一種ntc熱敏電阻器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種NTC熱敏電阻器的制造方法，包括如下步驟：NTC熱敏電阻器的納米級(jí)陶瓷芯片的制作，采用稀有金屬元素?fù)诫s技術(shù)，多元配方體系相對(duì)應(yīng)環(huán)保銀電極的制備技術(shù)，玻璃封裝工藝。采用本發(fā)明技術(shù)方案，提高了電阻的可靠性和信賴(lài)性，提高了阻值一致性，提升了良品率，提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和使用壽命。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種NTC熱敏電阻器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電阻器，具體涉及一種NTC熱敏電阻器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]NTC熱敏電阻器廣泛應(yīng)用于家用電器、醫(yī)療器械、汽車(chē)等行業(yè)，能夠起到溫度測(cè)量、溫度補(bǔ)償、抑制浪涌電流等作用，將傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)與信息技術(shù)、自動(dòng)化技術(shù)、現(xiàn)代管理技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造和企業(yè)管理的信息化、生產(chǎn)過(guò)程控制的智能化、制造裝備的數(shù)控化，對(duì)于提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，扭轉(zhuǎn)我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展高投入低產(chǎn)出的局面，實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)由資源、資金等要素驅(qū)動(dòng)型向科技驅(qū)動(dòng)型轉(zhuǎn)變具有重要意義。
[0003]NTC熱敏電阻在國(guó)內(nèi)的大量應(yīng)用始于上世紀(jì)八十年代初期。近年來(lái)，隨著家用電器、汽車(chē)、通訊設(shè)備，醫(yī)療儀器等產(chǎn)品的更新?lián)Q代和技術(shù)進(jìn)步，國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)對(duì)溫度傳感器的需求量日益增大，NTC熱敏電阻因其良好的性能，成為溫度傳感器市場(chǎng)的主導(dǎo)產(chǎn)品之一。自2006年起，我國(guó)電子工業(yè)將敏感元件和傳感器作為行業(yè)重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域之一，是國(guó)家確定的電子信息產(chǎn)業(yè)的三大支柱之一，被認(rèn)為是最具發(fā)展前途的電子技術(shù)產(chǎn)品。市場(chǎng)銷(xiāo)售額連續(xù)三年保持兩位數(shù)的增長(zhǎng)。
[0004]現(xiàn)階段，我國(guó)NTC熱敏電阻正處于成長(zhǎng)期階段，產(chǎn)品品種規(guī)格少，種類(lèi)不全，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)水平相對(duì)較低，生產(chǎn)技術(shù)不完善，產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性較差，存在著一致性，互換性不足現(xiàn)象。隨著電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，未來(lái)NTC熱敏電阻將向體積更小、阻值精度更高、響應(yīng)時(shí)間更快的趨勢(shì)發(fā)展。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種NTC熱敏電阻器，解決了產(chǎn)品性能不穩(wěn)定、阻值精度不夠高、產(chǎn)品功率損耗大的問(wèn)題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0007]一種NTC熱敏電阻器的制造方法，其特征在于:包括如下步驟:
[0008]I)、NTC熱敏電阻器的納米級(jí)陶瓷芯片的制作:流程為配料，一次球磨，烘干，二次球磨，烘干，粉碎，預(yù)壓，等靜壓，預(yù)燒，燒結(jié)，采用納米級(jí)金屬氧化物作為主要配方原料，獲得結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的AB204尖晶石晶界相體，同時(shí)，使每一批次的耗能降低48Kw/h，采用ALO埋燒技術(shù)后，在高溫Al氣氛中燒結(jié)，在相對(duì)短的時(shí)間和降低峰值溫度的情況下，四元系配方的燒結(jié)峰值溫度從1250度調(diào)低到1185度，峰值溫度保持燒結(jié)從8小時(shí)降低到6小時(shí)，能夠節(jié)省18Kw/h的電量。
[0009]2)、采用稀有金屬元素?fù)诫s技術(shù):將二氧化鋯、氧化釔二氧化硅和碳酸鋇等稀有金屬元素適量摻雜，能夠在等同于常規(guī)的工藝條件下，生產(chǎn)出電阻值，熱敏指數(shù)基本不變的熱敏電阻陶瓷芯片，而信賴(lài)性卻從原來(lái)的2.7%降低到0.5%。
[0010]3)、多元配方體系相對(duì)應(yīng)環(huán)保銀電極的制備技術(shù):根據(jù)配方體系中各元素含量的區(qū)別，使用恰當(dāng)比例含銀量的無(wú)鉛環(huán)保純銀漿，結(jié)合燒銀過(guò)程中無(wú)機(jī)物揮發(fā)的控制，能夠使熱敏電阻瓷片的一致性提高到95%，信賴(lài)性指標(biāo)中的漂移一項(xiàng)下降至0.8%。
[0011]4)、玻璃封裝工藝:封裝曲線(xiàn)由常規(guī)的抽真空，充氮?dú)?，加熱升溫，峰值溫度，自然降溫變成抽真空，充氮?dú)?，加熱升溫，充氮?dú)猓?，充氮加熱至峰值溫度，冷卻水輔助控制勻速降溫，這樣既防止了陶瓷芯片銀電極的氧化又使引線(xiàn)杜美頭和銀電極良好的接觸，玻封管緊密地對(duì)杜美頭的包裹有效杜絕了電阻使用過(guò)程中電鍍酸和焊錫膏對(duì)芯片的滲透，根據(jù)玻封管特性中玻殼的軟化點(diǎn)溫度、融化點(diǎn)溫度，結(jié)合公司真空焊接爐的特性，二極管玻封與MELF封裝采用多套焊接曲線(xiàn)，最大限度的保證了電阻在焊接石墨模具上經(jīng)受相同的加熱電流和封裝溫度，采用大功率大電流加熱，4分鐘即可快速升溫至封裝溫度，能夠保護(hù)陶瓷芯片的銀電極在300-500度溫度區(qū)間免受沖擊，保證熱敏電阻阻值的一致性。
[0012]進(jìn)一步的，一次球磨時(shí)間為8小時(shí)，二次球磨時(shí)間為4小時(shí)，采用控制燒結(jié)氣氛技術(shù)進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)。
[0013]本發(fā)明的有益效果:
[0014]采用本發(fā)明技術(shù)方案，提高了電阻的可靠性和信賴(lài)性，提高了阻值一致性，提升了良品率，提聞了廣品的穩(wěn)定性和使用壽命。
[0015]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例詳細(xì)給出。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合實(shí)施例，來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0017]一種NTC熱敏電阻器的制造方法，其特征在于:包括如下步驟:
[0018]I)、NTC熱敏電阻器的納米級(jí)陶瓷芯片的制作:流程為配料，一次球磨，烘干，二次球磨，烘干，粉碎，預(yù)壓，等靜壓，預(yù)燒，燒結(jié)，采用納米級(jí)金屬氧化物作為主要配方原料，獲得結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的AB204尖晶石晶界相體，同時(shí)，使每一批次的耗能降低48Kw/h，采用ALO埋燒技術(shù)后，在高溫Al氣氛中燒結(jié)，在相對(duì)短的時(shí)間和降低峰值溫度的情況下，四元系配方的燒結(jié)峰值溫度從1250度調(diào)低到1185度，峰值溫度保持燒結(jié)從8小時(shí)降低到6小時(shí)，能夠節(jié)省18Kw/h的電量。
[0019]2)、采用稀有金屬元素?fù)诫s技術(shù):將二氧化鋯、氧化釔二氧化硅和碳酸鋇等稀有金屬元素適量摻雜，能夠在等同于常規(guī)的工藝條件下，生產(chǎn)出電阻值，熱敏指數(shù)基本不變的熱敏電阻陶瓷芯片，而信賴(lài)性卻從原來(lái)的2.7%降低到0.5%。
[0020]3)、多元配方體系相對(duì)應(yīng)環(huán)保銀電極的制備技術(shù):根據(jù)配方體系中各元素含量的區(qū)別，使用恰當(dāng)比例含銀量的無(wú)鉛環(huán)保純銀漿，結(jié)合燒銀過(guò)程中無(wú)機(jī)物揮發(fā)的控制，能夠使熱敏電阻瓷片的一致性提高到95%，信賴(lài)性指標(biāo)中的漂移一項(xiàng)下降至0.8%。
[0021]4)、玻璃封裝工藝:封裝曲線(xiàn)由常規(guī)的抽真空，充氮?dú)?，加熱升溫，峰值溫度，自然降溫變成抽真空，充氮?dú)?，加熱升溫，充氮?dú)?，保溫，充氮加熱至峰值溫度，冷卻水輔助控制勻速降溫，這樣即防止了陶瓷芯片銀電極的氧化又使引線(xiàn)杜美頭和銀電極良好的接觸，玻封管緊密地對(duì)杜美頭的包裹有效杜絕了電阻使用過(guò)程中電鍍酸和焊錫膏對(duì)芯片的滲透，根據(jù)玻封管特性中玻殼的軟化點(diǎn)溫度、融化點(diǎn)溫度，結(jié)合公司真空焊接爐的特性，二極管玻封與MELF封裝采用多套焊接曲線(xiàn)，最大限度的保證了電阻在焊接石墨模具上經(jīng)受相同的加熱電流和封裝溫度，采用大功率大電流加熱，4分鐘即可快速升溫至封裝溫度，能夠保護(hù)陶瓷芯片的銀電極在300-500度溫度區(qū)間免受沖擊，保證熱敏電阻阻值的一致性。
[0022]進(jìn)一步的，使一次球磨時(shí)間為8小時(shí)，二次球磨時(shí)間為4小時(shí)，采用控制燒結(jié)氣氛技術(shù)進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)。
[0023]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種NTC熱敏電阻器的制造方法，其特征在于:包括如下步驟: 1)、NTC熱敏電阻器的納米級(jí)陶瓷芯片的制作:流程為配料，一次球磨，烘干，二次球磨，烘干，粉碎，預(yù)壓，等靜壓，預(yù)燒，燒結(jié)，采用納米級(jí)金屬氧化物作為主要配方原料，獲得結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的AB204尖晶石晶界相體，同時(shí)，使每一批次的耗能降低48Kw/h，采用ALO埋燒技術(shù)后，在高溫Al氣氛中燒結(jié)，在相對(duì)短的時(shí)間和降低峰值溫度的情況下，四元系配方的燒結(jié)峰值溫度從1250度調(diào)低到1185度，峰值溫度保持燒結(jié)從8小時(shí)降低到6小時(shí)。 2)、采用稀有金屬元素?fù)诫s技術(shù):將二氧化鋯、氧化釔二氧化硅或碳酸鋇稀有金屬元素適量摻雜，能夠在等同于常規(guī)的工藝條件下，生產(chǎn)出電阻值，熱敏指數(shù)基本不變的熱敏電阻陶瓷芯片，而信賴(lài)性卻從原來(lái)的2.7%降低到0.5%。 3)、多元配方體系相對(duì)應(yīng)環(huán)保銀電極的制備技術(shù):根據(jù)配方體系中各元素含量的區(qū)別，使用恰當(dāng)比例含銀量的無(wú)鉛環(huán)保純銀漿，結(jié)合燒銀過(guò)程中無(wú)機(jī)物揮發(fā)的控制，能夠使熱敏電阻瓷片的一致性提高到95%，信賴(lài)性指標(biāo)中的漂移一項(xiàng)下降至0.8%。 4)、玻璃封裝工藝:封裝曲線(xiàn)由常規(guī)的抽真空，充氮?dú)?，加熱升溫，峰值溫度，自然降溫變成抽真空，充氮?dú)?，加熱升溫，充氮?dú)?，保溫，充氮加熱至峰值溫度，冷卻水輔助控制勻速降溫，玻封管緊密地對(duì)杜美頭的包裹有效杜絕了電阻使用過(guò)程中電鍍酸和焊錫膏對(duì)芯片的滲透，玻封管特性中玻殼的軟化點(diǎn)溫度、融化點(diǎn)溫度，結(jié)合公司真空焊接爐的特性，二極管玻封與MELF封裝采用多套焊接曲線(xiàn)，最大限度的保證了電阻在焊接石墨模具上經(jīng)受相同的加熱電流和封裝溫度，采用大功率大電流加熱，4分鐘即可快速升溫至封裝溫度，能夠保護(hù)陶瓷芯片的銀電極在300-500度溫度區(qū)間免受沖擊，保證熱敏電阻阻值的一致性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NTC熱敏電阻器的制造方法，其特征在于:所述步驟(I)中，一次球磨時(shí)間為8小時(shí)，二次球磨時(shí)間為4小時(shí)，采用控制燒結(jié)氣氛技術(shù)進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)。
【文檔編號(hào)】H01C7/04GK103578675SQ201210263942
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月27日
【發(fā)明者】金建方, 楊睿智, 嚴(yán)惠民 申請(qǐng)人:蘇州星火電子科技有限公司