本發(fā)明涉及一種觸控偵測(cè)方法，尤其涉及一種用于觸控偵測(cè)裝置且可執(zhí)行校正運(yùn)算的觸控偵測(cè)方法。
背景技術(shù)：
：：目前的觸控偵測(cè)裝置中，是使用輸出信號(hào)執(zhí)行電容充電，再接收對(duì)應(yīng)于電容放電的輸入信號(hào)，判斷是否發(fā)生觸控事件。為了執(zhí)行充電、放電的操作，只可使用例如是方波的數(shù)字信號(hào)，因此不利于濾除雜噪的操作，導(dǎo)致信噪比(signal-to-noiseratio；snr)無(wú)法提高。此外，觸控面板上的各部位的觸控靈敏度的差異，也常導(dǎo)致觸控手勢(shì)的判讀失敗。舉例來(lái)說(shuō)，如果觸控面板的各觸控部位的面積相異，則對(duì)應(yīng)的觸控信號(hào)的變化量常會(huì)隨之相異，因此造成各觸控部位之間的觸控效果不良，從而常導(dǎo)致觸控手勢(shì)的判讀失敗，不利于使用者體驗(yàn)與產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。因此，本領(lǐng)域?qū)嵲陧氁唤鉀Q方案以提高觸控的功效。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于觸控偵測(cè)裝置的觸控偵測(cè)方法。該觸控偵測(cè)裝置包括處理單元，第一電容及第二電容。該第一電容的第一端耦接于該處理單元的輸出端，該第一電容的第二端耦接于該處理單元的輸入端及該第二電容的第一端，該第二電容的第二端系耦接于地端。該觸控偵測(cè)方法包括經(jīng)由該處理單元的該輸出端輸出第一信號(hào)；經(jīng)由該處理單元的該輸入端接收第二信號(hào)，其中該第二信號(hào)的位準(zhǔn)值對(duì)應(yīng)于該第一信號(hào)的位準(zhǔn)值、該第一電容的第一電容值、及該第二電容的第二電容值；以校正參數(shù)對(duì)于該第二信號(hào)的位準(zhǔn)值的變化量執(zhí)行校正運(yùn)算，從而得到校正后變化量；及若該校正后變化量大于門檻值，判斷觸控事件發(fā)生。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明實(shí)施例的觸控偵測(cè)裝置的電路示意圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施例中觸控偵測(cè)方法的流程圖。圖3是圖1的實(shí)施例的觸控偵測(cè)裝置發(fā)生觸控事件時(shí)的電路示意圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例的觸控面板的觸控部位的示意圖。圖5是本發(fā)明實(shí)施例中的處理單元的內(nèi)部功能方塊示意圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施例的觸控偵測(cè)方法的流程圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：100觸控偵測(cè)裝置c1第一電容c2第二電容cx第三電容cv1第一電容值cv2、cv21、cv2i第二電容值cvx第三電容值c11、c21第一端c12、c22第二端va1、va2、va21、va2i位準(zhǔn)值sa1第一信號(hào)sa2第二信號(hào)gnd地端110處理單元1101輸出端1102輸入端d分析單元c校正單元a1至an觸控部位p、p1、pi校正參數(shù)△va2、△va21、△va2i變化量△va2’、△va21’、△va2i’校正后變化量cali()函數(shù)400觸控面板200、600觸控偵測(cè)方法210至250、2210至2230步驟具體實(shí)施方式圖1是本發(fā)明實(shí)施例的的觸控偵測(cè)裝置100的電路示意圖。觸控偵測(cè)裝置100可包括處理單元110、第一電容c1及第二電容c2。第一電容c1的第一端c11可耦接于處理單元110的輸出端1101，第一電容c1的第二端c12可耦接于處理單元110的輸入端1102及第二電容c2的第一端c21，第二電容的第二端c22可耦接于地端gnd。處理單元110的輸出端1101可用以輸出第一信號(hào)sa1(其可對(duì)應(yīng)于位準(zhǔn)值va1)、及輸入端1102可用以接收第二信號(hào)sa2(其可對(duì)應(yīng)于位準(zhǔn)值va2)。第一電容c1可具有第一電容值cv1，第二電容c2可具有第二電容值cv2。圖1中，第二信號(hào)sa2的位準(zhǔn)值va2可對(duì)應(yīng)于第一信號(hào)sa1的位準(zhǔn)值va1、第一電容c1的第一電容值cv1、及第二電容c2的第二電容值cv2，其對(duì)應(yīng)關(guān)系可例如算式eq-1所示：va2＝va1*[cv1/(cv1+cv2)]…(eq-1)圖2是本發(fā)明實(shí)施例中觸控偵測(cè)方法200的流程圖。參照?qǐng)D1，觸控偵測(cè)方法200可包括：步驟210：經(jīng)由處理單元110的輸出端1101輸出第一信號(hào)sa1；步驟220：經(jīng)由處理單元110的輸入端1102接收第二信號(hào)sa2；步驟230：以校正參數(shù)p對(duì)于第二信號(hào)sa2的位準(zhǔn)值va2的變化量△va2執(zhí)行一校正運(yùn)算，從而得到校正后變化量△va2’；步驟240：校正后變化量△va2’是否大于門檻值？若是，進(jìn)入步驟250；若否，進(jìn)入步驟210；及步驟250：判斷觸控事件發(fā)生。步驟220中，第二信號(hào)sa1的位準(zhǔn)值va2可對(duì)應(yīng)于第一信號(hào)sa1的位準(zhǔn)值va1、第一電容c1的第一電容值cv1、及第二電容c2的第二電容值cv2，當(dāng)尚未發(fā)生觸控事件時(shí)，位準(zhǔn)值va2可如前述的算式eq-1所示。當(dāng)觸控事件未發(fā)生，則位準(zhǔn)值va2可實(shí)質(zhì)上保持原值，故位準(zhǔn)值va2的變化量△va2實(shí)質(zhì)上可為0，步驟230至240的校正后變化量△va2’可小于門檻值，從而判斷觸控事件未發(fā)生。當(dāng)發(fā)生觸控事件時(shí)，則位準(zhǔn)值va2可對(duì)應(yīng)變化，步驟230至240的校正后變化量△va2’可大于門檻值，從而判斷觸控事件發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，上述的第一信號(hào)sa1可為第一類比信號(hào)，且第二信號(hào)sa2可為第二類比信號(hào)，其可例如為弦波形式，以提高雜噪濾除的功效。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，步驟230所述的校正參數(shù)pi可正比于第一電容值cv1；根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，校正參數(shù)pi可正比于第二電容值cv2，其詳述如下。圖3是圖1的實(shí)施例的觸控偵測(cè)裝置100發(fā)生觸控事件時(shí)的電路示意圖。所述觸控事件可對(duì)應(yīng)于外部物體cx觸碰觸控偵測(cè)裝置100的情況，外部物體cx可例如為手指或手寫筆(stylus)等物體，且具有第三電容值cvx。當(dāng)觸控事件發(fā)生時(shí)，第二信號(hào)sa1的位準(zhǔn)值va2_touch相較于觸控事件發(fā)生前的位準(zhǔn)值va2，其變化量△va2可對(duì)應(yīng)于第一電容值cv1、第二電容值cv2、第三電容值cvx及第一信號(hào)sa1的位準(zhǔn)值va1，如算式eq-2所示：va2_touch＝va1*[cv1/(cv1+cv2+cvx)]…(eq-2)因此，觸碰事件發(fā)生前、及發(fā)生后的第二位準(zhǔn)值的變化量△va2，可如算式eq-3所示：△va2＝va2–va2_touch＝va1*[cv1/(cv1+cv2)]–va1*[cv1/(cv1+cv2+cvx)]＝va1*cv1*cvx/[(cv1+cv2)*(cv1+cv2+cvx)]…(eq-3)當(dāng)發(fā)生觸控事件時(shí)，變化量△va2越大則觸控靈敏度可越佳，為了求得變化量△va2的最大值，可預(yù)設(shè)cv1+cv2>>cvx從而從算式eq-3得到偏微分計(jì)算式eq-4：當(dāng)變化量△va2為最大值時(shí)，此情況下可得cv1＝cv2。也就是說(shuō)，于本發(fā)明實(shí)施例中，第一電容值cv1可設(shè)定為實(shí)質(zhì)上等于第二電容值cv2。當(dāng)cv1＝cv2，則根據(jù)算式eq-1，觸碰事件發(fā)生前的位準(zhǔn)值va2可為位準(zhǔn)值va1的一半，且因變化量△va2為最大值，觸控偵測(cè)裝置100的偵測(cè)靈敏度可為最佳。將此結(jié)果代回算式eq-3，并考量cx<<cv2，則觸碰事件發(fā)生前后的第二信號(hào)sa2的位準(zhǔn)值的變化量△va2可如算式eq-5所示：△va2＝va1*cv1*cvx/[(cv1+cv2)*(cv1+cv2+cvx)]＝va1*(cvx/4cv2)…(eq-5)因此可知，變化量△va2可反比于第二電容值cv2。若第一電容值cv1是設(shè)定為實(shí)質(zhì)上等于第二電容值cv2，則變化量△va2也反比于第一電容值cv1。所述的第二電容c2及對(duì)應(yīng)的第一電容c1，是對(duì)應(yīng)于觸控面板上的一觸控部位，而觸控面板可包括多個(gè)觸控部位。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，觸控偵測(cè)裝置200可對(duì)應(yīng)于一觸控部位，且校正參數(shù)p可對(duì)應(yīng)于觸控部位的面積，其說(shuō)明如下。圖4是本發(fā)明實(shí)施例的觸控面板400的觸控部位a1-an示意圖。觸控面板400的形狀可為各種形狀而不限于圓形，但本文中以圓形為例。由圖4可見，觸控面板400可被切分從而包括觸控部位a1至an。由圖4可見，觸控部位a1至an的面積并不平均，若以觸控部位a1與觸控部位ai為例(其中i與n是正整數(shù)且1<i<n)，則觸控部位a1的面積遠(yuǎn)小于觸控部位ai的面積。此種觸控部位的面積大小不均的現(xiàn)象，?？梢娪谛螤钶^不方正、為不規(guī)則形、橢圓形或圓形的觸控面板。由于第二電容c2是相關(guān)于觸控部位的面積，例如觸控部位的面積越大則其對(duì)應(yīng)的第二電容值cv2也越大(反的，觸控部位的面積越小則其對(duì)應(yīng)的第二電容值cv2也越小)，又如算式eq-5所示，觸碰事件發(fā)生前后的變化量△va2可為va1*(cvx/4cv2)而反比于第二電容值cv2，因此，對(duì)應(yīng)于相同的觸控物體cx(例如同一手寫筆或同一指尖的觸控)，觸控部位a1對(duì)應(yīng)的變化量△va2與觸控部位ai產(chǎn)生的變化量△va2可能相異。此現(xiàn)象會(huì)降低觸控時(shí)的精確度與線性度。舉例而言，若使用者以手指進(jìn)行手勢(shì)(gesture)操作，則當(dāng)指尖滑過(guò)觸控面板的多個(gè)觸控部位時(shí)，若因觸控部位的面積相異，而造成多個(gè)觸控部位各自對(duì)應(yīng)的變化量△va2相異，則可能無(wú)法偵測(cè)完整的手勢(shì)而降低偵測(cè)成功率。根據(jù)本案一實(shí)施例，步驟230中的校正參數(shù)pi可正比于第二電容值cv2，從而校正各個(gè)觸控部位對(duì)應(yīng)的第二信號(hào)的位準(zhǔn)值的變化量。例如第1表所示：(第1表)其中，觸控部位ai是對(duì)應(yīng)于第二電容值cv2i，且如算式eq-5所示，其于觸控事件發(fā)生前后的第二信號(hào)的位準(zhǔn)值的變化量△va2i可為va1i*(cvx/4cv2i)，因此，若將校正參數(shù)pi設(shè)為正比于第二電容值cv2i(例如為第二電容值cv2i的倍數(shù))，則步驟230所述的校正運(yùn)算可例如為將變化量△va2i乘上校正參數(shù)pi，從而得到不受第二電容值cv2i影響的校正后變化量△va2i’＝k(va1i*cvx)，其中參數(shù)k是為可選擇的常數(shù)，可隨工程需求而調(diào)整。同理，若將上述的變數(shù)i改為1則可得到第1表中對(duì)應(yīng)于觸控部位a1的校正后變化量△va21’＝k(va11*cvx)。若設(shè)定觸控部位a1與ai對(duì)應(yīng)的第一信號(hào)sa1相同，也就是使位準(zhǔn)值va11等于位準(zhǔn)值va1i，則經(jīng)校正后，觸控部位a1與ai對(duì)應(yīng)的校正后變化量△va21’與△va2i’可相等，故可避免觸控部位大小、形狀不均所造成觸控精確度下降問(wèn)題。若用函數(shù)cali表示校正運(yùn)算的函數(shù)，則觸控部位ai的校正運(yùn)算可如算式eq-6所示：△va2i’＝cali(△va2i,pi)＝△va2i*pi＝va1i*(cvx/4cv2i)*pi＝k(va1i*cvx)…(eq-6)若第一信號(hào)的位準(zhǔn)值va11至va1n均實(shí)質(zhì)上相等，則對(duì)應(yīng)于同一cvx，△va21’至△va2n’可實(shí)質(zhì)上互相相等。又如上述，第一電容值cv1可實(shí)質(zhì)上等于第二電容值cv2以求得變化量△va2的最大值，因此當(dāng)校正參數(shù)p是正比于第二電容值cv2，且cv1＝cv2，則校正參數(shù)p也可正比于第一電容值cv1。圖5是本發(fā)明實(shí)施例中處理單元110的內(nèi)部功能方塊示意圖。其中，處理單元110可包括校正單元c及分析單元d，用以根據(jù)校正參數(shù)p，對(duì)于第二信號(hào)sa2的位準(zhǔn)值va2的變化量△va2執(zhí)行校正運(yùn)算(以函數(shù)cali示意)，從而得到校正后變化量△va2’，以供控制單元d判斷是否發(fā)生觸控事件。步驟230的校正運(yùn)算可不限于將變化量△va2乘上校正參數(shù)p，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，校正運(yùn)算也可為根據(jù)校正參數(shù)p查找查詢表、或執(zhí)行其他數(shù)學(xué)運(yùn)算。其中，處理單元110及其內(nèi)部各單元可整合于可控制的硬體電路，例如將處理單元110整合為積體電路(integratedcircuit；ic)，其可包括數(shù)位邏輯閘及/或類比電路元件。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，第一電容c1及處理單元110可被整合于積體電路。圖6是本發(fā)明實(shí)施例中，觸控偵測(cè)方法600的流程圖。觸控偵測(cè)方法600相較于圖2的觸控偵測(cè)方法200，可另包括步驟2210、2220、2230。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，觸控偵測(cè)方法600可另包括：步驟210：經(jīng)由處理單元110的輸出端1101輸出第一信號(hào)sa1；步驟220：經(jīng)由處理單元110的輸入端1102接收第二信號(hào)sa2；步驟2210：比較第二信號(hào)sa2的位準(zhǔn)值va2及第一信號(hào)sa1的位準(zhǔn)值va1；步驟2220：第二信號(hào)sa2的位準(zhǔn)值va2實(shí)質(zhì)上是否等于第一信號(hào)sa1的位準(zhǔn)值va1的一半？若是，進(jìn)入步驟230；若否，進(jìn)入步驟2230；步驟2230：調(diào)整第一電容值cv1，從而使第二信號(hào)sa2的位準(zhǔn)值va2實(shí)質(zhì)上等于第一信號(hào)sa1的位準(zhǔn)值va1的一半；進(jìn)入步驟2210；步驟230：以校正參數(shù)p對(duì)于第二信號(hào)sa2的位準(zhǔn)值va2的變化量△va2執(zhí)行一校正運(yùn)算，從而得到校正后變化量△va2’；步驟240：校正后變化量△va2’是否大于門檻值？若是，進(jìn)入步驟250；若否，進(jìn)入步驟210；及步驟250：判斷觸控事件發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，第一電容c1可例如具有可調(diào)整的(adjustable)第一電容值cv1，故步驟2210至2230可根據(jù)位準(zhǔn)值va2及va1的比較結(jié)果，調(diào)整第一電容值cv1，從而使第一電容值cv1實(shí)質(zhì)上相等于第二電容值cv2。執(zhí)行步驟2210至2230后，可得知第一電容值cv1、第二電容值cv2，因校正參數(shù)p可對(duì)應(yīng)于第二電容值cv2，故可推估求得對(duì)應(yīng)的校正參數(shù)p。以圖4為例，可求得觸控部位a1至an各自對(duì)應(yīng)的校正參數(shù)p1至pn。求得的第一電容值cv1、第二電容值cv2及校正參數(shù)p，可儲(chǔ)存于存儲(chǔ)單元備用。存儲(chǔ)單元可例如為硬碟單元、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamicrandom-accessmemory)單元及/或只讀存儲(chǔ)器(read-onlymemory)單元。又以圖4為例，在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)觸控面板400的觸控部位ai執(zhí)行觸控偵測(cè)后，可執(zhí)行計(jì)數(shù)器迭加操作，以進(jìn)行下一輪觸控偵測(cè)操作，進(jìn)行觸控部位ai+1的觸控偵測(cè)，從而執(zhí)行觸控部位a1至an的觸控偵測(cè)(其中，i與n為正整數(shù)，且1≦i<i+1≦n)。舉例而言，計(jì)數(shù)器迭加操作可例如為將計(jì)數(shù)器加1，直到預(yù)計(jì)偵測(cè)的觸控部位或所有觸控部位已偵測(cè)完成，其偵測(cè)順序是可編程的。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例揭露的觸控偵測(cè)方法，其對(duì)應(yīng)的觸控偵測(cè)裝置可不須切換輸入及輸出模式，故電路結(jié)構(gòu)較單純，且可借由使用校正參數(shù)執(zhí)行校正運(yùn)算，故可對(duì)多個(gè)觸控部位對(duì)應(yīng)的變化量進(jìn)行校正，以使觸控事件觸發(fā)的增益(gain)被規(guī)范化(normalize)，故可有效避免錯(cuò)誤偵測(cè)，而提高觸控偵測(cè)的正確度。尤其對(duì)于具有多個(gè)面積相異的觸控部位的觸控面板，更可提升觸控偵測(cè)的正確度，因此，本發(fā)明對(duì)于智能手機(jī)、智能手表、穿戴設(shè)備、車用設(shè)備及智能家電等裝置的研發(fā)者與使用者，實(shí)有助益。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)12當(dāng)前第1頁(yè)12