一種核?殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L?Cys量子點(diǎn)的制備方法與流程

本發(fā)明屬于光伏材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備方法。

背景技術(shù)：

核-殼結(jié)構(gòu)硒化鋅/硫化鋅納米晶(也稱量子點(diǎn))屬于II/VI族半導(dǎo)體材料，其獨(dú)特的核-殼結(jié)構(gòu)和低的生物毒性預(yù)示著該材料在光電子、微電子、以及太陽能光伏器件等領(lǐng)域具有更加優(yōu)異的功能特性和廣泛的應(yīng)用前景。目前，該納米晶的制備方法主要分油相合成和水相合成法，為了保證材料的應(yīng)用性能，上述兩種制備方法均要求在較高的溫度下完成反應(yīng)。在既保留(甚至提高)材料原有應(yīng)用性能的條件下，能夠減少制備過程中的能源消耗是當(dāng)前該領(lǐng)域研究的一個主要問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了提供一種在常溫下反應(yīng)、表面光伏響應(yīng)范圍大、光伏響應(yīng)強(qiáng)度大的核-殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的制備方法。

本發(fā)明制備方法如下：

(1)Se前體的制備

將去離子水加入容器并通入N₂ 30min，按每100ml去離子水同時加入2.4375g硒(Se)粉和硼氫化鈉(NaBH₄)比例，將硒粉與硼氫化鈉加入去離子水中，所述硒粉與硼氫化鈉的摩爾比為1:3，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

(2)Zn前體的制備

按每100ml去離子水加入1.34g醋酸鋅與L-半胱氨酸的比例，將醋酸鋅與L-半胱氨酸加入去離子水中，所述醋酸鋅與L-半胱氨酸的摩爾比為2:3，待反應(yīng)0.5h，用NaOH溶液調(diào)節(jié)混合液pH值至8-12，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液Zn前體；

(3)ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的制備

按鋅與硒的摩爾比為1-2:1-2的比例，將步驟(1)制得的Se前體加入至步驟(2)制得的Zn前體中，通入氮?dú)?，在常溫條件下磁力攪拌反應(yīng)1.5-5小時，制得ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入與ZnSe量子點(diǎn)溶液等體積的丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將得到的沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時。隨后對烘干的沉淀物研磨，即得到核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)采用常溫條件下水相合成法制備ZnSe量子點(diǎn)，反應(yīng)條件更加溫和，對反應(yīng)設(shè)備的要求更低，減少了能源的損耗，更加綠色環(huán)保；

(2)與反應(yīng)溫度90℃條件下制得ZnSe量子點(diǎn)相比，表面光伏響應(yīng)范圍增加約100納米，且均處于可見光范圍內(nèi)；

(3)光伏響應(yīng)強(qiáng)度最大值為1.97×10^-4V，與原傳統(tǒng)方法(反應(yīng)溫度90℃條件下)制得樣品的光伏響應(yīng)強(qiáng)度(3.43×10^-5V)相比增加約5-8倍。

附圖說明

圖1是本發(fā)明核-殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)模型示意圖，其中1代表外層L-cys,2代表殼層ZnS，3代表核ZnSe。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1-5制得的ZnSe量子點(diǎn)的X-射線衍射圖，圖中：…線代表立方ZnS的PDF卡片標(biāo)準(zhǔn)曲線、---線代表立方ZnSe的PDF卡片標(biāo)準(zhǔn)曲線。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例1-7常溫條件下制備的ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)以及在反應(yīng)溫度為90℃，pH＝11條件下制得ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的表面光電壓譜圖。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例1制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例2制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

圖6是本發(fā)明實(shí)施例3制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

圖7是本發(fā)明實(shí)施例4制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

圖8是本發(fā)明實(shí)施例4、8和9在常溫、不同反應(yīng)時間條件下制備的ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的表面光電壓譜圖。

圖9是本發(fā)明實(shí)施例5制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

圖10是本發(fā)明實(shí)施例6制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

圖11是本發(fā)明實(shí)施例7制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

圖12是本發(fā)明實(shí)施例8制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

圖13是本發(fā)明實(shí)施例9制備ZnSe/ZnS/L-Cys量子點(diǎn)的場誘導(dǎo)表面光電壓譜圖，其中(a)是正電場誘導(dǎo)表面光電壓譜；(b)是負(fù)電場誘導(dǎo)表面光電壓譜。

具體實(shí)施方式：

實(shí)施例1

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入1.0975g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.909g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為8，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝2：1)N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)3小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入95mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時。隨后對烘干的沉淀物研磨，即得到核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末，該ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)如圖1所示，量子點(diǎn)核為ZnSe 1，殼層為ZnS 2,外層為L-cys 3。

如圖2所示，表明與反應(yīng)溫度為90℃制備ZnSe納米晶相比，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在23和30度衍射角出現(xiàn)較強(qiáng)雜相衍射峰，(111)晶面衍射峰向大角度位移；

如圖3所示，在波長為350–550nm范圍內(nèi)的表面光伏相應(yīng)強(qiáng)度低于反應(yīng)溫度為90℃制備得到的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末，而在550–700nm范圍內(nèi)的表面光伏相應(yīng)強(qiáng)度高于反應(yīng)溫度為90℃制備得到的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末；

如圖4所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度隨外加正電場和負(fù)電場絕對值增加而增加。

實(shí)施例2

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)約1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入1.0975g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.909g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為9，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝2：1)，通N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)3小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入95mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時，隨后對烘干的沉淀物研磨，制得ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末。

如圖2所示，與反應(yīng)溫度為90℃制備ZnSe納米晶相比，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在23度和30度出現(xiàn)較強(qiáng)雜相衍射峰，(111)晶面衍射峰向大角度位移；

如圖3所示，表明在檢測范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度均低于反應(yīng)溫度為90℃的ZnSe納米晶；

如圖5所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度隨外加正電場和負(fù)電場絕對值增加而增加，但是隨外加負(fù)電場增加的程度大于隨外加正電場增加的程度。

實(shí)施例3

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)約1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入1.0975g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.909g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為10，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝2：1)，通N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)3小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入95mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時，隨后對烘干的沉淀物研磨，制得核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末。

如圖2所示，表明與反應(yīng)溫度為90℃制備ZnSe納米晶相比，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在23度和30度出現(xiàn)較強(qiáng)雜相衍射峰，(111)晶面衍射峰向大角度位移；

如圖3所示，表明在檢測450-700nm波長范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度高于其他實(shí)施例，表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度高于反應(yīng)溫度為90℃ZnSe納米晶的7倍；

如圖6所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度隨外加正電場和負(fù)電場絕對值增加而增加；另外，隨外加正電場增加表面光伏響應(yīng)增加的幅度大于外加負(fù)電場，而且表面光伏響應(yīng)范圍加寬。

實(shí)施例4

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)約1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入1.0975g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.909g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為11，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝2：1)，通N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)3小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入95mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時。隨后對烘干的沉淀物研磨，制得核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末。

如圖2所示，表明與反應(yīng)溫度為90℃制備ZnSe納米晶相比，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在23度和30度出現(xiàn)較強(qiáng)雜相衍射峰，(111)晶面衍射峰向大角度位移；

如圖3所示，表明在檢測范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度均低于反應(yīng)溫度為90℃制備的ZnSe納米晶；

如圖7所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度隨外加正電場增加而增加，隨外加負(fù)電場絕對值的增加而下降。

如圖8所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在檢測范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度均高于實(shí)施例8和9表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度將近7倍；

實(shí)施例5

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)約1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入1.0975g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.909g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為12，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝2：1)，通N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)3小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入95mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時。隨后對烘干的沉淀物研磨，即得到如圖1所示核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末。

如圖2所示，表明與反應(yīng)溫度為90℃制備ZnSe納米晶相比，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在23度和30度出現(xiàn)較強(qiáng)雜相衍射峰，(111)晶面衍射峰向大角度位移；

如圖3所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在波長為350–550nm范圍內(nèi)的表面光伏相應(yīng)強(qiáng)度低于步驟3中反應(yīng)溫度為90℃制備的ZnSe納米晶，而在550–700nm范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度高于反應(yīng)溫度為90℃制備的ZnSe納米晶；

如圖9所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度隨外加正電場增加而增加，隨外加負(fù)電場絕對值的增加而下降。

實(shí)施例6

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)約1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入0.55g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.45g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為11，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝1:1，濃度見上一步)，N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)3小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入95mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時，隨后對烘干的沉淀物研磨，制得核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末。

如圖3所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在350-720nm波長范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度不僅高于其他實(shí)施例，尤其高于步驟3中反應(yīng)溫度為90℃制備的ZnSe納米晶7.5倍；

如圖10所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度同時隨外加正電場和負(fù)電場絕對值增加而增加。

實(shí)施例7

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)約1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入0.28g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.227g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為11，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝1:2，濃度見上一步)，通N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)3小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入95mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時，隨后對烘干的沉淀物研磨，制得核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末。

如圖3所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在檢測波長范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度低于其他實(shí)施例和反應(yīng)溫度為90℃制備得到的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末；

如圖11所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度同時隨外加正電場和負(fù)電場絕對值增加而增加。

實(shí)施例8

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)約1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入1.0975g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.909g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為11，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝2:1)，通N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)1.5小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入95mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時。隨后對烘干的沉淀物研磨，即得到如圖1所示核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末。

如圖4所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在檢測范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度均低于實(shí)施例4和9；

如圖12所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度同時隨外加正電場和負(fù)電場絕對值增加而增加，且響應(yīng)范圍加寬。

實(shí)施例9

在燒杯中加入20mL去離子水，通入N₂ 30min，加入0.1975g硒(Se)粉和0.29g硼氫化鈉(NaBH₄)，在N₂保護(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)約1.5h，直至溶液變?yōu)闊o色透明，制得Se前體；

在75ml去離子水中加入1.0975g醋酸鋅(Zn(CH₃COO)₂)和0.909g L-半胱氨酸(L-Cys)待反應(yīng)0.5h，用2mol/L的NaOH溶液調(diào)混合液pH值為11，在氮?dú)獗Ｗo(hù)和常溫(即室溫)條件下反應(yīng)30min，得到無色透明溶液，即Zn前體；

將20mL Se前體加入75mL Zn前體中(n_Zn:n_Se＝2:1)，通N₂、常溫，在磁力攪拌器攪拌下反應(yīng)5小時，即得到ZnSe量子點(diǎn)溶液；隨后，加入100mL丙酮溶液作為沉淀劑，靜置約5小時后，對得到的沉淀物進(jìn)行洗滌并離心處理三次，將以上沉淀物用乙醇分散并置于真空干燥箱中，在60℃下烘干48小時。隨后對烘干的沉淀物研磨，即得到如圖1所示核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末。

如圖4所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末在檢測范圍內(nèi)的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度低于實(shí)施例4制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的，高于實(shí)施例8制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末；

如圖13所示，制得的核殼結(jié)構(gòu)ZnSe/ZnS/L-cys量子點(diǎn)粉末的表面光伏響應(yīng)強(qiáng)度隨外加正電場增加而增加，隨外加負(fù)電場絕對值增加而下降。