一種功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

場限環(huán)技術(shù)是現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件(如IGBT)終端結(jié)構(gòu)所常用的一種技術(shù)。采用場限環(huán)可以減小pn結(jié)曲面彎曲造成的電場集中，提高器件的擊穿電壓。

目前常用的場限環(huán)技術(shù)是通過在功率半導(dǎo)體器件的終端區(qū)域引入一個或多個與硅襯底摻雜類型相反但雜質(zhì)濃度遠高于襯底的環(huán)形區(qū)域(通常稱之為場限環(huán))，使器件在承受反向偏壓時耗盡層擴展至這些環(huán)形區(qū)域發(fā)生穿通，從而延展器件終端區(qū)域的耗盡層，這樣減小終端區(qū)域的電場集中，進而獲得更高的擊穿電壓。

但是，場限環(huán)技術(shù)存在一個比較明顯的問題，即在各場限環(huán)靠近芯片邊緣的區(qū)域，電場集中的現(xiàn)象仍然比較明顯，容易形成高電場。通常，這些高電場區(qū)域會先于終端結(jié)構(gòu)的其它區(qū)域出現(xiàn)雪崩電離，導(dǎo)致漏電流增加，減小器件終端結(jié)構(gòu)的擊穿電壓。在實現(xiàn)場限環(huán)摻雜濃度、結(jié)深、環(huán)寬等參數(shù)優(yōu)化的情況下，通過調(diào)節(jié)場限環(huán)之間的間距可改變各環(huán)承受的電壓，進而使各場限環(huán)的峰值電場比較接近，這樣可以避免因某個別環(huán)承受的電壓過高而過早發(fā)生雪崩擊穿，導(dǎo)致終端結(jié)構(gòu)的擊穿電壓不能達到預(yù)期。但即便做了這樣的優(yōu)化處理，終端結(jié)構(gòu)擊穿電壓的提升仍然會受限于各場限環(huán)外邊緣區(qū)域的峰值電場。

為解決上述問題，現(xiàn)在多家功率半導(dǎo)體廠商一般采用場板技術(shù)來改善這一情況。但是，簡單的金屬場板技術(shù)增加了制作成本但效果并不理想，而效果較好的“金屬場板+多晶場板”技術(shù)又因為場限環(huán)與兩種場板結(jié)構(gòu)的整體設(shè)計復(fù)雜、工藝實現(xiàn)難度大等原因，造成設(shè)計和制造成本增加。

結(jié)終端擴展(JTE)技術(shù)也是功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)所常用的一種技術(shù)。該技術(shù)通過在器件的終端區(qū)域進行單區(qū)、雙區(qū)或多區(qū)離子注入并推進，形成pn結(jié)終端擴展區(qū)域，拉伸反向偏壓下形成的耗盡區(qū)，從而達到提升器件擊穿電壓的目的。但是，該技術(shù)的缺點是反向漏電流和結(jié)電容相對較大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)，增大了擊穿電壓，減小了漏電流。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)，包括多個場限環(huán)和與所述場限環(huán)橫向連接的第一pn結(jié)延展區(qū)，所述第一pn結(jié)延展區(qū)與所述場限環(huán)的摻雜類型相同，且摻雜濃度低于所述場限環(huán)的的摻雜濃度。

其中，還包括與所述場限環(huán)或所述第一pn結(jié)延展區(qū)橫向相鄰且連接的第二pn結(jié)延展區(qū)，所述第二pn結(jié)延展區(qū)與所述第一pn結(jié)延展區(qū)的摻雜類型相同，且摻雜濃度低于所述第一pn結(jié)延展區(qū)的的摻雜濃度。

其中，多個所述第一pn結(jié)延展區(qū)或多個所述第二pn結(jié)延展區(qū)位于連接的所述場限環(huán)的相同位置。

其中，所述第一pn結(jié)延展區(qū)的結(jié)深大于所述場限環(huán)的結(jié)深，所述第二pn結(jié)延展區(qū)的結(jié)深小于所述場限環(huán)的結(jié)深，所述場限環(huán)的數(shù)量大于等于所述第一pn結(jié)延展區(qū)的數(shù)量或所述第二pn結(jié)延展區(qū)的數(shù)量。

其中，所述第一pn結(jié)延展區(qū)的結(jié)深小于所述場限環(huán)的結(jié)深，所述第二pn結(jié)延展區(qū)的結(jié)深小于所述第一pn結(jié)延展區(qū)的結(jié)深，所述場限環(huán)的數(shù)量大于等于所述第一pn結(jié)延展區(qū)的數(shù)量或所述第二pn結(jié)延展區(qū)的數(shù)量。

其中，所述第一pn結(jié)延展區(qū)與第二pn結(jié)延展區(qū)位于所述場限環(huán)的同側(cè)或異側(cè)面。

其中，所述第一pn結(jié)延展區(qū)與所述場限環(huán)的側(cè)面和底面同時接觸。

其中，所述第一pn結(jié)延展區(qū)為整體式第一pn結(jié)延展區(qū)或由多個結(jié)深相等的間隔分布的半徑依次增大的第一pn結(jié)分延展區(qū)組成的第一pn結(jié)延展區(qū)。

本發(fā)明實施例所提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)，包括多個場限環(huán)和與所述場限環(huán)橫向連接的第一pn結(jié)延展區(qū)，所述第一pn結(jié)延展區(qū)與所述場限環(huán)的摻雜類型相同，且摻雜濃度低于所述場限環(huán)的的摻雜濃度。

所述功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置與場限環(huán)橫向連接的第一pn結(jié)延展區(qū)，延伸了場限環(huán)外邊緣區(qū)域的pn結(jié)曲面，使各場限環(huán)都形成類似于JTE的結(jié)構(gòu)，從而弱化場限環(huán)外邊緣電場，實現(xiàn)提升整個終端結(jié)構(gòu)的擊穿電壓，降低器件反向漏電流的目的。同時不會大幅增加設(shè)計難度和制作成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第一種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第二種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第三種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第四種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第五種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第六種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第七種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第八種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第九種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參考圖1-9，圖1為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第一種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第二種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第三種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第四種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第五種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第六種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第七種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第八種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的第九種具體實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

在一種具體實施方式中，功率半導(dǎo)體器件的縱向剖面，其縱向終端結(jié)構(gòu)如下：

1)襯底(第一導(dǎo)電類型，N-)；

2)P+有源區(qū)(第二導(dǎo)電類型，P+)；

3)P+場限環(huán)(第二導(dǎo)電類型，P+)；

4)P-注入?yún)^(qū)(第二導(dǎo)電類型，P-)；

5)溝道截止環(huán)(第一導(dǎo)電類型，N+)

6)襯底表面的介質(zhì)層1；

7)襯底表面的介質(zhì)層2；

8)芯片正面電極(Metal)；

9)位于背面的增強型緩沖層(buffer)，數(shù)量大于或等于1(第一導(dǎo)電類型，N)；

10)位于背面的P+集電極區(qū)(第二導(dǎo)電類型，P+)。

在本發(fā)明中設(shè)置與多個場限環(huán)10和與所述場限環(huán)10橫向連接的第一pn結(jié)延展區(qū)20，形成周期性的JTE結(jié)構(gòu)，即在普通的場限環(huán)10終端結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，通過特定工藝實現(xiàn)方法延展各場限環(huán)10靠近芯片邊緣一側(cè)的pn結(jié)，使單個場限環(huán)10形成類似于JTE結(jié)構(gòu)，從而增大了耗盡層在場限環(huán)10外邊緣的曲率半徑，削弱了這一區(qū)域的電場集中，實現(xiàn)進一步增大擊穿電壓，減小漏電流的目的。

采用周期性的JTE終端結(jié)構(gòu)，可以減小各場環(huán)區(qū)域外邊緣的pn結(jié)曲率，提升終端結(jié)構(gòu)的擊穿電壓；采用周期性的JTE終端結(jié)構(gòu)，可以削弱各場環(huán)區(qū)域外邊緣的電場，減小反向漏電流；采用周期性的JTE終端結(jié)構(gòu)，可以避免場板技術(shù)所造成的工藝增加，降低了制造成本。

在一種具體實施方式中，所述功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)，包括多個場限環(huán)10和與所述場限環(huán)10橫向連接的第一pn結(jié)延展區(qū)20，所述第一pn結(jié)延展區(qū)20與所述場限環(huán)10的摻雜類型相同，且摻雜濃度低于所述場限環(huán)10的摻雜濃度。

需要指出的是，在本發(fā)明中，所述場限環(huán)10的結(jié)深與有源區(qū)的結(jié)深可以相等，也可以不相等，這需要結(jié)合具體的工藝以及設(shè)計要求決定，本發(fā)明對此不作具體限定。

在一個實施例中，如圖1所示，P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)等于P-注入?yún)^(qū)的數(shù)目(N_P-)，P-注入?yún)^(qū)即為第一pn結(jié)延展區(qū)10,這時N_P+＝N_P-。這樣在每個場限環(huán)10的側(cè)面更容易被擊穿的位置設(shè)置一個第一pn結(jié)延展區(qū)10，就能夠提高增大了耗盡層在該場限環(huán)10外邊緣的曲率半徑，削弱了這一區(qū)域的電場集中，實現(xiàn)進一步增大擊穿電壓，減小漏電流的目的。

在另一個實例中，為進一步增大耗盡層在場限環(huán)10外邊緣的曲率半徑，削弱了這一區(qū)域的電場集中，實現(xiàn)進一步增大擊穿電壓，減小漏電流的目的，如圖2所示，對每個場限環(huán)10外邊緣區(qū)域?qū)嵭卸嗉塸n結(jié)延展區(qū)，其中場限環(huán)10(P+)與有源區(qū)的結(jié)深相同，而第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的結(jié)深比場限環(huán)10的結(jié)深更深，第二級pn結(jié)延展區(qū)30(P--)則結(jié)深較場限環(huán)10的結(jié)深淺，之后還可實行多級pn結(jié)延展，每一級pn結(jié)的結(jié)深均比前一級的淺，從而實現(xiàn)減小其外邊緣pn結(jié)曲率的目的。

其中，P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)與第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的數(shù)目(N_P-)和第二級pn結(jié)延展區(qū)的數(shù)目(N_p--)相等,即N_P+＝N_P-＝N_P--。其中，第二pn結(jié)延展區(qū)30與所述場限環(huán)10或所述第一pn結(jié)延展區(qū)20橫向相鄰且連接，所述第二pn結(jié)延展區(qū)30與所述第一pn結(jié)延展區(qū)20的摻雜類型相同，且摻雜濃度低于所述第一pn結(jié)延展區(qū)20的的摻雜濃度。

一般多個所述第一pn結(jié)延展區(qū)20或多個所述第二pn結(jié)延展區(qū)30位于連接的所述場限環(huán)10的同側(cè)，以降低電場的集中程度。例如，多個第一pn結(jié)延展區(qū)20都設(shè)置在場限環(huán)10的左側(cè)，多個所述第二pn結(jié)延展區(qū)30設(shè)置在場限環(huán)10的右側(cè)。這時由于相鄰的場限環(huán)10在工作時電氣參數(shù)比較接近，如在一個場限環(huán)10的左側(cè)的電場比較集中，另一個場限環(huán)10的左側(cè)的電場也會比較集中，同時由于同一批次的pn結(jié)延展區(qū)，如第一pn結(jié)延展區(qū)20，都是在同一工藝流程中進行設(shè)計的，例如摻雜。這樣對排版等工藝步驟的要求就比較簡單，降低工藝成本，而且最終制作的器件的均勻性比較好。

在又一個實施例中，對每個場限環(huán)10外邊緣區(qū)域多級pn結(jié)延展，如圖3，場限環(huán)10(P+)比有源區(qū)的結(jié)深更深，第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)比場限環(huán)10的結(jié)深淺，第二pn結(jié)延展區(qū)30(P--)則結(jié)深較第一的結(jié)深淺，之后可依次實行多級pn結(jié)延展，每一級pn結(jié)的結(jié)深均比前一級的淺，從而實現(xiàn)減小其外邊緣pn結(jié)曲率的目的。

其中，P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)與第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)注入?yún)^(qū)的數(shù)目(N_P-)和第二pn結(jié)延展區(qū)30的數(shù)目(Np--)相等，即N_P+＝N_P-＝N_P--。所述第一pn結(jié)延展區(qū)20與第二pn結(jié)延展區(qū)30位于所述場限環(huán)10的同側(cè)。所述第一pn結(jié)延展區(qū)20與所述場限環(huán)10的側(cè)面接觸。

在本發(fā)明中，在第一pn結(jié)延展區(qū)20比場限環(huán)10的結(jié)深較深時，由于第一pn結(jié)延展區(qū)20與場限環(huán)10是橫向相鄰的，可以是第一pn結(jié)延展區(qū)20僅與場限環(huán)10的側(cè)面接觸，還可以是與同時與場限環(huán)10的側(cè)面的底面接觸，本發(fā)明對所述第一pn結(jié)延展區(qū)20與場限環(huán)10的結(jié)深的關(guān)系以及連接關(guān)系不做具體限定，根據(jù)實際需要的對場限環(huán)10的電場弱化需求確定。在本發(fā)明中，第一pn結(jié)延展區(qū)20、第二pn結(jié)延展區(qū)30可以是僅僅與場限環(huán)10接觸，也可以是有部分區(qū)域重疊。實際在工藝制作時，會進行相鄰區(qū)域的重疊，這樣就會降低工藝難度，降低工藝成本，同時場限環(huán)10及其附近電場也不會發(fā)生突變。

對每個場限環(huán)10外邊緣區(qū)域?qū)嵭卸嗉塸n結(jié)延展還有其它的方式。如在又一實施例中，如圖4所示，場限環(huán)10(P+)與有源區(qū)的結(jié)深相同，而第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的結(jié)深比場限環(huán)10的結(jié)深更深，第二級pn結(jié)延展區(qū)(P--)則結(jié)深較場限環(huán)10的結(jié)深淺，之后還可實行多級pn結(jié)延展，每一級pn結(jié)的結(jié)深均比前一級的淺，從而實現(xiàn)減小其外邊緣pn結(jié)曲率的目的。

其中，P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)大于第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的數(shù)目(N_P-)和第二pn結(jié)延展區(qū)30的數(shù)目(Np--)，第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的數(shù)目(NP-)等于第二pn結(jié)延展區(qū)30的數(shù)目(Np--)，即N_P+>N_P-＝N_p--。

對每個場限環(huán)10外邊緣區(qū)域多級pn結(jié)延展方式在再一實施例中，如圖5所示，場限環(huán)10(P+)比有源區(qū)的結(jié)深更深，第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)比場限環(huán)10的結(jié)深淺，第二pn結(jié)延展區(qū)30(P--)則結(jié)深較第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的結(jié)深淺，之后可依次實行多級pn結(jié)延展，每一級pn結(jié)的結(jié)深均比前一級的淺，從而實現(xiàn)減小其外邊緣pn結(jié)曲率的目的。

其中，P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)大于第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的數(shù)目(N_P-)和第二級pn結(jié)延展區(qū)的數(shù)目(Np--)，第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-注入?yún)^(qū)的數(shù)目(N_P-)等于第二級pn結(jié)延展區(qū)的數(shù)目(Np--)，即N_P+>N_P-＝N_p--。

而對于每一級pn結(jié)延展區(qū)，可以有不同的設(shè)置方式。所述第一pn結(jié)延展區(qū)20可以為整體式第一pn結(jié)延展區(qū)20，也可以為由多個結(jié)深相等的間隔分布的半徑依次增大的第一pn結(jié)分延展區(qū)組成的第一pn結(jié)延展區(qū)20，整體式第一pn結(jié)延展區(qū)20的設(shè)計工藝簡單，而間隔分布的半徑依次增大的第一pn結(jié)分延展區(qū)組成的第一pn結(jié)延展區(qū)20對弱化電場的能力更加精確。例如，可以通過測試獲得單個第一pn結(jié)分延展區(qū)對電場的弱化能力，直接計算出需要的第一pn結(jié)分延展區(qū)的數(shù)量，然后進行下一步的工藝制作，這樣能夠可以更加合理有效的利用器件的空間。

而對于間隔分布的半徑依次增大的第一pn結(jié)分延展區(qū)組成的第一pn結(jié)延展區(qū)20的分布情況，在一個實施例中，如圖6所示為第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的延展區(qū)域分布，并且P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)等于第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的數(shù)目(N_P-)，即N_P+＝N_P-。在圖6中的上側(cè)的分布為俯視圖，從其中可以看出，將每個第一pn結(jié)延展區(qū)20分為了m個橫向長條平行的第一pn結(jié)分延展區(qū)，其中m為大于等于2的自然數(shù)，這樣通過計算每一長條的第一pn結(jié)分延展區(qū)對與其最近的場限環(huán)10的電場能力，即可在另一器件中，在摻雜不變的前提下，控制第一pn結(jié)分延展區(qū)的數(shù)量來弱化場限環(huán)外邊緣電場?；蛘呤窃诘谝籶n結(jié)分延展區(qū)的數(shù)量和位置不變的前提下，通過改變摻雜濃度，精確改變?nèi)趸瘓鱿蕲h(huán)外邊緣電場的能力。

為進一步精確控制場限環(huán)10外邊緣區(qū)域的電場，在又一個實施例中，如圖7所示為第一pn結(jié)(P-)的延展區(qū)域分布，并且P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)等于第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)注入?yún)^(qū)的數(shù)目(N_P-)，即N_P+＝N_P-。這個將第一pn結(jié)延展區(qū)20分為m*m個第一pn結(jié)延展分區(qū)，使得控制該場限環(huán)10的能力再一步獲得提升。其中，m為大于等于2的自然數(shù)。

而在本發(fā)明中第一pn結(jié)延展區(qū)20或第二pn結(jié)延展區(qū)30的數(shù)量不一定等于場限環(huán)10，只要能夠?qū)⒆钊菀讚舸┑膱鱿蕲h(huán)10的擊穿電場提高即可提高整個器件的擊穿電場，即只要在最需要提高擊穿電場的位置設(shè)置第一pn結(jié)延展區(qū)20或第二pn結(jié)延展區(qū)30即可。如圖8所示為一種第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的區(qū)域分布，并且P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)大于第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)注入?yún)^(qū)的數(shù)目(N_P-)，即N_P+>N_P-。

如圖9所示為另一種第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的延展區(qū)域分布，并且P+場限環(huán)10的數(shù)目(N_P+)大于第一pn結(jié)延展區(qū)20(P-)的數(shù)目(N_P-)，即N_P+＝N_P-，第一pn結(jié)延展分區(qū)為m*m陣列分布的第一pn結(jié)延展分區(qū)，其中，m為大于等于2的自然數(shù)。

需要指出的是，在本發(fā)明中對于第一pn結(jié)延展區(qū)的設(shè)計并不一定是上述兩種方式，還可以是環(huán)狀間隔分布等其它的分布方式，本發(fā)明對此不做具體限定。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置與場限環(huán)連接的第一pn結(jié)延展區(qū)，延伸了場限環(huán)外邊緣區(qū)域的pn結(jié)曲面，使各場限環(huán)都形成類似于JTE的結(jié)構(gòu)，從而弱化場限環(huán)外邊緣電場，實現(xiàn)提升整個終端結(jié)構(gòu)的擊穿電壓，降低器件反向漏電流的目的。同時不會大幅增加設(shè)計難度和制作成本。

以上對本發(fā)明所提供的功率半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)進行了詳細介紹。本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。