基準電流電路的制作方法

專利名稱：基準電流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種產(chǎn)生提供給模擬電路的偏置電流的基準電流電路。
技術(shù)背景圖4示出了現(xiàn)有的基準電流電路的結(jié)構(gòu)。基準電流電路400包括非反相放大電路410和電流源電路120。 非反相放大電路410由放大器電路OP40、電阻器R1和電阻器R2構(gòu)成。 放大器電路OP40包括反相輸入端子、非反相輸入端子和輸出端子；電阻器 Rl插入到布線中連接反相輸入端子和接地端子；電阻器R2插入到布線中連接 輸出端子和反相輸入端子。放大器電路OP40的非反相輸入端子接收不依存于 溫度T和電源電壓Vdd的基準電壓V恥的輸入。換句話說，基準電壓VBG是 溫度補償?shù)摹ｋ娏髟措娐?20由電阻器R3、晶體管Ql和晶體管Q2構(gòu)成。電阻器R3 的一個端子連接到放大器電路OP40的輸出端子上；晶體管Ql的集電極和基 極連接到電阻器R3的另一個端子上，而晶體管Q1的發(fā)射極接地；晶體管Q2 的基極連接到晶體管Ql的集電極和基極上。一般來說，經(jīng)常采用帶隙基準電路作為輸出基準電壓VBG的基準電壓電路 500。圖5示出了這種帶隙基準電路的一個例子?；鶞孰妷弘娐?00由放大器 電路OP5、電阻器Rla、晶體管Qla、電阻器R2a、電阻器R3a和晶體管Q2a 構(gòu)成。電阻器Rla插入到布線中連接非反相輸入端子和放大器電路OP5的輸 出端子；晶體管Qla的基極和集電極接地；電阻器R2a插入到布線中連接反 相輸入端子和放大器電路OP5的輸出端子；電阻器R3a插入到布線中連接反 相輸入端子和晶體管Q2a的發(fā)射極；晶體管Q2a的基極和集電極接地。下面關(guān)于如上結(jié)構(gòu)的基準電流電路400說明產(chǎn)生具有低溫度依存性的基 準電流的原理。下面的等式對于非反相放大器電路410成立。<formula>formula see original document page 5</formula>下面的等式是從等式(4.1)中得出的,<formula>formula see original document page 5</formula>(4.2)中，V恥是不依存于溫度T和電源電壓Vdd的基準電壓；R,和R2是具有正溫度系數(shù)的電阻器。當溫度是T時，下面的等式成立。因為R,和R2的比隨溫度變化保持不變，所以等式(4.2)表示輸出電壓 V。w不依存于溫度。而且，對于電流源電路120下面的等式成立。<formula>formula see original document page 5</formula>等式(4.3)導出下面的等式。<formula>formula see original document page 5</formula>(4.3)<formula>formula see original document page 5</formula>(4.4)通過用溫度T對等式(4.4)的兩邊進行偏微分，可以得到下面的等式,<formula>formula see original document page 5</formula>(4.5)而且，根據(jù)下面的等式，<formula>formula see original document page 5</formula>和"V。ut4〉VBE"，在等式(4.5)的右側(cè)，第一項為正，而第二項為負。從 而，通過調(diào)整每一個參數(shù)使得等式(4.5)的右側(cè)為0，產(chǎn)生具有低溫度依存性 的基準電流I^4。這就是晶體管Q1的溫度特性如何由電阻器R3的溫度特性所 補償?shù)?。然而，近些年來，在半導體集成電路領(lǐng)域中，隨著電阻器的小型化，電阻 的溫度依存性變得非常低。而且，當調(diào)整每一個參數(shù)時，實際的調(diào)整范圍存在著限制。從而，在上述的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，降低基準電流的溫度依存性變得越來越 難。非專利文獻1: Fundamentals of Analogue LSI Design (模擬LSI設(shè)計基本 原理)，作者Kajiro Watanabe禾口 TetsuoNakamura， Ohmsha， 2006， pp.149 — 151。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是考慮上述問題完成的，目的是提供一種即使在使用具有極低的溫 度依存性的電阻值的電阻器的情況下也能夠降低基準電流的溫度依存性的基 準電流電路。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種基準電流電路，包括由溫度補償?shù)?基準電壓在輸出點處產(chǎn)生預(yù)定電壓的電壓產(chǎn)生電路、以及包括由(O通過電阻器連接到輸出點的第一半導體器件和(ii)接收等于第一半導體器件端子間 電壓的電壓，從而產(chǎn)生與接收的電壓相對應(yīng)的電流的第二半導體器件所構(gòu)成的 電流鏡的電流源電路。其中，電壓產(chǎn)生電路(i)包括第三半導體器件，其端 子間電壓具有與第一半導體器件端子間電壓的溫度特性相同的溫度特性，并且 (ii)構(gòu)造為該預(yù)定電壓是(a)基于基準電壓的溫度補償電壓成分和(b)等 于第三半導體器件的端子間電壓的電壓成分之和。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，即使在使用非常低的溫度依存性的電阻器的情形下也能夠 降低基準電流的溫度依存性。


結(jié)合附圖，本發(fā)明的這些和其它目的、優(yōu)勢和特征將從下面的描述中變得顯而易見，其中附示了本發(fā)明的特定實施例。在附圖中圖1示出了本發(fā)明第一實施例的基準電流電路的結(jié)構(gòu)； 圖2示出了本發(fā)明第二實施例的基準電流電路的結(jié)構(gòu)； 圖3示出了本發(fā)明第三實施例的基準電流電路的結(jié)構(gòu)； 圖4示出了現(xiàn)有基準電流電路的結(jié)構(gòu)； 圖5示出了基準電壓電路的結(jié)構(gòu)；圖6示出了第一、第二或第三實施例的變形實施例的結(jié)構(gòu)；圖7示出了第二或第三實施例的溫度補償電路的變形實施例的結(jié)構(gòu)；圖8示出了使用第二或第三實施例的溫度補償電路的MOS晶體管的變形 實施例的結(jié)構(gòu)。
具體實施方式
下面將參照附圖描述本發(fā)明的實施例。圖1示出了本發(fā)明第一實施例的基準電流電路的結(jié)構(gòu)?；鶞孰娏麟娐?00包括非反相放大器電路110和接收來自于非反相放大器 電路110的輸入的電流源電路120。非反相放大器電路110由放大器電路OPIO、電阻器R1、電阻器R2和晶 體管Q3構(gòu)成。放大器電路OP10具有反相輸入端子、非反相輸入端子和輸出 端子；電阻器R1插入到布線中連接反相輸入端子和接地端子；電阻器R2和 起溫度補償元件作用的晶體管Q3插入到布線中連接輸出端子和反相輸入端 子。放大器電路OPIO的非反相輸入端子接收不依存于溫度T和電源電壓Vdd的基準電壓VBG的輸入。換句話說，基準電壓VBG是溫度補償?shù)?。因為電流源電?20和基準電壓電路500的結(jié)構(gòu)與在現(xiàn)有技術(shù)中描述的相 同，因此在此省略對它們的描述。接下來，對于第一實施例的上述結(jié)構(gòu)的基準電流電路100，概括說明在電 阻器的溫度系數(shù)大致為0的情形下產(chǎn)生具有低溫度依存性的基準電流的原理。下面的等式對于非反相放大器電路110成立。= ir^4"，加"-F鵬) (i.i)根據(jù)等式(1.1)，獲得非反相放大器電路的輸出電壓V。uu如下:f…"ii+/ ，^即**恥3i 乂其中，V恥是不依存于溫度T和電源電壓Vdd的基準電壓；R, 是溫度系數(shù)大致為O的電阻。當溫度為T時，下面的等式成立。(1.2)R2和R3l :0, Ho因此，雖然等式(1.2)右側(cè)的第一項不依存于溫度，但是Vbe3依存于溫 度。而且，對于電流源電路120下面的等式成立。^ /V3 re/1 T "肪i根據(jù)等式(1.2)和(1.3)，可以獲得下面的等式<^ 'c則=h+f因此，可以獲得下面的等式((1-3)— A卞_f\2 〖/ 丄 S" 秘1 乂r《1 — ;"及G十_(1.4)其中，當V鵬和Vbe,相等或大致相等吋，可以認為等式(1.4)右1 .項為o。也就是說，下面的等式成立。 1 ~ - ":1.5)其中，當電阻表示為如下時，/(外因為R" R2和R3是溫度系數(shù)大致為0的電阻，所以下面的等式成立' 氛0用溫度T對等式(1.5)的兩邊進行偏微分，可以得到下面的等式。fki —幽.f +/抓^^ = 0(1.6)等式(1.6)表示基準電流I^不依存于溫度T。因此，圖1中示出的結(jié)構(gòu)能夠降低基準電流I^的溫度依存性。 如上所述，可以通過在非反相放大器電路110的負反饋電路上插入溫度特性與晶體管Ql相同的晶體管Q3來抵消晶體管Ql的溫度特性。換句話說，基準電流Irefl的溫度依存性可以被消除或降低。需注意的是，雖然在第一實施例的電流源電路120中采用晶體管Ql和 Q2，但是如在圖6中示出的電流源121的情形下可以使用MOS (半導體金屬 氧化物)晶體管M1和M2。在這種情形下，優(yōu)選使用具有與MOS晶體管Ml 相同的溫度特性的MOS晶體管代替晶體管Q3。而且，雖然使用NPN雙極晶體管作為非反相放大器電路110中所包括的 晶體管Q3，但是只要沒有特定的限制，晶體管Q3可以是連接二極管的PNP 雙極晶體管或者P-N結(jié)二極管，或者還可以是具有類似溫度特性的任何器件或 電路。<第二實施例>圖2示出了本發(fā)明第二實施例的基準電流電路的結(jié)構(gòu)?；鶞孰娏麟娐?00包括溫度補償電路210、接收溫度補償電路210的輸出作為輸入的電壓跟隨器220和接收電壓跟隨器220的輸出作為輸入的電流源電路120。溫度補償電路210由晶體管Q4和電阻器R4構(gòu)成。晶體管Q4接收來自于 其發(fā)射極的基準電壓VBG的輸入，晶體管Q4的集電極和基極彼此連接。電阻 器R4插入到布線中連接電源端子和晶體管Q4的集電極。電壓跟隨器220由包括反相輸入端子、非反相輸出端子和輸出端子的放大 器電路OP20構(gòu)成。晶體管Q4的集電極和基極連接到放大器電路OP20的非 反相輸入端子，放大器電路OP20的輸出端子和反相輸出端子彼此連接。因為電流源電路120和基準電壓電路500的結(jié)構(gòu)與在現(xiàn)有技術(shù)中描述的相 同，所以在此省略它們的描述。接下來，對于第二實施例的上述結(jié)構(gòu)的基準電流電路200，概括說明在電 阻的溫度系數(shù)大致為0的情形下產(chǎn)生具有低溫度依存性的基準電流的原理。溫度補償電路210的輸出電壓VTc可以表示為如下<formula>formula see original document page 10</formula>(2.1)(2.2〉因此，電壓跟隨器220的輸出電壓V。ut2可以表示為如下:而且，對于電流源電路120，下面的等式成立，與第一實施例的情形相同,<formula>formula see original document page 10</formula>(2.3)根據(jù)等式(2.2)和(2.3)，可以獲得下面的等式(從而，可以獲得下面的等式,<formula>formula see original document page 10</formula>其中，當Vbe4和Vbe,相等或大致相等吋，下面的等式成立(船<formula>formula see original document page 10</formula>其中，V恥是不依存于溫度T和電源電壓Vdd的基準電壓；R3是溫度系數(shù)大致為O的電阻。因此，當溫度為T時，下面的等式成立。用溫度T對等式(2.5)的兩邊進行偏微分，可以得到下面的等式。<formula>formula see original document page 10</formula>等式(2.6)表示基準電流I^不依存于溫度T。因此，圖2中示出的結(jié)構(gòu)能夠降低基準電流Iref2的溫度依存性。如上所述，可以通過在溫度補償電路210上插入溫度特性與晶體管Q1相 同的晶體管Q4來抵消晶體管Q1的溫度特性。換句話說，基準電流^f2的溫 度依存性可以被消除或降低。需注意的是，雖然在第二實施例的電流源電路120中采用晶體管Ql和 Q2，但是如圖6中示出的電流源121，可以使用MOS晶體管Ml和M2。在 這種情形下，優(yōu)選使用具有與MOS晶體管Ml相同的溫度特性的MOS晶體 管代替晶體管Q4。而且，雖然在溫度補償電路210中使用電阻器R4，但是如圖7中示出的 溫度補償電路211的情形，可替換地使用基極接收偏置電壓VBIAS的輸入的 PNP雙極晶體管。此外，如圖8中所示，可以用采用MOS晶體管M3和M4 的溫度補償電路212代替溫度補償電路210。 <第三實施例>圖3示出了本發(fā)明第三實施例的基準電流電路的結(jié)構(gòu)?；鶞孰娏麟娐?00包括溫度補償電路210、反相放大器電路320、反相放 大器電路330和電流源電路120。反相放大器電路320接收溫度補償電路210 的輸出作為輸入；反相放大器電路330接收反相放大器電路320的輸出作為輸 入；電流源電路120接收反相放大器電路320的輸出作為輸入。溫度補償電路210由晶體管Q4和電阻器R4構(gòu)成。晶體管Q4的發(fā)射極接 地，晶體管Q4的集電極和基極彼此連接。電阻器R4插入到布線中連接電源 端子和晶體管Q4的集電極。反相放大器電路320由放大器電路OP30、電阻器R6和電阻器R7構(gòu)成。 放大器電路OP30具有反相輸入端子、非反相輸入端子和輸出端子，并且放大 器電路OP30的非反相輸入端子連接到接地端子；電阻器R6插入到布線中連 接放大器電路OP30的反相輸入端子和溫度補償電路210的輸出端子；電阻器 R7插入到布線中連接放大器電路OP30的輸出端子和反相輸入端子。反相放大器電路330由放大器電路OP31、電阻器R8和電阻器R9構(gòu)成。 放大器電路OP31具有反相輸入端子、非反相輸入端子和輸出端子，并且放大器電路OP31的非反相輸入端子接收基準電壓VBG的輸入；電阻器R8插入到 布線中連接放大器電路OP31的反相輸入端子和放大器電路OP30的輸出端子； 電阻器R9插入到布線中連接放大器電路OP31的輸出端子和反相輸入端子。因為電流源電路120和基準電壓電路500的結(jié)構(gòu)與在現(xiàn)有技術(shù)中描述的相 同，所以在此省略它們的描述。接下來，對于第三實施例的上述結(jié)構(gòu)的基準電流電路300，概括說明在電 阻的溫度系數(shù)大致為0的情形下產(chǎn)生具有低溫度依存性的基準電流的原理。溫度補償電路210的輸出是電壓VBE4，晶體管Q4的基極一發(fā)射極電壓。接下來，假設(shè)反相放大器電路320的輸出電壓是V3，下面的等式成立。<formula>formula see original document page 12</formula>而且，反相放大器電路330的輸出電壓V。ut3可以表示為如下<formula>formula see original document page 12</formula>其中，如果R二R6二R7二R8二R9，那么V。ut3可以表示為^"3=2.、C+FB￡4 (3.3)而且，對于電流源電路120，如同第一實施例的情形，下面的等式成立,根據(jù)等式(3.4)和(3.5)，下面的等式成:<formula>formula see original document page 12</formula>因此，該等式可以重新整理為如下:<formula>formula see original document page 13</formula>(3.5》其中，當VbE4和V啦相等或大致相等時，下面的等式成立。<formula>formula see original document page 13</formula>其中，V恥是不依存于溫度T和電源電壓Vdd的基準電壓；R3是溫度系lo， lo 數(shù)大致為O的電阻。因此，當溫度為T時，下面的等式成立。用溫度T對等式(3.6)的兩側(cè)進行偏微分得到下面的等式: 3卩—i ,2 ar等式(3.7)表示基準電流I^不依存于溫度T。因此，圖3中示出的結(jié)構(gòu)能夠降低基準電流Irefi的溫度依存性。如上所述，可以通過在溫度補償電路210上使用溫度特性與晶體管Ql相同的晶體管Q4來抵消晶體管Q1的溫度特性。換句話說，基準電流Irefi的溫度依存性可以被消除或降低。需注意的是，雖然在上述描述中，假設(shè)電阻值為R=R6=R7==R8=R9，但 是電阻值也可以為R6二R9和R7=R8而且，雖然在第三實施例的電流源電路120中采用晶體管Ql和Q2，但 是如圖6中示出的電流源121，可以使用MOS晶體管Ml和M2。在這種情形 下，優(yōu)選使用具有與MOS晶體管Ml相同的溫度特性的MOS晶體管代替晶 體管Q4。此外，雖然在溫度補償電路210中使用電阻器R4，但是如圖7中示出的 溫度補償電路211的情形，可替換地使用其基極接收偏置電壓VBIAS的輸入 的PNP雙極晶體管。此外，如圖8中所示，可以用采用MOS晶體管M3和 M4的溫度補償電路212代替溫度補償電路210。而且，可以在反相放大器電路320的非反相輸入端子和接地端子之間連接 電阻器。雖然上面詳細描述了本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明不受上述實施例的限制?？梢哉J為第一實施例的反相放大器電路iio、第二實施例的溫度補償電路 210和電壓跟隨器220、第三實施例的溫度補償電路210和反相放大器電路320 和330分別是其輸出電壓V。ut滿足關(guān)系式"V。ut=dXVBG+VBE"的電壓產(chǎn)生 電路。不管電路結(jié)構(gòu)如何，任何滿足上述關(guān)系式的電壓產(chǎn)生電路都會獲得與上 述實施例相同的效果。應(yīng)該注意的是，其中a是具有非常低的溫度依存性的任 意系數(shù)，VBE是溫度特性與電流源電路120中所包括的半導體器件相等的半導 體器件端子之間的電壓。其中，半導體器件可以是與二極管連接的雙極晶體管、 P-N結(jié)二極管或者與二極管連接的MOS晶體管。而且，例如在雙極晶體管的 情形下，端子之間的電壓可以是基極一發(fā)射極電壓(由于連接二極管，這也可 以稱為是集電極一發(fā)射極電壓)。雖然參照附圖以示例的方式充分地描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該注意的是，對 于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說進行各種變化和修改是顯而易見的。因此，只要這 種變化和修改不偏離本發(fā)明的范圍，就應(yīng)該認為它們包括在此。
權(quán)利要求
1、一種基準電流電路，包括電壓產(chǎn)生電路，用于由溫度補償?shù)幕鶞孰妷涸谳敵鳇c處產(chǎn)生預(yù)定電壓；和電流源電路，包括由(i)通過電阻器連接到所述輸出點的第一半導體器件和(ii)接收等于第一半導體器件端子間電壓的電壓，從而產(chǎn)生與接收的電壓相對應(yīng)的電流的第二半導體器件所構(gòu)成的電流鏡，其中，電壓產(chǎn)生電路(i)包括第三半導體器件，其端子間電壓具有與第一半導體器件端子間電壓的溫度特性相同的溫度特性，并且(ii)被構(gòu)造為該預(yù)定電壓是(a)基于基準電壓的溫度補償電壓成分和(b)等于第三半導體器件的端子間電壓的電壓成分之和。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基準電流電路，其特征在于， 所述電壓產(chǎn)生電路由非反相放大器電路構(gòu)成，該非反相放大器電路的反饋路徑中包括所述第三半導體器件。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基準電流電路，其特征在于， 電壓產(chǎn)生電路(i)還包括放大器電路、第一電阻器和第二電阻器，所述放大器電路具有反相輸入端子、非反相輸入端子和輸出端子，并且(ii)被構(gòu) 造為使得(a)所述基準電壓被輸入到非反相輸入端子中，(b)所述輸出端子 處的電壓被作為預(yù)定電壓輸出，(c)所述第一電阻器被插入到第一布線中連接 所述反相輸入端子和接地端子，(d)所述第二電阻器被插入到第二布線中連接 所述輸出端子和所述反相輸入端子，以及(e)所述第三半導體器件被插入到 第二布線中。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基準電流電路，其特征在于，所述第一和第三半導體器件都是連接二極管的雙極晶體管。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基準電流電路，其特征在于， 所述第一和第三半導體器件都是P-N結(jié)二極管。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基準電流電路，其特征在于， 所述第一和第三半導體器件都是連接二極管的半導體金屬氧化物晶體管。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基準電流電路，其特征在于， 所述電壓產(chǎn)生電路(i)還包括電壓跟隨器和電阻器，并且被構(gòu)造為使得(a)電阻器被插入到布線中連接電源端子和所述電壓跟隨器的輸入點，(b)所述第三半導體器件被插入到布線中連接基準電壓的接收點和所述電壓跟隨 器的輸入點，以及(C)所述電壓跟隨器的輸出點處的電壓被作為預(yù)定電壓輸 出。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基準電流電路，其特征在于， 所述第一和第三半導體器件都是連接二極管的雙極晶體管。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基準電流電路，其特征在于， 所述第一和第三半導體器件都是P-N結(jié)二極管。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基準電流電路，其特征在于， 所述第一和第三半導體器件都是連接二極管的半導體金屬氧化物晶體管。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基準電流電路，其特征在于， 所述電阻器是(i)其基極接收偏置電壓輸入的雙極晶體管和(ii)其柵極接收偏置電壓輸入的半導體金屬氧化物晶體管中的一個。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基準電流電路，其特征在于， 所述電壓產(chǎn)生電路(i)還包括第一反相放大器電路、第二反相放大器電路和電阻器，以及(ii)被構(gòu)造為使得(a)所述電阻器和所述第三半導體器件被順序插入到布線中從電源端子連接到接地端子，(b)布線上所述電阻器和第 三半導體器件之間的中間點處的電壓被輸入到所述第一反相放大器電路，(c)所述第一反相放大器電路的輸出電壓被輸入到所述第二反相放大器電路，(d) 所述第二反相放大器電路的輸出電壓被作為預(yù)定電壓輸出，(e)接地電壓被輸 入到所述第一反相放大器電路的非反相輸入端子，以及(f)所述基準電壓被 輸入到所述第二反相放大器電路的非反相輸入端子中。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的基準電流電路，其特征在于，所述第一和第三半導體器件都是連接二極管的雙極晶體管。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的基準電流電路，其特征在于， 所述第一和第三半導體器件都是P-N結(jié)二極管。
15、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的基準電流電路，其特征在于， 所述第一和第三半導體器件都是連接二極管的半導體金屬氧化物晶體管。
16、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的基準電流電路，其特征在于， 所述電阻器是(i)其基極接收偏置電壓輸入的雙極晶體管和(ii)其柵極接收偏置電壓輸入的半導體金屬氧化物晶體管中的一個。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種基準電流電路，即使在使用具有非常低溫度依存性的電阻的電阻器的情形下也能夠降低基準電流的溫度依存性。該基準電流電路包括接收溫度補償?shù)幕鶞孰妷篤_BG并且在輸出點處產(chǎn)生電壓V_out1的非反相放大器電路110；電流源電路120，由通過電阻器連接到輸出點的晶體管Q1和接收等于在Q1的端子間產(chǎn)生的電壓V_BE1的電壓并且產(chǎn)生相應(yīng)的電流的晶體管Q2。電路110(i)包括第三晶體管Q3，在它的端子間產(chǎn)生的電壓V_BE3具有與V_BE1相同的溫度特性，以及(ii)被構(gòu)造為使得V_out1是(a)基于基準電壓V_BG的溫度補償電壓成分和(b)等于電壓V_BE3的電壓成分之和。
文檔編號G05F3/16GK101276227SQ20081008454
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日
發(fā)明者井上敦雄, 松野則昭 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社