專利名稱：一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液及應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子輔助材料及加工工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液及應(yīng)用。
背景技術(shù)：
隨著微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)大容量的非揮發(fā)性的存儲(chǔ)器的需求越來越緊迫。而基于浮柵結(jié)構(gòu)的快閃(flash)存儲(chǔ)器由于較高的操作電壓、復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)和浮柵結(jié)構(gòu)不能無限減薄等問題，嚴(yán)重制約了快閃存儲(chǔ)器的進(jìn)一步應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。特別是當(dāng)工藝結(jié)點(diǎn)進(jìn)入45nm以后，由于無法進(jìn)一步提高集成密度，使得尋求新型存儲(chǔ)器替代快閃存儲(chǔ)器的需求更為迫切。于是基于新理論新材料的各種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器應(yīng)運(yùn)而生，而利用電流致電阻轉(zhuǎn)變效應(yīng)開發(fā)的電阻式存儲(chǔ)器(又叫阻變存儲(chǔ)器)就是其中之一。阻變存儲(chǔ)器(Resistive Random Access Memory, RRAM)是一種新型的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，具有操作電壓低、讀寫速度快、反復(fù)操作耐久性強(qiáng)、存儲(chǔ)密度高、數(shù)據(jù)保持時(shí)間長、功耗低、成本低、與 CMOS工藝兼容等特點(diǎn)，被譽(yù)為下一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器最有力的競(jìng)爭(zhēng)者。阻變存儲(chǔ)器的關(guān)鍵材料是可記錄的過渡金屬氧化物薄膜材料，其中具有阻變特性的氧化鎳材料備受各界的關(guān)注，韓國的首爾大學(xué)(Appl. Phys. Lett. 95，062105，2009)、日本東京大學(xué)(Appl. Phys. Lett. 95，012109,2009)、日本納米技術(shù)研究所(NRI)和相關(guān)電子研究中心(CERC) (Appl. Phys. Lett. 91，012901，2007)、三星先進(jìn)技術(shù)研究所(Appl. Phys. Lett. 91，202115， 2007)等都在進(jìn)行氧化鎳阻變性質(zhì)及其阻變存儲(chǔ)器件制造相關(guān)技術(shù)的研究，可見基于氧化鎳的阻變存儲(chǔ)器將在阻變存儲(chǔ)器器件領(lǐng)域?qū)?huì)有很好的應(yīng)用前景。但是現(xiàn)有的各種生長氧化鎳的方法比如濺射、脈沖激光沉積、低壓化學(xué)氣相沉積、電子束蒸發(fā)、原子層沉積、溶膠-凝膠等生長的氧化鎳薄膜都有著很大的表面粗糙度而且表面含有針孔缺陷，這些都將嚴(yán)重影響后續(xù)薄膜的生長，從而嚴(yán)重影響到整個(gè)阻變器件的性能。尤其是當(dāng)工藝結(jié)點(diǎn)進(jìn)入 40nm以后，由于生長出來的氧化鎳表面較大的粗糙度限制了高精度的光刻的實(shí)現(xiàn)，從而嚴(yán)重制約了氧化鎳薄膜及其相關(guān)器件的制造與應(yīng)用。所以生長氧化鎳薄膜必須經(jīng)過表面平坦化以降低其表面粗糙度才能應(yīng)用到實(shí)際的器件制造中去。另外基于氧化鎳薄膜材料的阻變存儲(chǔ)器制作關(guān)鍵技術(shù)在于如何形成構(gòu)成器件的鑲嵌結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成存儲(chǔ)單元。結(jié)合化學(xué)機(jī)械平坦化在器件互連領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，如何通過氧化鎳的化學(xué)機(jī)械平坦化制作基于氧化鎳的阻變存儲(chǔ)器成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)，有關(guān)氧化鎳的化學(xué)機(jī)械平坦化工作也成為該領(lǐng)域的關(guān)注焦點(diǎn)之一。目前，化學(xué)機(jī)械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)作為唯一一種能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的技術(shù)，已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路工藝中一種不可或缺的工藝，而且被廣泛應(yīng)用于深亞微米多層銅互系統(tǒng)當(dāng)中。國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖 (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)在 2007 年提出，用于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的新材料的化學(xué)機(jī)械平坦化的研究工作極需進(jìn)行，深溝槽結(jié)構(gòu)的形成及多余材料的去除都需要化學(xué)機(jī)械平坦化來完成。
為了不斷提高存儲(chǔ)密度，降低阻變時(shí)的電壓、功耗，要求阻變存儲(chǔ)器器件單元中特征尺寸縮小至納米級(jí)。鑒于半導(dǎo)體工藝中0. 25微米以下的技術(shù)，材料表面必須通過化學(xué)機(jī)械平坦化進(jìn)行全局平坦化，方可利用通用的光刻曝光工藝進(jìn)行亞微米尺寸的加工。其次，通過化學(xué)機(jī)械平坦化，可以提高薄膜的平整度，增加介面間的接觸面積，降低電極與阻變薄膜之間的介面捕獲電流密度，進(jìn)而改善阻變薄膜材料的電特性和抗疲勞性，同時(shí)降低缺陷，增強(qiáng)器件的可靠性。而且，為了阻變存儲(chǔ)器器件的制備工藝與CMOS工藝相兼容，以使制作成本最低，需要對(duì)阻變材料的化學(xué)機(jī)械平坦化這一關(guān)鍵工藝進(jìn)行研究。阻變存儲(chǔ)器器件單元結(jié)構(gòu)涉及納米結(jié)構(gòu)的形成，包括納米孔的形成、納米填充和多余材料的化學(xué)機(jī)械平坦化。為形成填充結(jié)構(gòu)，只能通過阻變材料的填充及化學(xué)機(jī)械平坦化形成器件單元。經(jīng)查閱國內(nèi)外專利、文獻(xiàn)有關(guān)阻變材料氧化鎳化學(xué)機(jī)械拋光的文獻(xiàn)未見報(bào)道。而由于拋光液的組份對(duì)拋光的實(shí)用性和拋光后表面質(zhì)量有著非常大的影響，因此研究拋光液的組份不僅決定了拋光的質(zhì)量還決定了拋光的效率?？梢灶A(yù)知阻變存儲(chǔ)材料氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的開展將為阻變存儲(chǔ)器器件進(jìn)一步提高性能、降低成本提供了可能。由于深亞微米IC工藝材料必須全局平坦化，對(duì)于阻變存儲(chǔ)薄膜材料的化學(xué)機(jī)械平坦化研究，將成為下一代更高性能阻變存儲(chǔ)器發(fā)展的瓶頸技術(shù)，只有實(shí)現(xiàn)了材料表面的高度平坦，才可以進(jìn)行高分辨的光刻曝光形成納米級(jí)特征尺寸，使得存儲(chǔ)器材料阻變時(shí)所需電壓更低、功耗更小、體積縮小、存儲(chǔ)密度增大、成本降低。因此RRAM阻變薄膜材料的研究不僅具有較大的科學(xué)意義，而且具有潛在的巨大的商業(yè)價(jià)值。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)上述技術(shù)分析和存在問題，提供一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液及應(yīng)用，采用該納米拋光液，可實(shí)現(xiàn)阻變材料氧化鎳過渡金屬氧化物阻變薄膜材料的全局平坦化，滿足制備高性能阻變存儲(chǔ)器的要求，具有很好的應(yīng)用前景。本發(fā)明的技術(shù)方案
一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成，各組分的重量百分比是納米研磨料為 1. 0-30. 0wt%、pH調(diào)節(jié)劑加入量是使納米拋光液pH值為2 7、表面活性劑為0. 01-1. 0wt%、 消泡劑為20-200ppm、殺菌劑為10-50ppm、助清洗劑為0. 01-0. lwt%、余量為溶劑。所述納米研磨料為氧化鈰和二氧化硅中的一種或兩種任意比例的混合物，其中氧化鈰為其水分散體，二氧化硅為膠體溶液，納米研磨料的粒徑小于200nm。所述pH調(diào)節(jié)劑為由無機(jī)pH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑組成的復(fù)合pH調(diào)節(jié)劑，其中無機(jī)PH調(diào)節(jié)劑為HNO3或H2SO4，有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑為醋酸、磺酸和檸檬酸中的一種或兩種任意比例的混合物；無機(jī)PH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑的體積比為1 :1-8 ；。所述表面活性劑為硅烷聚二乙醇醚、聚二乙醇醚和十二烷基乙二醇醚中的一種或兩種任意比例的混合物。所述消泡劑為聚二甲基硅烷。所述殺菌劑為異構(gòu)噻唑啉酮。所述助清洗劑為異丙醇。所述溶劑為去離子水。
一種所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液的應(yīng)用，用于基于氧化鎳薄膜材料的阻變存儲(chǔ)器的制備，步驟如下
1)在襯底Si/Si02上沉積底電極，在底電極上沉積SW2介質(zhì)層，對(duì)SiA介質(zhì)層進(jìn)行開孔刻蝕，然后沉積阻變材料氧化鎳阻變薄膜，填充覆蓋所有陣列孔；
2)通過化學(xué)機(jī)械平坦化，利用該納米拋光液將多余的氧化鎳阻變薄膜材料層進(jìn)行去除并平坦化處理。3)沉積上電極，引線后即可制成基于氧化鎳薄膜材料的阻變存儲(chǔ)器。本發(fā)明的技術(shù)分析
研磨料的主要作用是CMP時(shí)的機(jī)械摩擦。pH調(diào)節(jié)劑主要是調(diào)節(jié)拋光液的pH值，使得拋光液穩(wěn)定，有助于CMP的進(jìn)行；選用復(fù)合酸或堿作為pH調(diào)節(jié)劑，無機(jī)堿KOH或無機(jī)酸HNO3 能夠增強(qiáng)拋光液的化學(xué)作用，有機(jī)堿或有機(jī)酸能夠很好的保持溶液的PH值穩(wěn)定，確保化學(xué)作用的一致穩(wěn)定，從而實(shí)現(xiàn)拋光速率的穩(wěn)定。表面活性劑的作用是使得拋光液中研磨料的高穩(wěn)定性，CMP過程中優(yōu)先吸附在材料表面，化學(xué)腐蝕作用降低，由于凹處受到摩擦力小，因而凸處比凹處拋光速率大，起到了提高拋光凸凹選擇性，增強(qiáng)了高低選擇比，降低了表面張力，減少了表面損傷。拋光液中表面活性劑的加入通常導(dǎo)致泡沫的產(chǎn)生，不利用工藝生產(chǎn)的控制，通過加入極少量消泡劑實(shí)現(xiàn)低泡或無泡拋光液，便于操作使用。拋光液中含有許多有機(jī)物，長期存放容易形成霉菌，導(dǎo)致拋光液變質(zhì)，為此向拋光液中加入少量殺菌劑。助清洗劑的加入有助于減少顆粒的吸附，降低后期的清洗成本。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是拋光速率穩(wěn)定可控、包膜表面損傷少、易清洗、不污染環(huán)境、儲(chǔ)存時(shí)間長。通過采用本發(fā)明提供的納米拋光液，可以實(shí)現(xiàn)阻變材料氧化鎳阻變薄膜材料的全局平坦化，拋光后表面的粗糙度RMS(SymXSym)小于1. Onm，滿足制備高性能RRAM的要求。利用該拋光液對(duì)阻變材料氧化鎳薄膜材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化來制備阻變存儲(chǔ)器，方法簡單易行，而且與集成電路工藝完全兼容。
圖1為在帶有陣列孔的SiA上沉積氧化鎳拋光樣品的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為對(duì)阻變材料氧化鎳多余部分CMP后結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為阻變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)示意圖。圖4氧化鎳薄膜拋光前AFM圖。圖5氧化鎳薄膜拋光后AFM圖。
具體實(shí)施例方式通過以下實(shí)施例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著進(jìn)步。但本發(fā)明決非僅局限于實(shí)施例。實(shí)施例1
一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。納米拋光液的配制拋光液中含有l(wèi)(T30nm的二氧化硅膠體20wt% ；十二烷基乙二醇醚0. 2wt% ；聚二甲基硅烷50ppm ；異構(gòu)噻唑啉酮IOppm ；異丙醇0. 03wt% ；HNO3和醋酸(體積比為1:1)為PH調(diào)節(jié)劑，pH為6，其余為去離子水。配制時(shí)將上述原料混合，使用磁力攪拌機(jī)攪拌均勻后直接上機(jī)實(shí)驗(yàn)。拋光工藝的實(shí)現(xiàn)采用美國Mrasbaugh的6EC nSpire拋光機(jī)，拋光墊為 Rohm&Haas IC1000，拋光頭轉(zhuǎn)速為35rpm及拋光盤轉(zhuǎn)速為40rpm，拋光液流速100ml/min，下壓力為2psi。拋光的樣品制備如下1)在襯底Si/SiA上沉積厚度IOOnm的底電極W層；2)在底電極W層上沉積厚度200nm的介質(zhì)層SW2 ；3)通過光刻工藝對(duì)SW2層刻蝕，形成IOOOnm 的陣列孔；4)在帶陣列孔的S^2上沉積氧化鎳阻變薄膜材料，填充覆蓋所有陣列孔。圖1 為該拋光樣品的結(jié)構(gòu)示意圖。拋光效果測(cè)試用Dektak 150輪廓儀測(cè)量拋光前后的阻變材料氧化鎳薄膜的厚度差，除以拋光時(shí)間就可以得到拋光的速率，用Agilent公司的原子力顯微鏡(AFM)來測(cè)量拋光前后阻變材料氧化鎳薄膜的表面形貌和粗糙度。圖4氧化鎳薄膜拋光前AFM圖，圖5 氧化鎳薄膜拋光后AFM圖。拋光效果阻變材料氧化鎳拋光速率122nm/min，SiO2拋光速率5. 3nm/min,拋光前表面粗糙度RMS (5 μ mX 5 μ m)為8. 7nm,拋光后表面粗糙度RMS (5 μ mX 5 μ m)為0. 9nm， NiO /SiO2選擇比為23. 02:1。圖2為對(duì)阻變材料氧化鎳多余部分CMP后結(jié)構(gòu)示意圖。實(shí)施例2:
一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。納米拋光液的配制拋光液中含有l(wèi)(T30nm的二氧化硅膠體5wt%，40nm的氧化鈰 4wt% ；聚二乙醇醚0. lwt%，十二烷基乙二醇醚0. lwt% ；聚二甲基硅烷50ppm ；異構(gòu)噻唑啉酮 IOppm ；異丙醇0. 03wt% ;H2S04和磺酸(體積比為1:3)為pH調(diào)節(jié)劑，pH為6，其余為去離子水。配制時(shí)將上述原料混合，使用磁力攪拌機(jī)攪拌均勻后直接上機(jī)實(shí)驗(yàn)。拋光工藝、拋光樣品制備和拋光效果測(cè)試同實(shí)施例1。拋光效果阻變材料氧化鎳拋光速率134. 8nm/min, SiO2拋光速率6. 2nm/min, 拋光前表面粗糙度RMS (5 μ mX 5 μ m)為12. 4nm，拋光后表面粗糙度RMS (5 μ mX 5 μ m)為 0. 63nm, NiO /SiO2 選擇比為 21. 74:1。實(shí)施例3
一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。納米拋光液的配制拋光液中含有l(wèi)(T30nm的二氧化硅膠體5wt%，80nm的二氧化鈰2wt% ；聚二乙醇醚0. 3wt% ；聚二甲基硅烷50ppm ；異構(gòu)噻唑啉酮IOppm ；異丙醇0. 03wt% ； H2SO4和醋酸(體積比為1:3)為pH調(diào)節(jié)劑，pH為5. 02，其余為去離子水。配制時(shí)將上述原料混合，使用磁力攪拌機(jī)攪拌均勻后直接上機(jī)實(shí)驗(yàn)。拋光工藝、拋光樣品制備和拋光效果測(cè)試同實(shí)施例1。拋光效果阻變材料氧化鎳拋光速率149. 8nm/min, SiO2拋光速率7nm/min，拋光前表面粗糙度RMS(5ymX5ym)為13. 7nm,拋光后表面粗糙度RMS(5ymX5ym)為 0. 45nm, NiO /SiO2 選擇比為 21. 4:1。實(shí)施例4
6一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。納米拋光液的配制拋光液中含有80nm的二氧化鈰5wt% ；硅烷聚二乙醇醚 0. 5wt% ；聚二甲基硅烷50ppm ；異構(gòu)噻唑啉酮IOppm ；異丙醇0. 03wt% ;H2S04和磺酸(體積比為1:2)為pH調(diào)節(jié)劑，pH為5.01，其余為去離子水。配制時(shí)將上述原料混合，使用磁力攪拌機(jī)攪拌均勻后直接上機(jī)實(shí)驗(yàn)。拋光工藝、拋光樣品制備和拋光效果測(cè)試同實(shí)施例1。拋光效果阻變材料氧化鎳拋光速率196nm/min，SiO2拋光速率5nm/min，拋光前表面粗糙度RMS為9. 8nm,拋光后表面粗糙度RMS (5 μ mX 5 μ m)為0. 78nm, NiO /SiO2選擇比為 39. 2:1。實(shí)施例5
一種基于氧化鎳薄膜材料的阻變存儲(chǔ)器的制備，步驟如下
1)在襯底平坦光滑的Si/SiA上沉積IOOnm厚的底電極W，在底電極上沉積200nm厚的S^2介質(zhì)層，利用反應(yīng)離子刻蝕的工藝對(duì)S^2介質(zhì)層進(jìn)行開孔刻蝕，然后在刻好孔的沉底陣列上沉積阻變材料氧化鎳阻變薄膜材料，使其填充覆蓋所有陣列孔；
2)對(duì)沉積完阻變材料氧化鎳薄膜的樣品進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化，利用本發(fā)明提供的納米拋光液將多余的氧化鎳阻變薄膜材料層進(jìn)行去除并平坦化處理；
3)在拋光之后的樣品表面在沉積一層IOOnm的上電極W，即可。圖3為該阻變存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)示意圖。通過采用本發(fā)明提供的納米拋光液，可以實(shí)現(xiàn)氧化鎳阻變薄膜材料的全局平坦化，拋光后表面的粗糙度RMS (5 μ mX 5 μ m)小于1. Onm,滿足制備高性能RRAM的要求。利用該拋光液對(duì)阻變材料氧化鎳薄膜材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化來制備阻變存儲(chǔ)器，方法簡單易行，而且與集成電路工藝完全兼容。
權(quán)利要求
1.一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，其特征在于由納米研磨料、 PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成，各組分的重量百分比是納米研磨料為1. 0-30. 0wt%、pH調(diào)節(jié)劑加入量是使納米拋光液pH值為2 7、表面活性劑為0. 01-1. 0wt%、消泡劑為20-200ppm、殺菌劑為10_50ppm、助清洗劑為0. 01-0. lwt%、余量為溶劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，其特征在于 所述納米研磨料為氧化鈰和二氧化硅中的一種或兩種任意比例的混合物，其中氧化鈰為其水分散體，二氧化硅為膠體溶液，納米研磨料的粒徑小于200nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，其特征在于 所述PH調(diào)節(jié)劑為由無機(jī)pH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑組成的復(fù)合pH調(diào)節(jié)劑，其中無機(jī)pH調(diào)節(jié)劑為HNO3或!^04，有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑為醋酸、磺酸和檸檬酸中的一種或兩種任意比例的混合物；無機(jī)PH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑的體積比為1 :1-8。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，其特征在于 所述表面活性劑為硅烷聚二乙醇醚、聚二乙醇醚和十二烷基乙二醇醚中的一種或兩種任意比例的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，其特征在于 所述消泡劑為聚二甲基硅烷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，其特征在于 所述殺菌劑為異構(gòu)噻唑啉酮。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，其特征在于 所述助清洗劑為異丙醇。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，其特征在于 所述溶劑為去離子水。
9.一種如權(quán)利要求1所述用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液的應(yīng)用，其特征在于用于基于氧化鎳薄膜材料的阻變存儲(chǔ)器的制備，步驟如下1)在襯底si/siA上沉積底電極，在底電極上沉積SW2介質(zhì)層，對(duì)SW2介質(zhì)層進(jìn)行開孔刻蝕，然后沉積阻變材料氧化鎳阻變薄膜，填充覆蓋所有陣列孔；2)通過化學(xué)機(jī)械平坦化，利用該納米拋光液將多余的氧化鎳阻變薄膜材料層進(jìn)行去除并平坦化處理；3)沉積上電極，引線后即可制成基于氧化鎳薄膜材料的阻變存儲(chǔ)器。
全文摘要
一種用于氧化鎳薄膜化學(xué)機(jī)械平坦化的納米拋光液，由納米研磨料、pH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成，納米研磨料為氧化鈰或二氧化硅，pH調(diào)節(jié)劑由無機(jī)pH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑組成復(fù)合pH調(diào)節(jié)劑，表面活性劑為硅烷聚二乙醇醚、聚二乙醇醚或十二烷基乙二醇醚，消泡劑為聚二甲基硅烷，殺菌劑為異構(gòu)噻唑啉酮，助清洗劑為異丙醇，溶劑為去離子水；該納米拋光液用于基于氧化鎳薄膜材料的阻變存儲(chǔ)器的制備。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)拋光速率穩(wěn)定可控、薄膜表面損傷少、易清洗、不污染環(huán)境、儲(chǔ)存時(shí)間長；用該拋光液對(duì)阻變材料氧化鎳薄膜材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化來制備阻變存儲(chǔ)器，方法簡單易行且與集成電路工藝完全兼容。
文檔編號(hào)C09G1/02GK102408835SQ20111032025
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月20日
發(fā)明者尹立國, 張揚(yáng), 張楷亮, 張濤峰, 李福龍, 王芳, 胡智翔 申請(qǐng)人:天津理工大學(xué)