一種用于nand flash的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及存儲(chǔ)器穩(wěn)壓輸出技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于NANDFLASH的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，芯片技術(shù)也在發(fā)生著巨大的變化。資料存儲(chǔ)型閃存(NAND FLASH)作為閃存的一種，由于其內(nèi)部非線性宏單元模式為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。資料存儲(chǔ)型閃存存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
[0003]但NAND FLASH在其應(yīng)用領(lǐng)域也存在一定的不足。NAND FLASH芯片內(nèi)部需采用穩(wěn)壓電路對(duì)其內(nèi)部輸出信號(hào)進(jìn)行輸出，但目前現(xiàn)有技術(shù)中采用對(duì)稱(chēng)的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)的穩(wěn)壓電路，在使用的過(guò)程中會(huì)造成較大的過(guò)沖電壓。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足而完成的，本實(shí)用新型的目的在于提出一種用于資料存儲(chǔ)型閃存的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路，該穩(wěn)壓電路能夠減小NAND FLASH在使用過(guò)程中出現(xiàn)的過(guò)沖電壓。
[0005]為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種用于NAND FLASH閃存的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路，其特征在于，包括:偏置模塊、誤差放大模塊和輸出模塊；
[0006]所述偏置模塊的輸出端與所述誤差放大模塊的輸入端電連接，用于將外部輸入電壓轉(zhuǎn)化為第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及第四偏置電壓并輸入到誤差放大豐旲塊;
[0007]所述誤差放大模塊的輸出端與所述輸出模塊的輸入端電連接，用于根據(jù)第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及第四偏置電壓將差分信號(hào)進(jìn)行放大;誤差放大模塊采用折疊式運(yùn)放結(jié)構(gòu)，其差分輸出級(jí)采用不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，差分輸出的倍數(shù)至少為兩倍；
[0008]所述輸出模塊用于接收所述誤差放大模塊輸入的差分放大信號(hào)并進(jìn)行輸出。
[0009]進(jìn)一步地，所述偏置模塊包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管和第七晶體管；
[0010]其中，第一晶體管的柵極、第二晶體管的柵極與第一晶體管漏極電連接，用于接收外部輸入電壓；
[0011]第一晶體管的源極與第二晶體管的源極、第五晶體管的源極以及第六晶體管的源極電連接；
[0012]第二晶體管的漏極與第三晶體管的漏極、柵極以及第四晶體管的柵極電連接，第三晶體管的源極與第四晶體管的源極以及第七晶體管的源極電連接；
[0013]第四晶體管的漏極與第五晶體管的漏極、柵極電連接；
[0014]第七晶體管的柵極、漏極與第六晶體管的漏極電連接。
[0015]進(jìn)一步地，第一晶體管、第二晶體管、第五晶體管和第六晶體管為N型M0S管，并且第二晶體管為兩個(gè)N型M0S管并聯(lián)；
[0016]第三晶體管、第四晶體管和第七晶體管為P型M0S管。
[0017]進(jìn)一步地，所述誤差放大模塊包括第八晶體管、第九晶體管、第十晶體管、第十一晶體管、第十二晶體管、第十三晶體管、第十四晶體管、第十五晶體管、第十六晶體管、第十七晶體管和第十八晶體管；
[0018]其中，所述第八晶體管的柵極接收外部基準(zhǔn)電壓，第八晶體管的漏極與第十二晶體管的漏極以及第十四晶體管的源極電連接;第八晶體管的源極與第九晶體管的源極以及第十晶體管的漏極電連接；
[0019]第九晶體管的漏極與第^^一晶體管的漏極以及第十三晶體管的源極電連接；
[0020 ]第十晶體管的柵極與第一晶體管的柵極以及第二晶體管的柵極電連接，第十晶體管的源極與第十七晶體管的源極、第十八晶體管的源極、第一晶體管的源極、第二晶體管的源極、第五晶體管的源極以及第六晶體管的源極電連接；
[0021]第十一晶體管的源極與第十二晶體管的源極、第三晶體管的源極、第四晶體管的源極以及第七晶體管的源極電連接;第十一晶體管的柵極與第十二晶體管的柵極、第三晶體管的漏極、柵極以及第四晶體管的柵極電連接；
[0022]第十三晶體管的柵極與第十四晶體管的柵極以及第七晶體管的柵極、漏極電連接;第十三晶體管的漏極與第十五晶體管的漏極、第十七晶體管的柵極以及第十八晶體管的柵極電連接；
[0023]第十四晶體管的漏極與第十六晶體管的漏極電連接；
[0024]第十五晶體管的柵極與第十六晶體管的柵極以及第五晶體管的柵極、漏極電連接;第十五晶體管的源極與第十七晶體管的漏極電連接；
[0025]第十六晶體管的源極與第十八晶體管的漏極電連接。
[0026]進(jìn)一步地，所述第八晶體管、第九晶體管、第十晶體管、第十五晶體管、第十六晶體管、第十七晶體管和第十八晶體管為N型M0S管，且均為至少兩個(gè)N型M0S管并聯(lián)；
[0027]第十一晶體管、第十二晶體管、第十三晶體管和第十四晶體管為P型M0S管，且均為至少兩個(gè)P型M0S管并聯(lián)。
[0028]進(jìn)一步地，所述第十二晶體管的個(gè)數(shù)至少為第十一晶體管個(gè)數(shù)的兩倍，所述第十四晶體管的個(gè)數(shù)至少為第十三晶體管個(gè)數(shù)的兩倍，所述第十六晶體管的個(gè)數(shù)至少為第十五晶體管個(gè)數(shù)的兩倍，所述第十八晶體管的個(gè)數(shù)至少為第十七晶體管個(gè)數(shù)的兩倍;且上述四組倍數(shù)相同。
[0029]進(jìn)一步地，所述輸出模塊包括第十九晶體管、第一電阻、第二電阻和第一電容；
[0030]其中，所述第十九晶體管的源極與所述第十一晶體管的源極、第十二晶體管的源極、第三晶體管的源極、第四晶體管的源極以及第七晶體管的源極電連接;第十九晶體管的柵極與第十四晶體管的漏極以及第十六晶體管的漏極電連接；
[0031]第十九晶體管的漏極與第一電阻的第一端以及第一電容的第一端電連接;第一電容的第二端與第十六晶體管的源極以及第十八晶體管的漏極電連接；
[0032]第一電阻的第二端與第二電阻的第一端以及第九晶體管的柵極電連接；
[0033]第二電阻的第二端與第十七晶體管的源極以及第十八晶體管的源極電連接。
[0034]本實(shí)用新型所述的一種用于NAND FLASH閃存的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路，通過(guò)對(duì)誤差放大模塊采用不對(duì)稱(chēng)的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，在相同功耗的條件下，產(chǎn)生更少的過(guò)沖電壓。
【附圖說(shuō)明】
[0035]為了更加清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型示例性實(shí)施例的技術(shù)方案，下面對(duì)描述實(shí)施例中所需要用到的附圖做一簡(jiǎn)單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本實(shí)用新型所要描述的一部分實(shí)施例的附圖，而不是全部的附圖，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。
[0036]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種用于NANDFLASH閃存的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種用于NANDFLASH閃存的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路的電路不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，通過(guò)【具體實(shí)施方式】，完整地描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案。顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下獲得的所有其他實(shí)施例，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0039]實(shí)施例一:
[0040]圖1給出了本實(shí)施例一提供的一種用于NANDFLASH閃存的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041 ]如圖1，本實(shí)施例一提供的一種用于NAND FLASH閃存的不對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓電路，其特征在于，包括:偏置模塊100、誤差放大模塊200、輸出模塊300和帶隙基準(zhǔn)電路400。
[0042]所述偏置模塊100的輸出端與所述誤差放大模塊200的輸入端電連接，用于將外部輸入電壓轉(zhuǎn)化為第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及第四偏置電壓并輸入到誤差放大模塊200;
[0043]所述誤差放大模塊200的輸出端與所述輸出模塊300的輸入端電連接，用于根據(jù)第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及第四偏置電壓將差分信號(hào)進(jìn)行放大;誤差放大模塊200采用折疊式運(yùn)放結(jié)構(gòu)，其差分輸出級(jí)采用不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，差分輸出的倍數(shù)至少為兩倍。
[0044]所述輸出模塊300用于接收所述誤差放大模塊200輸入的差分放大信號(hào)并進(jìn)行輸出。
[0045]誤差放大模塊200接收第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓和第四偏置電壓，將其作為其內(nèi)部晶體管工作的啟動(dòng)電壓。另外，誤差放大模塊200從外部帶隙基準(zhǔn)電路400獲取基準(zhǔn)電壓，并將其與輸出模塊300的反饋電壓進(jìn)行比較后，將得到的差分信號(hào)進(jìn)行放大。
[0046]這里關(guān)于晶體管倍數(shù)的設(shè)定最大為十倍。
[0047]所述輸出模塊300用