軟性電子裝置及其制作方法

專利名稱：軟性電子裝置及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種軟性電子裝置，特別是有關(guān)于ー種軟性電子裝置的制作方法。
背景技術(shù)：
有兩種方法主要用以制造軟性顯示器卷對(duì)卷(roll to roll)以及貼附軟性基材至玻璃基材。對(duì)于后者的方法，已證明從玻璃基材分離軟性基材以便完成軟性顯示器的制造過(guò)程為一艱巨的事。ー種公知離型方法將犧牲層插入軟性基材與玻璃基材之間，其中犧牲層的材料為氧化物，此氧化物可吸收某些波長(zhǎng)的激光的能量。借著激光掃掠玻璃基材的背面，氧化層吸收穿透玻璃基材的激光能量，如此ー來(lái)軟性基材與玻璃基材分離。然而，激光的使用増加成本且對(duì)電子零件造成損傷。另一方法設(shè)置一有機(jī)離型層于軟性基材與玻璃基材之間。然而，在制造有機(jī)離型層的期間可能形成小島結(jié)構(gòu)，此些小島結(jié)構(gòu)可能造成孔洞形成于軟性基材中、以及軟性基材的非均勻厚度。因此，在此領(lǐng)域中，存在ー個(gè)至今仍未提出的需求，以對(duì)付上述缺陷與不足。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的ー態(tài)樣中，ー種軟性電子裝置的制作方法，包含提供基材；形成第一層于基材上，以在基材中定義出第一區(qū)域與第二區(qū)域，第二區(qū)域圍繞第一區(qū)域，以至少局部地暴露出第一區(qū)域中的基材，且第一層至少部分位于第二區(qū)域中；形成第二層于第一區(qū)域與第二區(qū)域上方的第一層上，因而第二層與第一區(qū)域中的基材間的附著力較第二層與第二區(qū)域中的第一層間的附著力弱；形成電子裝置層于第一區(qū)域上方的第二層上，其中電子裝置層在第一區(qū)域上定義出邊界，且此邊界投影地位于第一區(qū)域中；以及通過(guò)沿著輪廓切穿第二層的方式，將電子裝置層和部分的第二層與基材分離，此輪廓相等于或大于電子裝置層的邊界，但不超出第一區(qū)域。在本發(fā)明的另ー態(tài)樣中，ー種軟性電子裝置的制作方法，包含提供基材，此基材具有第一表面與相対的第二表面；涂布第一聚酰胺酸(Polyamic Acid ；PAA)在基材的第一表面上，以形成第一聚亞酰胺(Polyimide)層，借以在基材中定義出第一區(qū)域與第二區(qū)域，其中第一聚亞酰胺層形成在第一區(qū)域上，且第二區(qū)域圍繞第一區(qū)域；涂布第二聚酰胺酸于基材的第一區(qū)域中的第一聚亞酰胺層與基材的第二區(qū)域上，以形成第二聚亞酰胺層在第一聚亞酰胺層與第二區(qū)域上，其中第二聚酰胺酸以有機(jī)硅烷合成，如此第一聚亞酰胺層與第一區(qū)域中的基材間的附著力較第二聚亞酰胺層與第二區(qū)域中的基材間的附著力弱；形成電子裝置層于第一區(qū)域上方的第二聚亞酰胺層上，其中電子裝置層于第一區(qū)域上定義出邊 界，且此邊界投影地位于第一區(qū)域中；以及通過(guò)沿著輪廓切穿第二聚亞酰胺層與第一聚亞酰胺層的方式，將電子裝置層、部分的第二聚亞酰胺層和部分的第一聚亞酰胺層與基材分離，此輪廓相等于或大于電子裝置層的邊界，但不超出第一區(qū)域。在本發(fā)明的又ー態(tài)樣中，本發(fā)明關(guān)于ー種依照以上所公開(kāi)的方法所制作的軟性電子裝置。本發(fā)明的這些與其他態(tài)樣從結(jié)合下列附圖所做的較佳實(shí)施例的描述中將變得更明顯，然而在不偏離本發(fā)明公開(kāi)的新觀念的精神與范圍下，可變更其中的變化與變異。


所附附圖繪示出本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例，連同所載描述，用以解釋本發(fā)明的原理。只要有可能，相同參考符號(hào)應(yīng)用于整個(gè)附圖中，以表示一實(shí)施例的相同或相似元件，其中圖IA至圖IG圖繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的ー種軟性電子裝置的制作エ藝的示意圖；圖2A至圖2H繪示根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施例的ー種軟性電子裝置的制作エ藝的示意圖；以及圖3A至圖3H繪示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的ー種軟性電子裝置的制作エ藝的示意圖。其中，附圖標(biāo)記110:基材111 :第一區(qū)域112:第一表面113:第二區(qū)域114:第二表面120 :助粘層126:掩膜128 :紫外光130:塑膠層140:電子裝置層142 :邊界210 :基材211 :第一區(qū)域212 :上表面213 :第二區(qū)域214 :第二表面220 :抗剝離層222:圖案224:圖案226 :光阻228 :等離子230 :塑膠層240 電子裝置層242 :邊界310 :基材311 :第一區(qū)域311A:輪廓312 :上表面313 :第二區(qū)域314 :第二表面320 :第一聚亞酰胺層 322 :上表面330:第二聚亞酰胺層 340:電子裝置層342 :邊界
具體實(shí)施例方式以下將參考附圖而更充分地描述本發(fā)明，其中附圖繪示出本發(fā)明的示范實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同形式加以體現(xiàn)，且不應(yīng)理解為限制于此所提出的實(shí)施例。相反地，由于此些實(shí)施例的提供，因而此公開(kāi)可對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員徹底、完全且完整表達(dá)本發(fā)明的范圍。相同的參考數(shù)字在各處代表相同的元件。
可理解的是當(dāng)稱一元件位于另一元件“上(on) ”時(shí)，其可為直接位于其他元件上、或介于中間的元件可出現(xiàn)在其間。相反地，當(dāng)稱一元件直接位于另一元件“上(directlyon)”時(shí)，并無(wú)介于中間的元件出現(xiàn)。如于此所使用，用語(yǔ)(terms) “和/或(and/or) ”包含一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的列出項(xiàng)目的任一與所有組合?？衫斫獾氖?雖然在此可使用用語(yǔ)第一(first),第二(second)與第三(third)等來(lái)描述各種元件、零件、區(qū)域、層和/或部分，但此些用語(yǔ)不應(yīng)限制此些元件、零件、區(qū)域、層和/或部分。此些用語(yǔ)僅用以區(qū)別一元件、零件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、零件、 區(qū)域、層和/或部分。因此，可在不偏離本發(fā)明的教示的情況下，將以下討論的第一元件、零件、區(qū)域、層和/或部分稱為第二元件、零件、區(qū)域、層和/或部分。在此使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例的目的，并非用以限制本發(fā)明。如于此所使用，除非內(nèi)容清楚指定，単數(shù)形式“一(a)”與“該(the)”亦欲包含多數(shù)形式。將進(jìn)一歩了解的是，用語(yǔ)“包含(comprises) ”及/或“包含(comprising) ”、或“包含(includes) ”及/或“包含(including)”、或“具有(has)”及/或“具有(having) ”應(yīng)用在說(shuō)明書(shū)中時(shí)，明確說(shuō)明所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元素、及/或構(gòu)件的存在，但并未排除一或更多其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、零件及/或其族群的存在或加入。此外，相對(duì)用語(yǔ)，例如“下(lower) ”或“底部(bottom) ”和“上(upper) ”或“頂部(top)”于此可用以描述如圖中所繪示的一元件與另一元件的關(guān)系。可理解的是，除了圖中所描繪的方位外，相對(duì)用語(yǔ)意欲包含元件的不同方位。例如若圖中的元件翻轉(zhuǎn)，被描述為在此另一元件的“下”側(cè)的元件接下來(lái)將位于此另一元件的“上”側(cè)的方位。因此，例示性用語(yǔ)“下”根據(jù)圖的特定方位可包含“下”和“上”的兩方位。相同地，若圖中的元件翻轉(zhuǎn)，被描述為在另一元件“之下(below)”或“下方(beneath)”的元件則接下來(lái)將位于此另一元件的“上方(above)”的方位。因此，例示性用語(yǔ)“之下”或“下方”可包含上方及下方兩方位。除非特別定義，否則在此所使用的所有用語(yǔ)(包含科技與科學(xué)用語(yǔ))具有相同于熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域者所廣為了解的意義。將可進(jìn)ー步了解的是，用語(yǔ)，例如以常用辭典定義的用語(yǔ)，應(yīng)解釋成具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和本公開(kāi)的上下文中的意義一致的意義，且將不會(huì)以理想化或過(guò)度正式的意義來(lái)加以解讀，除非在此這樣特別定義。如在此所使用的用語(yǔ)“大約(around) ”、“約(about)”或“近乎(approximately)”應(yīng)大體上意味在給定值或范圍的20 %以內(nèi)，較佳在10 %以內(nèi)，更佳在5 %內(nèi)。在此所提供的數(shù)量為近似的，因此意味著若無(wú)特別陳述，可以用語(yǔ)“大約”、“約”或“近乎”加以表示?？闪私馊缭诖怂褂玫挠谜Z(yǔ)“包含(comprising) ”、“包含(including) ”、“具有(having) ”、“含有(containing) ”、“包含(involving) ”等等，為開(kāi)放性的(open-ended)，即意指包含但不限干。于此所使用的用語(yǔ)“層(layer) ”指薄片或薄膜。關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例將結(jié)合附IA-圖1G、圖2A-圖2H與圖3A-圖3H進(jìn)行描述。依照本發(fā)明的目的，如同在此體現(xiàn)與概括描述的，在ー態(tài)樣中，本發(fā)明關(guān)于ー種軟性電子裝置的制作方法。現(xiàn)在請(qǐng)參考圖IA-圖1G，其繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的ー種軟性電子裝置的制作方法。此方法包含以下步驟首先，提供基材110，基材110具有第一(平坦)表面112與相対的第二表面114。基材110可為玻璃、石英、塑膠、陶瓷、金屬或其他類似材料的平坦基材。在一示范實(shí)施例中，基材110平坦的玻璃基材。然后，以助粘材料形成助粘層120于基材110的第一表面112上，如圖IB所示。在一例子中，助粘材料有機(jī)硅烷?？衫斫獾氖瞧渌巢牧弦嗫捎靡詫?shí)施本發(fā)明。在一實(shí)施例中，形成助粘層120時(shí)包含以下步驟以含有有機(jī)硅烷的助粘材料涂布基材110的第一表面112,及在第一溫度下烘烤涂布于基材110的有機(jī)娃燒第一段時(shí)間，以形成助粘層120于基材110上，如圖IB所示。涂布エ藝包含涂過(guò)量的有機(jī)硅烷溶液至平坦基材110的第一表面112，如圖IA所示，然后在高轉(zhuǎn)速下旋轉(zhuǎn)有機(jī)硅烷溶液，以散開(kāi)有機(jī)娃燒溶液，而形成涂布有有機(jī)娃燒的基材。在一實(shí)施例中，第一溫度的范圍介于約50°C至250°C，且第一段時(shí)間的范圍介于約5分鐘至10分鐘。烘烤(第一)溫度和時(shí)間較佳約120°C與約5分鐘，或約200°C與約I分鐘。在另ー實(shí)施例中，形成助粘層120時(shí)包含氣相涂布助粘材料于基材110的第一表面112，以形成助粘層120，如圖IB所示。氣相涂布エ藝可為物理氣相沉積(Physical VaporDeposition ；PVD)エ藝、化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition ；CVD)エ藝或其他類似的エ藝。此外，對(duì)助粘層120進(jìn)行圖案化工藝，以在基材110中定義出第一區(qū)域111與第二區(qū)域113，第二區(qū)域113圍繞第一區(qū)域111。在一實(shí)施例中，圖案化工藝包含轉(zhuǎn)印具有對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域111與第二區(qū)域113的圖案的掩膜126于助粘層120上，以及在空氣或氧氣的環(huán)境中，例如烘箱，以紫外(Ultraviolet ；UV)光128處理助粘層120與基材110，如此UV光照射第一區(qū)域111上的助粘層120，而第二區(qū)域113上的助粘層120則被遮蔽而不受UV光照射，如圖IC所示。在第二溫度下進(jìn)行圖案化工藝第二段時(shí)間。第二溫度的范圍介于約25°C至300°C，且第二段時(shí)間的范圍介于約I分鐘至10分鐘。第二溫度與第二段時(shí)間較佳約200°C與約5分鐘。此外，利用UV光移除第一區(qū)域111上的助粘層120的部分，如此暴露出第一區(qū)域111中的基材110的第一表面112，而助粘層120僅位于第二區(qū)域113上，如圖ID所示。接著，形成塑膠層130于第一區(qū)域111及第ニ區(qū)域113上方的助粘層120上，如圖IE所示。例如聚亞酰胺的塑膠層130軟性的，且作為軟性電子零件和/或裝置的基礎(chǔ)。在一實(shí)施例中，形成塑膠層的步驟包含以聚酰胺酸涂布第一區(qū)域111及第ニ區(qū)域113上方的助粘層120，以在第一區(qū)域111與助粘層120上形成聚酰胺酸層，以及固化(curing)此聚酰胺酸層，以形成塑膠層130。如此ー來(lái)，塑膠層130與第一區(qū)域111中的基材110間的附著力比塑膠層130與第二區(qū)域113中的助粘層120間的附著力弱?？衫斫獾氖瞧渌牧弦嗫墒褂脕?lái)形成軟性塑膠層。此外，電子裝置層140形成在第一區(qū)域111上方的塑膠層130上，其中電子裝置層140在第一區(qū)域111上界定出邊界142，如圖IF所示。邊界142投影地位于第一區(qū)域111中。電子裝置層140可為ー個(gè)或 多個(gè)薄膜晶體管(Thin Film Transistors ；TFTs)或任何其他電子零件。然后，通過(guò)沿著一輪廓來(lái)切穿塑膠層130，而將電子裝置層140和部分塑膠層130與基材110分離，此輪廓相等于或大于電子裝置層140的邊界142，但不超出第一區(qū)域111，如圖IG所示。由于塑膠層130與第一區(qū)域111中的基材110間的附著力比塑膠層130與第二區(qū)域113中的助粘層120間的附著力弱，因此將很容易的從基材110分離電子裝置層140與第一區(qū)域111中的塑膠層130。圖2A-圖2H繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的ー種軟性電子裝置的制作方法。相同地，需要平坦基材210，例如玻璃、石英、塑膠、陶瓷或金屬基材，來(lái)制造軟性電子裝置?；?10通常具有平坦上(第一)表面212與相対的第二表面214。此方法始于以抗剝離材料形成抗剝離層220在基材210的平坦上表面212上，此抗剝離材料包含金屬氧化物，如圖2A所示。在一實(shí)施例中，形成抗剝離層220的步驟包含濺鍍抗剝離材料于基材210的平坦上表面212上。在另ー實(shí)施例中，形成抗剝離層220的步驟包含氣相涂布抗剝離材料在基材210的平坦上表面212上。在一實(shí)施例中，抗剝離材料包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide ;ΙΤ0)?？衫斫獾氖瞧渌箘冸x材料與其他材料沉積エ藝亦可用以實(shí)施本發(fā)明。下一步驟圖案化抗剝離層220，以在基材210中定義出第一區(qū)域211與第二區(qū)域213，第二區(qū)域213圍繞第一區(qū)域211。在一實(shí)施例中，圖案化抗剝離層220的步驟包含定義抗剝離層220上方的具有對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域211與第二區(qū)域213的圖案的光阻226 ；以蝕刻劑或等離子228蝕刻第一區(qū)域211上的抗剝離層；及移除第二區(qū)域213上的光阻226，如圖2Β與圖2C所示。此エ藝以光學(xué)光刻或其他類似方式進(jìn)行。在一實(shí)施例中，圖案化第一區(qū)域211中的抗剝離層220，以完全地暴露基材210的上表面212，如圖2C所示，因而抗剝離層220僅位于第二區(qū)域213上。在另ー實(shí)施例中，圖案化第一區(qū)域211中的抗剝離層220，以局部地暴露出基材210的上表面212，如圖2D所示。如此，抗剝離層220不僅在第二區(qū)域213上，且具有圖案222的部分也位于第一區(qū)域211上，此圖案222改善介于塑膠層230 (描述如下)與基材210間的結(jié)合，以便調(diào)整介于其間的附著力。如圖2D所示，圖案222為網(wǎng)紋圖案。亦可使用其他圖案，例如狹縫圖案與島型圖案。在一實(shí)施例中，第一區(qū)域211的未暴露部分(即圖案化后的部分)約為第一區(qū)域211的O. I %至30. 0%，且第二區(qū)域213的面積大于第一區(qū)域211的未暴露部分的面積。在又一實(shí)施例中，如圖2Ε所示，圖案化抗剝離層220，以局部地暴露出基材210的上表面212，借以在第一區(qū)域211與第二區(qū)域213上分別形成抗剝離層220的圖案222與圖案224。此些圖案222與223改善介于塑膠層230 (描述如下)與基材210間的結(jié)合，以便調(diào)整介于其間的附著力。如圖2Ε所示，圖案222與224均為網(wǎng)紋圖案。在其他實(shí)施例中，亦可使用其他圖案，例如狹縫圖案與島型圖案。在一實(shí)施例中，第二區(qū)域213的未暴露部分的密度(即第二區(qū)域213的単位面積中，圖案224的面積)大于第一區(qū)域211的未暴露部分的密度(即第一區(qū)域211的単位面積中，圖案222的面積)。在一實(shí)施例中，第二區(qū)域213中的抗剝離層220的總面積可大于第一區(qū)域211中的抗剝離層220的總面積。在另ー實(shí)施例中，第二區(qū)域213中的抗剝離層220的總面積亦可等于或小于第一區(qū)域211中的抗剝離層220的總面積。再者，以聚亞酰胺形成塑膠層230在第一區(qū)域211與第二區(qū)域213上方的抗剝離 層220上，如圖2F所示。因此，塑膠層230與第一區(qū)域211中的基材210間的附著力較塑膠層230與第二區(qū)域213中的抗剝離層220間的附著力弱。在一實(shí)施例中，形成塑膠層230的步驟包含以聚酰胺酸涂布第一區(qū)域211及第ニ區(qū)域213上的抗剝離層220，以于第一區(qū)域211與抗剝離層220上形成聚酰胺酸層；及固化此涂布的聚酰胺酸層，以形成塑膠層230。
在塑膠層230上，形成電子裝置層240于第一區(qū)域211上，其中電子裝置層240于第一區(qū)域211上界定出邊界242，如圖2G所示。邊界242投影地位于第一區(qū)域211中。電子裝置層240可 為ー或多個(gè)TFTs或任何其他電子零件。然后，通過(guò)沿著一輪廓來(lái)切穿塑膠層230，而將電子裝置層240和塑膠層230與基材210分離，此輪廓相等于或大于電子裝置層240的邊界242，但不超出第一區(qū)域211，如圖2H所示。由于塑膠層230與第一區(qū)域211中的基材210間的附著力比塑膠層230與第二區(qū)域213中的抗剝離層220間的附著力弱，因此將很容易的從基材210分離電子裝置層240與第一區(qū)域211中的塑膠層230。現(xiàn)在請(qǐng)參考圖3A-圖3H，其繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的ー種軟性電子裝置的制作方法。此方法包含以下步驟首先，提供基材310，基材310具有平坦的上表面312與相對(duì)的第二表面314。相同地，基材310可為玻璃、石英、塑膠、陶瓷、金屬或類似材料的基材。下一步驟涂布第一聚酰胺酸于基材310的平坦上表面312上，以形成第一聚亞酰胺層320，借此定義出基材310中的第一區(qū)域311與第二區(qū)域313 (詳述于后)，第一聚亞酰胺層320形成于第一區(qū)域311上，且第二區(qū)域313圍繞第一區(qū)域311，如圖3B與圖3C所示。進(jìn)行涂布步驟時(shí)可通過(guò)施加過(guò)量的聚酰胺酸溶液至平坦基材310的上表面312，如圖3A所示，然后在高轉(zhuǎn)速下旋轉(zhuǎn)聚酰胺酸溶液與基材310，以散開(kāi)聚酰胺酸溶液，而形成涂布于基材310上的第一聚酰胺酸層，在約70°C至250°C的溫度下，對(duì)涂布后的聚酰胺酸層進(jìn)行約5分鐘至30分鐘的烘烤，較佳地在約150°C下烘烤約10分鐘，然后在約200°C至400°C的溫度下，對(duì)烘烤后的聚酰胺酸層進(jìn)行固化約30分鐘至60分鐘，較佳地在約300°C下進(jìn)行約60分鐘，以形成第一聚亞酰胺層320。此外，可通過(guò)切割エ藝，亦即沿著輪廓311A切穿第一聚亞酰胺層320，來(lái)定義出第一區(qū)域311與第二區(qū)域313，借以定義出位于輪廓311A內(nèi)的第一區(qū)域311、與圍繞第一區(qū)域311的第二區(qū)域313 ;以及剝除第二區(qū)域313上的第一聚亞酰胺層320的部分，如圖3C與圖3D所示。如此ー來(lái)，第一聚亞酰胺層320僅位于第一區(qū)域311上，而暴露出第二區(qū)域313中的基材310。然后，將含有有機(jī)硅烷的第二聚酰胺酸涂布于基材310的第一區(qū)域311中的第一聚亞酰胺層320上、與基材310的第二區(qū)域313上，以在第一聚亞酰胺層320與第二區(qū)域313上形成第二聚亞酰胺層330，如圖3E與圖3F所示。借此，第一聚亞酰胺層320與第一區(qū)域311的基材310間的附著力較第二聚亞酰胺層330與第二區(qū)域313中的基材310間的附著力弱。相同地，進(jìn)行涂布步驟時(shí)通過(guò)施加ー些含有機(jī)硅烷的第二聚酰胺酸至第一聚亞酰胺層320的上表面322，如圖3E所示，然后在高轉(zhuǎn)速下旋轉(zhuǎn)第二聚酰胺酸與基材310，以散開(kāi)此混合物，而形成含有機(jī)硅烷的第二聚酰胺酸層且涂布于第一聚亞酰胺層320上，在約70°C至250°C間的溫度下，對(duì)上述的結(jié)構(gòu)烘烤約5分鐘至30分鐘，較佳地在約150°C下烘烤10分鐘，然后在約200°C至400°C間的溫度下，對(duì)第二聚酰胺酸層進(jìn)行約30分鐘至60分鐘的固化，較佳地在約300°C進(jìn)行約60分鐘的固化，以形成第二聚亞酰胺層330。第一聚酰胺酸與第二聚酰胺酸可相同或彼此實(shí)質(zhì)上不同。在第二聚亞酰胺層330上，形成電子裝置層340在第一區(qū)域311上，其中電子裝置層340在第一區(qū)域311上界定出邊界342，如圖3G所示。邊界342投影地位于第一區(qū)域311內(nèi)。電子裝置層340可為ー或多個(gè)TFTs或任何其他電子零件。接著，通過(guò)沿著一輪廓來(lái)切穿第一聚亞酰胺層320與第二聚亞酰胺層330，而將電子裝置層340、第一聚亞酰胺層320和第二聚亞酰胺層330與基材310分離，此輪廓相等于或大于電子裝置層340的邊界342，但不超出第一區(qū)域311，如圖3H所示。由于第一聚亞酰胺層320與第一區(qū)域311的基材310間的附著力較第二聚亞酰胺層330與第二區(qū)域313中的基材310間的附著力弱，因此將很容易從基材310分離電子裝置層340、第一聚亞酰胺層320與第一區(qū)域311中的第二聚亞酰胺層330。
在本發(fā)明的ー態(tài)樣中，ー種軟性電子裝置的制作方法，包含提供基材，此基材具有第一表面與相對(duì)的第二表面；形成第一層于基材的第一表面上，以在基材中定義出第一區(qū)域與第二區(qū)域，第二區(qū)域圍繞第一區(qū)域，如此基材在第一區(qū)域中的第一表面至少部分暴露出來(lái)，且第一層至少部分位于第二區(qū)域內(nèi)；形成第二層在第一區(qū)域與第二區(qū)域上方的第ー層上，如此第二層與第一區(qū)域中的基材間的附著力較第二層與第二區(qū)域中的第一層間的附著力弱；形成電子裝置層于第一區(qū)域上方的第二層上，其中電子裝置層于第一區(qū)域上定義出邊界，且此邊界投影地位于第一區(qū)域中；以及通過(guò)沿著一輪廓切穿第二層的方式，將電子裝置層和第二層與基材分離，此輪廓相等于或大于電子裝置層的邊界，但不超出第一區(qū)域。在一實(shí)施例中，形成第一層的步驟包含形成由助粘材料組成的助粘層于基材的第一表面上的步驟，其中助粘材料包含有機(jī)硅烷。在一實(shí)施例中，形成助粘層的步驟包含步驟涂布助粘材料在基材的第一表面，以及于第一溫度下烘烤涂布有助粘材料的基材第一段時(shí)間，以形成助粘層，其中第一溫度的范圍介于約50°C至250°C，且第一段時(shí)間的范圍介于約5分鐘至10分鐘。在另ー實(shí)施例中，形成第一層的步驟包含氣相涂布助粘材料在基材的第一表面的步驟，以形成助粘層。在一實(shí)施例中，形成第一層的步驟更包含步驟形成具有圖案的掩膜于助粘層上的步驟，此圖案對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域與第二區(qū)域；在空氣或氧氣的環(huán)境中，以UV光處理掩膜，如此UV光照射第一區(qū)域上的助黏層，而第二區(qū)域上的助黏層則被遮蔽而不受UV光照射；以及移除第一區(qū)域上的助黏層的部分。在一實(shí)施例中，處理步驟在第二溫度下且在烘箱中進(jìn)行第二段時(shí)間，其中第二溫度的范圍介于約25°c至300°C，且第二段時(shí)間的范圍介于約I分鐘至10分鐘。在另ー實(shí)施例中，形成第一層的步驟包含形成由抗剝離材料組成的抗剝離層于基材的第一表面上的步驟，抗剝離材料包含金屬氧化物，其中抗剝離材料包含氧化銦錫。在一實(shí)施例中，形成抗剝離層的步驟包含濺鍍或氣相涂布抗剝離材料于基材的第一表面上的步驟。在一實(shí)施例中，形成第一層的步驟更包含步驟定義抗剝離層上的具有圖案的光阻，此圖案對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域與第二區(qū)域；以蝕刻劑或電漿蝕刻第一區(qū)域上的抗剝離層，借以至少部分地暴露出第一區(qū)域中的基材；以及移除光阻。在一實(shí)施例中，圖案化第一區(qū)域，以使第一區(qū)域的未暴露部分約為第一區(qū)域的O. 1%至30. 0%，且第二區(qū)域的面積大于第一區(qū)域的未暴露部分的面積，其中第一區(qū)域的未暴露部分經(jīng)圖案化以具有狹縫圖案、島型圖案或網(wǎng)紋圖案。在一實(shí)施例中，形成第二層的步驟包含步驟以聚酰胺酸涂布第一區(qū)域與第二區(qū)域上方的第一層上，以于第一區(qū)域與第一層上形成涂布的聚酰胺酸層；以及固化涂布的聚酰胺酸層，以形成由聚亞酰胺所組成的第二層。
本發(fā)明的示范實(shí)施例的上述描述僅作為舉例說(shuō)明與描述之用，并非無(wú)所不包，也非用以將本發(fā)明限制在所公開(kāi)的刻板型式。根據(jù)上述教示，可有許多修飾與變化。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種軟性電子裝置的制作方法，其特征在于，包含 (a)提供一基材，該基材具有一第一表面及相對(duì)的一第二表面； (b)形成一第一層于該基材的該第一表面上，以在該基材中定義出一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，該第二區(qū)域圍繞該第一區(qū)域，如此至少局部地暴露出該第一區(qū)域中的該基材的該第一表面，且該第一層至少部分位于該第二區(qū)域中； (C)形成一第二層于該第一區(qū)域與該第二區(qū)域上方的該第一層上,如此該第二層與該第一區(qū)域中的該基材的一附著力較該第二層與該第二區(qū)域中的該第一層的一附著力弱； (d)形成一電子裝置層于該第一區(qū)域上方的該第二層上，其中該電子裝置層在該第一區(qū)域上定義出一邊界，且該邊界投影地位于該第一區(qū)域中；以及 (e)通過(guò)沿著一輪廓切穿該第二層的方式，將該電子裝置層與部分的該第二層與該基材分離，其中該輪廓相等于或大于該電子裝置層的該邊界但不超出該第一區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，其中形成該第一層的步驟包含形成由一助粘材料所組成的一助粘層于該基材的該第一表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，其中該助粘材料包含有機(jī)硅烷。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，其中形成該助粘層的步驟包含 以該助粘材料涂布該基材的該第一表面；以及 在一第一溫度下烘烤該助粘材料涂布的該基材一第一段時(shí)間，以形成該助粘層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，其中該第一溫度的范圍介于50°C至250°C，且該第一段時(shí)間的范圍介于5分鐘至10分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，其中形成該助粘層的步驟包含以該助粘材料氣相涂布該基材的該第一表面，以形成該助粘層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，其中形成該第一層的步驟還包含 轉(zhuǎn)印具有一圖案的一掩膜于該助粘層上，其中該圖案對(duì)應(yīng)于該第一區(qū)域與該第二區(qū)域； 在空氣或氧氣的一環(huán)境中，以一紫外光處理該掩膜，借以使該紫外光照射該第一區(qū)域上的該助粘層，且該第二區(qū)域上的該助粘層被遮蔽而不受該紫外光照射；以及 在照射該紫外光后，移除該第一區(qū)域上的部分該助粘層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，其中該處理步驟在一第二溫度且在一烘箱中進(jìn)行一第二段時(shí)間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，其中該第二溫度的范圍介于25°C至300°C，且該第二段時(shí)間的范圍介于I分鐘至10分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，其中形成該第一層的步驟包含形成由一抗剝離材料組成的一抗剝離層于該基材的該第一表面上，其中該抗剝離材料包含一金屬氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，其中該抗剝離材料包含氧化銦錫。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，其中形成該抗剝離層的步驟包含濺鍍或氣相涂布該抗剝離材料于該基材的該第一表面上的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，其中形成該第一層的步驟還包含 定義該抗剝離層上的具有一圖案的一光阻，其中該圖案對(duì)應(yīng)于該第一區(qū)域與該第二區(qū)域； 蝕刻該第一區(qū)域上的該抗剝離層，借以至少局部地暴露出該第一區(qū)域中的該基材；以及 移除該光阻。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，其中圖案化該第一區(qū)域上的該抗剝離層，以使該第一區(qū)域的一未暴露部分為該第一區(qū)域的0. 1%至30.0%，且該第二區(qū)域的面積大于該第一區(qū)域的該未暴露部分的面積。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，其中圖案化該第一區(qū)域上的該抗剝離層，以使圖案化后的該抗剝離層具有一狹縫圖案、一島型圖案或一網(wǎng)紋圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，其中該第一層的另一部分位于該第一區(qū)域中，該第二區(qū)域的一單位面積上的該第一層的該部分的面積大于該第一區(qū)域的一單位面積上的該第一層的該另一部分的面積，且該第二區(qū)域的該第一層的面積大于該第一區(qū)域的該第一層的面積。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，其中該第一層的另一部分位于該第一區(qū)域中，該第二區(qū)域的一單位面積上的該第一層的該部分的面積大于該第一區(qū)域的一單位面積上的該第一層的該另一部分的面積，且該第二區(qū)域的該第一層的面積等于或小于該第一區(qū)域的該第一層的面積。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，其中形成該第二層的步驟包含 以聚酰胺酸涂布該第一區(qū)域與該第二區(qū)域上方的該第一層上，以形成一涂布的聚酰胺酸層于該第一區(qū)域上與該第一層上；以及 固化該涂布的聚酰胺酸層，以形成由聚亞酰胺組成的該第二層。
19.一種根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法制造的軟性電子裝置。
20.一種軟性電子裝置的制作方法，其特征在于，包含 (a)提供一基材，該基材具有一第一表面與相對(duì)的一第二表面； (b)涂布一第一聚酰胺酸于該基材的該第一表面上，以形成一第一聚亞酰胺層，借以在該基材中定義出一第一區(qū)域，其中該第一聚亞酰胺層形成于該第一區(qū)域上，且一第二區(qū)域圍繞該第一區(qū)域； (c)涂布含有機(jī)硅烷的一第二聚酰胺酸于該基材的該第一區(qū)域中的該第一聚亞酰胺層與該基材的該第二區(qū)域上，以形成一第二聚亞酰胺層于該第一聚亞酰胺層與該第二區(qū)域上，借此該第一聚亞酰胺層與該第一區(qū)域中的該基材間的一附著力較該第二聚亞酰胺層與該第二區(qū)域中的該基材的一附著力弱； (d)形成一電子裝置層于該第一區(qū)域上的該第二聚亞酰胺層上，其中該電子裝置層在該第一區(qū)域上定義出一邊界，且該邊界投影地位于該第一區(qū)域中；以及 (e)通過(guò)沿著一輪廓切穿該第二聚亞酰胺層與該第一聚亞酰胺層的方式，將該電子裝置層、部分的該第二聚亞酰胺層和部分的該第一聚亞酰胺層與該基材分離，其中該輪廓相等于或大于該電子裝置層的該邊界，但不超出該第一區(qū)域。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，其中每一該些步驟(b)與(c)還包含 在一第一溫度下烘烤該涂布層一第一段時(shí)間；以及 在一第二溫度下固化該涂布層一第二段時(shí)間。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，其中該第一溫度的范圍介于70°C至.250°C，且該第一段時(shí)間的范圍介于5分鐘至30分鐘，其中該第二溫度的范圍介于200°C至.400°C，且該第二段時(shí)間的范圍介于30分鐘至60分鐘。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，其中該步驟(b)還包含 沿著一輪廓切穿該第一聚亞酰胺層，借以定義出該輪廓內(nèi)的該第一區(qū)域與圍繞該第一區(qū)域的該第二區(qū)域；以及 剝除該第二區(qū)域上的該第一聚亞酰胺層的一部分。
24.一種根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法制造的軟性電子裝置。
全文摘要
一種軟性電子裝置及其制作方法，該制作方法包含形成第一層于基材上，以定義第一區(qū)域與圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，以至少局部地暴露出第一區(qū)域中的基材，且第一層位于第二區(qū)域中；形成第二層于第一區(qū)域與第二區(qū)域上方的第一層上，因而第二層與第一區(qū)域中的基材間的附著力較第二層與第二區(qū)域中的第一層間的附著力弱；形成電子裝置層于第一區(qū)域上方的第二層上，EDL定義出邊界，此邊界投影地位于第一區(qū)域中；以及通過(guò)沿著輪廓切穿第一層與第二層的方式，將EDL與基材分離，此輪廓位于第一區(qū)域中但不小于邊界。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102629593SQ20121009278
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月9日
發(fā)明者方俊雄, 林瑜玲 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司