具有軟恢復特性的快恢復二極管結構的制作方法

本發(fā)明涉及一種二極管結構，本發(fā)明尤其是涉及一種具有軟恢復特性的快恢復二極管結構。

背景技術：

快恢復二極管（FRD）結構表面陽極區(qū)域為P型摻雜，背面陰極區(qū)域為N型重摻雜，陽極區(qū)域和陰極區(qū)域之間為N型輕摻雜的中性區(qū)域。FRD工作時從導通到關斷需要經過反向恢復過程，器件正向導通電流逐漸降低至0后進入反向導通，反向導通電流先增大再逐步降低至0，進入關段過程。

FRD從導通進入反向恢復過程中，如果正向導通電流降低的電流變化率較大，容易引起反向導通電流降低至0后電流波形產生振蕩，從而導致FRD所工作電路系統(tǒng)中產生電磁干擾，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

反向恢復過程中產生電流振蕩稱為硬恢復，相反，反向導通電流降低至0過程電流變化率較緩未出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象，稱為軟恢復。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術中存在的不足，提供一種具有軟恢復特性的快恢復二極管結構。

按照本發(fā)明提供的技術方案，所述具有軟恢復特性的快恢復二極管結構，它包括P+型陽極區(qū)域、N-型輕摻雜區(qū)域、N+型陰極區(qū)域與高電離率區(qū)域，N-型輕摻雜區(qū)域的正面為P+型陽極區(qū)域，N-型輕摻雜區(qū)域的背面為N+型陰極區(qū)域；在N-型輕摻雜區(qū)域內設有呈陣列排列的高電離率區(qū)域，且高電離率區(qū)域為矩形，高電離率區(qū)域的邊沿與N-型輕摻雜區(qū)域的邊沿呈平行設置。

所述高電離率區(qū)域陣列中的各列之間的間距呈相等設置；從N+型陰極區(qū)域到P+型陽極區(qū)域的方向上，高電離率區(qū)域陣列中的各行之間的間距呈逐漸降低設置。

所述高電離率區(qū)域陣列設置在靠近N+型陰極區(qū)域的一側，遠離P+型陽極區(qū)域的一側。

所述每個高電離率區(qū)域的面積均相等，且每個高電離率區(qū)域所在矩形的長邊呈橫向設置。

本發(fā)明的二極管具有軟恢復特性，使用時，反向恢復波形無振蕩現(xiàn)象，有效地抑制了快恢復二極管給系統(tǒng)帶來的電磁干擾，提供了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1是背景技術的結構示意圖。

圖2是本發(fā)明的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。

該具有軟恢復特性的快恢復二極管結構，它包括P+型陽極區(qū)域1、N-型輕摻雜區(qū)域2、N+型陰極區(qū)域3與高電離率區(qū)域4，N-型輕摻雜區(qū)域2的正面為P+型陽極區(qū)域1，N-型輕摻雜區(qū)域2的背面為N+型陰極區(qū)域3；在N-型輕摻雜區(qū)域2內設有呈陣列排列的高電離率區(qū)域4，且高電離率區(qū)域4為矩形，高電離率區(qū)域4的邊沿與N-型輕摻雜區(qū)域2的邊沿呈平行設置。

所述高電離率區(qū)域4陣列中的各列之間的間距呈相等設置；從N+型陰極區(qū)域3到P+型陽極區(qū)域1的方向上，高電離率區(qū)域4陣列中的各行之間的間距呈逐漸降低設置。

所述高電離率區(qū)域4陣列設置在靠近N+型陰極區(qū)域3的一側，遠離P+型陽極區(qū)域1的一側。

本發(fā)明中，高電離率區(qū)域4陣列中，高電離率區(qū)域4的數(shù)量可以根據(jù)需求進行設置。

所述每個高電離率區(qū)域4的面積均相等，且每個高電離率區(qū)域4所在矩形的長邊呈橫向設置。

本發(fā)明中，每個高電離率區(qū)域4的面積均相等，且高電離率4的面積可以根據(jù)需求進行設置。

本發(fā)明在反向恢復過程中，反向導通電流降低過程中，N-型輕摻雜區(qū)域2存在電場分布。反向導通電流中的載流子在電場的作用下加速，經過高電離率區(qū)域4后載流子數(shù)量增大，抑制了反向導通電流的減小，從而降低了電流變化率，使得快恢復二極管快恢復曲線不產生振蕩，具有軟恢復特性。