使用電沉積制備催化物質(zhì)的方法

專利名稱：使用電沉積制備催化物質(zhì)的方法
使用電沉積制備催化物質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于烴的不完全氧化(CPO)、蒸汽甲烷重整(SMR)、 蒸汽石油腦重整或干重整(DR)的新型催化劑。
合成氣的催化生產(chǎn)在通常對(duì)催化劑的穩(wěn)定性非常有害的劇烈條件(主 要溫度條件)下進(jìn)行。烴的催化不完全氧化(CPO )例如是強(qiáng)的放熱反應(yīng)， 且催化床的第一部分可以達(dá)到最高1000。C的溫度。相反，由于蒸汽甲烷重 整(SMR)和干重整(DR)是吸熱反應(yīng)，因此必須將催化床加熱至接近 1000。C以實(shí)現(xiàn)烴類的最大轉(zhuǎn)化，且向催化床的熱傳遞必須非常迅速地完成， 通常少于1秒，優(yōu)選少于0.1秒，從而降低其與反應(yīng)物質(zhì)的接觸時(shí)間以限 制碳形成。
這些反應(yīng)因此需要使用在金屬燒結(jié)、載體化學(xué)、機(jī)械耐受性和粒子分 散方面非常穩(wěn)定的催化劑。
此外，催化劑活性可能影響反應(yīng)器的熱分布在這方面，可以強(qiáng)調(diào)， 烴的催化不完全氧化(CPO)必須仔細(xì)控制，以避免在反應(yīng)器中形成熱點(diǎn)， 這可能在均勻反應(yīng)中突然發(fā)生；吸熱反應(yīng)需要由加熱裝置產(chǎn)生的大量能量 加熱反應(yīng)器壁。因此，如果催化材料造成良好的熱傳遞，可以由此促進(jìn)、 甚至改善反應(yīng)的均勻性。
此外，活性催化劑如果沉積在具有高熱導(dǎo)率的載體上，則可以改進(jìn)這 些體系的效率。特殊的耐高溫合金通常提供這種性質(zhì)。
催化床還必須引起最小的壓降(壓降對(duì)反應(yīng)有害)，同時(shí)主要出于經(jīng) 濟(jì)原因具有最低堆密度。形態(tài)與幾何結(jié)構(gòu)方面的最佳折衷方案可能是使用 特定的金屬泡沫類的載體。
另一關(guān)鍵點(diǎn)涉及在載體上沉積活性相的方法。由于金屬載體的比表面
積無效，直接的標(biāo)準(zhǔn)沉積方法(如浸漬法)不合適。
一些出版物公開了制造適用于烴的氧化重整的負(fù)載型金屬催化劑的方式。
日本專利5,186,203公開了用于SMR的催化元件，其由附著在多孔氧 化鋁層上的鎳細(xì)粒構(gòu)成，多孔氧化鋁層本身連接到金屬重整管內(nèi)表面上。
Ismagilov等人(Studies in surface Science and Catalysis, Elsevier, Amsterdam, 2000，第130 C巻，2759)公開了結(jié)合甲烷的方文熱燃燒和吸熱 蒸汽重整的催化換熱(HEX)管式反應(yīng)器，其在燃燒部分中包含在鎳-鉻泡 沫(Ni-Cr泡沫)材料上的鈣鈦礦或鉑負(fù)載型催化劑，并在蒸汽重整部分 中包含M的泡沫催化劑。
美國專利US 6,630,078 B2公開了金屬材料的用途，其用作在低接觸時(shí) 間值下進(jìn)行的SMR反應(yīng)的催化載體。
美國專利申請(qǐng)US 2003/0,185,750 Al和國際申請(qǐng)WO 02/066,371公開 了將活性相(Ni、 Rh、 Pt、 Ru……)沉積在陶瓷尖晶石(Mg-Al203， La-AI203， Ce-Al203 )上，而陶瓷尖晶石負(fù)載在載體標(biāo)準(zhǔn)氧化鋁或特殊金屬泡沫體上。 這類催化劑用在SMR反應(yīng)中，其所需接觸時(shí)間短于1秒。
美國專利申請(qǐng)US 2004/0,157,939 Al公開了催化活性金屬，其沉積在 碳化硅載體上，并用在將曱烷催化不完全氧化成合成氣的反應(yīng)中。
國際申請(qǐng)WO 2004/087,312公開了用Ni催化劑涂布金屬載體材料表面 的簡單有效的方法，即使載體材料具有復(fù)雜的表面幾何，其也可以使用。
美國專利申請(qǐng)US2005/0,084,441 Al公開了 C-納米芯片的制備，該C-納米芯片是來自元素周期表的第VIII、 IB和IIIB族的金屬或這些金屬的 金屬氧化物的合適的高導(dǎo)電性載體，并且可用在催化反應(yīng)中，例如氧化、 氫化、重整或蒸汽重整。
日本專利5,007,298公開了可用于烴的蒸汽重整的多孔金屬催化劑，其 可以如下制造形成含有多孔陶瓷層的催化劑層，該多孔陶資層栽有催化 劑粉末，所述催化劑層負(fù)載在具有3維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多孔金屬催化劑載體表 面上。然后，將通過用所述催化劑粉末涂覆陶瓷粉末而形成的復(fù)合陶乾粉末固定并負(fù)栽在具有3維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的多孔金屬栽體骨架表面上。
活性相的沉積通過常規(guī)方法進(jìn)行，例如浸涂、連續(xù)洗涂、有機(jī)金屬氣 相沉積、等離子體沉積、或化學(xué)氣相沉積。但是，金屬載體必須先被陶瓷 層涂布，例如MgAh04、 A1203、 Al203+Ce02、 SiC Ca-Al203或La-Al203, 但該涂層必須具有盡可能最低的厚度，以產(chǎn)生固定活性相所必須的最小表 面積。這種陶瓷涂層對(duì)于合金泡沫體的意義不僅是確保催化活性相M， 還在工業(yè)條件下隨時(shí)間的經(jīng)過保護(hù)合金免受腐蝕、金屬粉塵或氧化效應(yīng)。 這種涂層的質(zhì)量直接影響材料在穩(wěn)定性或催化活性方面的性能，且催化活 性相不與金屬載體直接接觸。但是，上述已知涂布技術(shù)不容易繼續(xù)發(fā)揮作 用。
本發(fā)明人工作的起點(diǎn)是兩篇論文，其報(bào)道了通過硝酸鹽的陰極還原而 本體合成含有Co或Ni作為二價(jià)陽離子和含有Al作為三價(jià)陽離子的水滑 石化合物(L. Indira和P.V. Kamath， J. Mater. Chem. 4 (1994) 1487; Dixit 和P.V. Kamath， J， Power Sources 56 (1995) 97 )。在》匕1^出上，已經(jīng)進(jìn)行 大量研究，以找出通過Ni/AI水滑石的一步電合成來改變不同電極的最佳 實(shí)驗(yàn)條件(E. Scavetta, B. Ballarin， M.Giorgetti， L Carpani, F. Cogo和D. Tonelli， J. New Mater. Electrochem. Systems 7 (2004-43),證明了時(shí)間和電 勢(shì)在控制薄膜厚度方面的關(guān)鍵作用)。圖l公開了薄膜重量與沉積電勢(shì)和 時(shí)間的函數(shù)關(guān)系圖(對(duì)于Pt電極)。圖2是在E = -0.9V和t = 10 s下在 Pt電極上獲得的HT薄膜的光學(xué)顯微照片，其是非常清澈穩(wěn)定的薄膜。
圖3A)公開了對(duì)于兩種不同的Pt電極，在￡ = -0.9￥下在1^/入1^03 水滑石化合物電合成過程中，電強(qiáng)度與時(shí)間的關(guān)系圖。
圖3B)公開了在用Ni/AI-N03水滑石化合物(該化合物經(jīng)恒電勢(shì)方式 電合成，E = -0.9V， 10秒)改性的鉑中，對(duì)于兩種電極，在1/10克分子量 蘇打水溶液(0.1MNaOH)中的循環(huán)伏安圖(20次循環(huán))；電勢(shì)掃描速率 =50mVs"。這兩個(gè)圖均i正明該:技術(shù)的可再現(xiàn)性高。
這些改性電極已經(jīng)在流動(dòng)系統(tǒng)中用于糖和醇的電流法測(cè)定[B. Ballarin, M. Berrettoni, I. Carpani, E. Scavetta和D. Tonelli, Anal. Chim. Acta 538(2005) 219。還報(bào)道了混合氧化物本體電合成，特別是鐵電鋯鈦酸鉛(PZT ) [Zhitomirsky， A. Kohn和L, Gal-Or， Mater. Letters 25 (1995) 223、稀土 鉻酸鹽Ln2Cr3Oi2 x 7H20 ( Ln = La， Pr， Nd ) [G. H.Annal Therese和P. Vishnu Kamath, Mater. Res. Bulletin 33 (1998) l]或Ba5Ru3Na2014 10H-4丐 鈥礦相關(guān)結(jié)構(gòu)E. Quarez和O. MentM， Solid State Science 5 (2003) 1105.1。
因此，本發(fā)明的目的是提出一種新方法，其通過在合金泡沫體上的直 接"活性致密陶瓷涂層"顯著減少工藝步驟數(shù)。
根據(jù)第一實(shí)施方案，本發(fā)明的主題是催化物質(zhì)的制備方法，該催化物 質(zhì)基本由涂有陶瓷活性相層的金屬載體構(gòu)成，所述方法基本由所述陶資活 性相在所述金屬栽體上的電沉積步驟(a)組成。
在本發(fā)明中，詞語"陶瓷活性相層"用于表示在結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)中存在貴 金屬和/或Ni、 Co的所有陶瓷相。在運(yùn)行過程中，這些金屬元素的一部分 離開結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)到ii^面。
這類陶瓷活性相層的實(shí)例包括至少氧化鎂型相化合物和至少硅酸鎂型 相化合物的混合物的固溶體，Al、和Rh和/或Ni陽離子溶于其中；或至少 鉤鈦礦結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)與鎳和/或銠金屬的混合物的固溶體。
在本發(fā)明中，詞語"金屬載體"主要用于表示產(chǎn)生大的比表面積并在 最高達(dá)100(TC的溫度下穩(wěn)定的金屬泡沫體。這類載體的實(shí)例包括 FeCrAlY、 NiCrAlY的金屬泡沫體。這類泡沫體可以是用于填充反應(yīng)器的 丸粒形式或填料形式。
在本發(fā)明中，詞語"電沉積，，主要用于表示通過電化學(xué)反應(yīng)和后續(xù)的 煅燒合成上述陶瓷相以及受控的、附著的薄層。
根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施方案，在上述方法中，陶瓷活性相層是通式(I)的 化合物
RhxNiyMglAlm(OH)2r+ ( An—z/n ) kH20,(I)
其中An—主要是硅酸根或多硅酸根陰離子；
(Kx《0.3;
(Ky <0.9;
(KK0.9;
(Km<0.5;
(Kk<10;
x+y >0;
0.5《y+ 1<0.9;
x + y + l + m = l;且 z是陽離子元素的總電荷。
作為通式(I)的化合物的實(shí)例，可提到如上定義的式(I)的化合物，
其中
(Kx<0.1; (Ky <0.3; 0.3<1<0.8; 0.1《m<0.4'，
x+y >0;
0.6<y+ 1《0.8; x + y + l + m = l,
更特別是選自下列那些化合物 (Si〇3 )。 16 kH20，
0 32+ 2- (Si〇3 )016 kH2〇，
0 32+ 2- (Si〇3 )016 kH2。， [Ni,Rh,02Mg,AI03198 (OH)2]032+ (Si03\16 kH20, [Ni002Mg063AI035 (0H)2]。35+ (Si〇32—)。 175 kH20，
0.35+ 2- (Si〇3 )0175 kH2〇，
0.35+ 2- (Si〇3 )。仍kH20，和
0.20+ 2- (Si03 )010kH2〇。
根據(jù)另一具體實(shí)施方案，在如上定義的方法中，陶瓷活性相層是通式 (II)的化合物
[AzA、肌+yNixRhyl03-s (n)
其中
A和A'不同，并選自鑭系或錒系或選自門捷列夫元素周期表的第IIa
族；
B選自門捷列夫元素周期表的第IIIb、 IVb、 Vb、 VIb、 VIIb、 lb和 lib縱列和第VIIIb族的過渡金屬； (Kx<0.7， (Ky《0.5， (K x+y < 0.8， (Kz<l且
6是獲得鈣鈦礦化合物的電中性所需的氧的亞化學(xué)計(jì)量值。 作為通式(II)的化合物的實(shí)例，可提到A和A'獨(dú)立地選自鑭(La)、 鈰(Ce) 、 4弓(Ca)或鍶(Sr)的如上定義的式(II)的那些；A為La 的如上定義的式(II)的那些；或B選自錳(Mn)、鐵(Fe)或鈷(Co) 的如上定義的式(II)的那些。
根據(jù)另一具體實(shí)施方案，在如上定義的方法中，陶瓷活性相層是式(IIa)所示的化合物
<formula>formula see original document page 12</formula> (IIa ) 其中A，、 x、 y和z和5如上文對(duì)式(II)所定義， 或式(lib)所示的化合物
<formula>formula see original document page 12</formula> (lib ) 其中x、 y和z和S如上文對(duì)式(II)所定義。
根據(jù)另一具體實(shí)施方案，在如上定義的方法中，陶瓷活性相層是式(II) 所示的化合物，其中0《x《0.5;或其中0《y《0.25。
根據(jù)另一具體實(shí)施方案，在如上定義的方法中，陶瓷活性相層是選自 下列化合物的化合物
La Fe。.7 Ni。.25 Rho.os O3-5
La。.8 Ce。.2 Fe。.7 Ni。.25 Rho.os 。3-5
La Fe。.7 Nio.3〇3-s
La Feo.95 Rh0.o5 (D3-5
La。8 Ce。.2 Fe。7 Nio.3〇3-s
如上定義的方法可以包括將步驟a)中獲得的物質(zhì)煅燒的步驟b)。
根據(jù)另一具體實(shí)施方案，本發(fā)明的主題是催化物質(zhì)的用途，該催化物 質(zhì)通過如上定義的方法制成，用于氣態(tài)烴的催化劑氧化而制造合成氣。
根據(jù)最后一個(gè)實(shí)施方案，本發(fā)明的主題是通過在由如上定義的方法制 成的催化物質(zhì)存在下氧化氣態(tài)烴流來制造合成氣的方法。
如上定義的催化物質(zhì)的制備方法的優(yōu)點(diǎn)是"活性陶瓷催化劑"直接沉 積在金屬載體上，可以控制沉積層的厚度，使用常規(guī)操作條件時(shí)獲得了均 勻的層，并簡化了制造法。
下列描述是權(quán)利要求的方法的舉例說明，而非限制。
實(shí)驗(yàn)報(bào)道 介紹
在本制備中，使用試劑純化學(xué)品；以Ni和Al硝酸鹽在雙蒸餾水中的 新制溶液為原料，電合成Ni/Al水滑石化合物。將兩個(gè)薄銅線插在多孔丸 粒內(nèi)，從而在PORVAIR (USA)出售的FeCrAlY的金屬泡沫體的單丸粒 上進(jìn)行電接觸。
通過含有0.225M硝酸鎳[Ni(N03)2、0.075 M硝酸鋁A1(N03)3和0.3M 硝酸鉀K(N03)的水溶液的陰極還原，在丸粒表面上沉積Ni/Al水滑石化 合物的薄膜。以恒定的電勢(shì)在H形小室的陰極室中進(jìn)行電化學(xué)反應(yīng)，電勢(shì) 相對(duì)于飽和甘汞電極(SCE )為-1.2V,進(jìn)行不同沉積時(shí)間(30至1000秒)。
結(jié)果
a )以1000秒的沉積時(shí)間，進(jìn)行Ni/Al水滑石在FeCrAlY泡沫體上的 電化學(xué)沉積試驗(yàn)。丸粒被新生層覆蓋，該層通常是含Ni的水滑石前體(如 圖4所示)，即使丸粒的整體外觀不均勻。這可能是由于電極連接在泡沫 體一側(cè)。
b) 在卯0。C將所得丸粒煅燒12小時(shí)(如圖5所示)，以形成沉積在 FeCrAlY丸粒上的ex HT M/A1，并在H2/N2流中在750。C將其還原。
c) 在CPO實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)中測(cè)試樣品，以評(píng)測(cè)其活性。
圖6以甲烷轉(zhuǎn)化率(CH4轉(zhuǎn)化率)以及氫(H2選擇性)、CO ( CO選 擇性)的選擇性值報(bào)道了在不同反應(yīng)條件下沉積在FeCrAlY (通過電化學(xué) 法沉積)上的ex HT Ni/Al的催化活性(在整料第一層上的溫度對(duì)于混 合物CH4/02/He = 2/1/20 v/v在500°C爐溫下的試驗(yàn)，該溫度為500X:;對(duì) 于混合物CH4/02/He = 2/1/20 v/v在750°C爐溫下的試驗(yàn)，該溫度為766°C; 對(duì)于混合物CH4/02/He = 2/1/4 v/v在750°C爐溫下的試驗(yàn)，該溫度為7卯。C; 且對(duì)于混合物CH4/02/He = 2/1/1 v/v在750。C爐溫下的試驗(yàn)，該溫度為762 °C)。
該樣品在500。C并使用CH4/02/Hc = 2/1/20 v/v混合物的情況(遠(yuǎn)非熱 力學(xué)條件)下為非活性，但提高爐溫至750。C,活性提高。不同進(jìn)料 (CH4/02/He = 2/1/20, 2/1/4和2/1/1 v/v )在750。C下的活性與樣品ex畫HTNi0.。2Mgo.63Al。.35 (在前述CPO研究過程中獲得的最佳制劑)和典型催化劑 (在A1203上0.1重量％ Rh )的相當(dāng)。
d)將負(fù)栽在合金泡沫體上的水滑石的性能與下列進(jìn)行比較 l-通過沉積在涂有spheralite/Disperal的(^^1203珠上的ex-HT sil
Ni8Rh(U5Mg6oAl幾85漿料(在卯0。C煅燒)制成的最佳樣品(最佳制劑)，
并如上在CPO研究中測(cè)試。性能結(jié)果列在圖7中。
2 -浸漬在a-氧化鋁上的0.1 % Rh的標(biāo)準(zhǔn)催化劑。CPO性能列在圖8中。
在金屬泡沫體上通過電化學(xué)法沉積的非最佳水滑石的性能接近通過標(biāo) 準(zhǔn)方法沉積在氧化鋁上的水滑石的最佳樣品，或接近由在a-氧化鋁上的0.1 % Rh構(gòu)成的標(biāo)準(zhǔn)商業(yè)催化劑。通過電化學(xué)法沉積在金屬泡沫體上的最佳水 滑石肯定提高了這些性能。
權(quán)利要求
1.制備催化物質(zhì)的方法，該催化物質(zhì)基本由涂有陶瓷活性相層的金屬載體構(gòu)成，所述方法基本由將所述陶瓷活性相電沉積在所述金屬載體上的步驟(a)組成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述金屬載體選自在最高達(dá)1000'C的 溫度穩(wěn)定的金屬泡沫體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述金屬載體選自FeCrAlY或 NiCrAlY的金屬泡沫體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或3之一的方法，其中所述陶瓷活性相層是通式(I) 的化合物[RhxNiyMglAlm(OH)2]z+ ( Anz/n ) kH20，( I) 其中A"—主要是珪酸根或多硅酸根陰離子； (Kx<0.3; (Ky《0.9;(Km《0.5;x+y>0;0.5<y+ 1<0.9;x + y + l + m = l;且z是陽離子元素的總電荷。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述陶瓷活性相層是通式(1)的化 合物，其中(K"0.1; (Ky <0.3; 0.3 <K 0.8; 0.1 <m<0.4; (Kk<5; x+y>0; 0.6<y+ 1<0.8; x + y + l + m = l。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述陶瓷活性相層是選自下列化合物 的化合物0.32+ 2-[Ni0.08Mg060AI0 32 (〇H)2] (Si03 )。 16 kH20，0.32+ 2-[Ni0.08Rh0,0015Mg0 60AI0 3185 (〇H)2〗 (Si〇3 )。 16 kH2〇， [Rh0.o05Mg071Al0285 (OH)2
(SiQ3 )01fi kH2〇，0.16[Ni,Rh0.0002Mg067Al0.3198 (QH^f32+ (Si032\ 16 kH20，0.35+ 2-[Ni002Mg0 63AI0 35 (OH)2] (Si〇3 )0仍kH2〇，0.35+ 2-[Rh00004Mg065AI0 3496 (OH)2] (Si03 )0175 kH20， 〖Ni002Mg078AI0 20 (OH)2]0 35+ (Si032\175 kH20,和0 20+ 2-[Rh00004Mg0.80Al0.1996 (OH)2] (Si03 )。 10 kH2〇。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6之一的方法，其中所述陶瓷活性相層是通式(II) 的化合物<formula>formula see original document page 3</formula> (II)其中A和A，不同，并選自鑭系或錒系或選自門捷列夫元素周期表的第IIa族；B選自門捷列夫元素周期表的第IIIb、 IVb、 Vb、 VIb、 VIIb、 Ib和 lib縱列和第VIIIb族的過渡金屬； 0<x<0.7， 0<y<0.5， 0 < x+y < 0.8， (Kz《l且3是獲得所述鈣鈦礦化合物的電中性所需的氧的亞化學(xué)計(jì)量值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述陶瓷活性相層是通式(II)的化 合物，其中A和A，獨(dú)立地選自La、 Ce、 Ca或Sr。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述陶瓷活性相層是通式(II)的化 合物，其中A為La。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7至9之一的方法，其中所述陶瓷活性相層是通式 (II)的化合物，其中B選自Mn、 Fe或Co。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述陶瓷活性相層是式(IIa)所示 的化合物[LazA、—zFd—x-yNixRhy03—5 (IIa ) 其中A'、 x、 y和z和S如上文對(duì)式(II)所定義， 或是式(lib)所示的化合物[LazCei—z[Fe"x-yNi、Rhy0:^ (lib ) 其中x、 y、 z和3如上文對(duì)式(II)所定義。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7至11的方法，其中所述陶瓷活性相層是通式(II) 的化合物，其中0<x<0.5。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7至12的方法，其中所述陶瓷活性相層是通式(II) 的化合物，其中(Ky".25。
14. 根據(jù)權(quán)利要求7至13之一的方法，其中所述陶瓷活性相層是選自 下列化合物的化合物<formula>formula see original document page 5</formula>
15. 根據(jù)權(quán)利要求1至14之一的方法，還包括將步驟a )中獲得的物 質(zhì)煅燒的步驟b)。
16. 催化物質(zhì)的用途，該催化物質(zhì)通過如權(quán)利要求1至15之一定義的 方法制成，用于氣態(tài)烴的催化劑氧化而制造合成氣。
17. 通過在催化物質(zhì)的存在下將氣態(tài)烴流氧化而制造合成氣的方法， 所述催化物質(zhì)通過權(quán)利要求1至15之一定義的方法制成。
全文摘要
本發(fā)明提供了催化物質(zhì)的制備方法，該催化物質(zhì)基本由涂有陶瓷活性相層的金屬載體構(gòu)成，該陶瓷活性相層主要是通式(I)的化合物[Rh_xNi_yMglAl_m(OH)₂]²⁺(A^n-_z/n)kH₂O，其中A^n-主要是硅酸根或多硅酸根陰離子；0≤x≤0.3；0≤y≤0.9；0≤l≤0.9；0≤m≤0.5；0≤k≤10；x+y＞0；0.5≤y+l≤0.9；x+y+l+m＝1；且z是陽離子元素的總電荷，或該陶瓷活性相層是通式(II)的化合物[A_zA′_1-z][B_1-x-yNi_xRh_y]O_3-δ(II)，其中A和A′不同，并選自鑭系或錒系或選自門捷列夫元素周期表的第IIa族；B選自門捷列夫元素周期表的第IIIb、IVb、Vb、VIb、VIIb、Ib和IIb縱列和第VIIIb族的過渡金屬；0≤x≤0.7，0≤y≤0.5，0≤x+y≤0.8，0≤z≤1且δ是獲得所述鈣鈦礦化合物的電中性所需的氧的亞化學(xué)計(jì)量值；所述方法基本由將所述陶瓷活性相電沉積在所述金屬載體上的步驟(a)組成。本發(fā)明還提供了所述催化物質(zhì)用于氣態(tài)烴的催化劑氧化而制造合成氣的用途。
文檔編號(hào)B01J23/755GK101370585SQ200780002365
公開日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2007年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月12日
發(fā)明者A·瓦卡里, D·加里, D·托奈立, E·斯卡維塔, F·巴塞爾, G·弗納薩里, P·德爾加洛, V·羅塞蒂 申請(qǐng)人:喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司