基板處理裝置、基板處理方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)與流程

本發(fā)明涉及一種使用干燥液來使利用處理液進(jìn)行處理后的基板干燥的技術(shù)。

背景技術(shù)：

已知如下一種技術(shù)：將藥液、漂洗液等處理液依次切換地供給到旋轉(zhuǎn)的基板(例如半導(dǎo)體晶圓(以下稱為晶圓))的表面，來進(jìn)行基板的處理。當(dāng)使用各種處理液進(jìn)行的處理完成時(shí)，對(duì)旋轉(zhuǎn)的基板供給ipa(isopropylalcohol：高純度異丙醇)等揮發(fā)性高的干燥液，在將殘留于基板表面的處理液置換為干燥液之后，將干燥液排出到基板外，由此進(jìn)行基板的干燥。

例如，專利文獻(xiàn)1中記載了如下技術(shù)：通過使向旋轉(zhuǎn)的基板供給的第二流體(相當(dāng)于上述的干燥液)的供給位置從基板的中心側(cè)向周緣部側(cè)移動(dòng)，來沖走基板的上表面的液膜以使基板干燥。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-36180號(hào)公報(bào)：權(quán)利要求1、段落0048

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

可是，隨著半導(dǎo)體裝置的高集成化、高縱橫比化而產(chǎn)生干燥時(shí)的圖案損壞等缺陷。即使是專利文獻(xiàn)1所記載的方法，也有時(shí)也會(huì)產(chǎn)生缺陷。

本發(fā)明是在這樣的情形之下完成的，其目的在于提供一種能夠抑制缺陷的產(chǎn)生并且能夠使用干燥液來使基板表面干燥的基板處理裝置、基板處理方法以及用于存儲(chǔ)該方法的存儲(chǔ)介質(zhì)。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的基板處理裝置進(jìn)行對(duì)基板的表面供給處理液之后供給干燥液的處理，該基板處理裝置的特征在于，具備：基板保持部，其用于保持基板；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其使由所述基板保持部保持著的基板旋轉(zhuǎn)；干燥液供給噴嘴，其對(duì)利用所述處理液進(jìn)行處理后的旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給用于使基板干燥的干燥液；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使由所述基板保持部保持著的基板與干燥液供給噴嘴相對(duì)地移動(dòng)；流量控制機(jī)構(gòu)，其對(duì)從所述干燥液供給噴嘴供給的干燥液的供給流量進(jìn)行控制；以及控制部，在使著液點(diǎn)以從基板的中心部朝向周緣部的朝向移動(dòng)時(shí)，所述控制部進(jìn)行控制，以使得以所述著液點(diǎn)為基點(diǎn)形成的干燥液的流線中的距離l為預(yù)先設(shè)定的上限距離m以下，其中，該著液點(diǎn)是從所述干燥液供給噴嘴供給的干燥液到達(dá)基板上的位置，該距離l是從所述著液點(diǎn)的中心至該干燥液的流線的靠基板的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的端部的距離。

所述基板處理裝置也可以具備以下結(jié)構(gòu)。

(a)所述上限距離m是以下值：在以形成該上限距離以下的流線的方式進(jìn)行干燥液的供給時(shí)，使在形成于基板的表面的圖案中形成的缺陷的相對(duì)于基準(zhǔn)值的增加個(gè)數(shù)在每1cm²中為5個(gè)以下。所述控制部通過使所述干燥液的供給流量變化或者使所述干燥液供給噴嘴的移動(dòng)速度變化，來將所述距離l控制為上限距離m以下。

(b)所述控制部基于干燥液從所述著液點(diǎn)所描繪的軌道圓的單位區(qū)間向基板的中心部側(cè)的流入量來控制所述距離l。此時(shí)，基于下述數(shù)式來確定干燥液向基板的中心部側(cè)的流入量。

干燥液的流入量＝{(q/2)×t}/c(其中，t＝d/v)，

在此，d為干燥液供給噴嘴的開口直徑[mm]，q為干燥液的供給流量[ml/s]，v為著液點(diǎn)的移動(dòng)速度[mm/s]，c為著液點(diǎn)所描繪的軌道圓的周長[mm]。

(c)所述控制部進(jìn)行以下控制：改變所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使基板旋轉(zhuǎn)的單位時(shí)間的轉(zhuǎn)速，以使得作用于所述著液點(diǎn)的干燥液的離心加速度沿該著液點(diǎn)的移動(dòng)方向固定。

(d)所述干燥液供給噴嘴被以使干燥液的噴出方向傾斜的狀態(tài)配置，以使得所述著液點(diǎn)位于從基板的旋轉(zhuǎn)中心來看比干燥液的噴出位置更靠周緣部側(cè)的位置。另外，所述干燥液供給噴嘴被配置為，在俯視基板時(shí)，與所述著液點(diǎn)所描繪的軌道圓相切且沿著基板旋轉(zhuǎn)的朝向延伸的切線方向同干燥液的噴出方向之間所成的角度θ為0°<θ<90°的范圍內(nèi)的角度。

另外，其它發(fā)明所涉及的基板處理裝置進(jìn)行對(duì)基板的表面供給處理液之后供給干燥液的處理，該基板處理裝置的特征在于，具備：基板保持部，其用于保持基板；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其使由所述基板保持部保持著的基板旋轉(zhuǎn)；干燥液供給噴嘴，其對(duì)利用所述處理液進(jìn)行處理后的旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給用于使基板干燥的干燥液；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使由所述基板保持部保持著的基板與干燥液供給噴嘴相對(duì)地移動(dòng)；以及控制部，在使著液點(diǎn)以從基板的中心部朝向周緣部的朝向移動(dòng)時(shí)，該控制部進(jìn)行以下控制：改變所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使基板旋轉(zhuǎn)的單位時(shí)間的轉(zhuǎn)速，以使得作用于所述著液點(diǎn)的干燥液的離心加速度沿該著液點(diǎn)的移動(dòng)方向固定，其中，該著液點(diǎn)是從所述干燥液供給噴嘴供給的干燥液到達(dá)基板上的位置。

發(fā)明的效果

本發(fā)明能夠在抑制缺陷的產(chǎn)生的同時(shí)使用干燥液來使基板表面干燥。

附圖說明

圖1是表示具備本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的處理單元的基板處理系統(tǒng)的概要的俯視圖。

圖2是表示上述處理單元的概要的縱切側(cè)視圖。

圖3是上述處理單元的俯視圖。

圖4是表示利用設(shè)置于上述處理單元的ipa噴嘴和n2噴嘴進(jìn)行的晶圓處理的情形的立體圖。

圖5是從側(cè)面觀察從上述ipa噴嘴噴出的ipa的著液點(diǎn)附近的示意圖。

圖6是從上面觀察上述ipa的著液點(diǎn)附近的示意圖。

圖7是利用實(shí)施方式所涉及的處理單元進(jìn)行的ipa供給的作用說明圖。

圖8是利用比較方式所涉及的處理單元進(jìn)行的ipa供給的作用說明圖。

圖9是利用第二實(shí)施方式所涉及的處理單元進(jìn)行的ipa供給的作用說明圖。

圖10是利用第二比較方式所涉及的處理單元進(jìn)行的ipa供給的作用說明圖。

圖11是從側(cè)面觀察第三實(shí)施方式所涉及的從ipa噴嘴噴出的ipa的著液點(diǎn)附近的示意圖。

圖12是從上面觀察第三實(shí)施方式所涉及的ipa的著液點(diǎn)附近的示意圖。

附圖標(biāo)記說明

w：晶圓；16：處理單元；31：保持部；33：驅(qū)動(dòng)部；41：第一噴嘴臂；411、411a：ipa噴嘴；42：導(dǎo)軌；421：驅(qū)動(dòng)部；71：ipa供給源。

具體實(shí)施方式

圖1是表示本實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。以下，為了使位置關(guān)系清楚，對(duì)互相正交的x軸、y軸及z軸進(jìn)行規(guī)定，將z軸正方向設(shè)為鉛垂朝上方向。

如圖1所示，基板處理系統(tǒng)1包括輸入輸出站2和處理站3。輸入輸出站2和處理站3相鄰地設(shè)置。

輸入輸出站2包括承載件載置部11和輸送部12。在承載件載置部11上載置有多個(gè)承載件c，該多個(gè)承載件c用于將多張基板、在本實(shí)施方式中為半導(dǎo)體晶圓(以下稱作晶圓w)以水平狀態(tài)收納。

輸送部12與承載件載置部11相鄰地設(shè)置，在輸送部12的內(nèi)部具有基板輸送裝置13和交接部14?；遢斔脱b置13具有用于保持晶圓w的晶圓保持機(jī)構(gòu)。另外，基板輸送裝置13能夠在水平方向和鉛垂方向上移動(dòng)并以鉛垂軸線為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其使用晶圓保持機(jī)構(gòu)在承載件c與交接部14之間輸送晶圓w。

處理站3與輸送部12相鄰地設(shè)置。處理站3包括輸送部15和多個(gè)處理單元16。多個(gè)處理單元16以排列在輸送部15的兩側(cè)的方式設(shè)置。

輸送部15在內(nèi)部具有基板輸送裝置17?；遢斔脱b置17具有用于保持晶圓w的晶圓保持機(jī)構(gòu)。另外，基板輸送裝置17能夠在水平方向和鉛垂方向上移動(dòng)并以鉛垂軸線為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其使用晶圓保持機(jī)構(gòu)在交接部14與處理單元16之間輸送晶圓w。

處理單元16用于對(duì)由基板輸送裝置17輸送過來的晶圓w進(jìn)行預(yù)先設(shè)定的基板處理。

另外，基板處理系統(tǒng)1包括控制裝置4?？刂蒲b置4例如是計(jì)算機(jī)，其包括控制部18和存儲(chǔ)部19。在存儲(chǔ)部19中存儲(chǔ)有用于對(duì)在基板處理系統(tǒng)1中執(zhí)行的各種處理進(jìn)行控制的程序?？刂撇?8通過讀取并執(zhí)行被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部19中的程序來控制基板處理系統(tǒng)1的動(dòng)作。

此外，該程序既可以是存儲(chǔ)在可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中的程序，也可以是從該存儲(chǔ)介質(zhì)安裝到控制裝置4的存儲(chǔ)部19中的程序。作為可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存在例如硬盤(hd)、軟盤(fd)、光盤(cd)、光磁盤(mo)以及存儲(chǔ)卡等。

在如上述那樣構(gòu)成的基板處理系統(tǒng)1中，首先，輸入輸出站2的基板輸送裝置13將晶圓w自載置于承載件載置部11的承載件c取出，并將取出后的晶圓w載置于交接部14。利用處理站3的基板輸送裝置17將被載置于交接部14的晶圓w自交接部14取出并將其輸入到處理。

在利用處理單元16對(duì)被輸入到處理單元16中的晶圓w進(jìn)行處理之后，利用基板輸送裝置17將該晶圓w自處理單元16輸出并將其載置于交接部14。然后，利用基板輸送裝置13將載置于交接部14的處理完成后的晶圓w返回到承載件載置部11的承載件c。

如圖2所示，處理單元16具備腔室20、基板保持機(jī)構(gòu)30、處理流體供給部40以及回收杯50。

腔室20用于收納基板保持機(jī)構(gòu)30、處理流體供給部40以及回收杯50。在腔室20的頂部設(shè)有ffu(fanfilterunit：風(fēng)機(jī)過濾單元)21。ffu21用于在腔室20內(nèi)形成下降流。

基板保持機(jī)構(gòu)30具備保持部31、支柱部32以及驅(qū)動(dòng)部33。保持部31水平保持晶圓w。支柱部32是沿鉛垂方向延伸的構(gòu)件，其基端部被驅(qū)動(dòng)部33以該支柱部32能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承，支柱部32在頂端部水平支承保持部31。驅(qū)動(dòng)部33用于使支柱部32繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)。該基板保持機(jī)構(gòu)30通過使用驅(qū)動(dòng)部33使支柱部32旋轉(zhuǎn)而使被支柱部32支承著的保持部31旋轉(zhuǎn)，由此，使由保持部31保持著的晶圓w旋轉(zhuǎn)。

處理流體供給部40用于對(duì)晶圓w供給處理流體。處理流體供給部40與處理流體供給源70相連接。

回收杯50以包圍保持部31的方式配置，用于收集由于保持部31的旋轉(zhuǎn)而從晶圓w飛散的處理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，自該排液口51將由回收杯50收集到的處理液排出到處理單元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排氣口52，該排氣口52用于將從ffu21供給的氣體排出到處理單元16的外部。

設(shè)置于上述的基板處理系統(tǒng)1的處理單元16相當(dāng)于本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置。處理單元16具備用于進(jìn)行如下處理的結(jié)構(gòu)：對(duì)利用作為處理流體(處理液)的藥液、漂洗液進(jìn)行處理之后的旋轉(zhuǎn)的晶圓w供給干燥液，并且使該干燥液的著液點(diǎn)以從晶圓w的中心部朝向周緣部的朝向移動(dòng)來使晶圓w干燥。干燥液是指揮發(fā)性比漂洗液的揮發(fā)性高且能夠與漂洗液混合的液體，在本實(shí)施方式中，漂洗液使用diw(deionizedwater：去離子水)，將ipa用作干燥液。

以下，參照?qǐng)D3來說明該結(jié)構(gòu)。

在本例的處理單元16中，上述的處理流體供給部40具備藥液噴嘴413、diw噴嘴412以及ipa噴嘴411，該藥液噴嘴413對(duì)由基板保持機(jī)構(gòu)30保持著的晶圓w供給藥液，該diw噴嘴412對(duì)由基板保持機(jī)構(gòu)30保持著的晶圓w供給作為漂洗液的diw，該ipa噴嘴411對(duì)由基板保持機(jī)構(gòu)30保持著的晶圓w供給ipa。

在本例中，上述的各噴嘴411～413設(shè)置于共用的第一噴嘴臂41的前端部。第一噴嘴臂41的基端部側(cè)與導(dǎo)軌42相連接，該導(dǎo)軌42用于使這些噴嘴411～413在由保持部(基板保持部)31保持著的晶圓w的中央部的上方側(cè)的位置與從該晶圓w的上方位置退避至側(cè)方后的位置之間移動(dòng)。在導(dǎo)軌42中設(shè)置有用于使第一噴嘴臂41移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)部421。第一噴嘴臂41、導(dǎo)軌42以及驅(qū)動(dòng)部421相當(dāng)于用于使ipa噴嘴411相對(duì)于由保持部31保持著的晶圓w相對(duì)地移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。另外，在圖3中，用實(shí)線表示已退避至側(cè)方的第一噴嘴臂41，用虛線表示進(jìn)入到晶圓w的中央部的上方側(cè)的第一噴嘴臂41。

藥液噴嘴413經(jīng)由開閉閥v3而與藥液供給源73相連接。從藥液供給源73供給根據(jù)晶圓w的處理的目的而供給的一種或多種藥液。在本實(shí)施方式中，記載為一種藥液。經(jīng)由開閉閥v3而從藥液噴嘴413供給藥液。

diw噴嘴412經(jīng)由開閉閥v2而與diw供給源72相連接。經(jīng)由開閉閥v2而從diw噴嘴412供給diw。上述的藥液、diw相當(dāng)于用于進(jìn)行晶圓w的處理的處理液。

ipa噴嘴411相當(dāng)于本例的干燥液供給噴嘴，經(jīng)由開閉閥v1而與ipa供給源71相連接。從ipa供給源71供給能夠與diw混合的作為干燥液的ipa。干燥液是指揮發(fā)性比diw的揮發(fā)性高且促進(jìn)晶圓w的干燥的液體。ipa供給源71具備用于儲(chǔ)存液體ipa的罐、用于從罐朝向ipa噴嘴411輸送ipa的泵等送液機(jī)構(gòu)、以及包含流量調(diào)節(jié)閥等來對(duì)向ipa噴嘴411供給的ipa的供給流量進(jìn)行控制的流量控制機(jī)構(gòu)(均未圖示)。

并且，如圖3所示，處理單元16還具備n2噴嘴431，該n2噴嘴431用于向被供給干燥液之后的晶圓w的表面供給作為非活性氣體的氮(n2)氣體來作為干燥用氣體。

本例的n2噴嘴431設(shè)置在第二噴嘴臂43的前端部，該第二噴嘴臂43是與設(shè)置有ipa噴嘴411等的上述的第一噴嘴臂41不同的噴嘴臂。第二噴嘴臂43的基端部側(cè)與導(dǎo)軌44相連接，該導(dǎo)軌44用于使n2噴嘴431在由保持部31保持著的晶圓w的中央部的上方側(cè)的位置與從該晶圓w的上方位置退避至側(cè)方后的位置之間移動(dòng)。在導(dǎo)軌44中設(shè)置有用于使第二噴嘴臂43移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)部441。在圖3中，用實(shí)線表示已退避至側(cè)方的第二噴嘴臂43，用虛線(與上述的第一噴嘴臂41共用的虛線)表示進(jìn)入到晶圓w的中央部的上方側(cè)的第二噴嘴臂43。

n2噴嘴431經(jīng)由開閉閥v4而與n2供給源74相連接。

使用圖3說明的各噴嘴411～413、431向晶圓w的上方側(cè)的位置或從該上方側(cè)的位置退避后的位置的移動(dòng)、流體從各供給源71～74的供給/供給停止或從各供給源71～74供給的流體流量的控制是由上述的控制部18執(zhí)行的。

參照?qǐng)D4～圖6來說明使用具備以上所說明的結(jié)構(gòu)的處理單元16實(shí)施的液體處理的內(nèi)容。

當(dāng)由基板輸送裝置17輸入到處理單元16內(nèi)的晶圓w被設(shè)置于保持部31的保持銷311保持時(shí)，使已退避至側(cè)方的第一噴嘴臂41進(jìn)入到晶圓w的上方側(cè)，來將藥液噴嘴413、diw噴嘴412配置在晶圓w的中心部po的上方位置。之后，經(jīng)由作為旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)部33、支柱部32使晶圓w以規(guī)定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)并從藥液噴嘴413向晶圓w供給藥液，來進(jìn)行藥液處理。

在結(jié)束利用規(guī)定藥液進(jìn)行的處理之后，在使晶圓w保持旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下停止從藥液噴嘴413供給藥液，并且從diw噴嘴412供給diw，來執(zhí)行沖洗處理。在執(zhí)行規(guī)定時(shí)間的沖洗處理之后，在使晶圓w保持旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下停止從diw噴嘴412供給diw，并且從ipa噴嘴411供給ipa來與diw之間進(jìn)行置換。

此時(shí)，將ipa噴嘴411配置在能夠向晶圓w的中心部po供給ipa的位置，并朝向上述中心部po供給ipa。所供給的ipa通過離心力的作用而在晶圓w的表面擴(kuò)散，從而在晶圓w的表面整體形成ipa的液膜。通過像這樣形成ipa的液膜，能夠?qū)⒃谶M(jìn)行沖洗處理時(shí)供給到晶圓w的表面的diw置換為ipa。

在晶圓w的表面形成ipa的液膜之后，使ipa噴嘴411移動(dòng)到比向中心部po供給ipa的位置更靠側(cè)方的位置(例如從晶圓w的中心部po沿半徑方向移動(dòng)40mm后的位置)。其結(jié)果，從ipa噴嘴411供給的ipa通過離心力的作用而從ipa所不到達(dá)的晶圓w的中心部po的周緣區(qū)域流出，從而形成不存在液膜的區(qū)域(以下也稱為“芯部”)。

使已退避至側(cè)方的第二噴嘴臂43與上述的ipa噴嘴411的移動(dòng)動(dòng)作一致地進(jìn)入到晶圓w的上方側(cè)，來將n2噴嘴431配置在晶圓w的中心部po的上方位置。然后，在形成上述的芯部之后，朝向該芯部供給n2氣體，來促進(jìn)晶圓w的表面的干燥。

此外，為了易于理解圖4的配置狀態(tài)下的從ipa噴嘴411噴出的ipa的噴出位置與從n2噴嘴431噴出的n2氣體的噴出位置之間的位置關(guān)系，在圖5中用虛線表示假定為使n2噴嘴431向與ipa噴嘴411的移動(dòng)方向相同的方向移動(dòng)了時(shí)的n2噴嘴431的配置位置及n2氣體的噴出位置。

而且，如圖4所示，一邊繼續(xù)進(jìn)行晶圓w的旋轉(zhuǎn)、ipa從ipa噴嘴411的供給、n2氣體從n2噴嘴431的供給，一邊使這些噴嘴411、431朝向晶圓w的周緣部移動(dòng)(在本例中，兩個(gè)噴嘴411、431向相反的方向移動(dòng))。其結(jié)果，ipa的供給位置(在圖4中用單點(diǎn)劃線表示)和n2氣體的供給位置(在該圖中用虛線表示)朝向晶圓w的周緣部側(cè)移動(dòng)，以對(duì)晶圓w的整個(gè)面進(jìn)行掃描。另外，如根據(jù)圖4中的單點(diǎn)劃線與虛線的位置關(guān)系可知的那樣，在上述的掃描動(dòng)作中，以使從n2噴嘴431供給的n2氣體的供給位置位于比從ipa噴嘴411供給的ipa的供給位置在晶圓w的直徑方向上更靠中央部側(cè)的位置的方式控制各噴嘴臂41、43的移動(dòng)動(dòng)作。

隨著ipa的供給位置的掃描動(dòng)作，ipa的液膜被沖向晶圓w的周緣部側(cè)，從而沒有形成液膜的區(qū)域擴(kuò)大。另外，隨著n2氣體的供給位置的掃描動(dòng)作，向ipa的液膜被沖走之后的晶圓w的表面吹送n2氣體，來完成該區(qū)域的干燥。

在ipa的供給位置到達(dá)晶圓w的周緣之后，停止從ipa噴嘴411供給ipa。接著，在n2氣體的供給位置到達(dá)晶圓w的周緣之后，停止從n2噴嘴431供給n2氣體。

通過上述的動(dòng)作，能夠用ipa置換diw來將diw從晶圓w的整個(gè)面去除，從而獲得干燥的晶圓w。

在晶圓w的干燥結(jié)束之后，使晶圓w的旋轉(zhuǎn)停止，使基板輸送裝置17進(jìn)入到處理單元16內(nèi)，來將晶圓w從保持部31交接至基板輸送裝置17，將處理完成后的晶圓w從處理單元16取出。這樣，處理單元16中的針對(duì)晶圓w的一系列的處理結(jié)束。

以上說明了通過對(duì)供給藥液、diw等處理液進(jìn)行處理后的晶圓w進(jìn)一步供給ipa(干燥液)來置換處理液、并使ipa的供給位置從晶圓w的中央部朝向周緣部移動(dòng)來使晶圓w干燥的方法。

在此，本申請(qǐng)的發(fā)明人確認(rèn)出，當(dāng)通過該方法進(jìn)行晶圓w的干燥時(shí)，有時(shí)在晶圓w的表面的一部分產(chǎn)生圓環(huán)狀的缺陷(圖案損壞、微粒附著、清洗殘?jiān)?。因此，在對(duì)發(fā)生這種現(xiàn)象的主要原因進(jìn)行研究時(shí)發(fā)現(xiàn)，從ipa噴嘴411供給的ipa到達(dá)晶圓w上的位置即著液點(diǎn)處的ipa的運(yùn)動(dòng)影響到缺陷的產(chǎn)生。

以下，參照?qǐng)D5～圖8，與以往的方法相比較地說明產(chǎn)生圖案損壞等缺陷的結(jié)構(gòu)以及作為防止缺陷產(chǎn)生的對(duì)策的實(shí)施方式所涉及的ipa的供給方法。

圖5是示意性地示出從側(cè)面?zhèn)葘?duì)從ipa噴嘴411噴出的ipa到達(dá)晶圓w上的位置即著液點(diǎn)pa的鄰近區(qū)域進(jìn)行觀察得到的結(jié)果的圖，圖6是從上面?zhèn)仁境鲈搮^(qū)域的示意圖。

根據(jù)上述區(qū)域的觀察結(jié)果，從ipa噴嘴411噴出并到達(dá)著液點(diǎn)pa的ipa在ipa液膜711的液膜內(nèi)均等地?cái)U(kuò)散。另一方面，來自旋轉(zhuǎn)的晶圓w的離心力作用于該ipa，因此ipa一邊形成圖6中所示的渦流狀的ipa流線710一邊逐漸被吸收至ipa液膜711。此時(shí)，供給到晶圓w上的ipa進(jìn)入到形成于晶圓w的表面的圖案700內(nèi)，并與diw進(jìn)行置換。此外，在圖5中示意性地示出了形成于著液點(diǎn)pa的鄰近區(qū)域的圖案700。

而且，當(dāng)執(zhí)行ipa噴嘴411的掃描動(dòng)作時(shí)，隨著ipa噴嘴411的移動(dòng)，著液點(diǎn)pa的位置和ipa流線710的形成區(qū)域也移動(dòng)。此時(shí)，觀察到如下現(xiàn)象：在ipa流線710的內(nèi)側(cè)區(qū)域，追隨不了ipa噴嘴411的移動(dòng)的ipa殘留而形成薄的液膜(以下稱為中心部側(cè)ipa液膜711a)(圖5、圖6)。

通過ipa的蒸發(fā)來從晶圓w的表面去除未能追隨ipa噴嘴411的移動(dòng)的中心部側(cè)ipa液膜711a。此時(shí)，如果在中心部側(cè)ipa液膜711a的面內(nèi)不能均勻地去除ipa，則ipa的表面張力不均勻地作用于圖案700，成為引起圖案損壞的主要原因。另外，還掌握了在不能均勻地去除ipa的區(qū)域也容易發(fā)生微粒附著、清洗殘?jiān)?/p>

并且，可知中心部側(cè)ipa液膜711a的寬度(中心部側(cè)ipa液膜711a的形成區(qū)域)越寬，則越容易產(chǎn)生以圖案損壞為首的上述的缺陷，另一方面，當(dāng)將中心部側(cè)ipa液膜711a的寬度限定在窄的范圍內(nèi)時(shí)，能夠抑制缺陷的產(chǎn)生。

發(fā)明人關(guān)于對(duì)中心部側(cè)ipa液膜711a的寬度產(chǎn)生影響的因素進(jìn)行研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，從向晶圓w供給ipa的著液點(diǎn)pa向晶圓w的中心部側(cè)流入的ipa量的影響大。而且，發(fā)現(xiàn)能夠根據(jù)著液點(diǎn)pa的中心與ipa流線710的靠晶圓w的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的端部713(ipa流線710-中心部側(cè)ipa液膜711a之間的邊界)之間的距離l來掌握向晶圓w的中心部側(cè)流入的ipa量。

即，如果距離l變長，則向晶圓w的中心側(cè)流入的ipa的量增多，追隨不了ipa噴嘴411的移動(dòng)的ipa增多，從而中心部側(cè)ipa液膜711a的寬度變寬。另一方面，如果使距離l縮短，則向晶圓w的中心側(cè)流入的ipa的量減少，從而能夠使中心部側(cè)ipa液膜711a的寬度變窄。

并且，在從能夠獲得缺陷的產(chǎn)生數(shù)非常少的干燥結(jié)果的距離l的狀態(tài)起以使距離l逐漸變長的方式改變條件來進(jìn)行晶圓w的干燥時(shí)，存在從生產(chǎn)效率等觀點(diǎn)出發(fā)不能忽略缺陷的產(chǎn)生數(shù)的臨界距離。因此，如果以比該臨界距離短的距離m為上限(以下稱為“上限距離m”)來控制晶圓w的表面上形成的ipa流線710中的上述距離l，則能夠?qū)⑷毕莸漠a(chǎn)生降低到規(guī)定數(shù)以下。

在此，在從ipa噴嘴411向晶圓w供給ipa時(shí)，清晰地形成ipa流線710，因此能夠明確地掌握距離l。另一方面，缺陷依賴于晶圓w的表面上形成的圖案700的構(gòu)造的方面也多，不能一概地確定為上限距離m。例如還存在如下情況：在生產(chǎn)某一代的半導(dǎo)體裝置時(shí)充分地抑制了缺陷的上限距離m包含距離l，該距離l是在與該某一代的半導(dǎo)體裝置相比生產(chǎn)圖案700的線寬更細(xì)的下一代的半導(dǎo)體裝置時(shí)引起許多缺陷的距離。

但是，能夠明確地掌握使ipa流線710中的上述距離l縮短的效果為缺陷數(shù)的減少。著眼于這一點(diǎn)，能夠不依賴于圖案700的構(gòu)造地定義上限距離m。

因此，通過預(yù)備實(shí)驗(yàn)等，事先將拍攝圖案700所得到的圖案圖像中的在生產(chǎn)管理上缺陷數(shù)為容許值以下的晶圓w的理想的圖案圖像(缺陷數(shù)也可以不一定為零)設(shè)定為基準(zhǔn)值。接著，例如在進(jìn)行以使上述距離l為預(yù)先設(shè)定的值的方式控制ipa的供給流量來使晶圓w干燥的處理之后，獲取該處理后的晶圓w的圖案圖像并與上述理想的圖案圖像進(jìn)行比較，將圖案圖像的相對(duì)于理想的圖案圖像發(fā)生變化的地方檢測(cè)為一個(gè)缺陷，對(duì)缺陷數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。而且，在以使上述距離l逐漸變小的方式改變控制條件而得到的多個(gè)條件下，執(zhí)行使用ipa對(duì)晶圓w進(jìn)行的干燥以及對(duì)干燥后的晶圓w上的缺陷的計(jì)數(shù)。其結(jié)果，將使晶圓w的表面的每1cm²的范圍內(nèi)產(chǎn)生的平均的缺陷的增加數(shù)為5個(gè)以下的距離l設(shè)為上述的上限距離m。

接著，對(duì)控制ipa流線710中的距離l(著液點(diǎn)pa的中心與ipa流線710的靠晶圓w的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的端部713之間的距離l)的方法進(jìn)行說明。

在ipa從著液點(diǎn)pa均等地?cái)U(kuò)散的情況下，距離l受到向比著液點(diǎn)pa更靠晶圓w的中心部側(cè)的位置流入的ipa的流量(以下稱為“ipa中心流入量”)的影響。即，當(dāng)ipa中心流入量增多時(shí)，距離l變長，當(dāng)ipa中心流入量減少時(shí)，距離l變短。另外，著液點(diǎn)pa所描繪的軌道圓的周長在晶圓w的中心部與在周緣部是不同的，因此向該軌道圓流入的每單位區(qū)間的ipa中心流入量發(fā)生變化。即，在將ipa從ipa噴嘴411的噴出量設(shè)為固定時(shí)，在著液點(diǎn)pa所描繪的軌道圓的周長比周緣部的該軌道圓的周長短的中心部，每單位區(qū)間的ipa中心流入量比軌道圓的周長長的周緣部的該每單位區(qū)間的ipa中心流入量多。

根據(jù)上述的關(guān)系，事先通過與著液點(diǎn)pa的掃描速度(移動(dòng)速度)、ipa的供給流量之間的關(guān)系來表現(xiàn)向著液點(diǎn)pa所描繪的軌道圓流入的每單位區(qū)間的ipa中心流入量。

在考慮著液點(diǎn)pa非常小(例如與ipa噴嘴411的開口直徑相同)、且均等地?cái)U(kuò)散的ipa的一半的量向晶圓w的中心部側(cè)流入時(shí)，能夠通過下述數(shù)式(1)表現(xiàn)上述的ipa中心流入量。

ipa中心流入量[ml/mm]＝{(q/2)×t}/c(其中，t＝d/v)···(1)

在此，d為ipa噴嘴411的開口直徑[mm]，q為ipa的供給流量[ml/s]，v為著液點(diǎn)pa的掃描速度[mm/s]，c為著液點(diǎn)pa所描繪的軌道圓的周長[mm]。假定ipa的供給流量例如為1ml/min～300ml/min(0.017ml/s～5ml/s)的范圍。

接著，對(duì)產(chǎn)生ipa流線710中的距離l以外的缺陷的主要原因也進(jìn)行研究。

當(dāng)對(duì)如上述那樣厚度不穩(wěn)定的中心部側(cè)ipa液膜711a施加因晶圓w的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的大的離心加速度(離心力)時(shí)，還有可能更容易發(fā)生該區(qū)域的ipa不均勻地干燥、或者從中心部側(cè)ipa液膜711a脫離的ipa殘留于晶圓w的表面的現(xiàn)象。

圖8是將確認(rèn)出圓環(huán)狀的缺陷的比較方式所涉及的著液點(diǎn)pa的掃描速度(圖8的(a))、ipa中心流入量(圖8的(b))、晶圓w的單位時(shí)間的轉(zhuǎn)速(圖8的(c))、作用于被供給到著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度(圖8的(d))的值與從晶圓w的中心部po到著液點(diǎn)pa的半徑方向上的距離相對(duì)應(yīng)地表示的曲線圖。

在該比較方式中，ipa噴嘴411的開口直徑為d＝2mm，ipa的供給流量為q＝0.54ml/s，是固定的。

根據(jù)圖8的(a)，在從ipa噴嘴411向晶圓w的中心部po供給ipa并在晶圓w的整個(gè)面形成ipa液膜711之后，為了形成芯部而使著液點(diǎn)pa以40mm/s的掃描速度移動(dòng)到與中心部po相距40mm的位置，然后暫時(shí)停止著液點(diǎn)pa的掃描。然后，在形成芯部之后的定時(shí)，在與中心部po相距40mm～50mm的區(qū)域使著液點(diǎn)pa以約7mm/s的掃描速度移動(dòng)之后，使掃描速度逐漸降低，在比與中心部po相距60mm的區(qū)域更靠周緣部側(cè)的區(qū)域，使著液點(diǎn)pa以約5mm/s的固定的掃描速度移動(dòng)。

當(dāng)根據(jù)上述的著液點(diǎn)pa的掃描速度的變化(圖8的(a))來基于上述的數(shù)式(1)計(jì)算ipa中心流入量時(shí)，如圖8的(b)所示，ipa中心流入量的值與著液點(diǎn)pa距中心部po的距離(晶圓w的半徑方向上的位置)相應(yīng)地大幅地上下波動(dòng)。而且，在ipa中心流入量增多的區(qū)域，上述的距離l變長，成為引起缺陷的主要原因的中心部側(cè)ipa液膜711a變大。

另外，當(dāng)著眼于晶圓w的轉(zhuǎn)速時(shí)，如圖8的(c)所示，在從中心部po到著液點(diǎn)pa的距離為40mm為止的芯部的形成區(qū)域，將晶圓w的轉(zhuǎn)速設(shè)為1000rpm，在著液點(diǎn)pa進(jìn)一步向周緣部側(cè)移動(dòng)之后，使晶圓w的轉(zhuǎn)速降低至600rpm。

隨著與上述的著液點(diǎn)pa的位置相應(yīng)的晶圓w的轉(zhuǎn)速變化，作用于供給至著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度也大幅地變動(dòng)。而且，認(rèn)為該離心加速度的變動(dòng)的影響與使用圖8的(b)所說明的由ipa中心流入量的變化引起的ipa流線710中的距離l的增大相互作用而產(chǎn)生了圓環(huán)狀的缺陷。

以上，根據(jù)參照?qǐng)D8的(a)～(d)進(jìn)行了考察的比較方式所涉及的ipa的供給方法，在本實(shí)施方式所涉及的處理單元16中，將形成芯部之后的ipa流線710中的上述距離l設(shè)為規(guī)定的上限距離m以下，因此通過控制著液點(diǎn)pa的掃描速度，來使ipa中心流入量沿著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向大致固定(圖7的(b))。并且，在形成芯部之后，還對(duì)晶圓w的轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，以使得作用于供給至著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度沿著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向大致固定(圖7的(d))。

如在比較方式中研究的那樣，當(dāng)發(fā)生ipa中心流入量增大、作用于著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度變動(dòng)時(shí)，容易引起中心部側(cè)ipa液膜711a的不均勻干燥、ipa在晶圓w表面的殘留。因此，在實(shí)施方式中，一邊將ipa中心流入量(ipa流線710中的距離l)保持為固定值以下并且將作用于著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度保持固定，一邊使ipa的著液點(diǎn)pa移動(dòng)來進(jìn)行晶圓w的干燥，由此實(shí)現(xiàn)了缺陷的抑制。

在此，在上述的比較方式中，在晶圓w的周緣部幾乎沒有檢查到上述的圓環(huán)狀的缺陷。因而，可以說在該區(qū)域形成的ipa流線710中的距離l為上限距離m以下的值。因此，在實(shí)施方式所涉及的處理單元16中，采用了如下方法：對(duì)著液點(diǎn)pa的掃描速度、晶圓w的轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，以使得ipa中心流入量、作用于ipa的離心加速度的值與上述比較方式中的周緣部處的ipa中心流入量、離心加速度一致。

例如，根據(jù)圖8的(b)，晶圓w的周緣部的ipa中心流入量為約9.0×10^-4ml/mm。因此，基于上述的數(shù)式(1)，以使芯部形成區(qū)域以外的區(qū)域的ipa的中心流入量為上述的值的方式?jīng)Q定著液點(diǎn)pa在各位置的掃描速度(圖7的(a))。另外，不停止著液點(diǎn)pa在芯部形成區(qū)域的外端部(在本例中，為從中心部po沿半徑方向移動(dòng)40mm后的位置)的掃描，以避免ipa中心流入量發(fā)生急劇的變動(dòng)。而且，在芯部形成區(qū)域內(nèi)使著液點(diǎn)pa的掃描速度逐漸下降，以使得在經(jīng)過芯部形成區(qū)域的外端部的時(shí)間點(diǎn)開始成為基于數(shù)式(1)計(jì)算出的掃描速度。

另外，根據(jù)圖8的(d)，在晶圓w的周緣部(其中，是在圖案700的形成區(qū)域內(nèi))作用于著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度為約550m/s²。因此，以使芯部形成區(qū)域以外的區(qū)域的離心加速度為上述的值的方式，基于離心加速度的計(jì)算式g＝rω²(在此，g為離心加速度[m/s²]、r為從中心部po到著液點(diǎn)pa的距離[m]、ω為晶圓w的角速度[rad/s])決定晶圓w的轉(zhuǎn)速(圖7的(c))。此外，在芯部形成區(qū)域，為了可靠地排出該區(qū)域內(nèi)的ipa，例如使晶圓w以驅(qū)動(dòng)部33的使用范圍內(nèi)的上限即1000rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

基于上述的考慮方法，通過進(jìn)行著液點(diǎn)pa的掃描速度、晶圓w的轉(zhuǎn)速的設(shè)定(操作變量的設(shè)定)，能夠?qū)pa中心流入量沿著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向設(shè)為固定值以下(將ipa流線710中的距離l設(shè)為上限距離m以下)，并能夠?qū)⒆饔糜趇pa的離心加速度的值沿著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向保持固定。

在此，在本實(shí)施方式中，將作用于ipa的離心加速度“保持固定”除了包含對(duì)操作變量進(jìn)行控制以使得該值嚴(yán)格地保持固定的情況以外，例如還包含根據(jù)控制的穩(wěn)定性、響應(yīng)速度等來執(zhí)行控制以使得離心加速度的變動(dòng)范圍收斂于例如目標(biāo)值的±5％左右的范圍內(nèi)的情況。

在此，如上述那樣沿著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向使ipa中心流入量的上限值、作用于ipa的離心加速度的目標(biāo)值與比較方式中的晶圓w的周緣部處的值一致并不是必須的要素。如上述的那樣，調(diào)節(jié)ipa中心流入量以使得ipa流線710中的距離l為上限距離m以下，并且將作用于ipa的離心加速度“沿著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向保持固定”，由此具有以下效果：抑制隨著中心部側(cè)ipa液膜711a的增大、縮小而產(chǎn)生的不均勻干燥、ipa的殘留，從而抑制缺陷產(chǎn)生。

但是，作為能夠獲得更好的缺陷抑制效果的范圍，能夠例示如下情況：將ipa中心流入量的目標(biāo)值設(shè)定為0.001ml/mm以下的值，并且將作用于著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度的目標(biāo)值設(shè)定為60m/s²～13000m/s²(相當(dāng)于晶圓w的轉(zhuǎn)速為200rpm～3000rpm)的范圍內(nèi)的值。

在通過使用圖7的(a)～(d)所說明的實(shí)施方式所涉及的ipa的供給方法進(jìn)行晶圓w的干燥之后，沒有觀察到在比較方式中觀察到的圓環(huán)狀的缺陷的產(chǎn)生，能夠獲得良好的缺陷抑制的效果。

根據(jù)以上所說明的本實(shí)施方式所涉及的處理單元16，具有以下效果。針對(duì)利用藥液、diw等處理液進(jìn)行處理后的晶圓w，向旋轉(zhuǎn)的晶圓w的表面供給作為干燥液的ipa，使該ipa的著液點(diǎn)pa以從基板的中心部朝向周緣部的朝向移動(dòng)，由此得到干燥的基板。此時(shí)，對(duì)從著液點(diǎn)pa向晶圓w的中心部側(cè)流入的ipa的流入量進(jìn)行控制，以使得ipa流線710中的距離l(著液點(diǎn)pa的中心與ipa流線710的靠晶圓w的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的端部713之間的距離l)為上限距離m以下，該上限距離m是使在晶圓w的表面的每1cm²的范圍內(nèi)產(chǎn)生的平均的缺陷相對(duì)于理想的圖案圖像的增加數(shù)為5個(gè)以下的距離。另外，使著液點(diǎn)pa的移動(dòng)速度變化，以使得作用于ipa的離心加速度沿該著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向固定。由此，抑制比著液點(diǎn)pa更靠基板的中心部側(cè)的液體殘留、不均勻干燥的產(chǎn)生，從而能夠抑制缺陷產(chǎn)生。

在此，如使用圖7的(b)所說明的那樣，用于調(diào)節(jié)ipa流線710中的距離l(調(diào)節(jié)ipa中心流入量)的操作變量并不限定于該著液點(diǎn)pa的掃描速度。

例如，在將著液點(diǎn)pa的掃描速度固定為固定值的條件下，當(dāng)如圖10的(a)的第二比較方式所示的那樣將ipa從ipa噴嘴411的供給流量保持固定時(shí)，隨著著液點(diǎn)pa以從晶圓w的中央部側(cè)朝向周緣部側(cè)的朝向移動(dòng)，而ipa中心流入量下降(圖10的(b))。

因此，在使著液點(diǎn)pa的掃描速度固定的條件下，使ipa的供給流量變化以使ipa中心流入量固定，由此也能夠沿著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向調(diào)節(jié)ipa中心流入量(例如保持固定)，以使得ipa流線710中的距離l為上限距離m以下。關(guān)于該情況下的ipa的供給流量，也能夠使用上述的數(shù)式(1)來計(jì)算。

作為對(duì)能夠調(diào)節(jié)ipa中心流入量的情況的確認(rèn)，在圖9的(a)、(b)的第二實(shí)施方式中示出了如下例子：使ipa的供給流量以與圖10的(b)所示的第二比較方式的周緣部處的ipa中心流入量一致的方式，沿著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向發(fā)生變化。

在此，用于調(diào)節(jié)ipa中心流入量的操作變量不限于選擇ipa的著液點(diǎn)pa的掃描速度和ipa的供給流量中的一方的情況，也可以使這些操作變量雙方都變化。

另外，在圖9的(a)、(b)所示的第二實(shí)施方式中，也可以與使用圖7的(c)、(d)所說明的例子同樣地使晶圓w的轉(zhuǎn)速變化，以使得作用于著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度沿該著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向固定，這是不言而喻的。

圖11、圖12所示的側(cè)視圖和俯視圖示出了第三實(shí)施方式，在該第三實(shí)施方式中，通過將ipa噴嘴411a傾斜地配置來縮短距離l，從而實(shí)現(xiàn)了中心部側(cè)ipa液膜711a的形成區(qū)域的縮小。

在該實(shí)施方式中，如圖11所示，以使ipa液的噴出方向傾斜的狀態(tài)配置，以使得ipa在晶圓w上的著液點(diǎn)pa位于從晶圓w的旋轉(zhuǎn)中心來看比從ipa噴嘴411a噴出的ipa的噴出位置更靠周緣部側(cè)的位置。通過朝向遠(yuǎn)離晶圓w的中心部側(cè)的方向噴出ipa，能夠縮短距離l。其結(jié)果，能夠縮短對(duì)缺陷的產(chǎn)生帶來影響的中心部側(cè)ipa液膜711a的寬度。

另外，如圖12所示，優(yōu)選ipa噴嘴411a被配置為：在俯視晶圓w時(shí)，與著液點(diǎn)pa所描繪的軌道圓相切并沿著晶圓w旋轉(zhuǎn)的朝向延伸的切線與ipa的噴出方向之間所成的角度θ為0°<θ<90°的范圍內(nèi)的角度。通過沿著在晶圓w的表面形成的ipa流線710供給ipa，能夠抑制著液點(diǎn)pa處的霧沫的產(chǎn)生，并抑制霧沫向已干燥的晶圓w的附著。

并且，如使用圖4所說明的那樣，將進(jìn)行ipa的供給的ipa噴嘴411和進(jìn)行n2氣體的供給的n2噴嘴431設(shè)置于不同的噴嘴臂41、43并使ipa噴嘴411和n2噴嘴431彼此朝向相反的方向移動(dòng)，這不是必須的。例如也可以是，將ipa噴嘴411、n2噴嘴431設(shè)置于共用的第一噴嘴臂41，以n2氣體的供給位置位于在晶圓w的直徑方向上比ipa的供給位置更靠中央部側(cè)的位置的方式對(duì)這些噴嘴411、431的配置進(jìn)行設(shè)定。

并且，進(jìn)行n2氣體從n2噴嘴431的供給也不是必須的要素，也可以只進(jìn)行使從ipa噴嘴411供給ipa的供給位置移動(dòng)來沖走ipa的液膜的動(dòng)作就結(jié)束晶圓w的干燥。

除此之外，決定著液點(diǎn)pa的掃描速度、ipa從ipa噴嘴411的供給流量以確定從著液點(diǎn)pa向晶圓w的中心部側(cè)流入的ipa的流量(ipa中心流入量)的方法并不限定于使用上述的數(shù)式(1)的情況。例如，也可以使用流體模擬器來再現(xiàn)在晶圓w的表面流動(dòng)的ipa的流動(dòng)狀態(tài)，基于該模擬的結(jié)果來決定著液點(diǎn)pa的掃描速度、ipa的供給流量。

另外，在使用圖7、圖9所說明的各例中，為了使ipa流線710中的距離l為上限距離m以下，而控制著液點(diǎn)pa的掃描速度、ipa的供給流量以使得ipa的中心流入量為規(guī)定值以下，并且將作用于供給至著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度設(shè)為固定，從而實(shí)現(xiàn)了中心部側(cè)ipa液膜711a的不穩(wěn)定干燥、ipa在晶圓w表面的殘留的抑制。

另一方面，即便只是將作用于供給至著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度設(shè)為固定，與比較方式相比也能夠抑制中心部側(cè)ipa液膜711a的不穩(wěn)定干燥等的產(chǎn)生。

即，對(duì)于圖8的(a)、(b)、圖10的(a)、(b)所示的ipa中心流入量發(fā)生變動(dòng)的情況，也可以應(yīng)用圖7的(c)、(d)所記載的技術(shù)，以使得作用于供給至著液點(diǎn)pa的ipa的離心加速度沿該著液點(diǎn)pa的移動(dòng)方向保持固定。

除此之外，能夠作為干燥液利用的液體不限定于ipa，還能夠采用丙酮或hfe(氫氟醚)、hfo(氫氟烯烴)、pfc(全氟化碳)、hfc(氫氟烴)等。