本實(shí)用新型涉及一種電熱連接結(jié)構(gòu)，具體涉及一種基板材料與芯片三維電熱連接結(jié)構(gòu)，屬于芯片連接結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
通常所說的多芯片組件都是指二維的，它的所有元器件都布置在一個(gè)平面上，不過它的基板內(nèi)互連線的布置已經(jīng)是三維，隨著微電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，芯片的集成程度大幅度提高，對(duì)封裝的要求也越嚴(yán)格，二維封裝的缺點(diǎn)也逐漸暴露出來，目前的二維組裝效率可達(dá)到85％，接近二維組裝所能達(dá)到的最大理論極限，已成為混合集成電路持續(xù)發(fā)展的障礙，為了改變這種狀況，三維芯片組件應(yīng)運(yùn)而生。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型提供了一種基板材料與芯片三維電熱連接結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中問題，整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、其封裝效率高，組裝方便、推動(dòng)了微電子的進(jìn)一步發(fā)展。
為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：
一種基板材料與芯片三維電熱連接結(jié)構(gòu)，若干個(gè)倒裝式芯片單體，倒裝式芯片單體的兩端均設(shè)有疊層凸起，倒裝式芯片單體通過疊層凸起疊加呈一整體。
上述的倒裝式芯片單體包括芯片本體和載體基板，芯片本體和載體基板之間設(shè)有凸點(diǎn)并填充有樹脂。
上述的載體基板采用的材料為ALN、Si、金剛石中的一種。
本實(shí)用新型至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn)：倒裝式芯片單體之間通過兩端的疊層凸起疊加呈一整體，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、封裝效率高、組裝方便的優(yōu)點(diǎn)，推動(dòng)了微電子的進(jìn)一步發(fā)展。
附圖說明
為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本申請(qǐng)的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中，1為倒裝式芯片單體，2為疊層凸起，3為芯片本體，4為載體基板，5為凸點(diǎn)，6為樹脂。
具體實(shí)施方式
為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實(shí)施方式對(duì)上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明。
實(shí)施例1
參照?qǐng)D1，為解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種基板材料與芯片三維電熱連接結(jié)構(gòu)，若干個(gè)倒裝式芯片單體1，倒裝式芯片單體1的兩端均設(shè)有疊層凸起2，倒裝式芯片單體1通過疊層凸起2疊加呈一整體，整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、封裝效率高。
上述的倒裝式芯片單體1包括芯片本體3和載體基板4，芯片本體3和載體基板4之間設(shè)有凸點(diǎn)5并填充有樹脂6。
上述的載體基板4采用的材料為ALN、Si、金剛石中的一種，能夠保持良好的散熱。
上述實(shí)施方式至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：倒裝式芯片單體1之間通過兩端的疊層凸起2疊加呈一整體，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、其封裝效率高，組裝方便、推動(dòng)了微電子的進(jìn)一步發(fā)展。
盡管已描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本實(shí)用新型范圍的所有變更和修改。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。