技術特征：
技術總結
本公開涉及半導體裝置。線狀有源單元區(qū)域由在第二方向(y方向)上彼此間隔開布置的多個分開的有源單元區(qū)域形成。線狀空穴集電極單元區(qū)域由在第二方向(y方向)上彼此間隔開布置的多個分開的空穴集電極單元區(qū)域形成。在第一方向(x方向)上彼此相鄰的線狀有源單元區(qū)域和線狀空穴集電極單元區(qū)域之間、在第二方向(y方向)上彼此相鄰的分開的有源單元區(qū)域之間以及在第二方向(y方向)上彼此相鄰的分開的空穴集電極單元區(qū)域之間的半導體襯底中形成P型浮置區(qū)域。
技術研發(fā)人員：松浦仁
受保護的技術使用者：瑞薩電子株式會社
技術研發(fā)日：2017.02.15
技術公布日：2017.09.12