專利名稱：一種雙層ito 布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ITO的布線結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
所謂ITO (銦錫氧化物)是一種用于生產(chǎn)液晶顯示器的關(guān)鍵材料，目前，其在儀器儀表、計算機、電子表、游戲機和家用電器等領(lǐng)域都有了極為廣泛的應用。近年來市場上大熱的電容式觸摸屏也是利用ITO來完成偵測觸摸的動作，而電容觸摸屏上ITO的布線一般是雙層，其主要原理是利用人體電場，當使用者觸摸時，表面行或列的交叉處感應單元的互電容(也稱耦合電容)會有變化，根據(jù)上述變化最終可檢測出觸摸點的具體位置。常見的雙層ITO的結(jié)構(gòu)是菱形結(jié)構(gòu)，其雙層ITO分別布設(shè)在玻璃基板的同側(cè)面上， 為了避免電極之間的互相導通，所以需要在玻璃基板上設(shè)置橋接點，這樣就可將雙層ITO 布設(shè)在玻璃基板的同一側(cè)面上。雖然上述方法實現(xiàn)了偵測觸摸的動作，但由于采用菱形結(jié)構(gòu)，難免會帶來多指觸控偵測不穩(wěn)定、電源噪聲干擾較大、畫線效果不佳的問題，因此亟需加以改善，為廣大用戶提供一種感應更加靈敏的ITO的布線結(jié)構(gòu)來解決以上問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種雙層ITO的布線結(jié)構(gòu)，能夠改善傳統(tǒng)電容式觸控結(jié)構(gòu)偵測不穩(wěn)定的問題，提高了 ITO層的感應能力。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是提供一種雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，所述每層ITO上分別設(shè)有第一種觸控電極和第二種觸控電極，所述第一種觸控電極的形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱排列組成，且其中間形成第一空隙；所述第二種觸控電極的形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱封閉連接組成，且其中間形成第二空隙，所述第二種觸控電極最邊緣的矩形波波谷的寬度是所述矩形波波峰寬度的一半。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明采用矩形的雙層ITO觸控電極，使ITO層上電極的分布更加緊密，顯著提高了 ITO層的偵測靈敏度和線性度，有效降低了電源噪聲干擾。
圖I是本發(fā)明雙層ITO布線結(jié)構(gòu)一較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明所述第一種觸控電極的結(jié)構(gòu)示意圖3是本發(fā)明所述第二種觸控電極的結(jié)構(gòu)示意附圖中各部件的標記如下1、ITO層，10、觸控電極，11、第一種觸控電極,111、第一空隙，12、第二種觸控電極，121、第二空隙，122、金屬導線，123、絕緣體。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本 領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖I，本發(fā)明涉及一種雙層ITO (銦錫氧化物)的布線結(jié)構(gòu)，所述ITO層I 由多個觸控電極10組成，每層ITO上分別設(shè)有第一種觸控電極11和第二種觸控電極12。 所述第一種觸控電極11的形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱排列組成， 且其中間形成第一空隙111 ;所述第二種觸控電極12的形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱封閉連接組成，且其中間形成第二空隙121，所述第二種觸控電極12最邊緣的矩形波波谷a的寬度是所述矩形波波峰A寬度的一半。所述兩種觸控電極10的布設(shè)方法是所述第二種觸控電極12依次順序布設(shè)在至少兩相鄰的第一種觸控電極11之間的空隙區(qū)域，即第一種觸控電極的矩形波波峰A對應于第二種觸控電極的矩形波波谷a，第一種觸控電極的矩形波波谷a對應于第二種觸控電極的矩形波波峰A。所述兩相鄰的第二種觸控電極的矩形波波峰A橫跨所述第一種觸控電極中的第一空隙相互橋接。請參閱圖2，布設(shè)在第一層ITO上的第一種觸控電極11為一連續(xù)結(jié)構(gòu)，其形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱排列組成，且其中間形成第一空隙111，所述第一空隙111的寬度范圍在0. 15mnT0. 3mm之間，多個所述第一種觸控電極11互相平行且呈矩陣間隔排列。所述圖3中涉及的第二種觸控電極12布設(shè)在第二層ITO上，“卅”字形結(jié)構(gòu)為第二種觸控電極12的一種典型結(jié)構(gòu)。所述第二種觸控電極12的矩形波形狀與所述第一種觸控電極11的矩形波形狀相同，其形狀為一封閉圖形，所述第二空隙的寬度范圍也在 0. 15mnT0. 3mm之間，并且位于所述第二種觸控電極12外圍的矩形波波谷a的寬度是所述矩形波波峰A寬度的一半，從而使得多個第二種觸控電極12可依次順序布設(shè)在兩相鄰的第一種觸控電極11之間的空隙區(qū)域。多個所述第二種觸控電極12互相平行且呈矩陣式排列， 使得整個布圖更加緊湊，提高了所述ITO層I的偵測靈敏度和線性度。所述第二種觸控電極12的形狀由含至少兩個波峰A的矩形波組成，相對應的第一種觸控電極11的形狀至少含三個波峰A。當所述第二種觸控電極12的形狀由含偶數(shù)個波峰A的矩形波組成時，位于中間兩個的矩形波波峰A邊緣處設(shè)置有橋接點；當所述第二種觸控電極12的形狀由含奇數(shù)個波峰A的矩形波組成時，位于中間一個的矩形波波峰A邊緣處設(shè)置有橋接點，從而使第二種觸控電極12具有軸對稱結(jié)構(gòu)。所述兩相鄰的第二種觸控電極 12的矩形波波峰A通過一金屬導線122相連接，所述金屬導線122被一絕緣體123所包裹， 以使所述第一空隙111與所述兩橋接的第二種觸控電極12之間形成電氣絕緣。所述金屬導線122和所述絕緣體123可根據(jù)不同的工藝需求選用相應的材料制成不同的形狀，而不局限于此實施例的形狀大小。依據(jù)上述可知，本發(fā)明可將所述第一種觸控電極11和所述第二種觸控電極12布設(shè)在同一側(cè)面內(nèi)。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明由于布設(shè)了兩種觸控電極10，導致所述ITO層 I上電極的分布更加緊密，對于形成的觸摸屏有較好的偵測靈敏度和線性度，并有效降低了電源噪聲干擾。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所 作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙層ITO布線結(jié)構(gòu),所述每層ITO上分別設(shè)有第一種觸控電極和第二種觸控電極，其特征在于，所述第一種觸控電極的形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱排列組成，且其中間形成第一空隙；所述第二種觸控電極的形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱封閉連接組成，且其中間形成第二空隙，所述第二種觸控電極最邊緣的矩形波波谷的寬度是所述矩形波波峰寬度的一半。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二種觸控電極依次順序布設(shè)在第一種觸控電極的空隙區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩相鄰的第二種觸控電極的矩形波波峰相互橋接，且橫跨所述第一種觸控電極中的第一空隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩相鄰的第二種觸控電極的矩形波波峰通過一金屬導線相橋接，橋接點位于所述第二種觸控電極的矩形波波峰處，所述金屬導線被一絕緣體包裹。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一種觸控電極的矩形波形狀和所述第二種觸控電極的矩形波形狀相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或5所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一空隙的寬度和所述第二空隙的寬度相同，范圍在0. 15mnT0. 3mm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二種觸控電極的矩形波至少包括兩個波峰。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一種觸控電極的矩形波至少包括三個波峰。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二種觸控電極呈“卅”字形結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩種觸控電極布設(shè)在同一側(cè)面內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙層ITO布線結(jié)構(gòu)，所述每層ITO上分別設(shè)有第一種觸控電極和第二種觸控電極，所述第一種觸控電極的形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱排列組成，且其中間形成第一空隙；所述第二種觸控電極的形狀由兩個等幅度、等寬度、方向相反的矩形波對稱封閉連接組成，且其中間形成第二空隙，所述第二種觸控電極最邊緣的矩形波波谷的寬度是所述矩形波波峰寬度的一半。通過上述方式，本發(fā)明使ITO層上電極的分布更加緊密，顯著提高了ITO層的偵測靈敏度和線性度，有效降低了電源噪聲干擾。
文檔編號G06F3/044GK102622151SQ20121004899
公開日2012年8月1日 申請日期2012年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月27日
發(fā)明者張開立 申請人:蘇州瀚瑞微電子有限公司