技術(shù)特征：
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種高速VCSEL激光器外延結(jié)構(gòu)，包括GaAs襯底，在GaAs襯底上依次采用MOCVD沉積GaAs緩沖層、N型摻雜的DBR、有源層、氧化限制層、P型摻雜的DBR和歐姆接觸層，所述氧化限制層由多個(gè)Ga組分可自由調(diào)節(jié)的Al1?xGaxAs外延層組成，其中X為Ga元素的組分。該激光器外延結(jié)構(gòu)采用一定厚度的組分跳變的多層Al1?xGaxAs形成氧化限制層，氧化限制層前端的形狀可通過調(diào)節(jié)各層Al1?xGaxAs的組分改變，可在氧化限制層前端形成lens結(jié)構(gòu)，減小光子的散射損失，從而提高VCSEL的調(diào)制帶寬。本發(fā)明還具有以下優(yōu)點(diǎn)：1）通過調(diào)節(jié)氧化限制層中Ga的比例，減小氧化限制層的氧化速率，使氧化易于控制，提高VCSEL芯片產(chǎn)品良率；2）本發(fā)明氧化限制層厚度大，本征寄生電容小。
技術(shù)研發(fā)人員：單智發(fā)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州全磊光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.09.15