一種可控制電流的直流降壓變換器模塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種可控制電流的直流降壓變換器模塊。本實(shí)用新型包括：一降壓變換電路，降壓變換電路封裝于一第一模塊體內(nèi)；至少一個(gè)電流鏡電路，每個(gè)電流鏡電路封裝于一第二模塊體內(nèi)；一引線電路，引線電路封裝于一第三模塊體內(nèi)。本實(shí)用新型獲得了以下有益效果：可根據(jù)需要選擇將封裝有電流鏡電路的第二模塊體與封裝有直流降壓變換電路的第一模塊體拼合，或者將封裝有引線電路的第三模塊體與封裝有直流降壓變換電路的第一模塊體拼合，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)封裝于模塊內(nèi)的電路進(jìn)行選擇；可通過將不同電流參數(shù)的電流鏡電路封裝到不同的第二模塊體中，實(shí)現(xiàn)對(duì)封裝于模塊內(nèi)的電流鏡電路的電流參數(shù)進(jìn)行選擇。
【專利說明】一種可控制電流的直流降壓變換器模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種可控制電流的直流降壓變換器模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]直流降壓變換器(Buck變換器)是一種常用的直流-直流變換電路?，F(xiàn)有技術(shù)中，直流降壓變換器通常被封裝成模塊使用。一旦被封裝成模塊后，其中電路便無法調(diào)整，而直流降壓變換器被應(yīng)用于電路中時(shí)往往要輔以外圍電路共同作用，外圍電路需要占用印制電路板的空間，并且，這些外圍電路通常結(jié)構(gòu)相同，但是如果直接將外圍電路封裝到模塊內(nèi)，又使不需要這些外圍電路的應(yīng)用無法使用被封裝與模塊內(nèi)的外圍電路，造成成本浪費(fèi)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]針對(duì)現(xiàn)有的直流降壓變換模塊存在的上述問題，現(xiàn)提供一種旨在可靈活選擇將外圍電路封裝于模塊內(nèi)或者不將外圍電路封裝于模塊內(nèi)的可控制電流的直流降壓變換器模塊。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下的技術(shù)方案:
[0005]一種可控制電流的直流降壓變換器模塊，其中，包括:
[0006]一降壓變換電路，所述降壓變換電路封裝于一第一模塊體內(nèi)；
[0007]至少一個(gè)電流鏡電路，每個(gè)所述電流鏡電路封裝于一第二模塊體內(nèi)；
[0008]一引線電路，所述引線電路封裝于一第三模塊體內(nèi)；
[0009]所述第一模塊體設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)，所述第一模塊體通過所述連接結(jié)構(gòu)可選擇地連接一個(gè)所述第二模塊體或者連接所述第三模塊體。
[0010]本實(shí)用新型的另一方面，所述連接結(jié)構(gòu)包括電連接結(jié)構(gòu)，用以使所述降壓變換電路的輸出端與所述電流鏡電路的輸入端連接，或者使所述降壓變換電路的輸出端與所述引線電路的輸入端連接。
[0011]本實(shí)用新型的另一方面，所述連接結(jié)構(gòu)包括機(jī)械連接結(jié)構(gòu)，用以使所述第一模塊體與一個(gè)所述第二模塊體或者與所述第三模塊體連接拼合成完整的模塊。
[0012]本實(shí)用新型的另一方面，所述第一模塊體設(shè)置有輸入引腳。
[0013]本實(shí)用新型的另一方面，所述二模塊體設(shè)置有輸出引腳及與電流鏡電路的參考電流輸入端連接的參考電流輸入引腳。
[0014]本實(shí)用新型的另一方面，所述第三模塊體設(shè)置有輸出引腳。
[0015]本實(shí)用新型的另一方面，所述電連接結(jié)構(gòu)包括:
[0016]設(shè)置于所述第一模塊體的金屬引腳，所述金屬引腳與所述降壓變換電路的輸出端連接；
[0017]設(shè)置于第二模塊體的金屬觸點(diǎn)，所述金屬觸點(diǎn)與所述電流鏡電路的輸入端連接；
[0018]所述金屬引腳與所述金屬觸點(diǎn)位置匹配，于所述第一模塊體及所述第二模塊體拼合成完整的模塊時(shí)，所述金屬引腳與所述金屬接觸點(diǎn)接觸導(dǎo)通。
[0019]本實(shí)用新型的另一方面，所述電連接結(jié)構(gòu)包括:
[0020]設(shè)置于所述第一模塊體的金屬引腳，所述金屬引腳與所述降壓變換電路的輸出端連接；
[0021]設(shè)置于第三模塊體的金屬觸點(diǎn)，所述金屬觸點(diǎn)與所述引線電路的輸入端連接；
[0022]所述金屬引腳與所述金屬觸點(diǎn)位置匹配，于所述第一模塊體及所述第三模塊體拼合成完整的模塊時(shí)，所述金屬引腳與所述金屬接觸點(diǎn)接觸導(dǎo)通。
[0023]本實(shí)用新型的另一方面，所述機(jī)械連接結(jié)構(gòu)為分別設(shè)置于所述第一模塊體及所述第二模塊體上并且相互匹配的卡槽，或者所述機(jī)械連接結(jié)構(gòu)為分別設(shè)置于所述第一模塊體及所述第三模塊體上并且相互匹配的卡槽。
[0024]本實(shí)用新型的另一方面，所述電流鏡電路包括第一 NMOS管和第二 NMOS管，所述第一 NOMS管的源極形成所述電流鏡電路的輸入端，所述第一 NMOS管的漏極形成所述電流鏡電路的輸出端，所述第二 NMOS管的柵極與所述第一 NMOS管的柵極以及所述第二 NMOS管的源極連接，所述第二 NMOS管的源極形成所述電流鏡電路的參考電流輸入端，所述參考電流輸入端用以連接一參考電流，所述第二 NMOS管的漏極接地，所述第一 NMOS管和第二 NMOS管均工作于飽和區(qū)，并且所述第一 NMOS管的溝道寬長比和第二 NMOS管的溝道寬長比之間具有預(yù)定比例。
[0025]本實(shí)用新型獲得了以下有益效果:
[0026]I，可根據(jù)需要選擇將封裝有電流鏡電路的第二模塊體與封裝有直流降壓變換電路的第一模塊體拼合，或者將封裝有引線電路的第三模塊體與封裝有直流降壓變換電路的第一模塊體拼合，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)封裝于模塊內(nèi)的電路進(jìn)行選擇。
[0027]2，可通過將不同電流參數(shù)的電流鏡電路封裝到不同的第二模塊體中，實(shí)現(xiàn)對(duì)封裝于模塊內(nèi)的電流鏡電路的電流參數(shù)進(jìn)行選擇。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]圖1為本實(shí)用新型一種可控制電流的直流降壓變換器模塊拼合第二模塊體時(shí)的電路圖；
[0029]圖2為本實(shí)用新型一種可控制電流的直流降壓變換器模塊拼合第三模塊體時(shí)的電路圖；
[0030]圖3為本實(shí)用新型一種可控制電流的直流降壓變換器模塊的一種實(shí)施例的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4為本實(shí)用新型一種可控制電流的直流降壓變換器模塊的一種實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但不作為本實(shí)用新型的限定。
[0033]如圖1-4所示，一種可控制電流的直流降壓變換器模塊，其中，包括:一降壓變換電路1，降壓變換電路I封裝于一第一模塊體10內(nèi)；
[0034]至少一個(gè)電流鏡電路2，每個(gè)電流鏡電路2封裝于一第二模塊體20內(nèi)；
[0035]—引線電路3，引線電路3封裝于一第三模塊體30內(nèi)；
[0036]第一模塊體10設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)，第一模塊體10通過連接結(jié)構(gòu)可選擇地連接一個(gè)第二模塊體20或者連接第三模塊體30。
[0037]上述技術(shù)方案通過將電流鏡電路2封裝于第二模塊體20內(nèi)，當(dāng)需要使用電流鏡電路時(shí)以第二模塊體20與第一模塊體10拼合，當(dāng)不需要使用電流鏡電路2時(shí)可直接將第一模塊體10與第三模塊體30連接，直接引出引線，實(shí)現(xiàn)了對(duì)已封裝成模塊的電路進(jìn)行調(diào)整。
[0038]本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，連接結(jié)構(gòu)包括電連接結(jié)構(gòu)，用以使降壓變換電路I的輸出端11與電流鏡電路2的輸入端21連接，或者使降壓變換電路I的輸出端11與引線電路3的輸入端31連接。
[0039]本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，連接結(jié)構(gòu)包括機(jī)械連接結(jié)構(gòu)，用以使第一模塊體10與一個(gè)第二模塊體20或者與第三模塊體30連接拼合成完整的模塊。
[0040]本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，第一模塊體10設(shè)置有輸入引腳101，輸入引腳101與降壓變換電路I的輸入端12連接。
[0041 ] 本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，二模塊體20設(shè)置有輸出引腳201，輸出引腳201與電流鏡電路2的輸出端22連接。第二模塊體20還設(shè)置有與電流鏡電路2的參考電流輸入端23連接的參考電流輸入引腳204。
[0042]本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，第三模塊體30設(shè)置有輸出引腳301。
[0043]本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，電連接結(jié)構(gòu)包括:
[0044]設(shè)置于第一模塊體10的金屬引腳102，金屬引腳102與降壓變換電路I的輸出端11連接；
[0045]設(shè)置于第二模塊體20的金屬觸點(diǎn)202，金屬觸點(diǎn)202與電流鏡電路2的輸入端21連接；
[0046]金屬引腳102與金屬觸點(diǎn)202位置匹配，于第一模塊體10及第二模塊體20拼合成完整的模塊時(shí)，金屬引腳102與金屬接觸點(diǎn)202接觸導(dǎo)通。
[0047]本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，電連接結(jié)構(gòu)包括:
[0048]設(shè)置于第一模塊體10的金屬引腳102，金屬引腳102與降壓變換電路I的輸出端11連接；
[0049]設(shè)置于第三模塊體30的金屬觸點(diǎn)302，金屬觸點(diǎn)302與引線電路3的輸入端31連接；
[0050]金屬引腳102與金屬觸點(diǎn)302位置匹配，于第一模塊體10及第三模塊體30拼合成完整的模塊時(shí)，金屬引腳102與金屬接觸點(diǎn)302接觸導(dǎo)通。
[0051]本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，機(jī)械連接結(jié)構(gòu)為分別設(shè)置于第一模塊體10及第二模塊體20上并且相互匹配的卡槽103和卡槽203，或者機(jī)械連接結(jié)構(gòu)為分別設(shè)置于第一模塊體10及第三模塊體30上并且相互匹配的卡槽103和卡槽303。
[0052]本實(shí)用新型的一種實(shí)施例中，電流鏡電路包括第一 NMOS管24和第二 NMOS管25，第一 NOMS管24的源極形成電流鏡電路的輸入端，第一 NMOS管24的漏極形成電流鏡電路的輸出端21，第二 NMOS管25的柵極與第一 NMOS管24的柵極以及第二 NMOS管25的源極連接，第二 NMOS管25的源極形成電流鏡電路2的參考電流輸入端23，參考電流輸入端23用以連接一參考電流，第二 NMOS管25的漏極接地，第一 NMOS管24和第二 NMOS管25均工作于飽和區(qū)，并且第一 NMOS管24的溝道寬長比和第二 NMOS管25的溝道寬長比之間具有預(yù)定比例。根據(jù)NMOS管的特性可知，當(dāng)NMOS管工作于飽和區(qū)時(shí)兩個(gè)NMOS管之間柵源電壓相等時(shí)，NMOS管的輸出電流僅與溝道寬長比相關(guān)，因此，此時(shí)當(dāng)一個(gè)NMOS的輸入電壓已知時(shí)，可通過兩個(gè)NMOS管的溝道寬長比之間的關(guān)系獲得另一個(gè)NMOS管的輸出電流。上述技術(shù)方案，通過第二 NMOS管25上連接的已知電流大小參考電流，可控制第一 NMOS管24輸出相應(yīng)的電流，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的控制。
[0053] 以上所述僅為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本實(shí)用新型說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，包括: 一降壓變換電路，所述降壓變換電路封裝于一第一模塊體內(nèi)； 至少一個(gè)電流鏡電路，每個(gè)所述電流鏡電路封裝于一第二模塊體內(nèi)； 一引線電路，所述引線電路封裝于一第三模塊體內(nèi)； 所述第一模塊體設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)，所述第一模塊體通過所述連接結(jié)構(gòu)可選擇地連接一個(gè)所述第二模塊體或者連接所述第三模塊體。
2.如權(quán)利要求1所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于:所述連接結(jié)構(gòu)包括電連接結(jié)構(gòu)，用以使所述降壓變換電路的輸出端與所述電流鏡電路的輸入端連接，或者使所述降壓變換電路的輸出端與所述引線電路的輸入端連接。
3.如權(quán)利要求1所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)包括機(jī)械連接結(jié)構(gòu)，用以使所述第一模塊體與一個(gè)所述第二模塊體或者與所述第三模塊體連接拼合成完整的模塊。
4.如權(quán)利要求1所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，所述第一模塊體設(shè)置有輸入引腳。
5.如權(quán)利要求1所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，所述二模塊體設(shè)置有輸出引腳及與電流鏡電路的參考電流輸入端連接的參考電流輸入引腳。
6.如權(quán)利要求1所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，所述第三模塊體設(shè)置有輸出引腳。
7.如權(quán)利要求2所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，所述電連接結(jié)構(gòu)包括: 設(shè)置于所述第一模塊體的金屬引腳，所述金屬引腳與所述降壓變換電路的輸出端連接; 設(shè)置于第二模塊體的金屬觸點(diǎn)，所述金屬觸點(diǎn)與所述電流鏡電路的輸入端連接； 所述金屬引腳與所述金屬觸點(diǎn)位置匹配，于所述第一模塊體及所述第二模塊體拼合成完整的模塊時(shí)，所述金屬引腳與所述金屬接觸點(diǎn)接觸導(dǎo)通。
8.如權(quán)利要求2所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，所述電連接結(jié)構(gòu)包括: 設(shè)置于所述第一模塊體的金屬引腳，所述金屬引腳與所述降壓變換電路的輸出端連接; 設(shè)置于第三模塊體的金屬觸點(diǎn)，所述金屬觸點(diǎn)與所述引線電路的輸入端連接； 所述金屬引腳與所述金屬觸點(diǎn)位置匹配，于所述第一模塊體及所述第三模塊體拼合成完整的模塊時(shí)，所述金屬引腳與所述金屬接觸點(diǎn)接觸導(dǎo)通。
9.如權(quán)利要求3所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，所述機(jī)械連接結(jié)構(gòu)為分別設(shè)置于所述第一模塊體及所述第二模塊體上并且相互匹配的卡槽，或者所述機(jī)械連接結(jié)構(gòu)為分別設(shè)置于所述第一模塊體及所述第三模塊體上并且相互匹配的卡槽。
10.如權(quán)利要求1-9中任一所述可控制電流的直流降壓變換器模塊，其特征在于，所述電流鏡電路包括第一 NMOS管和第二 NMOS管，所述第一 NOMS管的源極形成所述電流鏡電路的輸入端，所述第一 NMOS管的漏極形成所述電流鏡電路的輸出端，所述第二 NMOS管的柵極與所述第一 NMOS管的柵極以及所述第二 NMOS管的源極連接，所述第二 NMOS管的源極形成所述電流鏡電路的參考電流輸入端，所述參考電流輸入端用以連接一參考電流，所述第二NMOS管的漏極接地，所述第一 NMOS管和第二 NMOS管均工作于飽和區(qū)，并且所述第一 NMOS管的溝道寬長比和第二 NMOS管的溝道寬長比之間具有預(yù)定比例。
【文檔編號(hào)】G05F1/56GK204203827SQ201420688568
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月17日
【發(fā)明者】張文雷 申請人:寧波經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)恒率電源科技有限公司