雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀的制作方法

本發(fā)明涉及到一種可利用空間能量對物質(zhì)及空間進(jìn)行凈化及增加能量的雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀。

背景技術(shù)：

隨著現(xiàn)代社會污染的日益加劇和人們對健康的日益重視，空氣凈化器、水過濾器等凈化設(shè)備已經(jīng)逐漸開始普及，但是上述凈化設(shè)備的凈化原理都是采用電能對物質(zhì)進(jìn)行過濾等處理，不僅在使用場合上收到了嚴(yán)重的限制(必須具有電源)，而且凈化處理的效果也不佳，例如說對分子大小級別的污染物就很難實(shí)現(xiàn)凈化，同時也不能增加物質(zhì)及空間的能量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提出一種適用場合靈活、凈化效果好，并且能夠增加物質(zhì)及空間能量的雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀。

本發(fā)明的雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀包括雙面或多面結(jié)構(gòu)的本體，所述本體的側(cè)面設(shè)有聚能結(jié)構(gòu)的分形單元矩陣和生長矩陣。

上述聚能結(jié)構(gòu)的分形單元矩陣和生長矩陣可以從多個方向聚集宇宙能量，并按照特定方向散發(fā)，將其應(yīng)用于物質(zhì)的凈化，從而將水、空氣等物質(zhì)中的大分子團(tuán)轉(zhuǎn)化為小分子團(tuán)，改變其分子排列，使其分子排列更加有序，從而擠出其中的分子大小級別的污物，達(dá)到凈化的效果，作用在物體及空間時，可以對其進(jìn)行清潔并增加其能量。

進(jìn)一步地，所述該場效應(yīng)聚能及凈化儀還設(shè)有頻率共振儀或遠(yuǎn)紅外發(fā)熱管。由于場效應(yīng)聚能及凈化儀設(shè)置了頻率共振儀，頻率共振儀自身發(fā)出的共振頻率，經(jīng)過聚能結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化聚集，作用在物體及空間時，可以進(jìn)一步提高凈化和聚能效果。利用聚能結(jié)構(gòu)的分形單元矩陣和生長矩陣所聚集的能量，在向外擴(kuò)散的過程中會經(jīng)過遠(yuǎn)紅外發(fā)熱管和發(fā)射罩的增強(qiáng)，從而提高能量的指向性和強(qiáng)度，進(jìn)而提高凈化能力。

進(jìn)一步地，所述本體及聚能結(jié)構(gòu)的分形單元矩陣和生長矩陣位于一殼體內(nèi)，所述頻率共振儀位于所述殼體內(nèi)部或外部，所述遠(yuǎn)紅外發(fā)熱管位于所述殼體外部，以保護(hù)聚能結(jié)構(gòu)的分形單元矩陣和生長矩陣不受損壞。

進(jìn)一步地，所述頻率共振儀或遠(yuǎn)紅外發(fā)熱管的周圍設(shè)有反射罩，以提高能量的指向性。

進(jìn)一步地，為加強(qiáng)該雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀的能量發(fā)射指向性，所述雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀還設(shè)有加強(qiáng)反射罩，所述加強(qiáng)反射罩將雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀散發(fā)的能量向同一方向反射。

具體來說，聚能結(jié)構(gòu)的分形單元矩陣和生長矩陣的產(chǎn)生步驟如下：

步驟一、確定分形單元si，定義分形單元矩陣x＝(xij)的每個元素的數(shù)字質(zhì)量m，則：m＝xij，(1)

定義從一個元素到另一個元素的路徑為1n，1n的長度為所經(jīng)過的元素數(shù)量n；定義該線段的數(shù)字密度為：

所述分形單元si，的元素構(gòu)成矩陣如果f要達(dá)到最大的信息熵值，則f應(yīng)具有各向數(shù)字密度的對稱性，且各wij的值相等，使得各sij的p(sij)相等，則si應(yīng)滿足(6)式：

si1+si5＝si3+si7＝si4+si8＝si2+si6，(6)

所以，si的各元素是(7)式的一個解：

目標(biāo)函數(shù)maxh(si)的約束條件：

其中，h(si)是結(jié)構(gòu)的特征信息熵，sij是分形單元si，的各個元素值；

(7)式的解是一族解，從所述族解中選取一個解，執(zhí)行步驟二；

步驟二、確定生長矩陣，找到特殊聚能結(jié)構(gòu)的迭代方式，推導(dǎo)出得到任意的i維特殊聚能結(jié)構(gòu)參數(shù)的生長矩陣yⁱ，根據(jù)步驟一計算出的si得到i維特殊聚能結(jié)構(gòu)的生長矩陣；

步驟三、檢驗(yàn)所設(shè)計的參數(shù)矩陣是否符合特殊聚能結(jié)構(gòu)參數(shù)矩陣的最優(yōu)化的要求；

步驟四、確定參數(shù)矩陣，根據(jù)應(yīng)用對象，確定特殊聚能結(jié)構(gòu)的參數(shù)矩陣，參數(shù)矩陣中的各元素是特殊聚能結(jié)構(gòu)的每個單元的參數(shù)值，根據(jù)需要確定此參數(shù)是面積、體積、高度、電流強(qiáng)度、電磁波頻率或其他所需的各種物理量，選擇物理量后，確定常數(shù)c，得到所設(shè)計結(jié)構(gòu)的參數(shù)矩陣；

步驟五、根據(jù)需要設(shè)計特殊聚能結(jié)構(gòu)的所用材料、總體尺寸大小、形狀以及每個結(jié)構(gòu)單元的形狀及尺寸大小。

上述步驟三中，所述檢驗(yàn)所設(shè)計的參數(shù)矩陣是否符合特殊聚能結(jié)構(gòu)參數(shù)矩陣的最優(yōu)化的要求的檢驗(yàn)方法如下：

把以下三個條件作為檢驗(yàn)所設(shè)計的生長矩陣和參數(shù)矩陣是否符合特殊聚能結(jié)構(gòu)的條件；

條件(1)：生長矩陣具有所述步驟一所描述的分形特征；

條件(2)：因?yàn)閰?shù)矩陣的特征集由式(7)得到，式(7)具有多個解，所以要檢驗(yàn)所得的結(jié)構(gòu)參數(shù)矩陣是否達(dá)到最優(yōu)值；

定義矩陣yⁱ的每個元素的數(shù)字質(zhì)量為mij，yⁱ的總數(shù)字質(zhì)量為g(yⁱ)：

mij＝y(tǒng)ij，(9)

生長矩陣yⁱ的所有元素的數(shù)字質(zhì)心在結(jié)構(gòu)的幾何質(zhì)心處；

條件(3)：對生長矩陣的各元素取模5后得到矩陣為yⁱmod5，yⁱmod5所有元素的數(shù)字質(zhì)心仍在其結(jié)構(gòu)的幾何質(zhì)心處；

如果要所設(shè)計的特殊聚能結(jié)構(gòu)達(dá)到最優(yōu)值，則si、y¹要滿足(7)式和(8)式，同時要滿足上述的條件(l)、條件(2)和條件(3)。

上述步驟二中，所述i維特殊聚能結(jié)構(gòu)的生長矩陣的表達(dá)式為：

y¹＝(y11y12y13y14y15y16y17y18)1x8，(i＝1)，

yⁱ為i維生長矩陣，其中：eixj是ixj維全部元素為l的矩陣；y¹的要求與所述步驟一的si相同，y¹＝(y11y12y13y14y15y16y17y18)1x8為一維生長矩陣，簡稱y，其中，sij,yij∈n，如果所需的是一維特殊聚能結(jié)構(gòu)，則y¹＝si，直接用步驟一所確定的si＝(si1si2si3si4si5si6si7si8)1x8即可；如果所設(shè)計的是二維以上的特殊聚能結(jié)構(gòu)，則按(8)式確定生長矩陣。

上述步驟四中，所述參數(shù)矩陣的表達(dá)式如下：

x＝cyⁱ，(11)

其中，c是復(fù)數(shù)；參數(shù)矩陣的各元素的數(shù)值用于對應(yīng)面積物理量、體積物理量、高度物理量、電磁波頻率物理量、電荷量物理量和電流強(qiáng)度物理量。

在步驟一中，所述特殊聚能結(jié)構(gòu)的參數(shù)矩陣具有分形特征，其分形單元是兩個數(shù)字密度相等的相互正交的且長度相等的直線段組成，特殊聚能結(jié)構(gòu)的參數(shù)矩陣具有分形特征，其二維平面仿射變化是：

其中，

縮放其中，k是整數(shù)；旋轉(zhuǎn)l∈n，平移

設(shè)特殊聚能結(jié)構(gòu)的參數(shù)矩陣的特征集為：si＝(si1si2si3si4si5si6si7si8)1x8，其中，

sij∈n，n為整數(shù)，元素sij代表特殊聚能結(jié)構(gòu)的特征類別，則該結(jié)構(gòu)的特征信息熵為：

其中：

概率p(sij)是狀態(tài)特征sij在特征集si中出現(xiàn)的比重，wij是加權(quán)系數(shù)。

所述特殊聚能結(jié)構(gòu)的聚能效應(yīng)只與結(jié)構(gòu)各組成單元的排列次序有關(guān)。

進(jìn)一步地，上述該場效應(yīng)聚能及凈化儀還可以同時設(shè)有頻率共振儀和遠(yuǎn)紅外發(fā)熱管。

上述聚能結(jié)構(gòu)相對于現(xiàn)有技術(shù)具有如下的優(yōu)點(diǎn)及效果：

(1)此結(jié)構(gòu)周圍有能量聚集現(xiàn)象，經(jīng)測試成分包括各種頻段的電磁信號及可能存在的其它未知成分。

(2)此結(jié)構(gòu)可以放大多種頻段的電磁信號。

(3)該結(jié)構(gòu)在撤掉后，原處能量場有記憶延時功能，仍存在一段時間。

(4)該特殊聚能結(jié)構(gòu)的能量場可穿透金屬，在該結(jié)構(gòu)被金屬屏蔽的情況下仍有上述第(l)、(2)、(3)的特點(diǎn)。

(5)上述四點(diǎn)與制作結(jié)構(gòu)本身的材料、形狀、尺寸無關(guān)。此結(jié)構(gòu)使用多種金屬、礦物晶體、木質(zhì)、高分子材料、水泥等多種材料制作的樣品進(jìn)行過測試，以上四點(diǎn)特征都存在。

本發(fā)明的雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀可以對空間中的宇宙能量進(jìn)行聚集，并應(yīng)用于對物質(zhì)的凈化，不僅適用場合靈活廣泛，而且相比于過濾等凈化方式，凈化效果大大提高。

附圖說明

圖1是實(shí)施例1的雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀的結(jié)構(gòu)剖視圖。

圖2是實(shí)施例2的雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀的結(jié)構(gòu)剖視圖。

圖3是一種二維特殊聚能結(jié)構(gòu)平面設(shè)計圖。

圖4(a)是1n＝8的特殊聚能結(jié)構(gòu)分形特征示意圖。

圖4(b)是1n＝4的特殊聚能結(jié)構(gòu)分形特征示意圖；圖4(c)是1n＝2的特殊聚能結(jié)構(gòu)分形特征示意圖。

圖5是一種二維特殊聚能結(jié)構(gòu)參數(shù)列表圖。

圖6是圖3所示的特殊聚能結(jié)構(gòu)上方的電場和磁場增量，單位：db。

圖7是圖3所示的特殊聚能結(jié)構(gòu)上方的功率增量，單位：微瓦/平方米。

圖8是圖3所示的特殊聚能結(jié)構(gòu)的記憶延時時間，單位：秒。

圖9是圖3所示的特殊聚能結(jié)構(gòu)放置在金屬屏蔽網(wǎng)中測試的屏蔽網(wǎng)外部的電場強(qiáng)度增量，單位：db。

附圖標(biāo)示：1、本體；2、殼體；3、聚能結(jié)構(gòu)；4、頻率共振儀；5、反射罩；6、支架；7、加強(qiáng)反射罩。

具體實(shí)施方式

下面對照附圖，通過對實(shí)施實(shí)例的描述，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式如所涉及的各構(gòu)件的形狀、構(gòu)造、各部分之間的相互位置及連接關(guān)系、各部分的作用及工作原理等作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

實(shí)施例1：

如圖1所示，本實(shí)施例的雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀包括由正多面體形狀的本體1和面數(shù)與本體1面數(shù)一致的正多面體的殼體2(在本實(shí)施例中，本體1和殼體2均采用正四面體的形狀)，所述本體1位于殼體2內(nèi)部，本體1利用突出其邊角處的支架6與殼體2固定連接。所述本體1的每個側(cè)面均設(shè)有聚能結(jié)構(gòu)3的分形單元矩陣和生長矩陣。

本體1側(cè)面與殼體2的對應(yīng)側(cè)面平行相對；殼體2的外側(cè)面對應(yīng)本體1的每一個聚能結(jié)構(gòu)3均設(shè)有頻率共振儀4和反射罩5，所述頻率共振儀4位于對應(yīng)的反射罩5的中央位置處。當(dāng)然，上述頻率共振儀4也可以用遠(yuǎn)紅外發(fā)熱管代替。

如圖3所示，具體來說，聚能結(jié)構(gòu)的分形單元矩陣和生長矩陣設(shè)計用單面覆銅板按所述步驟一設(shè)定si＝(38271649)＝y(tǒng)¹，si符合式(7)。

按式(8)計算二維生長矩陣：

按式(11)計算出該結(jié)構(gòu)的參數(shù)矩陣x＝4y²，x的各元素如圖3所示。

按計算出參數(shù)矩陣x的各元素值制作出六十四個大小不同的矩形，同一行的每個矩形間隔均為2mm，結(jié)構(gòu)總尺寸為80x80mm矩形，結(jié)構(gòu)如圖1所示。結(jié)構(gòu)由64個小矩形構(gòu)成，圖3中的黑色部分為覆銅部分，覆銅矩形的面積數(shù)據(jù)如圖5中表格所示，單位是mm²。

該y²符合所述步驟三的條件(l)、(2)和(3)。

與光滑的覆銅板進(jìn)行對比測試，測試信號為50mhz-3.5ghz，測試結(jié)果如圖6、圖7、圖8和圖9所示。圖6是圖3所示結(jié)構(gòu)與光滑覆銅板對比的電場強(qiáng)度與磁場強(qiáng)度的增量，測試結(jié)果說明該結(jié)構(gòu)對電磁信號有明顯增強(qiáng)效果。圖7是圖3所示結(jié)構(gòu)與光滑覆銅板對比的功率密度的增量。圖8是在撤走圖3所示的特殊聚能結(jié)構(gòu)后，在樣品原處仍有能量場存在，對信號仍有放大效應(yīng)，能量場延時時間τ≈380秒。圖9的結(jié)果是特殊聚能結(jié)構(gòu)的樣品穿透金屬屏蔽后與光滑覆銅板的電場強(qiáng)度對比，結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)樣品的能量可穿透金屬屏蔽對結(jié)構(gòu)周圍的信號進(jìn)行作用。

實(shí)施例2：

如圖2所示，與實(shí)施例1不同的是，在本實(shí)施例中，為加強(qiáng)該雙面或多面結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)聚能及凈化儀的能量發(fā)射指向性，所述殼體2的一側(cè)還設(shè)有加強(qiáng)反射罩7，所述加強(qiáng)反射罩7為半球狀，包圍了本體1及殼體2，只露出一個側(cè)面，從而將本體1散發(fā)的能量向同一方向反射。本體1利用突出其邊角處且穿過殼體2的支架6與加強(qiáng)反射罩7固定連接。

實(shí)施例3：

與實(shí)施例1不同的是，在本實(shí)施例中，場效應(yīng)聚能及凈化儀同時設(shè)有頻率共振儀和遠(yuǎn)紅外發(fā)熱管。