一種透明顯示面板及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種透明顯示面板及其制備方法。所述透明顯示面板包括基板和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)由透光材料制成，且所述非顯示區(qū)的透光率為50?80％；所述顯示區(qū)設置有發(fā)光元器件，所述發(fā)光元器件包括依次設置的半透明半反射電極、發(fā)光層、透明電極和光取出層，且所述顯示區(qū)的透光率為20?50％。
【專利說明】
一種透明顯示面板及其制備方法
技術領域
[0001]本發(fā)明屬于平板顯示技術領域，尤其涉及一種透明顯示面板及其制備方法。
【背景技術】
[0002]在信息社會的當代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進一步加強，為了在未來占據(jù)主導地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質量的趨勢發(fā)展。有機電致發(fā)光二極管(OLED)由于其具有自發(fā)光、反應快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點，其潛在的市場前景被業(yè)界看好。量子點發(fā)光二極管(QLED)由于其光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調等優(yōu)點，近年來成了OLED的有力競爭者。因此，這兩種顯示技術是目前顯示領域發(fā)展的兩個主要方向。
[0003]由于0LED、QLED具有自主發(fā)光特性，其不需要背光源，因此可以實現(xiàn)透明顯示。透明OLED或QLED顯示器，具有可自發(fā)光同時光線可穿透的優(yōu)點，有望成為未來新型顯示技術的主流?，F(xiàn)有的透明顯示裝置主要通過在非發(fā)光像素區(qū)域采用透光材料實現(xiàn)透明顯示，而發(fā)光像素單元本身由于采用了反射電極，反射電極的非透光性導致整個透明顯示面板的透光性較弱，其結構如圖la、圖1b所示，其中，圖1a為頂發(fā)射型顯示器件，圖1b為底發(fā)射型顯示器件(圖la、圖1b中，標號1’-4’依次表示基板、反射電極、發(fā)光層和透明電極)。此外，也有發(fā)光像素單元的陰、陽電極均采用透明材料制備，此時得到的顯示面板透光性較強，但同時也會造成顯示端的亮度大幅降低，從而導致透明顯示面板的對比度降低。因此，現(xiàn)有技術有待進一步改進和發(fā)展。
【發(fā)明內容】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種透明顯示面板，旨在解決現(xiàn)有技術提供的透明顯示面板的透光性和對比度不能兼顧的問題。
[0005]本發(fā)明的另一目的在于提供一種透明顯示面板的制備方法。
[0006]本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種透明顯示面板，包括基板和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)由透光材料制成，且所述非顯示區(qū)的透光率為50-80%;所述顯示區(qū)設置有發(fā)光元器件，所述發(fā)光元器件包括依次設置的半透明半反射電極、發(fā)光層、透明電極和光取出層，且所述顯示區(qū)的透光率為20-50%。
[0007]以及，一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0008]提供一具有TFT陣列的TFT基板，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔；
[0009]在所述基板上制作半透明半反射電極，且所述半透明半反射電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連；
[0010]在所述半透明半反射電極上依次沉積發(fā)光層和透明電極；
[0011]在所述透明電極上制作光取出層。
[0012]或，一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0013]提供一具有TFT陣列的TFT基板；
[0014]在所述基板上制作光取出層，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔；
[0015]在所述光取出層上沉積透明電極，且所述透明電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連；
[0016]在所述透明電極上依次沉積發(fā)光層和半透明半反射電極。
[0017]本發(fā)明提供的透明顯示面板，在所述發(fā)光元器件(發(fā)光像素單元)的出光側設置透明電極結合光取出層的結構來提高出光效率，同時在非出光側采用半反射半透明電極實現(xiàn)發(fā)光像素單元的半透光性，進而增強整個透明顯示面板的透光性。本發(fā)明提供的透明顯示面板，所述透明電極疊加光取出層、以及所述半反射半透明電極的同時設置，可以在增強透明顯示面板透光性的同時，不降低顯示端的亮度以及對比度，使得所述透明顯示面板兼具較好的透光性和對比度。本發(fā)明提供的透明顯示面板的制備方法，簡單易控，易于實現(xiàn)產業(yè)化。
【附圖說明】
[0018]圖1a是現(xiàn)有技術提供的頂發(fā)射型顯示器件的結構示意圖；
[0019]圖1b是現(xiàn)有技術提供的底發(fā)射型顯示器件的結構示意圖；
[0020]圖2a是本發(fā)明實施例提供的頂發(fā)射型透明顯示面板的結構示意圖；
[0021]圖2b是本發(fā)明實施例提供的底發(fā)射型透明顯示面板的結構示意圖；
[0022]圖3是本發(fā)明實施例提供的頂發(fā)射型透明顯示面板的制備工藝流程圖；
[0023]圖4是本發(fā)明實施例提供的底發(fā)射型透明顯示面板的制備工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0024]為了使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0025]結合圖2a、圖2b，本發(fā)明實施例提供了一種透明顯示面板，包括基板I和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區(qū)a和非顯示區(qū)b，所述非顯示區(qū)b由透光材料制成，且所述非顯示區(qū)b的透光率為50-80 % ；所述顯示區(qū)a設置有發(fā)光元器件，所述發(fā)光元器件包括依次設置的半透明半反射電極2、發(fā)光層3、透明電極4和光取出層5，且所述顯示區(qū)a的透光率為20-50 %。
[0026]本發(fā)明實施例所述透明顯示面板可以設置成頂發(fā)射型透明顯示基板或底發(fā)射型顯示面板。
[0027]作為一個優(yōu)選實施例，所述透明顯示面板為頂發(fā)射型透明顯示基板，所述半透明半反射電極2設置在所述基板I上，所述半透明半反射電極2、發(fā)光層3、透明電極4和光取出層5從下往上依次設置。作為具體優(yōu)選實施例，如圖2a所示，所述透明顯示面板包括基板I和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區(qū)a和非顯示區(qū)b，所述非顯示區(qū)b由透光材料制成，且所述非顯示區(qū)b的透光率為50-80%;所述顯示區(qū)a設置有發(fā)光元器件，所述發(fā)光元器件包括從下往上依次設置的半透明半反射電極2、發(fā)光層3、透明電極4和光取出層5，且所述顯示區(qū)a的透光率為20-50%。
[0028]作為另一個優(yōu)選實施例，所述透明顯示面板為底發(fā)射型顯示面板，所述光取出層5設置在所述基板I上，所述光取出層5、透明電極4、發(fā)光層3和半透明半反射電極2從下往上依次設置。作為具體優(yōu)選實施例，如圖2b所示，所述透明顯示面板包括基板I和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區(qū)a和非顯示區(qū)b，所述非顯示區(qū)b由透光材料制成，且所述非顯示區(qū)b的透光率為50-80%;所述顯示區(qū)a設置有發(fā)光元器件，所述發(fā)光元器件包括從下往上依次設置的光取出層5、透明電極4、發(fā)光層3和半透明半反射電極2，且所述顯示區(qū)a的透光率為20-50 %。
[0029]具體的，本發(fā)明實施例中，所述TFT基板I上具有用于驅動所述發(fā)光元器件的TFT陣列，且所述TFT陣列為本領域常規(guī)結構的TFT陣列。
[0030]所述發(fā)光元器件為OLED器件或QLED器件，包括依次設置的半透明半反射電極2、發(fā)光層3、透明電極4和光取出層5。
[0031]其中，所述半透明半反射電極2優(yōu)選為導電金屬薄膜，進一步的，所述半透明半反射電極2的厚度優(yōu)選為10-25nm。該優(yōu)選厚度的所述半透明半反射電極2，既能透過部分外部自然光，又能反射部分內部發(fā)射的光，從而增強整個透明顯示面板的透光性。
[0032]所述發(fā)光層3至少包括光發(fā)射層，所述發(fā)光層3可以根據(jù)發(fā)光器件類型的不同，選擇有機發(fā)光材料或量子點發(fā)光材料，即所述發(fā)光層3為有機發(fā)光層或量子點發(fā)光層。優(yōu)選的，為了提高所述發(fā)光器件的發(fā)光效率，所述發(fā)光層3還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層中的至少一層。作為較佳實施例，所述發(fā)光層3為包括空穴注入層、空穴傳輸層、光發(fā)射層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層的多層層疊結構。
[0033]所述透明電極4優(yōu)選為導電金屬氧化物或金屬薄膜。作為具體優(yōu)選實施例，所述透明電極4由導電金屬氧化物、金屬和導電金屬氧化物疊層形成，該優(yōu)選的所述透明電極4，即保證了透光性，又具有良好的導電性。
[0034]所述光取出層5的設置，能夠增強出光側的出光量，減小所述半透明半反射電極2帶來的出光側出光量降低的影響，從而實現(xiàn)增強顯示面板透光性的同時、減緩或者避免出光側出光量降低導致的顯示面板對比度下降。
[0035]進一步的，作為一個優(yōu)選實施例，所述光取出層5在出光側面疊加微納結構，從而減小全反射，提高出光效率;作為另一個優(yōu)選實施例，所述光取出層5在出光側面疊層設置折射率遞變層，從而減小全反射，提高出光效率;作為又一個優(yōu)選實施例，所述光取出層5在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜，從而減小全反射，提高出光效率。
[0036]本發(fā)明實施例，所述光取出層5的材料根據(jù)具體結構的不同，可采用本領域常規(guī)的用于形成光取出層的材料，如當所述光取出層5在出光側面疊加微納結構時，所述光取出層5可采用有機或無機材料制備形成；當所述光取出層5在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜時，所述光取出層5可采用有機材料摻雜無機散射顆粒形成。
[0037]本發(fā)明實施例中，所述非顯示區(qū)b為透明區(qū)，可透過自然光，且透光率為50-80%，可以有效保證所述非顯示區(qū)b的透光性;所述顯示區(qū)a為半透明區(qū)，可透光部分自然光，透光率為20%-50%，既能具備一定的透光性，同時，可以有效避免顯示端亮度的大幅降低。
[0038]本發(fā)明實施例提供的透明顯示面板，在發(fā)光像素單元的出光側設置透明電極結合光取出層的結構來提高出光效率，同時在非出光側采用半反射半透明電極實現(xiàn)發(fā)光像素單元的半透光性，進而增強整個透明顯示面板的透光性。本發(fā)明實施例提供的透明顯示面板，所述透明電極疊加光取出層、以及所述半反射半透明電極的同時設置，可以在增強透明顯示面板透光性的同時，不降低顯示端的亮度以及對比度，使得所述透明顯示面板兼具較好的透光性和對比度。
[0039]本發(fā)明實施例提供的透明顯示面板，可以通過下述方法制備獲得。
[0040]相應地，結合圖3，本發(fā)明實施例提供了一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0041 ] S01.提供一具有TFT陣列的TFT基板，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔；
[0042]S02.在所述基板上制作半透明半反射電極，且所述半透明半反射電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連；
[0043]S03.在所述半透明半反射電極上依次沉積發(fā)光層和透明電極；
[0044]S04.在所述透明電極上制作光取出層。
[0045]具體的，上述步驟SOl中，所述TFT基板上具有用于驅動所述發(fā)光元器件的TFT陣列，且所述TFT陣列為本領域常規(guī)結構的TFT陣列。優(yōu)選的，所述TFT陣列表面可以覆蓋有保護層，所述保護層為鈍化層。進一步的，所述保護層上可設置平坦層。應當理解，上述步驟SOl還包括在所述TFT陣列上方挖孔、制作用于實現(xiàn)所述TFT陣列的S/D電極和所述半透明半反射電極之間電連接的連接孔。所述連接孔的設置位置和實現(xiàn)方式，均可采用本領域常規(guī)方式。
[0046]上述步驟S02中，在所述基板上制作半透明半反射電極的方法沒有嚴格限制，可通過常規(guī)制備電極的方法實現(xiàn)。本發(fā)明實施例中，為了實現(xiàn)有效的電連接，所述半透明半反射電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連。
[0047]上述步驟S03中，在所述半透明半反射電極上依次沉積發(fā)光層和透明電極的方法不受限制，可采用本領域常規(guī)方法實現(xiàn)。
[0048]上述步驟S04中，在所述透明電極上沉積光取出層，所述光取出層可以進一步進行結構改進，以減小全反射，提高出光效率。作為一個優(yōu)選實施例，所述光取出層在出光側面疊加微納結構;作為另一個優(yōu)選實施例，所述光取出層在出光側面疊層設置折射率遞變層；作為又一個優(yōu)選實施例，所述光取出層在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜。
[0049]進一步的，還包括對透明顯示面板進行封裝處理。
[0050]結合圖4，本發(fā)明實施例還提供了一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟:[0051 ] DOl.提供一具有TFT陣列的TFT基板；
[0052]D02.在所述基板上制作光取出層，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔；
[0053]D03.在所述光取出層上沉積透明電極，且所述透明電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連；
[0054]D04.在所述透明電極上依次沉積發(fā)光層和半透明半反射電極。
[0055]具體的，上述步驟DOl中，所述TFT基板上具有用于驅動所述發(fā)光元器件的TFT陣列，且所述TFT陣列為本領域常規(guī)結構的TFT陣列。優(yōu)選的，所述TFT陣列表面可以覆蓋有保護層，所述保護層為鈍化層。進一步的，所述保護層上可設置平坦層。
[0056]上述步驟D02中，在所述基板上沉積光取出層，所述光取出層可以進一步進行結構改進，以減小全反射，提高出光效率。作為一個優(yōu)選實施例，所述光取出層在出光側面疊加微納結構;作為另一個優(yōu)選實施例，所述光取出層在出光側面疊層設置折射率遞變層;作為又一個優(yōu)選實施例，所述光取出層在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜。
[0057]進一步的，上述步驟D02還包括在所述TFT陣列上方挖孔、制作用于實現(xiàn)所述TFT陣列的S/D電極和所述透明電極之間電連接的連接孔。所述連接孔的設置位置和實現(xiàn)方式，均可采用本領域常規(guī)方式。
[0058]上述步驟D03中，在所述光取出層上沉積透明電極的方式不受限制，可采用本領域常規(guī)方法實現(xiàn)。本發(fā)明實施例中，為了實現(xiàn)有效的電連接，所述透明電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連。
[0059]上述步驟D04中，在所述透明電極上依次沉積發(fā)光層和半透明半反射電極的方式不受限制，可采用本領域常規(guī)方法實現(xiàn)。
[0060]進一步的，還包括對透明顯示面板進行封裝處理。
[0061]本發(fā)明實施例提供的透明顯示面板的制備方法，簡單易控，易于實現(xiàn)產業(yè)化。
[0062]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種透明顯示面板，包括基板和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區(qū)和非顯示區(qū)，其特征在于，所述非顯示區(qū)由透光材料制成，且所述非顯示區(qū)的透光率為50-80%;所述顯示區(qū)設置有發(fā)光元器件，所述發(fā)光元器件包括依次設置的半透明半反射電極、發(fā)光層、透明電極和光取出層，且所述顯示區(qū)的透光率為20-50%。2.如權利要求1所述的透明顯示面板，其特征在于，所述透明顯示面板為頂發(fā)射型透明顯示基板，所述半透明半反射電極設置在所述基板上，所述半透明半反射電極、發(fā)光層、透明電極和光取出層從下往上依次層疊設置。3.如權利要求1所述的透明顯示面板，其特征在于，所述透明顯示面板為底發(fā)射型顯示面板，所述光取出層設置在所述基板上，所述光取出層、透明電極、發(fā)光層和半透明半反射電極從下往上依次層疊設置。4.如權利要求1-3任一所述的透明顯示面板，其特征在于，所述光取出層在出光側面設置微納結構;或 所述光取出層在出光側面疊層設置折射率遞變層;或 所述光取出層在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜。5.如權利要求1-3任一所述的透明顯示面板，其特征在于，所述半透明半反射電極為導電金屬薄膜，且所述導電金屬薄膜的厚度為10_25nm。6.如權利要求1-3任一所述的透明顯示面板，其特征在于，所述透明電極為導電金屬氧化物或導電金屬薄膜。7.如權利要求1所述的透明顯示面板，其特征在于，所述透明電極由導電金屬氧化物、金屬和導電金屬氧化物疊層形成。8.如權利要求1-3任一所述的透明顯示面板，其特征在于，所述發(fā)光層為有機發(fā)光層或量子點發(fā)光層。9.一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟: 提供一具有TFT陣列的TFT基板，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔； 在所述基板上制作半透明半反射電極，且所述半透明半反射電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連； 在所述半透明半反射電極上依次沉積發(fā)光層和透明電極； 在所述透明電極上制作光取出層。10.—種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟: 提供一具有TFT陣列的TFT基板； 在所述基板上制作光取出層，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔； 在所述光取出層上沉積透明電極，且所述透明電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連； 在所述透明電極上依次沉積發(fā)光層和半透明半反射電極。
【文檔編號】H01L21/77GK106024835SQ201610390763
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月2日
【發(fā)明人】陳亞文
【申請人】Tcl集團股份有限公司