1.一種石墨烯增強(qiáng)表面的燃料電池用高性能雙極板，其特征在于，采用鈦雙極板(1)作為基體，鈦雙極板(1)基體表面上依次為鎳層或鎳鉻層(2)、第一金層(3)、第一石墨烯層(4)、第二金層(5)和第二石墨烯層(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燃料電池用高性能雙極板，其特征在于，
所述的鈦雙極板(1)基體的厚度為0.1mm～1mm；
所述的鎳層或鎳鉻層(2)的厚度為20nm～100nm，鎳鉻層中鉻的摩爾含量為不大于0.8；
所述的第一金層(3)的厚度為20nm～100nm；
所述的第一石墨烯層(4)呈表面不連續(xù)的島狀生長(zhǎng)，第一石墨烯層(4)在第一金層(3)表面的覆蓋度為20％～70％，其中島狀區(qū)石墨烯的厚度為0.335nm～1nm；
所述的第二金層(5)的厚度為50mm～150nm；
所述的第二石墨烯層(6)為表面連續(xù)的石墨烯層，第二石墨烯層(6)在第二金層(5)表面的覆蓋度為100％，第二石墨烯層(6)的厚度為0.335nm～3.35nm。
3.一種石墨烯增強(qiáng)表面的燃料電池用高性能雙極板的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射設(shè)備和方法，步驟如下：
(1)反濺射清洗
將鈦雙極板(1)基體置于超聲中清洗，干燥，再放入磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的料臺(tái)上，當(dāng)真空室的本底氣壓被抽至1×10-4Pa～5×10-4Pa后，向真空室內(nèi)通入氬氣和氫氣的混合氣體，其中氬氣流量為40SCCM～200SCCM，氫氣流量為10SCCM～100SCCM，使真空室氣壓維持在0.1Pa～5Pa，接著把料臺(tái)的直流偏壓設(shè)定為-500～-1000V，在室溫下，開啟料臺(tái)的直流偏壓電源對(duì)鈦雙極板(1)基體進(jìn)行反濺射清洗，反濺射清洗的時(shí)間為10min～40min；
(2)制備鎳層或鎳鉻層
采用純鎳和純鉻為靶材，鎳靶使用強(qiáng)磁磁控靶，將真空室內(nèi)的料臺(tái)加熱至100～600℃，待溫度穩(wěn)定以后關(guān)閉氫氣，向真空室內(nèi)繼續(xù)通入氬氣，并調(diào)整氬氣流量為50SCCM～200SCCM，使真空室氣壓維持在0.1Pa～5Pa，待真空室氣壓穩(wěn)定以后，把鎳靶的射頻濺射電源功率設(shè)定為40～200W，單獨(dú)開啟鎳靶，在鈦雙極板(1)基體表面上制備鎳層(2)，鎳層的濺射時(shí)間為0.5～30min，使鎳層的厚度控制在20～100nm；
把鎳靶和鉻靶的射頻濺射電源功率均設(shè)置為40～200W，同時(shí)開啟鎳靶和鉻靶的射頻濺射電源，在鈦雙極板(1)基體表面上制備鎳鉻層(2)；鎳鉻層(2)的濺射時(shí)間為0.5～30min，使鎳鉻層(2)的厚度控制在20～100nm；控制鎳靶和鉻靶的各自濺射功率，使鎳鉻層(2)中的鉻摩爾含量不大于0.8；
(3)制備第一金層
采用純金為靶材，將真空室內(nèi)的料臺(tái)加熱至100～500℃，向真空室內(nèi)通入氬氣，氬氣流量為50SCCM～200SCCM，使真空室氣壓維持在0.1Pa～5Pa，待料臺(tái)溫度和真空室氣壓都穩(wěn)定以后，把金靶的射頻濺射電源功率設(shè)定為40～150W，開啟金靶的射頻濺射電源，開始在鎳層或鎳鉻層(2)上制備第一金層(3)；第一金層(3)的濺射時(shí)間為0.5～10min，使第一金層(3)的厚度控制在20nm～100nm；
(4)制備第一石墨烯層
采用純石墨靶為靶材，將真空室內(nèi)的料臺(tái)加熱至700～880℃，向真空室內(nèi)通入氬氣、氫氣和甲烷的混合氣體，其中，氬氣流量為20SCCM～150SCCM，氫氣流量為10SCCM～100SCCM，甲烷流量為10SCCM～100SCCM，使真空室氣壓繼續(xù)維持在0.1Pa～5Pa；待料臺(tái)溫度和真空室氣壓都穩(wěn)定以后，把石墨靶的射頻濺射電源功率設(shè)定為60～180W，開啟石墨靶的射頻濺射電源，在第一金層(3)上制備第一石墨烯層(4)；第一石墨烯層(4)的濺射時(shí)間為0.3～5min，使第一石墨烯層(4)呈表面不連續(xù)的島狀生長(zhǎng)，使島狀區(qū)石墨烯的厚度控制在0.335nm～1nm，使第一石墨烯層(4)在第一金層(3)表面的覆蓋度控制在20％～70％；
(5)制備第二金層
采用純金為靶材，將真空室內(nèi)的料臺(tái)加熱至100～500℃，向真空室內(nèi)通入氬氣，氬氣流量為50SCCM～200SCCM，使真空室氣壓維持在0.1Pa～5Pa，待料臺(tái)溫度和真空室氣壓都穩(wěn)定以后，把金靶的射頻濺射電源功率設(shè)定為40～150W，開啟金靶的射頻濺射電源，開始在第一石墨烯層(4)上制備第二金層(5)；第二金層(5)的濺射時(shí)間為0.5～15min，使第二金層(5)的厚度控制在50nm～150nm；
(6)制備第二石墨烯層
采用純石墨靶為靶材，將真空室內(nèi)的料臺(tái)加熱至700～880℃，向真空室內(nèi)通入氬氣、氫氣和甲烷的混合氣體，其中，氬氣流量為20SCCM～150SCCM，氫氣流量為10SCCM～100SCCM，甲烷流量為10SCCM～100SCCM，使真空室氣壓繼續(xù)維持在0.1Pa～5Pa；待料臺(tái)溫度和真空室氣壓都穩(wěn)定以后，把石墨靶的射頻濺射電源功率設(shè)定為60～180W，開啟石墨靶的射頻濺射電源，在第二金層(5)上制備第二石墨烯層；使第二石墨烯層(6)的濺射時(shí)間為1～15min；使第二石墨烯層(6)為表面連續(xù)的石墨烯層，使第二石墨烯層(6)在第二金層(5)表面的覆蓋度控制在100％，使第二石墨烯層(6)的厚度控制在0.335nm～3.35nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)-步驟(6)中，在正式濺射沉積膜層前，都預(yù)先對(duì)即將使用的靶材進(jìn)行預(yù)濺射，以去除所用靶材表面的氧化物或其它雜質(zhì)，此時(shí)各靶材和鈦雙極板(1)基體之間均有擋板隔開，因此鈦雙極板(1)基體表面不會(huì)濺射沉積上膜層；
預(yù)濺射時(shí)，鎳靶和/或鉻靶的射頻濺射電源功率均設(shè)定為40～200W，預(yù)濺射時(shí)間為3～20min；金靶的射頻濺射電源功率設(shè)定為40～150W，預(yù)濺射時(shí)間為1～5min；石墨靶的射頻濺射電源功率設(shè)定為60～180W，預(yù)濺射時(shí)間為2～10min；正式濺射時(shí)，再移開所用靶材前面的擋板，開始在鈦雙極板(1)基體表面上濺射沉積所需的膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，在步驟(2)-步驟(6)中，料臺(tái)上均施加-200V～0V的直流偏壓。