專利名稱：厚膜抗硫化貼片電阻器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電阻器及其制造方法，尤其是涉及一種厚膜抗硫化貼片電阻器及其制造方法。
背景技術(shù)：
貼片電阻器，也稱貼片電阻，因具有體積小、重量輕、適應(yīng)回流焊與波峰焊、電性能穩(wěn)定、可靠性高、裝配成本低、并與自動(dòng)裝貼設(shè)備匹配、機(jī)械強(qiáng)度高和高頻特性優(yōu)越等優(yōu)點(diǎn)，而廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電子辭典、醫(yī)療電子產(chǎn)品、攝錄機(jī)、電子電度表及VCD機(jī)等領(lǐng)域。但是，在一些硫化氣體濃度較大的場(chǎng)合，譬如，火山氣體排放的地方、農(nóng)場(chǎng)、葡萄酒釀造、停車場(chǎng)、化工廠、礦業(yè)及火力發(fā)電廠等，使用貼片電阻的電子設(shè)備經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生硫化反應(yīng)而使電阻開路的現(xiàn)象。這是因?yàn)槠胀ǖ馁N片電阻器抗硫化能力不強(qiáng)造成的，普通貼片電阻器通常包括絕緣基板10，背面電極32，正面電極22，電阻層23，第一保護(hù)層25，第二保護(hù)層28，側(cè)面電極33，鎳鍍層40，錫鍍層50，如圖18所示。所述貼片電阻器的抗硫化能力之所以不強(qiáng)，主要是因?yàn)椴牧霞爱a(chǎn)品結(jié)構(gòu)上存在如下缺點(diǎn):其鍍鎳層40和錫鍍層50直接搭接在第二保護(hù)層28的邊緣，而第二保護(hù)層的材料通常為樹脂材料，當(dāng)客戶在PCB板上對(duì)貼片電阻器進(jìn)行波峰焊或回流焊接時(shí)，由于電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層的材料不同，因此其膨脹系數(shù)也就不同。一般來(lái)講，第二保護(hù)層的樹脂材料的膨脹系數(shù)大于電鍍鎳層的鎳材料的膨脹系數(shù)和電鍍錫層的錫材料的膨脹系數(shù)。因此，PCB板貼裝后過波峰焊或回流焊時(shí)，第二保護(hù)層會(huì)將搭接在其邊緣的電鍍鎳層和電鍍錫層頂開一些，使內(nèi)部的正面電極直接接觸到空氣中的硫及硫化物，正面電極的材料為銀，隨著時(shí)間的加長(zhǎng)，正面電極的銀材料就會(huì)被硫化而使電阻開路。因此，在這些特殊場(chǎng)所，厚膜抗硫化貼片電阻器具有非常廣泛的實(shí)際應(yīng)用，也被越來(lái)越多的電子設(shè)備生產(chǎn)廠家所重視。目前，貼片電阻器抗硫化的解決方案常采用耐硫化的貴金屬材料來(lái)替換或包覆正面電極的銀材料層，其主要缺點(diǎn)是成本過高。而電阻器作為電子線路上最基本的組件，過高的成本，必然使這類使用貴金屬材料的耐硫化電阻器無(wú)法應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種厚膜抗硫化貼片電阻器及其制造方法，通過選擇合適的材料，并對(duì)普通貼片電阻器的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，使普通貼片電阻器具有良好的抗硫化效果的同時(shí)，降低其生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到普通的電子廣品中。本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種厚膜抗硫化貼片電阻器，包括一方形絕緣基板，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述絕緣基板兩端的下表面分別覆蓋有一層背面電極；所述絕緣基板兩端的上表面分別覆蓋有一層第一正面電極，兩個(gè)所述第一正面電極之間的所述絕緣基板的上表面覆蓋有電阻層，兩個(gè)所述第一正面電極上覆蓋有一層第二正面電極，然后在所述電阻層上覆蓋第一保護(hù)層，經(jīng)激光切割后，再覆蓋一層第二保護(hù)層；所述電阻層兩端分別延伸覆蓋住所述第一正面電極的一部分；所述第二正面電極延伸擇一覆蓋住所述電阻層的一部分和所述第一保護(hù)層的一部分；所述第二保護(hù)層延伸覆蓋住所述第二正面電極的一部分；所述絕緣基板兩端的端面上分別覆蓋有一層側(cè)面電極，所述側(cè)面電極延伸覆蓋住所述第一正面電極背向所述電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住所述第二正面電極背向所述第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住所述背面電極背向所述絕緣基板中部的一端的端面；所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極上覆蓋有一層鎳鍍層，所述鎳鍍層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鎳鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上；所述鎳鍍層上覆蓋有一層錫鍍層，所述錫鍍層完全覆蓋住所述鎳鍍層，且所述錫鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電阻層為通過激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二保護(hù)層上部分覆蓋有一層標(biāo)識(shí)層。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與所述第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，另設(shè)有第三正面電極，所述第三正面電極位于所述第二正面電極和所述鎳鍍層之間，且所述第三正面電極延伸擇一覆蓋住所述電阻層的一部分和所述第一保護(hù)層的一部分。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與所述第三正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。一種厚膜抗硫化貼片電阻器的制造方法，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，包括如下步驟:a、制備一大片絕緣基板，在所述絕緣基板的上表面和下表面均勻形成若干條沿寬度方向的折條線和若干沿長(zhǎng)度方向的折粒線，所述折條線和所述折粒線交叉形成格子狀；b、以每個(gè)折條線為對(duì)稱軸在所述絕緣基板的下表面和上表面分別對(duì)稱印刷電極材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成背面電極和第一正面電極，相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述背面電極間和所述第一正面電極間均具有一定間距；C、在相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述第一正面電極間印刷電阻材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成電阻層，且所述電阻層兩端分別延伸覆蓋住所述第一正面電極的一部分，相鄰兩個(gè)所述電阻層間具有一定距離；d、在所述第一正面電極上印刷電極材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第二正面電極，所述第二正面電極延伸覆蓋住所述電阻層的一部分，相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述第二正面電極間具有一定距離；e、在相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述第二正面電極間的所述電阻層上印刷絕緣材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層完全覆蓋住所述電阻層，且兩端分別延伸覆蓋住所述第二正面電極的一部分；f、采用激光鐳射穿過所述第一保護(hù)層和所述電阻層，在所述絕緣基板上形成鐳射切線，調(diào)整所述電阻層的電阻值以達(dá)到所需的電阻值；
g、在所述第二正面電極上印刷電極材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第三正面電極，所述第三正面電極完全覆蓋住所述第二正面電極，且延伸覆蓋住所述第一保護(hù)層的一部分；h、在相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述第三正面電極之間的第一保護(hù)層上印刷絕緣材料，然后進(jìn)行干燥；然后在印刷的絕緣材料上印刷標(biāo)識(shí)材料，并進(jìn)行干燥；然后進(jìn)行燒結(jié)，形成第二保護(hù)層和標(biāo)識(shí)層，所述第二保護(hù)層完全覆蓋住所述第一保護(hù)層，且兩端分別延伸覆蓋住所述第三正面電極的一部分；1、沿所述絕緣基板上每個(gè)折條線將經(jīng)過步驟h后的絕緣基板依序折成條狀半成品;j、采用專用真空濺射機(jī)對(duì)所述條狀半成品折條形成的側(cè)面進(jìn)行濺射，形成側(cè)面電極，所述側(cè)面電極延伸覆蓋住所述第一正面電極背向所述電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住所述第二正面電極背向所述第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住所述第三正面電極背向所述第二保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住所述背面電極背向所述絕緣基板中部的一端的端面；k、沿所述條狀半成品上每個(gè)折粒線將經(jīng)過步驟j后的條狀半成品依序折成粒狀半成品；1、在所述粒狀半成品的第三正面電極、側(cè)面電極和背面電極上滾鍍一層鎳材料，形成鎳鍍層，所述鎳鍍層完全覆蓋住所述第三正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鎳鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上；m、在所述鎳鍍層上滾鍍一層錫材料，形成錫鍍層，所述錫鍍層完全覆蓋住所述鎳鍍層，且所述錫鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟b中印刷電極材料的印刷方式、步驟c中印刷電阻材料的印刷方式、步驟d中印刷電極材料的印刷方式，步驟e中印刷絕緣材料的印刷方式、步驟g中印刷電極材料的印刷方式、步驟h中印刷絕緣材料的印刷方式、步驟h中印刷標(biāo)識(shí)材料的印刷方式均為絲網(wǎng)印刷。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟b中印刷的電極材料為銀漿料，步驟c中印刷的電阻材料為電阻漿料，步驟d中印刷的電極材料為銀鈀漿料，步驟e中印刷的絕緣材料為玻璃漿料，步驟g中印刷的電極材料為低溫樹脂銀衆(zhòng)，步驟h中印刷的絕緣材料為樹脂漿料。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述低溫樹脂銀漿的膨脹系數(shù)與所述樹脂漿料的膨脹系數(shù)相匹配。本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供一種厚膜抗硫化貼片電阻器及其制造方法，與現(xiàn)有技術(shù)中厚膜貼片電阻器的結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明通過在第一正面電極上增設(shè)一層第二正面電極，形成第二正面電極與電阻層以及第二正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。具體重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)可以為:電阻層加長(zhǎng)延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分。重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)還可以為:第一保護(hù)層加長(zhǎng)延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分。上述第二正面電極與電阻層或第一保護(hù)層重疊交錯(cuò)的方式，達(dá)到延長(zhǎng)硫化路徑的目的，從而提高了貼片電阻器的抗硫化性能。較佳的，第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。這樣，在貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時(shí)，即在溫變過程中，第二保護(hù)層的膨脹收縮和第二正面電極的膨脹收縮一致，可以有效避免了貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時(shí)存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。較佳的，可以通過在第二正面電極上增設(shè)第三正面電極，形成第一正面電極與電阻層，第二正面電極和第三正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。具體重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)可以為:電阻層加長(zhǎng)延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分，第一保護(hù)層延伸覆蓋住第二正面電極的一部分，第三正面電極覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第二保護(hù)層覆蓋住第三正面電極的一部分。重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)還可以為:第一保護(hù)層加長(zhǎng)延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第三正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第二保護(hù)層覆蓋住第三正面電極的一部分。通過上述重疊交錯(cuò)的方式，極大地延長(zhǎng)了硫化路徑，從而達(dá)到了提高貼片電阻器的抗硫化性能的目的。較佳的，第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與第三正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。避免了貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時(shí)存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。具體生產(chǎn)制造本發(fā)明貼片電阻器時(shí)，第二保護(hù)層的絕緣材料為樹脂漿料，第三正面電極的電極材料為特殊的低溫樹脂銀漿，且該低溫樹脂銀漿的膨脹系數(shù)與樹脂漿料的膨脹系數(shù)是完全匹配的，這就完全避免了電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時(shí)存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。本發(fā)明重疊交錯(cuò)的方法設(shè)計(jì)可以根據(jù)貼片電阻器的功能需要，在第一正面電極上控制增設(shè)正面電極的數(shù)量。比如，為了提高貼片電阻電極的散熱能力，獲得高功率的貼片電阻器，可以在第一正面電極上增設(shè)第二正面電極的同時(shí)，在第二正面電極上增設(shè)第三正面電極。由于本發(fā)明是從貼片電阻器的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)其抗硫化性，而非使用金屬材料來(lái)替換或包覆正面電極。因此，能夠大大降低厚膜抗硫化貼片電阻器的生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。
圖1為本發(fā)明所述步驟a后的絕緣基板不意圖；圖2為本發(fā)明所述步驟b后的絕緣基板下表面示意圖；圖3為本發(fā)明所述步驟b后的絕緣基板上表面不意圖；圖4為本發(fā)明所述步驟c后的絕緣基板不意圖；圖5為本發(fā)明所述步驟d后的絕緣基板不意圖；圖6為本發(fā)明所述步驟e后的絕緣基板不意圖；圖7為本發(fā)明所述步驟f后的絕緣基板不意圖；圖8為本發(fā)明所述步驟g后的絕緣基板不意圖；圖9為本發(fā)明所述步驟h后的絕緣基板不意圖；圖10為本發(fā)明所述步驟i后的條狀半成品示意圖；圖11為本發(fā)明所述步驟j后的條狀半成品不意圖12為本發(fā)明所述步驟k后的粒狀半成品示意圖；圖13為本發(fā)明所述步驟I后的粒狀半成品示意圖；圖14為本發(fā)明所述步驟m后的粒狀半成品示意圖；圖15為本發(fā)明實(shí)施例1 一剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖16為本發(fā)明實(shí)施例1另一剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖17為本發(fā)明實(shí)施例2剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖18為現(xiàn)有技術(shù)普通貼片電阻器剖面結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合附圖，作以下說明:10——絕緣基板11——折粒線12——折條線21——上表面22——第一正面電極2 3——電阻層24——第二正面電極25——第一保護(hù)層26——錯(cuò)射切線27——第三正面電極28——第二保護(hù)層29——標(biāo)識(shí)層31-下表面32-背面電極33——側(cè)面電極40——鎳鍍層50——錫鍍層
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例1如圖15和16所示，一種厚膜抗硫化貼片電阻器，包括一方形絕緣基板，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，絕緣基板兩端的下表面分別覆蓋有一層背面電極32 ;絕緣基板兩端的上表面分別覆蓋有一層第一正面電極22，兩個(gè)第一正面電極之間的絕緣基板的上表面覆蓋有一層電阻層23，兩個(gè)第一正面電極上覆蓋有一層第二正面電極24，然后在電阻層上依次覆蓋第一保護(hù)層25和第二保護(hù)層28 ;電阻層兩端分別延伸覆蓋住第一正面電極的一部分；第二正面電極延伸擇一覆蓋住電阻層的一部分和第一保護(hù)層的一部分；第二保護(hù)層延伸覆蓋住第二正面電極的一部分；與現(xiàn)有技術(shù)中厚膜貼片電阻器的結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明通過在第一正面電極上增設(shè)一層第二正面電極，第二正面電極與電阻層以及第二正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)，具體重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)可以為:電阻層加長(zhǎng)延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分，參見圖15。重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)還可以為:第一保護(hù)層加長(zhǎng)延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，參見圖16。上述第二正面電極與電阻層或第一保護(hù)層重疊交錯(cuò)的方式，達(dá)到延長(zhǎng)硫化路徑的目的，從而提高了貼片電阻器的抗硫化性能。絕緣基板兩端的端面上分別覆蓋有一層側(cè)面電極33，側(cè)面電極延伸覆蓋住第一正面電極背向電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住第二正面電極背向第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住背面電極背向絕緣基板中部的一端的端面；第二正面電極、側(cè)面電極和背面電極上覆蓋有一層鎳鍍層40，鎳鍍層完全覆蓋住第二正面電極、側(cè)面電極和背面電極，且鎳鍍層搭接在第二保護(hù)層的端面上；鎳鍍層上覆蓋有一層錫鍍層50，錫鍍層完全覆蓋住鎳鍍層，且錫鍍層搭接在第二保護(hù)層的端面上。優(yōu)選的，電阻層為通過激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層。優(yōu)選的，第二保護(hù)層上部分覆蓋有一層標(biāo)識(shí)層29。優(yōu)選的，第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。這樣，在貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時(shí)，即在溫變過程中，第二保護(hù)層的膨脹收縮和第二正面電極的膨脹收縮一致，可以有效避免了貼片電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時(shí)存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。實(shí)施例2如圖17所示，本實(shí)施例包括實(shí)施例1中的全部技術(shù)特征，其區(qū)別在于:另設(shè)有第三正面電極27，第三正面電極位于第二正面電極和鎳鍍層之間，且第三正面電極延伸擇一覆蓋住電阻層的一部分和第一保護(hù)層的一部分。通過在第二正面電極上增設(shè)第三正面電極，形成第一正面電極與電阻層，第二正面電極和第三正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。具體重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)可以為:電阻層加長(zhǎng)延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分，第一保護(hù)層延伸覆蓋住第二正面電極的一部分，第三正面電極覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第二保護(hù)層覆蓋住第三正面電極的一部分。重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)還可以為:第一保護(hù)層加長(zhǎng)延伸覆蓋住第一正面電極的一部分，然后第二正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第三正面電極延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分，第二保護(hù)層覆蓋住第三正面電極的一部分。通過上述重疊交錯(cuò)的方式，極大地延長(zhǎng)了硫化路徑，從而達(dá)到了提高貼片電阻器的抗硫化性能的目的。作為一種優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明厚膜抗硫化貼片電阻器的制造步驟如下:a、如圖1所示，制造貼片電阻器的載體是絕緣基板，制造一大片陶瓷基板10，該大片陶瓷基板的上表面20和下表面30均勻形成若干條沿寬度方向的折條線12和若干沿長(zhǎng)度方向的折粒線11，折條線和折粒線交叉形成格子狀，每個(gè)格子對(duì)應(yīng)最終制造的一個(gè)厚膜抗硫化貼片電阻器。b、如圖2所示，以每個(gè)折條線為對(duì)稱軸在該大片陶瓷基板的下表面上，通過絲網(wǎng)印刷的方式對(duì)稱印刷銀漿料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成背面電極32，相鄰兩個(gè)折條線上的背面電極間具有一定間距；這樣，印刷的背面電極位于寬度方向的折條線上，且呈對(duì)稱狀。C、如圖3所示，以每個(gè)折條線為對(duì)稱軸在該大片陶瓷基板的上表面上，通過絲網(wǎng)印刷的方式對(duì)稱印刷銀鈀漿料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第一正面電極22，相鄰兩個(gè)折條線上的第一正面電極間具有一定距離。這樣，印刷的第一正面電極位于寬度方向的折條線上，且呈對(duì)稱狀。d、如圖4所示，在相鄰兩個(gè)折條線上的第一正面電極間，通過絲網(wǎng)印刷的方式印刷電阻漿料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成電阻層23，且電阻層兩端分別延伸覆蓋住第一正面電極22的一部分，相鄰兩個(gè)電阻層間具有一定距離；這樣形成的電阻層交錯(cuò)對(duì)稱的搭接在第一正面電極22上。該設(shè)計(jì)和制造工藝與普通電阻的區(qū)別在于電阻層與第一正面電極的重迭區(qū)會(huì)很大，能夠有效延長(zhǎng)硫化的路徑，起到保護(hù)第一正面電極的作用。e、如圖5所示，在第一正面電極上通過絲網(wǎng)印刷的方式一印刷銀鈀漿料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第二正面電極24，第二正面電極延伸覆蓋住電阻層的一部分，相鄰兩個(gè)折條線上的第二正面電極間具有一定距離。這樣，第二正面電極、電阻層和第一正面電極形成部分重疊交錯(cuò)狀；進(jìn)一步延長(zhǎng)硫化的路徑，起到保護(hù)第一正面電極的作用。f、如圖6所示，在相鄰兩個(gè)折條線上的第二正面電極間的電阻層上通過絲網(wǎng)印刷的方式印刷玻璃漿料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第一保護(hù)層25，第一保護(hù)層完全覆蓋住電阻層，且兩端分別延伸覆蓋住第二正面電極的一部分。這樣，第一保護(hù)層完全覆蓋住電阻層，起到保護(hù)電阻層的作用。g、如圖7所示，采用激光鐳射穿過第一保護(hù)層和所述電阻層，在絕緣基板上形成鐳射切線26，調(diào)整電阻層的電阻值以達(dá)到所需的電阻值。這樣，可以實(shí)現(xiàn)電阻層電阻值的精確調(diào)整，滿足電阻器的實(shí)際需要。h、如圖8所示，在第二正面電極上通過絲網(wǎng)印刷的方式印刷低溫樹脂銀漿，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第三正面電極27，第三正面電極完全覆蓋住第二正面電極，且延伸覆蓋住第一保護(hù)層的一部分。這樣，第三正面電極、第一保護(hù)層、第二正面電極、電阻層和第一正面電極形成部分重疊交錯(cuò)狀，進(jìn)一步延長(zhǎng)硫化的路徑，起到保護(hù)第一正面電極的作用。較佳的，低溫樹脂銀漿的膨脹系數(shù)與樹脂漿料的膨脹系數(shù)設(shè)計(jì)成完成匹配，這就完全避免了電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時(shí)存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。1、如圖9所示，在相鄰兩個(gè)折條線上的第三正面電極之間的第一保護(hù)層上通過絲網(wǎng)印刷的方式印刷樹脂漿料，然后進(jìn)行干燥；然后通過絲網(wǎng)印刷的方式在其上局部印刷標(biāo)識(shí)材料，并進(jìn)行干燥；然后進(jìn)行燒結(jié)，形成第二保護(hù)層28和標(biāo)識(shí)層29，第二保護(hù)層完全覆蓋住第一保護(hù)層，且第二保護(hù)層沿寬度方向延伸至折粒線處，沿長(zhǎng)度方向延伸覆蓋住第三正面電極的一部分。這樣，第二保護(hù)層完全覆蓋住第一保護(hù)層，起到進(jìn)一步保護(hù)電阻層的作用。標(biāo)識(shí)層起到標(biāo)識(shí)產(chǎn)品的作用。j、如圖10所示，沿大片陶瓷基板上每個(gè)折條線將經(jīng)過步驟i后的大片陶瓷基板依序折成條狀半成品；k、如圖11所示，采用專用真空濺射機(jī)對(duì)條狀半成品折條形成的側(cè)面進(jìn)行濺射，形成側(cè)面電極33，側(cè)面電極延伸覆蓋住第一正面電極背向電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住第二正面電極背向第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住第三正面電極背向第二保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住背面電極背向所述絕緣基板中部的一端的端面；從而起到連通第一正面電極、第二正面電極、第三正面電極和背面電極的作用。1、如圖12所示，沿條狀半成品上每個(gè)折粒線將經(jīng)過步驟k后的條狀半成品依序折成粒狀半成品；m、如圖13所示，在粒狀半成品的第三正面電極、側(cè)面電極和背面電極上通過滾鍍方式滾鍍一層主要成分為鎳的材料，形成鎳鍍層40，鎳鍍層完全覆蓋住第三正面電極、側(cè)面電極和背面電極，且鎳鍍層搭接在第二保護(hù)層的端面上；η、如圖14所示，在鎳鍍層上通過滾鍍的方式滾鍍一層主要為錫的材料，形成錫鍍層50，錫鍍層完全覆蓋住鎳鍍層，且錫鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上，即形成本發(fā)明厚膜抗硫化貼片電阻器。本發(fā)明重疊交錯(cuò)的方法設(shè)計(jì)可以根據(jù)貼片電阻器的功能需要，在第一正面電極上控制增設(shè)正面電極的數(shù)量。比如，為了提高貼片電阻電極的散熱能力，獲得高功率的貼片電阻器，可以在第一正面電極上增設(shè)第二正面電極的同時(shí)，在第二正面電極上增設(shè)第三正面電極。由于本發(fā)明是從貼片電阻器的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)其抗硫化性，而非使用金屬材料來(lái)替換或包覆正面電極。因此，能夠大大降低厚膜抗硫化貼片電阻器的生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。以上實(shí)施例是參照附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種形式上的修改或變更，但不背離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)的情況下，都落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:包括一方形絕緣基板(10)，以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，所述絕緣基板兩端的下表面分別覆蓋有一層背面電極(32);所述絕緣基板兩端的上表面分別覆蓋有一層第一正面電極(22)，兩個(gè)所述第一正面電極之間的所述絕緣基板的上表面覆蓋有電阻層(23)，兩個(gè)所述第一正面電極上覆蓋有一層第二正面電極(24)，然后在所述電阻層上覆蓋第一保護(hù)層(25)，經(jīng)激光切割后，再覆蓋一層第二保護(hù)層(28);所述電阻層兩端分別延伸覆蓋住所述第一正面電極的一部分；所述第二正面電極延伸擇一覆蓋住所述電阻層的一部分和所述第一保護(hù)層的一部分；所述第二保護(hù)層延伸覆蓋住所述第二正面電極的一部分； 所述絕緣基板兩端的端面上分別覆蓋有一層側(cè)面電極(33)，所述側(cè)面電極延伸覆蓋住所述第一正面電極背向所述電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住所述第二正面電極背向所述第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住所述背面電極背向所述絕緣基板中部的一端的端面； 所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極上覆蓋有一層鎳鍍層(40)，所述鎳鍍層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鎳鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上；所述鎳鍍層上覆蓋有一層錫鍍層(50)，所述錫鍍層完全覆蓋住所述鎳鍍層，且所述錫鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:所述電阻層為通過激光鐳射調(diào)整至設(shè)定阻值的電阻層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:所述第二保護(hù)層上部分覆蓋有一層標(biāo)識(shí)層(29)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:所述第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與所述第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:另設(shè)有第三正面電極(27)，所述第三正面電極位于所述第二正面電極和所述鎳鍍層之間，且所述第三正面電極延伸擇一覆蓋住所述電阻層的一部分和所述第一保護(hù)層的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的厚膜抗硫化貼片電阻器，其特征在于:所述第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與所述第三正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。
7.—種如權(quán)利要求5所述厚膜抗硫化貼片電阻器的制造方法，其特征在于:以使用方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，包括如下步驟: a、制備一大片絕緣基板，在所述絕緣基板的上表面(20)和下表面(30)均勻形成若干條沿寬度方向的折條線(12)和若干沿長(zhǎng)度方向的折粒線(11)，所述折條線和所述折粒線交叉形成格子狀； b、以每個(gè)折條線為對(duì)稱軸在所述絕緣基板的下表面和上表面分別對(duì)稱印刷電極材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成背面電極(32)和第一正面電極(22)，相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述背面電極間和所述第一正面電極間均具有一定間距； C、在相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述第一正面電極間印刷電阻材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成電阻層(23)，且所述電阻層兩端分別延伸覆蓋住所述第一正面電極的一部分，相鄰兩個(gè)所述電阻層間具有一定距離； d、在所述第一正面電極上印刷電極材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第二正面電極((24)，所述第二正面電極延伸覆蓋住所述電阻層的一部分，相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述第二正面電極間具有一定距離； e、在相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述第二正面電極間的所述電阻層上印刷絕緣材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第一保護(hù)層(25)，所述第一保護(hù)層完全覆蓋住所述電阻層，且兩端分別延伸覆蓋住所述第二正面電極的一部分； f、采用激光鐳射穿過所述第一保護(hù)層和所述電阻層，在所述絕緣基板上形成鐳射切線(26)，調(diào)整所述電阻層的電阻值以達(dá)到所需的電阻值； g、在所述第二正面電極上印刷電極材料，然后進(jìn)行干燥和燒結(jié)，形成第三正面電極(27)，所述第三正面電極完全覆蓋住所述第二正面電極，且延伸覆蓋住所述第一保護(hù)層的一部分； h、在相鄰兩個(gè)所述折條線上的所述第三正面電極之間的第一保護(hù)層上印刷絕緣材料，然后進(jìn)行干燥；然后在印刷的絕緣材料上印刷標(biāo)識(shí)材料，并進(jìn)行干燥；然后進(jìn)行燒結(jié)，形成第二保護(hù)層(28)和標(biāo)識(shí)層(29)，所述第二保護(hù)層完全覆蓋住所述第一保護(hù)層，且兩端分別延伸覆蓋住所述第三正面電極的一部分； i、沿所述絕緣基板上每個(gè)折條線將經(jīng)過步驟h后的絕緣基板依序折成條狀半成品； j、采用專用真空濺射機(jī)對(duì)所述條狀半成品折條形成的側(cè)面進(jìn)行濺射，形成側(cè)面電極(33)，所述側(cè)面電極延伸覆蓋住所述第一正面電極背向所述電阻層的一端的端面、且延伸覆蓋住所述第二正面電極背向所述第一保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住所述第三正面電極背向所述第二保護(hù)層的一端的端面，且延伸覆蓋住所述背面電極背向所述絕緣基板中部的一端的端面； k、沿所述條狀半成品上每個(gè)折粒線將經(jīng)過步驟j后的條狀半成品依序折成粒狀半成品; .1、在所述粒狀半成品的第三正面電極、側(cè)面電極和背面電極上滾鍍一層鎳材料，形成鎳鍍層(40 )，所述鎳鍍層完全覆蓋住所述第三正面電極、所述側(cè)面電極和所述背面電極，且所述鎳鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上； m、在所述鎳鍍層上滾鍍一層錫材料，形成錫鍍層(50)，所述錫鍍層完全覆蓋住所述鎳鍍層，且所述錫鍍層搭接在所述第二保護(hù)層的端面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的厚膜抗硫化貼片電阻器的制造方法，其特征在于:步驟b中印刷電極材料的印刷方式、步驟c中印刷電阻材料的印刷方式、步驟d中印刷電極材料的印刷方式，步驟e中印刷絕緣材料的印刷方式、步驟g中印刷電極材料的印刷方式、步驟h中印刷絕緣材料的印刷方式、步驟h中印刷標(biāo)識(shí)材料的印刷方式均為絲網(wǎng)印刷。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的厚膜抗硫化貼片電阻器的制造方法，其特征在于:步驟b中印刷的電極材料為銀漿料，步 驟c中印刷的電阻材料為電阻衆(zhòng)料，步驟d中印刷的電極材料為銀鈀漿料，步驟e中印刷的絕緣材料為玻璃漿料，步驟g中印刷的電極材料為低溫樹脂銀漿，步驟h中印刷的絕緣材料為樹脂漿料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的厚膜抗硫化貼片電阻器的制造方法，其特征在于:所述低溫樹脂銀漿的膨脹系數(shù)與所述樹脂漿料的膨脹系數(shù)相匹配。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種厚膜抗硫化貼片電阻器及其制造方法，在第一正面電極上增設(shè)一層第二正面電極，形成第二正面電極與電阻層以及第二正面電極與第一保護(hù)層的重疊交錯(cuò)結(jié)構(gòu)，且第二保護(hù)層的膨脹系數(shù)與第二正面電極的膨脹系數(shù)相匹配。上述結(jié)構(gòu)方法設(shè)計(jì)，極大地延長(zhǎng)了硫化路徑，從而達(dá)到了提高貼片電阻器的抗硫化性能的目的，且避免了電阻器在PCB板波峰焊或回流焊接時(shí)存在的電鍍鎳層和電鍍錫層與第二保護(hù)層因材料膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)裂縫，致使硫化氣體腐蝕電極的現(xiàn)象。因此，本發(fā)明能夠大大降低厚膜抗硫化貼片電阻器的生產(chǎn)成本，使其能夠廣泛應(yīng)用到普通的電子產(chǎn)品中。
文檔編號(hào)H01C17/02GK103165250SQ201310120720
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2013年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月9日
發(fā)明者彭榮根, 徐玉花, 杜杰霞, 王晨 申請(qǐng)人:昆山厚聲電子工業(yè)有限公司