一種晶體消光比綜合測量平臺的制作方法

本實用新型涉及激光測量技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體消光比綜合測量平臺。

背景技術(shù)：

激光晶體在整個激光領(lǐng)域有著重要的作用，我們在使用激光晶體之前，需要了解與掌握晶體的各種性質(zhì)，包括其物理和激光特性等才能判斷某種晶體是否滿足我們的使用要求，同時，激光晶體的質(zhì)量，直接影響使用者實驗的準(zhǔn)確性和研究價值。

現(xiàn)有的專利：一種激光晶體消光比檢測臺(公告號：CN204882039U公告日：2015.12.16)且通過設(shè)有長方體晶體底座和棒狀晶體底座分別進(jìn)行測量矩形晶體和圓柱形晶體，在進(jìn)行使用時需要根據(jù)集體形狀不同進(jìn)行替換，使用時不夠方便，且調(diào)節(jié)較為繁瑣，同時其通過在棒狀晶體底座上設(shè)有兩對鋼珠，每對鋼珠之間形成一個V形槽，這種簡易的V 型槽結(jié)構(gòu)使用時穩(wěn)定性較差，容易出現(xiàn)脫膠掉落的現(xiàn)象。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的一種晶體消光比綜合測量平臺。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了如下技術(shù)方案：一種晶體消光比綜合測量平臺，包括底座、垂直位移調(diào)節(jié)臺、載晶臺和鋁制V型槽，所述底座下方固定安裝有滑輪，所述底座上方滑動連接有水平位移調(diào)節(jié)臺，且水平位移調(diào)節(jié)臺上方設(shè)有垂直位移調(diào)節(jié)臺，所述垂直位移調(diào)節(jié)臺上方螺旋連接有綜合調(diào)節(jié)臺，且綜合調(diào)節(jié)臺上方安裝有載晶臺，所述載晶臺上方安裝有標(biāo)靶臺，且標(biāo)靶臺上方固定連接有標(biāo)靶，所述載晶臺內(nèi)部設(shè)有晶體底座，且鏡體底座內(nèi)部嵌入有鋁制V型槽，所述鋁制V型槽上方設(shè)有梯形蓋板，且梯形蓋板下方安裝有玻璃底座。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述滑輪共固定連接有兩個，且兩個滑輪均勻固定安裝在底座的下方。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述標(biāo)靶垂直固定安裝在標(biāo)靶臺的上方。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述鋁制V型槽為硬鋁定制而成的V形結(jié)構(gòu)，且鋁制V型槽底座的兩側(cè)設(shè)螺紋結(jié)構(gòu)。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述梯形蓋板的橫截面梯度符合鋁制V型槽的梯度。

本實用新型中，現(xiàn)有的綜合測量平臺在不同形狀晶體測量時Y軸距離切換較為麻煩且耗時，且小鋼珠構(gòu)成的簡易V型槽結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較差，容易發(fā)生脫膠掉落，操作麻煩，該晶體消光比綜合測量平臺通過用硬鋁定制一個V型槽底座，且制作一個橫截面梯度符合V 型槽的等腰梯形蓋板，并在蓋板上設(shè)置一個有靠體的玻璃底座，當(dāng)測量圓柱型晶體放置在V 型槽上進(jìn)行測量，當(dāng)測量長方體晶體時就把蓋板鎖在V型槽上，將晶體置于玻璃底座上進(jìn)行測量使用更加的方便穩(wěn)固。

附圖說明

圖1為本實用新型提出的一種晶體消光比綜合測量平臺的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型提出的一種晶體消光比綜合測量平臺的載晶臺內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖例說明：

1-滑輪、2-底座、3-水平位移調(diào)節(jié)臺、4-垂直位移調(diào)節(jié)臺、5-綜合調(diào)節(jié)臺、6-載晶臺、7-標(biāo)靶臺、8-標(biāo)靶、9-鋁制V型槽、10-梯形蓋板、11-玻璃底座、12-晶體底座。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

參照圖1-2，一種晶體消光比綜合測量平臺，包括底座2、垂直位移調(diào)節(jié)臺4、載晶臺6和鋁制V型槽9，其特征在于，底座2下方固定安裝有滑輪1，底座2上方滑動連接有水平位移調(diào)節(jié)臺3，且水平位移調(diào)節(jié)臺3上方設(shè)有垂直位移調(diào)節(jié)臺4，垂直位移調(diào)節(jié)臺4上方螺旋連接有綜合調(diào)節(jié)臺5，且綜合調(diào)節(jié)臺5上方安裝有載晶臺6，載晶臺6上方安裝有標(biāo)靶臺7，且標(biāo)靶臺7上方固定連接有標(biāo)靶8，載晶臺6內(nèi)部設(shè)有晶體底座12，且鏡體底座12 內(nèi)部嵌入有鋁制V型槽9，鋁制V型槽9上方設(shè)有梯形蓋板10，且梯形蓋板10下方安裝有玻璃底座11。

滑輪1共固定連接有兩個，且兩個滑輪1均勻固定安裝在底座2的下方，標(biāo)靶8垂直固定安裝在標(biāo)靶臺7的上方，鋁制V型槽9為硬鋁定制而成的V形結(jié)構(gòu)，且鋁制V型槽 9底座的兩側(cè)設(shè)螺紋結(jié)構(gòu)，梯形蓋板10的橫截面梯度符合鋁制V型槽9的梯度。

工作原理：該晶體消光比綜合測量平臺使用時，當(dāng)需要進(jìn)行測量的晶體為圓柱形晶體時，將要測量的晶體放置在載晶臺6內(nèi)部的晶體底座12上的鋁制V型槽9內(nèi)部，在通過滑輪1調(diào)節(jié)距離，在通過垂直位移調(diào)節(jié)臺4和水平位移調(diào)節(jié)臺3進(jìn)行調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)完成后在通過綜合調(diào)節(jié)臺5進(jìn)行調(diào)節(jié)，全部調(diào)節(jié)完成后便可以進(jìn)行測量，當(dāng)測量矩形晶體時，首先將把梯形蓋板10鎖在V型槽上，在將被測量矩形晶體置于玻璃底座11上方，在按照上述的步驟進(jìn)行測量。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實用新型的技術(shù)方案及其實用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。