1.一種應用于晶硅太陽能電池的熱氧化工藝，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將擴散、刻蝕、清洗后的硅片插入石英舟中后送入低壓擴散爐中，升溫至650～800℃，通入氮氣并控制爐管內氣體壓力為50～150mBar；
(2)通入氧氣、小氮、氮氣，控制爐內溫度650～800℃，通入時間50～200s，爐管內氣體壓力50～150mBar，小氮中磷源POCl3摩爾百分比濃度控制在2.5～3％；
(3)降溫出爐，測試方阻，控制方阻85～95Ω/□。
2.根據權利要求1所述的一種應用于晶硅太陽能電池的熱氧化工藝，其特征在于，步驟(1)中，氮氣通入量為5～10SLM。
3.據權利要求1述的一種應用于晶硅太陽能電池的熱氧化工藝，其特征在于，步驟(2)中，氧氣通入量為500～1000sccm，小氮通入量為50～200sccm，氮氣通入量為500～1000sccm。
4.根據權利要求1所述的一種應用于晶硅太陽能電池的熱氧化工藝，其特征在于，步驟(3)中，降溫至600～700℃，時間500～600s。