整流裝置制造方法
【專利摘要】整流裝置（100）接受從送電裝置（101）輸出的電力。該整流裝置（100）例如是電池、內(nèi)置有電池的智能手機(jī)、平板PC等便攜式設(shè)備、以及與這些設(shè)備連接的電池充電用設(shè)備。此外，作為整流裝置（100），只要能夠接受從對(duì)應(yīng)的送電裝置（101）輸出的電力即可，也可以是充電式的電動(dòng)汽車、家電產(chǎn)品、適應(yīng)水中應(yīng)用的產(chǎn)品等。
【專利說明】整流裝置
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的參照:本申請(qǐng)享有2013年6月26日申請(qǐng)的日本特許申請(qǐng)?zhí)?013 —134096的優(yōu)先權(quán)利益，該日本特許申請(qǐng)的全部內(nèi)容引用在本申請(qǐng)中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及整流裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]以往的同步整流裝置存在若為了改善損失而降低導(dǎo)通電阻則會(huì)變得整流動(dòng)作困難而產(chǎn)生逆流的問題。作為該逆流的對(duì)策，有時(shí)強(qiáng)制高壓側(cè)的PMOS晶體管來作為二極管使用。在該以往的整流裝置中，由于PMOS晶體管的寄生元件而流動(dòng)電流，導(dǎo)致效率惡化。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的課題在于能夠抑制來自輸出端子的逆流且提高效率的整流裝置。
[0005]實(shí)施方式的無線供電系統(tǒng)接受通過無線供電從送電裝置傳送來的電力，對(duì)所得到的電流進(jìn)行整流后輸出，其中，具備:受電線圈，連接在第一受電端子與第二受電端子之間，與所述送電裝置的送電線圈電磁耦合；受電電容器，在所述第一受電端子與所述第二受電端子之間，與所述受電線圈串聯(lián)連接；第一 pMOS晶體管，源極與輸出端子連接，漏極與所述第一受電端子連接；第二 pMOS晶體管，源極與所述輸出端子連接，漏極與所述第二受電端子連接；第一nMOS晶體管，漏極與所述第一受電端子連接，源極與固定電位連接；第二nMOS晶體管，漏極與所述第二受電端子連接，源極與所述固定電位連接；電流檢測電路，檢測在連接有負(fù)載的負(fù)載端子與所述輸出端子之間流動(dòng)的負(fù)載電流，輸出與將所述負(fù)載電流與所設(shè)定的閾值比較而得的結(jié)果對(duì)應(yīng)的電流檢測信號(hào)；第一電壓檢測電路，檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間、或者所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓；第二電壓檢測電路，在所述第一電壓檢測電路檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間的電壓的情況下，檢測所述第二受電端子與所述固定電位之間的電壓，或者，在所述第一電壓檢測電路檢測所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓的情況下，檢測所述輸出端子與所述第二受電端子之間的電壓；第一控制電路，基于所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 pMOS晶體管；第二控制電路，基于所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第= PMOS晶體管；第三控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 nMOS晶體管；以及第四控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二 nMOS晶體管。
[0006]另一實(shí)施方式的整流裝置對(duì)由第一受電端子以及第二受電端子得到的電流進(jìn)行整流后輸出，其特征在于，具備:第一 PMOS晶體管，源極與輸出端子連接，漏極與所述第一受電端子連接；第二 pMOS晶體管，源極與所述輸出端子連接，漏極與所述第二受電端子連接；第一 nMOS晶體管，漏極與所述第一受電端子連接，源極與固定電位連接；第二 nMOS晶體管，漏極與所述第二受電端子連接，源極與所述固定電位連接；電流檢測電路，檢測在連接有負(fù)載的負(fù)載端子與所述輸出端子之間流動(dòng)的負(fù)載電流，輸出與將所述負(fù)載電流與所設(shè)定的閾值比較而得的結(jié)果對(duì)應(yīng)的電流檢測信號(hào)；第一電壓檢測電路，檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間、或者所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓；第二電壓檢測電路，在所述第一電壓檢測電路檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間的電壓的情況下，檢測所述第二受電端子與所述固定電位之間的電壓，或者，在所述第一電壓檢測電路檢測所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓的情況下，檢測所述輸出端子與所述第二受電端子之間的電壓；第一控制電路，基于所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 pMOS晶體管；第二控制電路，基于所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二PMOS晶體管；第三控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 nMOS晶體管；以及第四控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二 nMOS晶體管。
[0007]根據(jù)上述構(gòu)成的整流裝置，能夠抑制來自輸出端子的逆流且提高效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1是表示第一實(shí)施方式所涉及的整流裝置100的構(gòu)成的一例的電路圖。
[0009]圖2是表示整流裝置100的通常動(dòng)作時(shí)的各信號(hào)的一例的波形圖。
[0010]圖3是表示整流裝置100的輕負(fù)載時(shí)的各信號(hào)的一例的波形圖。
[0011]圖4是應(yīng)用在整流裝置100中的第一 nMOS晶體管NI的截面圖。
[0012]圖5是表示第二實(shí)施方式所涉及的整流裝置200的構(gòu)成的一例的電路圖。
[0013]圖6是表示整流裝置200的通常動(dòng)作時(shí)的各信號(hào)的一例的波形圖。
[0014]圖7是表示整流裝置200的輕負(fù)載時(shí)的各信號(hào)的一例的波形圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]本發(fā)明的一方式所涉及的整流裝置具備受電線圈，該受電線圈連接在第一受電端子與第二受電端子之間，與所述送電裝置的送電線圈電磁耦合。整流裝置具備受電電容器，該受電電容器在所述第一受電端子與所述第二受電端子之間，與所述受電線圈串聯(lián)連接。整流裝置具備第一 PMOS晶體管，該第一 pMOS晶體管的源極與輸出端子連接，漏極與所述第一受電端子連接。整流裝置具備第二 PMOS晶體管，該第二 pMOS晶體管的源極與所述輸出端子連接，漏極與所述第二受電端子連接。整流裝置具備第一 nMOS晶體管，該第一 nMOS晶體管的漏極與所述第一受電端子連接，源極與固定電位連接。整流裝置具備第二 nMOS晶體管，該第二 nMOS晶體管的漏極與所述第二受電端子連接，源極與所述固定電位連接。整流裝置具備電流檢測電路，該電流檢測電路檢測在連接有負(fù)載的負(fù)載端子與所述輸出端子之間流動(dòng)的負(fù)載電流，將所述負(fù)載電流與所設(shè)定的閾值比較，輸出與比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的電流檢測信號(hào)。整流裝置具備第一電壓檢測電路，該第一電壓檢測電路檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間或者所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓。整流裝置具備第二電壓檢測電路，該第二電壓檢測電路在所述第一電壓檢測電路檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間的電壓的情況下，檢測所述第二受電端子與所述固定電位之間的電壓，或者在所述第一電壓檢測電路檢測所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓的情況下，檢測所述輸出端子與所述第二受電端子之間的電壓。整流裝置具備第一控制電路，該第一控制電路基于所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 PMOS晶體管。整流裝置具備第二控制電路，該第二控制電路基于所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二PMOS晶體管。整流裝置具備第三控制電路，該第三控制電路基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 nMOS晶體管。整流裝置具備第四控制電路，該第四控制電路基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二 nMOS晶體管。
[0016]以下，基于附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0017]【第一實(shí)施方式】
[0018]圖1是表示第一實(shí)施方式所涉及的整流裝置100的構(gòu)成的一例的電路圖。
[0019]在圖1中，送電裝置10傳送電力。該送電裝置101例如為智能手機(jī)、平板PC等便攜式設(shè)備的充電器。
[0020]此外，整流裝置(受電裝置)100接受從送電裝置101輸出的電力。該整流裝置100例如為電池、內(nèi)置有電池的智能手機(jī)、平板PC等便攜式設(shè)備、以及與這些設(shè)備連接的電池充電用設(shè)備。此外，作為整流裝置(受電裝置)100，只要接受從對(duì)應(yīng)的送電裝置101輸出的電力即可，也可以是充電式的電動(dòng)汽車、家電產(chǎn)品、適應(yīng)水中應(yīng)用的產(chǎn)品等。
[0021]在此，從送電裝置101向整流裝置(受電裝置)100的電力傳送是通過使設(shè)置于送電裝置101的送電線圈(一次線圈)L2和設(shè)置于整流裝置(受電裝置)100的受電線圈(二次線圈)LI電磁耦合而形成電力傳送變壓器來實(shí)現(xiàn)的。由此，能夠非接觸地進(jìn)行電力傳送。
[0022]這樣，整流裝置100接受通過無線供電從送電裝置101傳送來的電力，對(duì)所得到的電流進(jìn)行整流后輸出。
[0023]在此，整流裝置100例如圖1所示具備:受電線圈L1、受電電容器Cl、輸出電容器C0UT、第一 pMOS晶體管P1、第二 pMOS晶體管P2、第一 nMOS晶體管N1、第二 nMOS晶體管N2、電流檢測電路D1、第一電壓檢測電路DVl、第二電壓檢測電路DV2、第一控制電路X1、第二控制電路X2、第三控制電路X3、第四控制電路X4。
[0024]受電線圈LI連接在第一受電端子TACl與第二受電端子TAC2之間，與送電裝置101的送電線圈L2電磁耦合。
[0025]在此，整流裝置100例如將用于控制輸出電力的信號(hào)從受電線圈LI向送電裝置101的送電線圈L2發(fā)送。并且，送電裝置101從由送電線圈L2接收到的信號(hào)，通過包絡(luò)線檢波，取得基于負(fù)載電流1UT的信息。
[0026]受電電容器Cl在第一受電端子TACl與第二受電端子TAC2之間，與受電線圈LI串聯(lián)連接。
[0027]輸出電容器COUT連接在負(fù)載端子TR與接地PGND之間。該輸出電容器COUT對(duì)負(fù)載端子TR的輸出電壓進(jìn)行平滑化。
[0028]第一 pMOS晶體管Pl的源極與輸出端子TOUT連接，漏極與第一受電端子TACl連接。該第一 PMOS晶體管Pl包含寄生二極管Zl。接地PGND為固定電位的一例。因而，在本實(shí)施例中，接地能夠被置換為固定電位。
[0029]第二 pMOS晶體管P2的源極與輸出端子TOUT連接，漏極與第二受電端子TAC2連接。該第二 pMOS晶體管P2包含寄生二極管Z2。
[0030]第一 nMOS晶體管NI的漏極與第一受電端子TACl連接，源極與接地PGND連接。該第一 nMOS晶體管NI包含寄生二極管Z3。
[0031]第二 nMOS晶體管N2的漏極與第二受電端子TAC2連接，源極與接地PGND連接。該第二 nMOS晶體管N2包含寄生二極管TA。
[0032]電流檢測電路DI檢測在連接有負(fù)載R的負(fù)載端子TR與輸出端子TOUT之間流動(dòng)的負(fù)載電流10UT，輸出與將負(fù)載電流1UT與預(yù)先設(shè)定的閾值比較而得的結(jié)果對(duì)應(yīng)的電流檢測信號(hào)SD。
[0033]該電流檢測電路DI例如在負(fù)載電流1UT低于閾值的情況下，輸出高(High)電平的電流檢測信號(hào)SD。
[0034]另一方面，電流檢測電路DI在負(fù)載電流1UT為閾值以上的情況下，輸出低(Low)電平的電流檢測信號(hào)SD。
[0035]該電流檢測電路DI例如圖1所示，具有變換電路CX、電流檢測用比較器C0MD、基準(zhǔn)直流電源Vref。
[0036]變換電路CX輸出與負(fù)載電流1UT對(duì)應(yīng)的變換電壓Vx。更具體地說，變換電路CX輸出與負(fù)載電流1UT成正比的變換電壓Vx。
[0037]基準(zhǔn)直流電源Vref的負(fù)極與接地PGND連接，正極與電流檢測用比較器COMD的輸入連接。該基準(zhǔn)直流電源Vref輸出基準(zhǔn)電壓。
[0038]電流檢測用比較器COMD將變換電壓Vx與預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)電壓比較，將與該比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的信號(hào)作為電流檢測信號(hào)SD來輸出。
[0039]該電流檢測用比較器COMD例如在變換電壓Vx低于基準(zhǔn)電壓的情況下，輸出高電平的電流檢測/[目號(hào)SD。
[0040]另一方面，電流檢測用比較器COMD在變換電壓Vx為基準(zhǔn)電壓以上的情況下，輸出低電平的電流檢測信號(hào)SD。
[0041]第一電壓檢測電路DVl在圖1的例子中，檢測第一受電端子TACl與接地PGND之間的電壓。但是，也可以是，該第一電壓檢測電路DVl檢測輸出端子TOUT與第一受電端子TACl之間的電壓。
[0042]并且，該第一電壓檢測電路DVl輸出與檢測到的電壓對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
[0043]該第一電壓檢測電路DVl例如圖1所示，具有第一直流電源ofl、第一比較器COMl。
[0044]第一直流電源ofl的負(fù)極與第一受電端子TACl連接。
[0045]第一比較器COMl比較第一直流電源ofl的正極的第一電壓和接地電壓。并且，第一比較器COMl例如在第一電壓低于接地電壓的情況下,輸出高電平的信號(hào)SI,另一方面，在第一電壓為接地電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)SI。
[0046]第一控制電路Xl基于第二電壓檢測電路DV2的檢測結(jié)果，向第一 pMOS晶體管Pl的柵極輸出第一控制信號(hào)，控制第一 PMOS晶體管P1。
[0047]該第一控制電路Xl例如圖1所示，具有第一逆變器IN1。
[0048]該第一逆變器INl的輸入與第二比較器COM2的輸出連接，輸出與第一 pMOS晶體管Pl的柵極連接。
[0049]第二控制電路X2基于第一電壓檢測電路DVl的檢測結(jié)果，向第二 pMOS晶體管P2的柵極輸出第二控制信號(hào)，控制第二 PMOS晶體管P2。
[0050]該第二控制電路X2例如圖1所示，具有第二逆變器IN2。
[0051]該第二逆變器IN2的輸入與第一比較器COMl的輸出連接，輸出與第二 pMOS晶體管P2的柵極連接。
[0052]第二電壓檢測電路DV2例如在圖1的例子中，檢測第二受電端子TAC2與接地PGND之間的電壓。但是，也可以是，該第二電壓檢測電路DV2在第一電壓檢測電路DVl檢測輸出端子TOUT與第一受電端子TACl之間的電壓的情況下，檢測輸出端子TOUT與第二受電端子TAC2之間的電壓。
[0053]S卩，第二電壓檢測電路DV2在第一電壓檢測電路DVl檢測第一受電端子TACl與接地PGND之間的電壓的情況下，檢測第二受電端子TAC2與接地PGND之間的電壓?；蛘?，在第一電壓檢測電路DVl檢測輸出端子TOUT與第一受電端子TACl之間的電壓的情況下，檢測輸出端子TOUT與第二受電端子TAC2之間的電壓。
[0054]并且，該第二電壓檢測電路DV2輸出與檢測到的電壓對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
[0055]該第二電壓檢測電路DV2例如圖1所示，具有第二直流電源of2、第二比較器COM2。
[0056]第二直流電源of2的負(fù)極與第二受電端子TAC2連接，輸出與第一直流電源ofl相同大小的電壓(第一偏置電壓)。
[0057]第二比較器COM2比較第二直流電源of2的正極的第二電壓和接地電壓。并且，該第二比較器COM2在第二電壓低于接地電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)S2。另一方面，第二比較器COM2在第二電壓為接地電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)S2。
[0058]第三控制電路X3基于電流檢測信號(hào)SD以及第一電壓檢測電路DVl的檢測結(jié)果，向第一 nMOS晶體管NI的柵極輸出第三控制信號(hào)，控制第一 nMOS晶體管NI。
[0059]該第三控制電路X3例如圖1所示，具有第三逆變器IN3、第一 AND電路Al、第一驅(qū)動(dòng)器D1。
[0060]第三逆變器IN3被輸入電流檢測信號(hào)SD。
[0061]第一 AND電路Al的輸入與第一比較器COMl的輸出以及第三逆變器IN3的輸出連接。
[0062]第一驅(qū)動(dòng)器Dl的輸入與第一 AND電路Al的輸出連接，輸出與第一 nMOS晶體管NI的柵極連接。該第一驅(qū)動(dòng)器Dl對(duì)被輸入的信號(hào)進(jìn)行放大后輸出。
[0063]第四控制電路X4基于電流檢測信號(hào)SD以及第二電壓檢測電路DV2的檢測結(jié)果，向第二 nMOS晶體管N2的柵極輸出第四控制信號(hào)，來控制第二 nMOS晶體管N2。
[0064]第四控制電路X4具有第四逆變器IN4、第二 AND電路A2、第二驅(qū)動(dòng)器D2。
[0065]第四逆變器IN4被輸入電流檢測信號(hào)SD。
[0066]第二 AND電路A2的輸入與第二比較器COM2的輸出以及第四逆變器IN4的輸出連接。
[0067]第二驅(qū)動(dòng)器D2的輸入與第二 AND電路A2的輸出連接，輸出與第二 nMOS晶體管N2的柵極連接。該第二驅(qū)動(dòng)器D2對(duì)被輸入的信號(hào)進(jìn)行放大后輸出。
[0068]在此，例如，在第一電壓檢測電路DVl檢測到第一受電端子TACl的電壓AC1(+第一偏置電壓)低于接地PGND的接地電壓的情況下，第二控制電路X2使第二 pMOS晶體管P2導(dǎo)通，而且，第三控制電路X3使第一 nMOS晶體管NI導(dǎo)通。
[0069]另一方面，在第一電壓檢測電路DVl檢測到第一受電端子TACl的電壓ACl (+第一偏置電壓)為接地電壓以上的情況下，第二控制電路X2使第二 pMOS晶體管P2截止，而且，第三控制電路X3使第一 nMOS晶體管NI截止。
[0070]此外，在第二電壓檢測電路DV2檢測到第二受電端子TAC2的電壓AC2 (+第一偏置電壓)低于接地電壓的情況下，第一控制電路Xl使第一 PMOS晶體管Pl導(dǎo)通，而且，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2導(dǎo)通。
[0071]另一方面，在第二電壓檢測電路DV2檢測到第二受電端子TAC2的電壓AC2 (+第一偏置電壓)為接地電壓以上的情況下，第一控制電路Xl使第一 pMOS晶體管Pl截止,而且，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2截止。
[0072]另外，第三控制電路X3以及第四控制電路X4不僅被輸入第一以及第二電壓檢測電路DV1、DV2的檢測結(jié)果，還被輸入有電流檢測信號(hào)SD。即，在負(fù)載電流1UT低于閾值的情況下，第三控制電路X3輸出強(qiáng)制地使第一 nMOS晶體管NI截止的第三控制信號(hào)，而且，第四控制電路X4輸出強(qiáng)制地使所述第二 nMOS晶體管N2截止的所述第四控制信號(hào)。
[0073]接下來，對(duì)具有以上那樣的構(gòu)成的整流裝置100的動(dòng)作的一例進(jìn)行說明。首先，對(duì)整流裝置100的通常動(dòng)作的一例進(jìn)行說明。在此，圖2是表示整流裝置100的通常動(dòng)作時(shí)的各信號(hào)的一例的波形圖。圖2所示的信號(hào)波形ACl以及AC2表示電壓AC1、AC2與各自的偏置電壓被進(jìn)行了加法運(yùn)算后的波形。以下，圖3、6以及7也同樣。
[0074]該情況下，電流檢測電路DI由于負(fù)載電流1UT為閾值以上，所以輸出低電平的電流檢測信號(hào)SD。
[0075]例如，若從第二受電端子TAC2經(jīng)由受電線圈LI向第一受電端子TACl流入電流，則電壓AC2比接地電壓PGND低。
[0076]并且，第二電壓檢測電路DV2檢測到第二受電端子TAC2的電壓AC2 (+第一偏置電壓)低于接地電壓，輸出高電平的信號(hào)S2。由此,第一控制電路Xl使第一 pMOS晶體管Pl導(dǎo)通，而且，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2導(dǎo)通(時(shí)刻tl)。
[0077]此時(shí)，第一電壓檢測電路DVl檢測到第一受電端子TACl的電壓ACl (+第一偏置電壓)為接地電壓以上，輸出低電平的信號(hào)SI。由此，第二控制電路X2使第二 pMOS晶體管P2截止，而且，第三控制電路X3使所述第一 nMOS晶體管NI截止(時(shí)刻tl)。
[0078]這樣，使第一 pMOS晶體管Pl以及第二 nMOS晶體管N2導(dǎo)通，向輸出端子TOUT流入電流。
[0079]接下來，第二電壓檢測電路DV2檢測到第二受電端子TAC2的電壓AC2 (+第一偏置電壓)為接地電壓以上，輸出低電平的信號(hào)S2。由此，第一控制電路Xl使第一 pMOS晶體管Pl截止，而且，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2截止(時(shí)刻t2)。
[0080]之后，若從第一受電端子TACl經(jīng)由受電線圈LI向第二受電端子TAC2流入電流，則電壓ACl比接地電壓PGND低。
[0081]并且，第一電壓檢測電路DVl檢測到第一受電端子TACl的電壓ACl (+第一偏置電壓)低于接地電壓，輸出高電平的信號(hào)SI。由此，第二控制電路X2使第二 pMOS晶體管P2導(dǎo)通，而且，第三控制電路X3使第一 nMOS晶體管NI導(dǎo)通(時(shí)刻t3)。
[0082]此時(shí)，第二電壓檢測電路DV2檢測到第二受電端子TAC2的電壓AC2 (+第一偏置電壓)為接地電壓以上，輸出低電平的信號(hào)S2。由此,第一控制電路Xl使第一 pMOS晶體管Pl截止，而且，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2截止(時(shí)刻t3)。
[0083]這樣，使第二 pMOS晶體管P2以及第一 nMOS晶體管NI導(dǎo)通，向輸出端子TOUT流入電流。
[0084]并且，第一電壓檢測電路DVl檢測到第一受電端子TACl的電壓ACl (+第一偏置電壓)為接地電壓以上，輸出低電平的信號(hào)SI。由此，第二控制電路X2使第二 pMOS晶體管P2截止，而且，第三控制電路X3使第一 nMOS晶體管NI截止(時(shí)刻t4)。
[0085]這樣，整流裝置100通過第一、第二電壓檢測電路DVl、DV2檢測到第一、第二 nMOS晶體管N1、N2的電壓，基于其檢測結(jié)果來控制第一、第二 pMOS晶體管P、P2、第一、第二 nMOS晶體管N1、N2。
[0086]通過反復(fù)進(jìn)行以上那樣的動(dòng)作，整流裝置100對(duì)由于受電線圈L1、受電電容器Cl而共振的信號(hào)進(jìn)行全波整流，并作為DC電壓向輸出端子TOUT輸出。
[0087]MOS晶體管的導(dǎo)通電阻引起的電壓下降遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于二極管的前饋電壓，因此，整流裝置100能夠改善電力損失。
[0088]接下來，對(duì)輕負(fù)載時(shí)負(fù)載電流變?yōu)榈陀陂撝禃r(shí)的整流裝置100的動(dòng)作的一例進(jìn)行說明。圖3是表示整流裝置100的輕負(fù)載時(shí)的各信號(hào)的一例的波形圖。
[0089]如圖3所示，在時(shí)刻tl至?xí)r刻t4的期間，第一、第二控制信號(hào)S1、S2的波形與圖2所示的通常動(dòng)作時(shí)的波形同樣。
[0090]在此，電流檢測電路DI由于負(fù)載電流1UT低于閾值(輕負(fù)載時(shí))，所以輸出表示負(fù)載電流1UT低于閾值的高電平的電流檢測信號(hào)SD。
[0091]該情況下，第三控制電路X3輸出低電平的第三控制信號(hào)，強(qiáng)制地使第一 nMOS晶體管NI截止。此外，第四控制電路X4輸出低電平第四控制信號(hào)，強(qiáng)制地使第二 nMOS晶體管N2截止。
[0092]由此，第一、第二 nMOS晶體管N1、N2的寄生二極管Z3、Z4動(dòng)作而流動(dòng)有電流。即，能夠通過寄生二極管Z3、Z4將負(fù)載電流1UT逆流的路徑斷開。
[0093]在此，圖4是在整流裝置100中應(yīng)用的第一 nMOS晶體管NI的截面圖。另外，第二nMOS晶體管N2的構(gòu)成也是同樣的截面圖。如圖4所示，在第一 nMOS晶體管NI的構(gòu)造中，若第一受電端子TACl的電位比接地PGND的電位低，則作為二極管動(dòng)作。此時(shí)，接地PGND成為與基板P — Sub同電位，所以，寄生的PNP型雙極型晶體管中不流動(dòng)電流。
[0094]由此，基板P — Sub中不流過電流而不會(huì)產(chǎn)生損失，在負(fù)載電流1UT小時(shí)能夠防止逆流。
[0095]如以上那樣，根據(jù)本第一實(shí)施方式所涉及的整流裝置，能夠抑制來自輸出端子的逆流且提高效率。
[0096]【第二實(shí)施方式】
[0097]圖5是表示第二實(shí)施方式所涉及的整流裝置200的構(gòu)成的一例的電路圖。另外，在該圖5中，與圖1相同的附圖標(biāo)記表示與第一實(shí)施方式同樣的構(gòu)成，省略說明。
[0098]如圖5所示，第一電壓檢測電路DVl具有第一直流電源of 1、第三直流電源of 3、第一比較器COMl、第三比較器COM3。S卩，第一電壓檢測電路DVl與第一實(shí)施方式相比，還具有第三直流電源of3、第三比較器COM3。
[0099]在此，第一直流電源ofl的負(fù)極與第一受電端子TACl連接。
[0100]第一比較器COMl比較第一直流電源ofl的正極的第一電壓和接地電壓。并且，該第一比較器COMl在第一電壓低于接地電壓的情況下,輸出高電平的信號(hào)SI,另一方面,在第一電壓為接地電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)SI。
[0101]第三直流電源of3的負(fù)極與第一受電端子TACl連接。該第三直流電源of3輸出比第一直流電源ofl大的電壓(第二偏置電壓)。
[0102]第三比較器COM3比較第三直流電源of3的正極的第三電壓和接地電壓。并且，該第三比較器COM3在第三電壓低于接地電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)S3，另一方面，在第三電壓為接地電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)S3。
[0103]此外，如圖5所示，第二電壓檢測電路DV2具有第二直流電源of2、第二比較器COM2、第四直流電源of4、第四比較器COM4。
[0104]第二直流電源of2的負(fù)極與第二受電端子TAC2連接。該第二直流電源of2輸出與第一直流電源ofl相同大小的電壓(第一偏置電壓)。
[0105]第二比較器COM2比較第二直流電源of2的正極的第二電壓和接地電壓。并且，該第二比較器COM2在第二電壓低于接地電壓的情況下,輸出高電平的信號(hào)S2,另一方面,在第二電壓為接地電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)S2。
[0106]第四直流電源of4的負(fù)極與第二受電端子TAC2連接。該第四直流電源of4輸出與第三直流電源of3相同大小的電壓(第二偏置電壓)。
[0107]另外，第二偏置電壓比已敘述的的第一偏置電壓低。
[0108]第四比較器COM4比較第四直流電源of4的正極的第四電壓和接地電壓。并且，第四比較器COM4在第四電壓低于接地電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)S4，另一方面，在第四電壓為接地電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)S4。
[0109]此外，第一控制電路Xl例如圖5所示，具有第一逆變器INl。
[0110]第一逆變器INl的輸入與第四比較器COM4的輸出連接，輸出與第一 pMOS晶體管Pl的柵極連接。
[0111]此外，第二控制電路X2例如圖5所示，具有第二逆變器IN2。
[0112]第二逆變器IN2的輸入與第三比較器COM3的輸出連接，輸出與第二 pMOS晶體管P2的柵極連接。
[0113]此外，第三控制電路X3例如圖5所示，具有第三逆變器IN3、第一 AND電路Al、第一驅(qū)動(dòng)器Dl。
[0114]第三逆變器IN3被輸入電流檢測信號(hào)SD。
[0115]第一 AND電路Al的輸入與第一比較器COMl的輸出以及第三逆變器IN3的輸出連接。
[0116]第一驅(qū)動(dòng)器Dl的輸入與第一 AND電路Al的輸出連接，輸出與第一 nMOS晶體管NI的柵極連接。
[0117]第四控制電路X4例如圖5所示，具有第四逆變器IN4、第二 AND電路A2、第二驅(qū)動(dòng)器D2。
[0118]第四逆變器IN4被輸入電流檢測信號(hào)SD。
[0119]第二 AND電路A2的輸入與第二比較器COM2的輸出以及第四逆變器IN4的輸出連接。
[0120]第二驅(qū)動(dòng)器D2的輸入與第二 AND電路A2的輸出連接，輸出與第二 nMOS晶體管N2的柵極連接。
[0121]此外，如圖5所示，整流裝置200例如與第一實(shí)施方式的整流裝置100相比，還具有:第一開關(guān)元件SW1、第二開關(guān)元件SW2、第五控制電路X5、第六控制電路X6。
[0122]第一開關(guān)元件SWl被連接以便對(duì)第一 nMOS晶體管NI的柵極與接地PGND之間的導(dǎo)通進(jìn)行接通/斷開。
[0123]該第一開關(guān)元件SWl例如圖5所示，是漏極與第一 nMOS晶體管NI的柵極連接、源極與接地PGND連接、柵極被輸入第五控制信號(hào)的nMOS晶體管。
[0124]并且，第五控制電路X5被輸入電流檢測信號(hào)SD以及第一電壓檢測電路DVl的檢測結(jié)果(信號(hào)S3)，輸出第五控制信號(hào)。
[0125]該第五控制電路X5例如圖5所示，具有第五逆變器IN5、第一 OR電路01。
[0126]第五逆變器IN5的輸入與第三比較器COM3的輸出連接。
[0127]第一 OR電路01被輸入電流檢測信號(hào)SD以及第五逆變器IN5的輸出，輸出第五控制信號(hào)。
[0128]此外，第二開關(guān)元件SW2被連接以便對(duì)第二 nMOS晶體管N2的柵極與接地PGND之間的導(dǎo)通進(jìn)行接通/斷開。
[0129]該第二開關(guān)元件SW2例如圖5所示，是漏極與第二 nMOS晶體管N2的柵極連接、源極與接地PGND連接、柵極被輸入第六控制信號(hào)的nMOS晶體管。
[0130]并且，第六控制電路X6被輸入電流檢測信號(hào)SD以及第二電壓檢測電路DV2的檢測結(jié)果(信號(hào)S4)，輸出第六控制信號(hào)。
[0131]該第六控制電路X6具有第六逆變器IN6、第二 OR電路02。
[0132]第六逆變器IN6的輸入與第四比較器COM4的輸出連接。
[0133]第二 OR電路02被輸入電流檢測信號(hào)SD以及第六逆變器IN6的輸出，輸出第六控制信號(hào)。
[0134]在此，在第一電壓檢測電路DVl檢測到第一受電端子TACl的電壓低于接地PGND的接地電壓的情況下，第二控制電路X2使第二 pMOS晶體管P2導(dǎo)通，并且，第三控制電路X3使第一 nMOS晶體管NI導(dǎo)通。
[0135]另一方面，在第一電壓檢測電路DVl檢測到第一受電端子TACl的電壓為接地電壓以上的情況下，第三控制電路X3使第一 nMOS晶體管NI截止，并且，第二控制電路X2使第二 pMOS晶體管P2截止。
[0136]此外，在第二電壓檢測電路DV2檢測到第二受電端子TAC2的電壓低于接地電壓的情況下，第一控制電路Xl使第一 PMOS晶體管Pl導(dǎo)通，并且，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2導(dǎo)通。
[0137]另一方面，在第二電壓檢測電路DV2檢測到第二受電端子TAC2的電壓為接地電壓以上的情況下，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2截止，之后，第一控制電路Xl使第一pMOS晶體管Pl截止。
[0138]另外，在上述第一、第二電壓檢測電路DV1、DV2的動(dòng)作中，更具體地說，第一、第二電壓檢測電路DV1、DV2比較從第一、第二受電端子TAC1、TAC2的電壓中減去第一、第二偏置電壓后的值和接地電壓。
[0139]另外，整流裝置200的其他構(gòu)成與第一實(shí)施方式的整流裝置100同樣。
[0140]在此，對(duì)具有以上那樣的構(gòu)成的整流裝置200的動(dòng)作的一例進(jìn)行說明。首先，對(duì)整流裝置200的通常動(dòng)作的一例進(jìn)行說明。圖6是表示整流裝置200的通常動(dòng)作時(shí)的各信號(hào)的一例的波形圖。
[0141]該情況下，電流檢測電路DI由于負(fù)載電流1UT為閾值以上，所以輸出低電平的電流檢測信號(hào)SD。
[0142]這樣，在通常動(dòng)作時(shí)，電流檢測信號(hào)SD輸出低電平，表示負(fù)載電流1UT為閾值以上。該情況下，第五控制電路X5使第一開關(guān)元件SWl截止，而且，第六控制電路X6使所述第二開關(guān)元件SW2截止。
[0143]例如，若從第二受電端子TAC2經(jīng)由受電線圈LI向第一受電端子TACl流入電流，則電壓AC2比接地電壓PGND低。
[0144]并且，第二電壓檢測電路DV2的第四比較器COM4檢測到第二受電端子TAC2的電壓(+第二偏置電壓)低于接地電壓，輸出高電平的信號(hào)S4 (時(shí)刻tl)。由此，第一控制電路Xl使第一 PMOS晶體管Pl導(dǎo)通。
[0145]之后，第二電壓檢測電路DV2的第二比較器COM2檢測到第二受電端子TAC2的電壓(+第一偏置電壓)低于接地電壓，輸出高電平的信號(hào)S2 (時(shí)刻t2)。由此，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2導(dǎo)通。
[0146]之后，第二電壓檢測電路DV2的第二比較器COM2檢測到第二受電端子TAC2的電壓(十第一偏置電壓)為接地電壓以上，輸出低電平的信號(hào)S2 (時(shí)刻t3)。由此，第四控制電路X4使第二 nMOS晶體管N2截止。
[0147]之后，第二電壓檢測電路DV2的第四比較器COM4檢測到第二受電端子TAC2的電壓(+第二偏置電壓)為接地電壓以上，輸出低電平的信號(hào)S4 (時(shí)刻t4)。由此，第一控制電路Xl使第一 PMOS晶體管Pl截止。
[0148]接下來，若從第一受電端子TACl經(jīng)由受電線圈LI向第二受電端子TAC2流入電流，則電壓ACl變?yōu)榈陀诮拥仉妷篜GND。
[0149]并且，第一電壓檢測電路DVl的第三比較器COM3檢測到第一受電端子TACl的電壓(+第二偏置電壓)低于接地PGND的接地電壓，輸出高電平的信號(hào)S3 (時(shí)刻t5)。由此，第二控制電路X2使第二 pMOS晶體管P2導(dǎo)通。
[0150]之后，第一電壓檢測電路DVl的第一比較器COMl檢測到第一受電端子TACl的電壓(+第一偏置電壓)低于接地PGND的接地電壓，輸出高電平的信號(hào)SI (時(shí)刻t6)。由此，第三控制電路X3使第一 nMOS晶體管NI導(dǎo)通。
[0151]之后，第一電壓檢測電路DVl的第一比較器COMl檢測到第一受電端子TACl的電壓(十第一偏置電壓)為接地電壓以上，輸出低電平的信號(hào)SI。由此，第三控制電路X3使所述第一 nMOS晶體管NI截止。
[0152]之后，第一電壓檢測電路DVl的第三比較器COM3檢測到第一受電端子TACl的電壓(+第二偏置電壓)為接地電壓以上，輸出低電平的信號(hào)S3。由此，第二控制電路X2使第二pMOS晶體管P2截止。
[0153]這樣，整流裝置200通過第一、第二電壓檢測電路DVl、DV2來檢測第一、第二 nMOS晶體管N1、N2的電壓，基于其檢測結(jié)果來控制第一、第二 pMOS晶體管P、P2、第一、第二 nMOS晶體管N1、N2。
[0154]通過反復(fù)進(jìn)行以上那樣的動(dòng)作，整流裝置200對(duì)由于受電線圈L1、受電電容器Cl而共振的信號(hào)進(jìn)行全波整流后作為DC電壓向輸出端子TOUT輸出。
[0155]MOS晶體管的電壓下降遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于二極管的前饋電壓，因此，整流裝置200能夠改善電力損失。
[0156]接下來，對(duì)輕負(fù)載時(shí)負(fù)載電流變?yōu)榈陀陂撝禃r(shí)的整流裝置200的動(dòng)作的一例進(jìn)行說明。圖7是表示整流裝置200的輕負(fù)載時(shí)的各信號(hào)的一例的波形圖。
[0157]如圖7所示，在時(shí)刻tl至?xí)r刻t4的期間，信號(hào)S1、S2的波形與圖6所示的通常動(dòng)作時(shí)的波形同樣。
[0158]在此，電流檢測電路DI由于負(fù)載電流1UT低于閾值(輕負(fù)載時(shí))，所以輸出表示負(fù)載電流1UT低于閾值的高電平的電流檢測信號(hào)SD。
[0159]該情況下，第三控制電路X3輸出用于強(qiáng)制地使第一 nMOS晶體管NI截止的第三控制信號(hào)，而且，第四控制電路X4輸出用于強(qiáng)制地使第二 nMOS晶體管N2截止的第四控制信號(hào)。
[0160]進(jìn)而，第五控制電路X5使第一開關(guān)元件SWl導(dǎo)通，而且，第六控制電路X6使所述第二開關(guān)元件SW2導(dǎo)通。
[0161]由此，第一、第二 nMOS晶體管N1、N2的寄生二極管Z3、Z4動(dòng)作而流動(dòng)有電流。即，通過寄生二極管Z3、Z4能夠?qū)⒇?fù)載電流1UT逆流的路徑斷開。
[0162]在此，如已敘述的的圖4所示，在第一 nMOS晶體管NI的構(gòu)造中，若第一受電端子TACl的電位比接地PGND的電位低，則作為二極管進(jìn)行動(dòng)作。此時(shí)，接地PGND與基板P —Sub同電位，所以，寄生的PNP型雙極型晶體管不流過電流。
[0163]因此，基板P — Sub中不流過電流而不會(huì)產(chǎn)生大的損失，在負(fù)載電流1UT小時(shí)能夠防止逆流。
[0164]另外，整流裝置200的其他動(dòng)作與第一實(shí)施方式的整流裝置100同樣。
[0165]如以上那樣，根據(jù)本第二實(shí)施方式所涉及的整流裝置，能夠抑制來自輸出端子的逆流且提高效率。
[0166]另外，實(shí)施方式所涉及的整流裝置中有以下的方式。
[0167]在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，在所述電流檢測信號(hào)表示所述負(fù)載電流為所述閾值以上的情況下，所述第五控制電路使所述第一開關(guān)元件截止，而且，所述第六控制電路使所述第二開關(guān)元件截止。
[0168]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，在所述電流檢測信號(hào)表示所述負(fù)載電流低于所述閾值的情況下，所述第三控制電路強(qiáng)制地使所述第一 nMOS晶體管截止，而且，所述第四控制電路強(qiáng)制地使所述第二 nMOS晶體管截止，進(jìn)而，所述第五控制電路使所述第一開關(guān)元件導(dǎo)通，而且，所述第六控制電路使所述第二開關(guān)元件導(dǎo)通。
[0169]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，所述第五控制電路具有:第五逆變器，輸入與所述第三比較器的輸出連接；以及第一 OR電路，輸入與所述電流檢測信號(hào)以及所述第五逆變器的輸出連接，輸出與所述第一開關(guān)元件的控制端子連接；所述第六控制電路具有:第六逆變器，輸入與所述第四比較器的輸出連接；以及第二 OR電路，輸入與所述電流檢測信號(hào)以及所述第六逆變器的輸出連接，輸出與所述第二開關(guān)元件的控制端子連接。
[0170]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，所述第一開關(guān)元件為，漏極與所述第一nMOS晶體管的柵極連接、源極與所述接地連接、柵極與所述第一 OR電路的輸出連接的nMOS晶體管，所述第二開關(guān)元件為，漏極與所述第二 nMOS晶體管的柵極連接，源極與所述接地連接，柵極與所述第二 OR電路的輸出連接的nMOS晶體管。
[0171]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，還具有連接在所述負(fù)載端子與所述接地之間的輸出電容器。
[0172]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，所述電流檢測電路在所述負(fù)載電流低于所述閾值的情況下，將所述電流檢測信號(hào)設(shè)為高電平，另一方面，在所述負(fù)載電流為所述閾值以上的情況下，將所述電流檢測信號(hào)設(shè)為低電平。
[0173]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，所述電流檢測電路具有:變換電路，輸出與所述負(fù)載電流對(duì)應(yīng)的變換電壓；以及電流檢測用比較器，比較所述變換電壓和預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)電壓，將與其比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的信號(hào)作為所述電流檢測信號(hào)來輸出。
[0174]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，所述電流檢測電路還具有:基準(zhǔn)直流電源，負(fù)極與所述接地連接，輸出所述基準(zhǔn)電壓。
[0175]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，所述電流檢測用比較器在所述變換電壓低于所述基準(zhǔn)電壓的情況下，將所述電流檢測信號(hào)設(shè)為高電平，另一方面，在所述變換電壓為所述基準(zhǔn)電壓以上的情況下，將所述電流檢測信號(hào)設(shè)為低電平。
[0176]此外，在實(shí)施方式所涉及的整流裝置中，所述整流裝置將包含基于所述負(fù)載電流的信息的信號(hào)，從所述受電線圈向所述送電裝置的所述送電線圈發(fā)送，所述送電裝置從由所述送電線圈接收到的信號(hào)，通過包絡(luò)線檢波，取得基于所述負(fù)載電流的信息。
[0177]以上說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式只是作為例子提示，不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他各種形態(tài)來實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式及其變形包含在發(fā)明的范圍和主旨中，也包含在權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其等同范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種整流裝置，接受通過無線供電從送電裝置傳送來的電力，對(duì)所得到的電流進(jìn)行整流后輸出，其特征在于，具備: 受電線圈，連接在第一受電端子與第二受電端子之間，與所述送電裝置的送電線圈電磁率禹合； 受電電容器，在所述第一受電端子與所述第二受電端子之間，與所述受電線圈串聯(lián)連接; 第一 PMOS晶體管，源極與輸出端子連接，漏極與所述第一受電端子連接； 第二 pMOS晶體管，源極與所述輸出端子連接，漏極與所述第二受電端子連接； 第一 nMOS晶體管，漏極與所述第一受電端子連接，源極與固定電位連接； 第二 nMOS晶體管，漏極與所述第二受電端子連接，源極與所述固定電位連接； 電流檢測電路，檢測在連接有負(fù)載的負(fù)載端子與所述輸出端子之間流動(dòng)的負(fù)載電流，輸出與將所述負(fù)載電流與所設(shè)定的閾值比較而得的結(jié)果對(duì)應(yīng)的電流檢測信號(hào)； 第一電壓檢測電路，檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間、或者所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓； 第二電壓檢測電路，在所述第一電壓檢測電路檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間的電壓的情況下，檢測所述第二受電端子與所述固定電位之間的電壓，或者，在所述第一電壓檢測電路檢測所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓的情況下，檢測所述輸出端子與所述第二受電端子之間的電壓； 第一控制電路，基于所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 PMOS晶體管；第二控制電路，基于所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二 PMOS晶體管；第三控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 nMOS晶體管；以及 第四控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二 nMOS晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的整流裝置，其特征在于， 在所述第一電壓檢測電路檢測到所述第一受電端子的電壓低于所述固定電位電壓的情況下， 所述第二控制電路使所述第二 PMOS晶體管導(dǎo)通，而且，所述第三控制電路使所述第一nMOS晶體管導(dǎo)通， 另一方面，在所述第一電壓檢測電路檢測到所述第一受電端子的電壓為所述固定電位電壓以上的情況下， 所述第二控制電路使所述第二 PMOS晶體管截止，而且，所述第三控制電路使所述第一nMOS晶體管截止， 并且，在所述第二電壓檢測電路檢測到所述第二受電端子的電壓低于所述固定電位電壓的情況下， 所述第一控制電路使所述第一 PMOS晶體管導(dǎo)通，而且，所述第四控制電路使所述第二nMOS晶體管導(dǎo)通， 另一方面，在所述第二電壓檢測電路檢測到所述第二受電端子的電壓為所述固定電位電壓以上的情況下， 所述第一控制電路使所述第一 PMOS晶體管截止，而且，所述第四控制電路使所述第二nMOS晶體管截止。
3.如權(quán)利要求1所述的整流裝置，其特征在于， 在所述電流檢測信號(hào)表示所述負(fù)載電流低于所述閾值的情況下， 所述第三控制電路強(qiáng)制地使所述第一 nMOS晶體管截止，而且，所述第四控制電路強(qiáng)制地使所述第二 nMOS晶體管截止。
4.如權(quán)利要求1所述的整流裝置，其特征在于， 在所述第一電壓檢測電路檢測到所述第一受電端子的電壓低于所述固定電位電壓的情況下， 所述第二控制電路使所述第二 PMOS晶體管導(dǎo)通，之后，所述第三控制電路使所述第一nMOS晶體管導(dǎo)通， 另一方面，在所述第一電壓檢測電路檢測到所述第一受電端子的電壓為所述固定電位電壓以上的情況下， 所述第三控制電路使所述第一 nMOS晶體管截止，之后，所述第二控制電路使所述第二PMOS晶體管截止， 并且，在所述第二電壓檢測電路檢測到所述第二受電端子的電壓低于所述固定電位電壓的情況下， 所述第一控制電路使所述第一 PMOS晶體管導(dǎo)通，之后，所述第四控制電路使所述第二nMOS晶體管導(dǎo)通， 另一方面，在所述第二電壓檢測電路檢測到所述第二受電端子的電壓為所述固定電位電壓以上的情況下， 所述第四控制電路使所述第二 nMOS晶體管截止，之后，所述第一控制電路使所述第一PMOS晶體管截止。
5.如權(quán)利要求4所述的整流裝置，其特征在于， 還具備: 第一開關(guān)元件，連接在所述第一 nMOS晶體管的柵極與所述固定電位之間； 第五控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一開關(guān)元件； 第二開關(guān)元件，連接在所述第二 nMOS晶體管的柵極與所述固定電位之間；以及第六控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二開關(guān)元件。
6.如權(quán)利要求1所述的整流裝置，其特征在于， 所述第一電壓檢測電路具有: 第一直流電源，負(fù)極與所述第一受電端子連接；以及 第一比較器，將所述第一直流電源的正極的第一電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第一電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第一電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 所述第二電壓檢測電路具有: 第二直流電源，負(fù)極與所述第二受電端子連接，輸出與所述第一直流電源相同大小的電壓；以及 第二比較器，將所述第二直流電源的正極的第二電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第二電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第二電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 所述第一控制電路具有: 第一逆變器，輸入與所述第二比較器的輸出連接，輸出與所述第一 PMOS晶體管的柵極連接； 所述第二控制電路具有: 第二逆變器，輸入與所述第一比較器的輸出連接，輸出與所述第二 PMOS晶體管的柵極連接； 所述第三控制電路具有: 第三逆變器，被輸入所述電流檢測信號(hào)； 第一 AND電路，輸入與所述第一比較器的輸出以及所述第三逆變器的輸出連接；以及第一驅(qū)動(dòng)器，輸入與所述第一 AND電路的輸出連接，輸出與所述第一 nMOS晶體管的柵極連接； 所述第四控制電路具有: 第四逆變器，被輸入所述電流檢測信號(hào)； 第二 AND電路，輸入與所述第二比較器的輸出以及所述第四逆變器的輸出連接；以及第二驅(qū)動(dòng)器，輸入與所述第二 AND電路的輸出連接，輸出與所述第二 nMOS晶體管的柵極連接。
7.如權(quán)利要求4所述的整流裝置，其特征在于， 所述第一電壓檢測電路具有: 第一直流電源，負(fù)極與所述第一受電端子連接； 第一比較器，將所述第一直流電源的正極的第一電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第一電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第一電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 第三直流電源，負(fù)極與所述第一受電端子連接，輸出比所述第一直流電源大的電壓；以及 第三比較器，將所述第三直流電源的正極的第三電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第三電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第三電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 所述第二電壓檢測電路具有: 第二直流電源，負(fù)極與所述第二受電端子連接，輸出與所述第一直流電源相同大小的電壓； 第二比較器，將所述第二直流電源的正極的第二電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第二電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第二電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)， 第四直流電源，負(fù)極與所述第二受電端子連接，輸出與所述第三直流電源相同大小的電壓；以及 第四比較器，將所述第四直流電源的正極的第四電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第四電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第四電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 所述第一控制電路具有: 第一逆變器，輸入與所述第四比較器的輸出連接，輸出與所述第一 PMOS晶體管的柵極連接； 所述第二控制電路具有: 第二逆變器，輸入與所述第三比較器的輸出連接，輸出與所述第二 PMOS晶體管的柵極連接； 所述第三控制電路具有: 第三逆變器，被輸入所述電流檢測信號(hào)； 第一 AND電路，輸入與所述第一比較器的輸出以及所述第三逆變器的輸出連接；以及第一驅(qū)動(dòng)器，輸入與所述第一 AND電路的輸出連接，輸出與所述第一 nMOS晶體管的柵極連接； 所述第四控制電路具有: 第四逆變器，被輸入所述電流檢測信號(hào)； 第二 AND電路，輸入與所述第二比較器的輸出以及所述第四逆變器的輸出連接；以及第二驅(qū)動(dòng)器，輸入與所述第二 AND電路的輸出連接，輸出與所述第二 nMOS晶體管的柵極連接。
8.如權(quán)利要求1所述的整流裝置，其特征在于， 所述電流檢測電路具有: 變換電路，輸出與所述負(fù)載電流對(duì)應(yīng)的變換電壓；以及 電流檢測用比較器，將所述變換電壓與所設(shè)定的基準(zhǔn)電壓比較，將與其比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的信號(hào)作為所述電流檢測信號(hào)來輸出。
9.如權(quán)利要求1所述的整流裝置，其特征在于， 所述電流檢測電路中， 所述固定電位為接地電位。
10.如權(quán)利要求1所述的整流裝置，其特征在于， 所述整流裝置將包含基于所述負(fù)載電流的信息的信號(hào)，從所述受電線圈向送電裝置的送電線圈發(fā)送， 所述送電裝置從由所述送電線圈接收到的信號(hào)，通過包絡(luò)線檢波，取得基于所述負(fù)載電流的信息。
11.一種整流裝置，對(duì)由第一受電端子以及第二受電端子得到的電流進(jìn)行整流后輸出，其特征在于，具備: 第一 PMOS晶體管，源極與輸出端子連接，漏極與所述第一受電端子連接； 第二 pMOS晶體管，源極與所述輸出端子連接，漏極與所述第二受電端子連接； 第一 nMOS晶體管，漏極與所述第一受電端子連接，源極與固定電位連接； 第二 nMOS晶體管，漏極與所述第二受電端子連接，源極與所述固定電位連接； 電流檢測電路，檢測在連接有負(fù)載的負(fù)載端子與所述輸出端子之間流動(dòng)的負(fù)載電流，輸出與將所述負(fù)載電流與所設(shè)定的閾值比較而得的結(jié)果對(duì)應(yīng)的電流檢測信號(hào)； 第一電壓檢測電路，檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間、或者所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓； 第二電壓檢測電路，在所述第一電壓檢測電路檢測所述第一受電端子與所述固定電位之間的電壓的情況下，檢測所述第二受電端子與所述固定電位之間的電壓，或者，在所述第一電壓檢測電路檢測所述輸出端子與所述第一受電端子之間的電壓的情況下，檢測所述輸出端子與所述第二受電端子之間的電壓； 第一控制電路，基于所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 PMOS晶體管；第二控制電路，基于所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二 PMOS晶體管；第三控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一 nMOS晶體管；以及 第四控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二 nMOS晶體管。
12.如權(quán)利要求11所述的整流裝置，其特征在于， 在所述第一電壓檢測電路檢測到所述第一受電端子的電壓低于所述固定電位電壓的情況下， 所述第二控制電路使所述第二 PMOS晶體管導(dǎo)通，而且，所述第三控制電路使所述第一nMOS晶體管導(dǎo)通， 另一方面，在所述第一電壓檢測電路檢測到所述第一受電端子的電壓為所述固定電位電壓以上的情況下， 所述第二控制電路使所述第二 PMOS晶體管截止，而且，所述第三控制電路使所述第一nMOS晶體管截止， 并且，在所述第二電壓檢測電路檢測到所述第二受電端子的電壓低于所述固定電位電壓的情況下， 所述第一控制電路使所述第一 PMOS晶體管導(dǎo)通，而且，所述第四控制電路使所述第二nMOS晶體管導(dǎo)通， 另一方面，在所述第二電壓檢測電路檢測到所述第二受電端子的電壓為所述固定電位電壓以上的情況下， 所述第一控制電路使所述第一 PMOS晶體管截止，而且，所述第四控制電路使所述第二nMOS晶體管截止。
13.如權(quán)利要求11所述的整流裝置，其特征在于， 在所述電流檢測信號(hào)表示所述負(fù)載電流低于所述閾值的情況下， 所述第三控制電路強(qiáng)制地使所述第一 nMOS晶體管截止，而且，所述第四控制電路強(qiáng)制地使所述第二 nMOS晶體管截止。
14.如權(quán)利要求11所述的整流裝置，其特征在于， 在所述第一電壓檢測電路檢測到所述第一受電端子的電壓低于所述固定電位電壓的情況下，所述第二控制電路使所述第二 PMOS晶體管導(dǎo)通，之后，所述第三控制電路使所述第一 nMOS晶體管導(dǎo)通， 另一方面，在所述第一電壓檢測電路檢測到所述第一受電端子的電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，所述第三控制電路使所述第一 nMOS晶體管截止，之后，所述第二控制電路使所述第二 PMOS晶體管截止， 并且，在所述第二電壓檢測電路檢測到所述第二受電端子的電壓低于所述固定電位電壓的情況下，所述第一控制電路使所述第一 PMOS晶體管導(dǎo)通，之后，所述第四控制電路使所述第二 nMOS晶體管導(dǎo)通， 另一方面，在所述第二電壓檢測電路檢測到所述第二受電端子的電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，所述第四控制電路使所述第二 nMOS晶體管截止，之后，所述第一控制電路使所述第一 PMOS晶體管截止。
15.如權(quán)利要求14所述的整流裝置，其特征在于， 還具備: 第一開關(guān)元件，連接在所述第一 nMOS晶體管的柵極與所述固定電位之間； 第五控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第一電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第一開關(guān)元件； 第二開關(guān)元件，連接在所述第二 nMOS晶體管的柵極與所述固定電位之間；以及第六控制電路，基于所述電流檢測信號(hào)以及所述第二電壓檢測電路的檢測結(jié)果，控制所述第二開關(guān)元件。
16.如權(quán)利要求11所述的整流裝置，其特征在于， 所述第一電壓檢測電路具有: 第一直流電源，負(fù)極與所述第一受電端子連接；以及 第一比較器，將所述第一直流電源的正極的第一電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第一電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第一電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 所述第二電壓檢測電路具有: 第二直流電源，負(fù)極與所述第二受電端子連接，輸出與所述第一直流電源相同大小的電壓；以及 第二比較器，將所述第二直流電源的正極的第二電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第二電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第二電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 所述第一控制電路具有: 第一逆變器，輸入與所述第二比較器的輸出連接，輸出與所述第一 PMOS晶體管的柵極連接； 所述第二控制電路具有: 第二逆變器，輸入與所述第一比較器的輸出連接，輸出與所述第二 PMOS晶體管的柵極連接； 所述第三控制電路具有: 第三逆變器，被輸入所述電流檢測信號(hào)； 第一 AND電路，輸入與所述第一比較器的輸出以及所述第三逆變器的輸出連接；以及第一驅(qū)動(dòng)器，輸入與所述第一 AND電路的輸出連接，輸出與所述第一 nMOS晶體管的柵極連接； 所述第四控制電路具有: 第四逆變器，被輸入所述電流檢測信號(hào)； 第二 AND電路，輸入與所述第二比較器的輸出以及所述第四逆變器的輸出連接；以及第二驅(qū)動(dòng)器，輸入與所述第二 AND電路的輸出連接，輸出與所述第二 nMOS晶體管的柵極連接。
17.如權(quán)利要求14所述的整流裝置，其特征在于， 所述第一電壓檢測電路具有: 第一直流電源，負(fù)極與所述第一受電端子連接； 第一比較器，將所述第一直流電源的正極的第一電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第一電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第一電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 第三直流電源，負(fù)極與所述第一受電端子連接，輸出比所述第一直流電源大的電壓；以及 第三比較器，將所述第三直流電源的正極的第三電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第三電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第三電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 所述第二電壓檢測電路具有: 第二直流電源，負(fù)極與所述第二受電端子連接，輸出與所述第一直流電源相同大小的電壓； 第二比較器，將所述第二直流電源的正極的第二電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第二電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第二電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 第四直流電源，負(fù)極與所述第二受電端子連接，輸出與所述第三直流電源相同大小的電壓；以及 第四比較器，將所述第四直流電源的正極的第四電壓與所述固定電位電壓比較，在所述第四電壓低于所述固定電位電壓的情況下，輸出高電平的信號(hào)，另一方面，在所述第四電壓為所述固定電位電壓以上的情況下，輸出低電平的信號(hào)； 所述第一控制電路具有: 第一逆變器，輸入與所述第四比較器的輸出連接，輸出與所述第一 PMOS晶體管的柵極連接； 所述第二控制電路具有: 第二逆變器，輸入與所述第三比較器的輸出連接，輸出與所述第二 PMOS晶體管的柵極連接； 所述第三控制電路具有: 第三逆變器，被輸入所述電流檢測信號(hào)； 第一 AND電路，輸入與所述第一比較器的輸出以及所述第三逆變器的輸出連接；以及第一驅(qū)動(dòng)器，輸入與所述第一 AND電路的輸出連接，輸出與所述第一 nMOS晶體管的柵極連接； 所述第四控制電路具有: 第四逆變器，被輸入所述電流檢測信號(hào)； 第二 AND電路，輸入與所述第二比較器的輸出以及所述第四逆變器的輸出連接；以及第二驅(qū)動(dòng)器，輸入與所述第二 AND電路的輸出連接，輸出與所述第二 nMOS晶體管的柵極連接。
18.如權(quán)利要求11所述的整流裝置，其特征在于， 所述電流檢測電路具有: 變換電路，輸出與所述負(fù)載電流對(duì)應(yīng)的變換電壓；以及 電流檢測用比較器，將所述變換電壓與所設(shè)定的基準(zhǔn)電壓比較，將與其比較結(jié)果對(duì)應(yīng)的信號(hào)作為所述電流檢測信號(hào)來輸出。
19.如權(quán)利要求11所述的整流裝置，其特征在于， 所述電流檢測電路中， 所述固定電位為接地電位。
20.如權(quán)利要求11所述的整流裝置，其特征在于， 所述整流裝置將包含基于所述負(fù)載電流的信息的信號(hào)，從所述受電線圈向送電裝置的送電線圈發(fā)送， 所述送電裝置從由所述送電線圈接收到的信號(hào)，通過包絡(luò)線檢波，取得基于所述負(fù)載電流的信息。
【文檔編號(hào)】H02M7/217GK104253545SQ201410069108
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月26日
【發(fā)明者】大塚正臣, 相澤裕俊, 高山徹 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝