電壓之間交替地可切換；驅(qū)動(dòng)電路，耦合至供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)和所述自舉節(jié)點(diǎn)并且被配置成對(duì)所述供應(yīng)電容器充電，所述驅(qū)動(dòng)電路包括：具有耦合在所述自舉節(jié)點(diǎn)與所述供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)之間的信號(hào)節(jié)點(diǎn)的第一晶體管，所述第一晶體管具有耦合至所述供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)的控制節(jié)點(diǎn)；具有耦合在所述自舉節(jié)點(diǎn)與感測(cè)節(jié)點(diǎn)之間的信號(hào)節(jié)點(diǎn)的第二晶體管，所述第二晶體管具有耦合至所述供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)的控制節(jié)點(diǎn)；具有耦合至所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)的第一輸入以及耦合至所述供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)的第二輸入的感測(cè)比較器；以及隔離阱口袋，其中所述驅(qū)動(dòng)電路的所述第一晶體管和所述第二晶體管被集成在所述隔離阱口袋中。

根據(jù)本公開(kāi)的第三方面，提供一種用于驅(qū)動(dòng)電路的器件，包括：用于驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)的電容器，其中所述電容器被設(shè)置在自舉端子與在低電壓DC電壓與高電壓DC電壓之間交替地可切換的輸出端子之間，驅(qū)動(dòng)電路，耦合至供應(yīng)電壓端子和所述自舉端子并且被配置成對(duì)所述電容器充電，所述驅(qū)動(dòng)電路包括：具有耦合在所述自舉端子與所述供應(yīng)電壓端子之間的信號(hào)節(jié)點(diǎn)的第一晶體管，所述第一晶體管具有耦合至所述供應(yīng)電壓端子的控制節(jié)點(diǎn)；具有耦合在所述自舉端子與感測(cè)節(jié)點(diǎn)之間的信號(hào)節(jié)點(diǎn)的第二晶體管，所述第二晶體管具有耦合至所述供應(yīng)電壓端子的控制節(jié)點(diǎn)；具有耦合至所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)的第一輸入以及耦合至所述供應(yīng)電壓端子的第二輸入的感測(cè)比較器；以及半橋開(kāi)關(guān)器件，耦合至所述驅(qū)動(dòng)電路，所述半橋開(kāi)關(guān)器件包括所述第一功率開(kāi)關(guān)以及與所述第一功率開(kāi)關(guān)串聯(lián)耦合的第二功率開(kāi)關(guān)。

附圖說(shuō)明

現(xiàn)在參考附圖僅作為示例來(lái)描述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，在附圖中：

圖1是半橋開(kāi)關(guān)電路的示意性表示；

圖2是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的框圖；

圖3是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的示例性電路圖；以及

圖4a、圖4b和圖5是集成半導(dǎo)體器件中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的可能集成的例示。

具體實(shí)施方式

在隨后的描述中，說(shuō)明一個(gè)或多個(gè)具體細(xì)節(jié)，目的是提供對(duì)實(shí)施例的示例的深度理解?？梢栽跊](méi)有這些具體細(xì)節(jié)中的一個(gè)或多個(gè)的情況下或者在其他方法、組成、材料等的情況下來(lái)獲得這些實(shí)施例。在其他情況下，沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明或描述已知的結(jié)構(gòu)、材料或操作，以免模糊示例的某些方面。

本描述的框架中對(duì)“實(shí)施例”或“一個(gè)實(shí)施例”的提及意圖表示關(guān)于該示例描述的特定的配置、結(jié)構(gòu)或特性被包括在至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，可能在本描述的一個(gè)或多個(gè)地方出現(xiàn)的諸如“在示例中”或者“在一個(gè)實(shí)施例中”等短語(yǔ)不一定指代同一個(gè)實(shí)施例。另外，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以按照任何適當(dāng)?shù)捻樞驅(qū)μ囟ǖ臉?gòu)造、結(jié)構(gòu)或特性進(jìn)行組合。

本文中所使用的附圖標(biāo)記僅出于方便的目的而提供，因此沒(méi)有定義保護(hù)范圍或者實(shí)施例的范圍。

高電壓半橋開(kāi)關(guān)電路可以用在各種應(yīng)用中，諸如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、用于熒光燈的電子鎮(zhèn)流器和功率供應(yīng)。

諸如例如US5883547(EP 0743752B1與其對(duì)應(yīng))、US6031412 A、US6060948A、US6075391A和WO94/27370A1等文檔通常是現(xiàn)有技術(shù)的例示。

半橋電路可以采用跨高電壓(HV)電軌DC電壓功率供應(yīng)放置的成對(duì)的圖騰式連接的開(kāi)關(guān)元件(例如功率MOSFET、IGBT、FET和GaN器件)。

例如，傳統(tǒng)的半橋開(kāi)關(guān)電路可以包括：

第一功率晶體管和第二功率晶體管，在圖騰式配置中在負(fù)載節(jié)點(diǎn)處彼此耦合，例如其中第一晶體管的源極和第二晶體管的漏極在負(fù)載節(jié)點(diǎn)處互連；

HV電軌DC電壓源，電連接至第一晶體管的漏極和第二晶體管的源極；

柵極驅(qū)動(dòng)緩沖器，電耦合至晶體管的柵極，以便供應(yīng)控制信號(hào)從而導(dǎo)通和關(guān)斷晶體管；以及

DC電壓供應(yīng)，以便向功率器件提供電功率。

在操作條件下，成對(duì)中的晶體管被“正相反地”控制(即交替地接通和斷開(kāi))，使得它們?cè)诓辉谕粫r(shí)間導(dǎo)通。以此方式，負(fù)載節(jié)點(diǎn)處的電壓(也就是連接至負(fù)載的輸出節(jié)點(diǎn))不固定，而是可以變?yōu)镠V電軌DC電壓源的電壓電平或零伏特，這取決于兩個(gè)晶體管中的哪個(gè)在給定時(shí)刻導(dǎo)通。

可以使用自舉技術(shù)來(lái)推導(dǎo)關(guān)于HV電軌DC電壓源浮動(dòng)的DC電壓供應(yīng)。

圖1的框圖是這樣的方法的例示。

在圖1的框圖中，半橋布置HB可以包括在圖騰式配置中耦合的第一功率開(kāi)關(guān)PW1和第二功率開(kāi)關(guān)PW2(例如功率晶體管，諸如功率MOSFET)，其中第一晶體管PW1的源極和第二晶體管PW2的漏極在負(fù)載節(jié)點(diǎn)OUT處互連并且HV電軌DC電壓源電連接至第一晶體管的漏極和第二晶體管的源極。被相應(yīng)高側(cè)和低側(cè)控制信號(hào)HIN和LIN驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)緩沖器HS-DRV(高側(cè))和LS_DRV(低側(cè))耦合(例如在HVG和LVG處)至晶體管PW1、PW2的柵極(控制電極)，以便供應(yīng)控制信號(hào)從而將晶體管導(dǎo)通和關(guān)斷。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，高電壓二極管DB可以連接在DC電壓供應(yīng)VCC與BOOT電壓引腳之間。二極管DB和電容器CB因此可以用于根據(jù)LS_DRV電壓供應(yīng)(VCC)推導(dǎo)關(guān)于HV電軌DC電壓源浮動(dòng)的HS_DRV電壓供應(yīng)(VBO)。

當(dāng)?shù)诙w管PW2導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載節(jié)點(diǎn)OUT有效地連接至低壓(例如零伏特——接地GND)并且高電壓節(jié)點(diǎn)DB使得電流能夠從DC電源(VCC)流向電容器CB，從而將電容器充電至大致DC電源的電壓電平。當(dāng)?shù)诙w管PW2關(guān)斷并且第一晶體管PW1導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載節(jié)點(diǎn)OUT處的電壓呈現(xiàn)大致HV電軌DC電壓供應(yīng)的電壓電平，這引起二極管DB被反向偏置，而沒(méi)有電流從DC電源流向電容器CB。當(dāng)二極管DB保持反向偏置時(shí)，電容器中存儲(chǔ)的電荷向緩沖器供應(yīng)HS-DRV。然而，電容器CB出于僅在有限的時(shí)間內(nèi)供應(yīng)這樣的電壓的位置，使得第一晶體管PW1關(guān)斷并且第二晶體管PW2導(dǎo)通以便在電容器CB上重新存儲(chǔ)電荷。

在包括用于驅(qū)動(dòng)離散功率器件的輸出級(jí)的集成電路中或者在集成在包含驅(qū)動(dòng)電路裝置和控制電路裝置二者的同一芯片中的集成電路中，可以采用自舉功能，以便促進(jìn)提供功率器件的驅(qū)動(dòng)級(jí)的適當(dāng)?shù)墓?yīng)。

這些類(lèi)型的系統(tǒng)可以使用高電壓LDMOS晶體管，而非PN結(jié)，用于實(shí)現(xiàn)自舉二極管以便促進(jìn)OUT端子的快速切換行為。

在某些實(shí)現(xiàn)中，集成的LDMOS晶體管可以提供自舉二極管行為。例如，LDMOS柵極和源極端子對(duì)于外部電壓供應(yīng)而言可以是公共的(即彼此短路)并且連接到該外部電壓供應(yīng)。這樣的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)促進(jìn)從LDMOS的源極端子到漏極端子獲取單向電流路徑，其中VGS保持在零V并且其中提供復(fù)雜的本體端子極化電路裝置以避免在漏極端子的快速擺動(dòng)期間觸發(fā)集成在LDMOS結(jié)構(gòu)中的本征的雙極型晶體管。

這一方法的缺點(diǎn)可以在于VCC引腳與BOOT引腳之間的等同二極管的前向電壓降。其可以高于1V，因?yàn)榈韧O管的前向電壓降可以等于LDMOS的門(mén)限電壓，LDMOS的門(mén)限電壓取決于工藝參數(shù)以及LDMOS源極和本體端子之間的正電壓降。US6075391A(已經(jīng)引用)中提出的結(jié)構(gòu)可以被適配以便控制高電壓LDMOS，從而避免本征的雙極型晶體管的觸發(fā)以及減小等同二極管的正向電壓降。

在這種情況下，可以借助于充電泵從VCC源電壓獲取集成LDMOS的柵極的驅(qū)動(dòng)電壓，以便在低側(cè)功率器件導(dǎo)通并且因此OUT引腳(輸出端子)為大約零伏特時(shí)導(dǎo)通LDMOS。在各種條件下，設(shè)置在源極端子與外部低側(cè)電壓供應(yīng)之間的齊納二極管可以保護(hù)LDMOS本體源極結(jié)并且抑制從集成的LDMOS晶體管漏極到供應(yīng)節(jié)點(diǎn)VCC的電流路徑。這一反向電流可能破壞器件或者在任何情況下對(duì)自舉電容器放電。最終，可以使用用于本體端子的適當(dāng)?shù)臉O化電路以避免觸發(fā)集成在LDMOS結(jié)構(gòu)中的本征的雙極型晶體管。

這一方法的缺點(diǎn)可以在于LDMOS關(guān)斷電路的復(fù)雜性以及由于相當(dāng)笨重的電荷泵電容器的存在而導(dǎo)致的LDMOS柵極端子控制電路的高的面積消耗。例如，這樣的架構(gòu)可以?xún)H在低側(cè)控制信號(hào)為高時(shí)在VCC與自舉引腳之間呈現(xiàn)大約700mV(理想二極管)的等同二極管前向電壓降并且由于電荷泵柵極控制電路限制而持續(xù)有限的時(shí)間。

觀察到，在例如5V或更低的驅(qū)動(dòng)級(jí)的最小電壓供應(yīng)方面SiC和GaN功率器件技術(shù)和嚴(yán)格的約束的連續(xù)改進(jìn)可以極大地減小連接在VCC與(BOOT)引腳之間的等同的集成二極管的正向電壓降。

如圖2中例示的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以通過(guò)節(jié)省面積占用來(lái)解決VCC與VBO(穩(wěn)定狀態(tài)條件下二極管DB上的電壓)之間的適當(dāng)?shù)碾妷翰畹膯?wèn)題，以便克服對(duì)高電壓柵極驅(qū)動(dòng)IC研究的限制。

圖2中使用相同的附圖標(biāo)記以便表示已經(jīng)結(jié)合圖1介紹的部分或元素。在此為了簡(jiǎn)潔而不重復(fù)對(duì)應(yīng)的描述；這可以適用于以下事實(shí)：兩個(gè)開(kāi)關(guān)(例如晶體管)PW1、PW2可以被“正好相反地”控制(也就是交替地接通和斷開(kāi))使得它們不同時(shí)導(dǎo)通以導(dǎo)電。

在圖2中例示的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以用經(jīng)由兩個(gè)高電壓、例如下面詳述的耗盡LDMOS晶體管LD1、LD2提供的類(lèi)二極管傳導(dǎo)路徑來(lái)取代IC的VCC與BOOT引腳之間的圖1的自舉二極管DB。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，這些晶體管可以集成在隔離的阱口袋中，隔離的阱口袋可以維持高電壓供應(yīng)與例如集成電路的接地電勢(shì)之間的高電壓應(yīng)力。

圖2因此是用于在對(duì)供應(yīng)電容器CB充電以驅(qū)動(dòng)(例如在HS_DRV)功率開(kāi)關(guān)(諸如PW1)時(shí)在DC電壓供應(yīng)端子VCC與自舉端子BOOT之間提供高電壓、低(前向電壓)降的類(lèi)二極管傳導(dǎo)路徑的電路的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的例示，其中電容器CB設(shè)置在自舉端子BOOT與輸出端子OUT之間，其中輸出端子OUT在低壓(諸如GND)與高電壓DC電壓(諸如HV電軌)之間交替地可切換(例如經(jīng)由PW1和PW2)。

在圖2中例示的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，等同的自舉二極管電路可以包括高電壓(例如LDMOS耗盡晶體管LD1，其可以用作高電壓共源共柵器件)以及第二高電壓(例如LDMOS耗盡晶體管LD2，其可以用作高電壓BOOT端子與低壓感測(cè)比較器CMP之間的去耦合晶體管)。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，晶體管LD1和LD2可以具有公共柵極G(控制端子)、本體B和漏極D(也就是與自舉端子BOOT的公共耦合端子)。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，兩個(gè)晶體管LD1和LD2可以具有不同的源極(也就是電流發(fā)射極)端子。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，LD1和LD2的漏極可以與高側(cè)供應(yīng)節(jié)點(diǎn)BOOT耦合，而柵極可以與低側(cè)供應(yīng)節(jié)點(diǎn)VCC耦合。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以設(shè)置與晶體管的本體耦合的本體極化電路，例如以在各種應(yīng)用條件下避免LDMOS本征的雙極型晶體管的不期望的接通。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，LD1的源極可以借助于設(shè)置在DC電壓供應(yīng)VCC與LD1的源極端子之間的低壓開(kāi)關(guān)SW來(lái)與低側(cè)供應(yīng)節(jié)點(diǎn)VCC耦合。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，LD2的源極可以與低電壓比較器CMP的非反相輸入耦合，低電壓比較器CMP的反相輸入與VCC耦合。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，控制邏輯CL可以(僅)在低側(cè)功率器件(圖1中的PW2)導(dǎo)通時(shí)并且在BOOT電壓低于低電壓比較器CMP通過(guò)高電壓耗盡LDMOS晶體管LD2感測(cè)的VCC電壓供應(yīng)時(shí)導(dǎo)通低壓開(kāi)關(guān)SW，高電壓耗盡LDMOS晶體管LD2具有從高電壓去耦合的功能。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，控制邏輯CL的輸入可以包括低側(cè)控制信號(hào)LIN(也參見(jiàn)圖1)和啟用信號(hào)EN，其中目的是在安全條件下放置二極管。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管LD1和第二晶體管LD2的本體B可以與本體極化電路Vb耦合，以對(duì)抗其中的本征的雙極型晶體管的接通。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，鉗位元件CP可以設(shè)置在LD1的本體(與LD2公共)與接地GND之間。

圖3的圖示出了用于提供LD2源電壓端子和VCC電壓供應(yīng)比較器CMP的可能的實(shí)現(xiàn)的各種低壓晶體管M1-M6，其中使用相同的附圖標(biāo)記以便表示已經(jīng)結(jié)合圖1和圖2介紹的部分和元素。

在可能的實(shí)現(xiàn)中，圖2的比較器CMP可以借助于公共柵極差分對(duì)(M1和M2)來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中電流生成器(M4、M5和M6-電流IB)和啟用開(kāi)關(guān)M3由低側(cè)控制信號(hào)LIN來(lái)驅(qū)動(dòng)以便減小BOOT引腳與GND引腳之間的電流消耗。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)?shù)蛡?cè)控制信號(hào)LIN(也參見(jiàn)圖1)為高(信號(hào)EN與LIN進(jìn)行AND)時(shí)，比較器CMP被啟用(例如信號(hào)EN和信號(hào)LIN進(jìn)行AND組合)，并且M2和M3的漏極之間的VSNS信號(hào)將僅在BOOT電壓端子以及LD2源電壓端子低于VCC電壓供應(yīng)時(shí)變低。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在LIN為低并且VSNS為低的情況下，開(kāi)關(guān)SW可以激活VCC引腳與BOOT引腳之間的雙向電流路徑，從而產(chǎn)生VCC＝VBOOT。在這些操作條件下，VCC與BOOT之間的等同結(jié)構(gòu)基本上是電阻器。

否則，可以打開(kāi)開(kāi)關(guān)SW，其中自動(dòng)抑制BOOT與VCC之間的電流路徑，這可以促進(jìn)避免對(duì)IC的損壞并且保留自舉電容器CB中存儲(chǔ)的電荷。

在開(kāi)關(guān)SW打開(kāi)的情況下，仍然可以借助于開(kāi)關(guān)SW的本征二極管來(lái)提供VCC引腳與BOOT引腳之間的單向電流路徑，即使低側(cè)功率器件(圖1中的PW2)關(guān)斷。在這種情況下，VCC引腳與BOOT引腳之間的等同二極管的前向電壓降為大約700mV。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在各種操作條件下，本文中例示的電路架構(gòu)可以在VCC引腳與BOOT引腳之間具有低的(前向)電壓降二極管行為。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在同一隔離阱口袋中集成高電壓耗盡LDMOS以感測(cè)BOOT引腳的可能性可以使得能夠在自舉電容CB的充電階段的結(jié)束將VCC與VBO之間的電壓降降為零。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，高電壓耗盡MOS可以集成在HV浮動(dòng)口袋的相同的隔離環(huán)中，如圖4和圖5中示意性地圖示的那樣。

圖4a和圖4b示出了兩個(gè)部分，其被表示為高電壓(HV)浮動(dòng)阱和集成的高電壓耗盡MOS的可能實(shí)現(xiàn)的a)和b)示例。

圖5是沿著圖4a和圖4b的橫截面視圖。

在圖4a和圖4b示出的兩個(gè)部分中，以下附圖標(biāo)記適用：

10：浮動(dòng)口袋

12：高電壓隔離

14：電平移位器

16：耗盡MOS

18：感測(cè)耗盡MOS

在圖5中，以下附圖標(biāo)記適用：

20：P襯底

22：N外延

24：高電壓N阱

26：P+隔離

28：P阱

30：浮動(dòng)阱

32：襯底

34：N耗盡

S：源極

D：漏極

G：柵極

B：本體

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，N耗盡注入34可以在漏極D(N+/HVWELL)與源極S(N+)之間建立用于電子的傳導(dǎo)路徑。這一傳導(dǎo)路徑可以通過(guò)柵極G的、低于源極S的正確極化來(lái)被抑制。

可以集成對(duì)自舉電容器CB充電的耗盡MOS 16以及用作BOOT電壓和低壓感測(cè)電路裝置之間的去耦合晶體管的感測(cè)耗盡MOS 18二者。這兩個(gè)耗盡MOS的漏極可以共享并且物理連接至浮動(dòng)口袋10。兩個(gè)耗盡MOS 16、18的門(mén)限電壓可以通過(guò)構(gòu)造來(lái)對(duì)準(zhǔn)。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例因此可以在二極管(例如圖1中的DB)的放置時(shí)使用，以便在對(duì)供應(yīng)電容器充電以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)時(shí)在DC電壓供應(yīng)端子與自舉端子之間提供高電壓低壓降的類(lèi)二極管傳導(dǎo)路徑，其中電容器設(shè)置在自舉端子與輸出端子之間，輸出端子在低壓(例如GND)與高電壓DC電壓(例如HV電軌)之間交替地可切換。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，電路可以包括第一晶體管和第二晶體管(例如LD1、LD2)，其中第一晶體管設(shè)置在自舉端子與DC電壓供應(yīng)端子之間的共源共柵布置中，并且第二晶體管耦合在BOOT端子與(低壓)感測(cè)比較器(例如CMP)之間，其中上述感測(cè)比較器設(shè)置在第二晶體管(LD2)與上述DC電壓供應(yīng)端子(VCC)之間。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管和第二晶體管可以具有與DC電壓供應(yīng)端子耦合的公共控制端子(例如柵極G)以及耦合至自舉端子的公共耦合端子(例如漏極D)。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管和第二晶體管可以具有公共本體。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管可以具有經(jīng)由開(kāi)關(guān)與低壓DC電壓供應(yīng)端子耦合的源極(也就是電流發(fā)射極)端子，當(dāng)耦合至自舉端子的第一晶體管的端子(例如漏極)與DC電壓供應(yīng)端子相比較低時(shí)，開(kāi)關(guān)可激活。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以設(shè)置比較器，用于借助于第二晶體管將自舉端子處的電壓與DC低壓供應(yīng)端子處的電壓相比較并且根據(jù)比較激活開(kāi)關(guān)。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管和第二晶體管可以包括耗盡晶體管。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管和第二晶體管可以包括MOS晶體管、可選地包括LDMOS晶體管。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管和第二晶體管可以包括LDMOS耗盡晶體管。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管和第二晶體管的本體(例如B)可以與本體極化電路耦合，以抵消本體極化電路中的本征雙極型晶體管的接通。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一晶體管和第二晶體管可以集成在集成半導(dǎo)體電路的隔離阱口袋中。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，諸如例如半橋開(kāi)關(guān)器件等器件可以包括：

用于驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)(例如PW1)的電容器，其中電容器設(shè)置在自舉端子與輸出端子之間，輸出端子在低壓(例如GND)與高電壓DC電壓(例如HV電軌)之間交替地可切換。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的用于在對(duì)供應(yīng)電容器充電時(shí)在DC電壓供應(yīng)端子與自舉端子之間提供高電壓低壓降的類(lèi)二極管傳導(dǎo)路徑的驅(qū)動(dòng)電路。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以包括另外的功率開(kāi)關(guān)(例如PW2)以在低壓(例如GND)與高電壓DC電壓(例如HV電軌)之間切換輸出端子，其中功率開(kāi)關(guān)和另外的功率開(kāi)關(guān)被配置成交替地接通和斷開(kāi)(也就是避免了它們可能同時(shí)導(dǎo)通)。

在沒(méi)有偏離潛在原理的情況下，細(xì)節(jié)和實(shí)施例關(guān)于已經(jīng)被描述僅作為示例的內(nèi)容可以發(fā)生變化、甚至是很明顯的變化，而沒(méi)有偏離保護(hù)范圍。

保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求來(lái)定義。

以上描述的各種實(shí)施例可以組合以提供另外的實(shí)施例。

可以鑒于以上詳述的描述對(duì)實(shí)施例做出這些和其他變化?？傊?，在以下權(quán)利要求中，所使用的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)當(dāng)被理解為將權(quán)利要求限于說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求中公開(kāi)的具體實(shí)施例，而是應(yīng)當(dāng)被理解為包括所有可能的實(shí)施例連同這樣的權(quán)利要求有權(quán)享有的等同方案的整個(gè)范圍。因此，權(quán)利要求不受本公開(kāi)內(nèi)容的限制。