專利名稱：成膜方法和成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體(單晶片工藝(ウエハエ程)、曝光用掩膜制備工藝)、液晶設(shè)備制備技術(shù)中制作涂膜中使用的成膜方法和成膜裝置。
背景技術(shù)：
在石印術(shù)工藝中以前一直使用的旋轉(zhuǎn)涂布法，由于是將滴到基板上的液體大部分排出基板以外，用殘留的百分之幾成膜，使用的藥液浪費(fèi)大，由于排出的藥液很多，對環(huán)境也會產(chǎn)生惡劣的影響。另外，在方形基板或300mm以上的大口徑圓形基板上，在基板外周部分會產(chǎn)生湍流，產(chǎn)生在這些部分膜厚不均勻的問題。
作為不浪費(fèi)藥液在基板上全面均一涂布的方法，特開平2-220428號公報(bào)中記載了通過配置成一列的多個(gè)噴嘴滴下保護(hù)膜(resist)，從其后方對液體成膜面吹氣得到均一膜的方法。另外，特開平6-151295號公報(bào)中記載了在棒上設(shè)置多個(gè)噴霧口，通過其將保護(hù)膜滴到基板上得到均一膜的技術(shù)。另外，特開平7-321001號公報(bào)中，記載了使用噴淋頭(該噴淋頭上有多個(gè)為噴霧保護(hù)膜形成的噴出孔)與基板相對移動(dòng)進(jìn)行涂布的方法。
在上述所有涂布裝置中，都是將多個(gè)滴液或噴霧噴嘴橫向配置在一列上，使其沿基板表面掃描得到均一膜。另外，除了這些使用具有多個(gè)噴嘴的裝置的涂布方法之外，還有使用噴出一柱液體的噴嘴，在被處理基板上掃描形成液膜的方法。
用這些方法制成的涂膜，會產(chǎn)生從涂布開始側(cè)到涂布終了側(cè)膜厚分布的問題。這是因?yàn)樗幰旱蜗潞蟮礁稍锾幚頃r(shí)的待機(jī)時(shí)間在涂布開始部和涂布終了部太長(藥液的干燥狀態(tài))。另外，到目前為止，液狀膜形成工藝和干燥工藝都是分別獨(dú)立地進(jìn)行的，因此，到最終形成涂膜需要花費(fèi)很多時(shí)間。
發(fā)明內(nèi)容
如上所述，如果在被處理基板上掃描噴嘴形成液狀膜后進(jìn)行干燥處理，則會產(chǎn)生從涂布開始部到涂布終了部的膜厚分布問題。另外，還存在形成最終的涂膜時(shí)花費(fèi)很多時(shí)間的問題。
本發(fā)明的目的是提供在抑制涂膜發(fā)生膜厚分布的同時(shí)、縮短涂膜形成時(shí)間的成膜方法和成膜裝置。
本發(fā)明為達(dá)到上述目的，具有以下構(gòu)成。
(1)本發(fā)明(權(quán)利要求1)是，在包括液狀膜形成工藝(即與被處理基板相對，在基板上調(diào)整至一定量展開，從滴液噴嘴滴下在溶劑中添加了固形成分的藥液，使前述滴液噴嘴與前述被處理基板相對移動(dòng)，在前述被處理基板整個(gè)面上形成液狀膜的工藝)和除去前述液狀膜中的溶劑形成涂膜的干燥工藝的成膜方法中，進(jìn)行的前述干燥工藝是在前述被處理基板上在與該液狀膜表面不接觸的距離配置吸嘴，使該吸嘴與該被處理基板相對移動(dòng)，同時(shí)前述吸嘴正下方的溶劑氛圍氣從該吸嘴的吸氣口被吸走。
本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案如下所述。
前述被處理基板上的液狀膜平坦化后，且在前述被處理基板上全面地形成液狀膜之前，一邊進(jìn)行前述液狀膜形成工藝，一邊進(jìn)行前述干燥工藝。
通過使該被處理基板與前述吸嘴相對移動(dòng)，數(shù)次反復(fù)進(jìn)行對前述被處理基板整個(gè)面的干燥處理。
根據(jù)前次干燥處理后的前述液狀膜的干燥狀態(tài)，改變下一次干燥處理中前述吸嘴與該液狀膜表面之間的距離。
前述干燥工藝是使用與外部氣流供給裝置相連的供氣嘴，對通過前述吸嘴的吸氣口吸走溶劑氛圍氣的被處理基板上的液狀膜供給氣流。
從相對于前述被處理基板的前述吸嘴的相對移動(dòng)方向的前方，向被處理基板上的液狀膜供給氣流。
(2)成膜裝置，其特征在于具備下列部件，與前述被處理基板相對配置的供給藥液的滴液噴嘴，和與前述被處理基板相對配置，吸走通過從前述滴液噴嘴供給藥液在前述被處理基板上形成的液狀膜上的溶劑氛圍氣的吸嘴，和使前述被處理基板與前述滴液噴嘴相對移動(dòng)的第1移動(dòng)部，和使前述被處理基板與吸嘴相對移動(dòng)的第2移動(dòng)部。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案如下所述。
進(jìn)一步具備與前述吸嘴一體成形，對前述被處理基板上的液狀膜供給氣流的供氣嘴。
前述吸嘴的吸氣口縱向的長度為前述被處理基板以上。
本發(fā)明通過以上構(gòu)成，具有以下的作用、效果。
可取消掃描涂布造成的液狀膜形成時(shí)間差進(jìn)行干燥處理，另外，可同時(shí)進(jìn)行液狀膜形成和干燥，使涂布工藝的短時(shí)化成為可能。這時(shí)，可根據(jù)平坦化時(shí)間進(jìn)行液狀膜的干燥工藝。
通過在對液狀膜供給氣流的同時(shí)進(jìn)行干燥可使干燥效率提高。另外，通過調(diào)整氣流的流動(dòng)可達(dá)到涂膜的均一化。
通過數(shù)次反復(fù)進(jìn)行干燥處理，可使液狀膜慢慢干燥，可防止液狀膜中的固形成分被吸引，達(dá)到膜厚均一性。另外，根據(jù)液狀膜的干燥狀態(tài)，在最合適的距離進(jìn)行各次掃描，可提高干燥效率和膜厚均一性。發(fā)明實(shí)施的方案下面參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行說明。
圖1是本發(fā)明第1實(shí)施方案中成膜裝置的簡要構(gòu)成示意圖。圖1(a)是成膜裝置的平面圖，圖1(b)是剖視圖。該成膜裝置可同時(shí)進(jìn)行液狀膜形成工藝和干燥工藝。
首先對成膜裝置中進(jìn)行液狀膜形成的構(gòu)造進(jìn)行說明。如圖1(a)，(b)所示，由保護(hù)膜滴液噴嘴102和使該保護(hù)膜滴液噴嘴102沿y方向(紙面橫方向)移動(dòng)的噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)(圖中未示出)和直徑200mm的被處理基板110設(shè)置的，使被處理基板110沿x方向移動(dòng)的被處理基板移動(dòng)臺(圖中未示出)構(gòu)成。
接著，對進(jìn)行干燥工藝的裝置構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖1所示，由吸嘴101和與吸嘴101連接的真空泵103構(gòu)成。另外，作為在液狀膜形成工藝中使用的，已被說明的被處理基板移動(dòng)臺也是干燥工藝裝置構(gòu)成的一部分。
吸嘴101的吸氣口101a的形狀是2×220mm，吸氣口101a的縱向長度(220mm)為被處理基板110的直徑(200mm)以上。吸嘴101的吸氣口101a的縱向與被處理基板的移動(dòng)方向正交配置。由于吸氣口101a的縱向長度為被處理基板的直徑以上，吸氣口101a的縱向與被處理基板的移動(dòng)方向正交配置，所以伴隨著被處理基板110的移動(dòng)，被處理基板110可被吸嘴101全面掃描。
吸嘴101與保護(hù)膜滴液噴嘴102距離一定距離配置，以使滴下的液狀膜111平坦化后再進(jìn)行吸引。這次使用的保護(hù)膜滴下后約30秒形成平坦的液狀膜。由于被處理基板30秒移動(dòng)48mm，因此使保護(hù)膜滴液噴嘴102與吸嘴101相距50mm配置。另外，吸嘴101與被處理基板110表面的距離應(yīng)為與液狀膜111不接觸的1mm。
下面，對使用該成膜裝置的液狀膜形成和干燥工藝進(jìn)行說明。首先，對液狀膜的形成進(jìn)行說明。將保護(hù)膜滴液噴嘴102在被處理基板110上沿y方向以1米/秒的速度往復(fù)運(yùn)動(dòng)。如果保護(hù)膜滴液噴嘴102移到被處理基板110以外，可通過被處理基板移動(dòng)臺將被處理基板110順次沿x方向移動(dòng)。從被處理基板110的+x側(cè)(涂布開始位置)到-x側(cè)(涂布終了位置)，使用化學(xué)增幅型DUV保護(hù)膜(M20GJSR制)以線狀(一筆畫的形狀)順次滴下，在基板上形成40μm厚的液狀膜111。
下面，對干燥進(jìn)行說明。從滴液開始后經(jīng)過30秒，通過離滴下的液狀膜111變得平坦的部分有一定距離的位置配置的吸嘴101開始對被處理基板110進(jìn)行干燥。通過吸嘴101將液狀膜111上的溶劑氛圍氣吸走，形成保護(hù)膜(涂膜)112。
由于預(yù)先將保護(hù)膜滴液噴嘴102與吸嘴101保持一定的配置間隔，伴隨著被處理基板110的移動(dòng)，在被處理基板面內(nèi)可同時(shí)進(jìn)行液狀膜形成工藝和溶劑干燥工藝。
按照該實(shí)施方案，滴下的藥液平坦化后立即進(jìn)行干燥工藝，可縮短最終保護(hù)膜的形成時(shí)間。另外，從滴下藥液開始到進(jìn)行干燥的待機(jī)時(shí)間，不依賴于滴下位置，幾乎是一定的，因此，從涂布開始側(cè)到涂布終了側(cè)不發(fā)生膜厚分布。
本實(shí)施方案的成膜方法中，吸嘴的尺寸、吸嘴與被處理基板表面的距離、吸嘴101與保護(hù)膜滴液噴嘴102之間的配置間隔、保護(hù)膜滴液噴嘴101的速度分別為但并不限于2×220mm、1mm、50mm、1米/秒。另外，作為液狀膜形成方法，不限于本方法，可以使用狹縫型保護(hù)膜噴嘴，可以進(jìn)行彎液面涂布。另外，本方法中液狀膜形成工藝和干燥工藝在基板面內(nèi)同時(shí)進(jìn)行，但也可以分別單獨(dú)進(jìn)行。這里使用的藥液，可根據(jù)工藝適當(dāng)改變。
另外，本實(shí)施方案是使用寬度比被處理基板大的狹縫型吸嘴在一個(gè)方向進(jìn)行操作，如圖2所示，也可使用比被處理基板小的吸嘴，與保護(hù)膜滴下時(shí)一樣，將吸嘴進(jìn)行往復(fù)掃描的同時(shí)，從滴液開始側(cè)到終了側(cè)移動(dòng)被處理基板進(jìn)行干燥。
本實(shí)施方案的裝置構(gòu)成與第1實(shí)施方案中說明的圖1所示裝置相同，因此省略裝置說明。就干燥工藝進(jìn)行說明。
首先，與第1實(shí)施方案相同，向被處理基板110上滴下藥液，開始形成液狀膜111。
伴隨著被處理基板110的移動(dòng)，與真空泵103相連的吸嘴101的吸氣口對被處理基板110上的液狀膜111上的溶劑氛圍氣進(jìn)行吸引，開始第1干燥處理。
即使吸嘴101通過液狀膜111整個(gè)面后，從+x側(cè)(涂布開始側(cè))到-x側(cè)(涂布終了側(cè))，液狀膜111中的溶劑殘留的仍很多，液狀膜111的厚度為10μm(圖3(a))。
作為第2干燥處理，再次從+x側(cè)(涂布開始側(cè))到-x側(cè)(涂布終了側(cè))，順次吸引液狀膜111上的溶劑氛圍氣，進(jìn)行第2干燥處理。第2干燥處理后的液狀膜111厚度變?yōu)?μm。該干燥處理共計(jì)反復(fù)操作8次，液狀膜111中的溶劑被完全干燥，最終形成300nm的均一保護(hù)膜112(圖3(b))。
按照本實(shí)施方案，通過反復(fù)數(shù)次進(jìn)行干燥處理，液狀膜111被慢慢干燥，防止了液狀膜111中的固形成分被吸引，可保證膜厚的均一性。
本實(shí)施方案的成膜方法中，吸嘴101的尺寸、吸嘴101與被處理基板110表面之間的距離、保護(hù)膜滴液噴嘴的速度分別為但并不限于2×220mm、2mm、1m/秒。另外，作為液狀膜形成方法，并不限于本方法，可使用狹縫型的保護(hù)膜吐出噴嘴，可以進(jìn)行彎液面涂布。另外，在本方法中，用吸嘴101的掃描不限于進(jìn)行5次。這里使用的藥液，可根據(jù)工藝適當(dāng)改變。
本實(shí)施方案是將第1干燥處理與液膜形成同時(shí)進(jìn)行的，但不限于此，也可在基板全面形成液膜后開始進(jìn)行干燥處理。
本實(shí)施方案的裝置構(gòu)成與第1實(shí)施方案中說明的圖1所示裝置相同，因此省略裝置說明。就干燥工藝進(jìn)行說明。
首先，與第1實(shí)施方案相同，向被處理基板110上滴下藥液，開始形成液狀膜111。但是，在本實(shí)施方案中，以線狀(一筆畫的形狀)順次滴下層間絕緣膜(LKD21JSR制)，在基板上全面形成40μm厚的液狀膜111。
伴隨著被處理基板110的移動(dòng)，與真空泵103相連的吸嘴101覆蓋到被處理基板110上，從吸氣口吸走液狀膜111上的溶劑氛圍氣，從+x側(cè)(涂布開始側(cè))到-x側(cè)(涂布終了側(cè))開始第1干燥處理。即使通過液狀膜111整個(gè)面后，液狀膜111中的溶劑殘留仍很多，液狀膜111的厚度為10μm。另外，此時(shí)，液狀膜厚度分布從吸引開始側(cè)到吸引終了側(cè)顯示出變厚的傾向(圖4(a))。
因此，作為第2干燥處理，從-x側(cè)(涂布終了側(cè))到+x側(cè)(涂布開始側(cè))逆向進(jìn)行，順次吸走液狀膜111上的溶劑氛圍氣。第2干燥處理后的液狀膜111厚度變?yōu)?μm，液狀膜111厚度分布變平均平坦了。通過該反復(fù)干燥處理共計(jì)8次(4個(gè)來回)，液狀膜111中的溶劑被完全干燥，最終形成500nm的均一保護(hù)膜112(圖4(b))。
即，在本實(shí)施方案中，第偶數(shù)次的干燥處理中與前述被處理基板110相對的前述吸嘴101的移動(dòng)路徑與第奇數(shù)次的移動(dòng)路徑相反。
在本實(shí)施方案中，由于使用了流動(dòng)性較強(qiáng)的藥液，采用雙向吸引以便不產(chǎn)生向吸引方向的厚度分布傾向，達(dá)到膜厚平坦化。
本實(shí)施方案的成膜方法中，吸嘴101的尺寸、吸嘴101與被處理基板110表面之間的距離、保護(hù)膜滴液噴嘴的速度、基板移動(dòng)速度分別為但并不限于2×220mm、2mm、1m/秒、1.6mm/秒。另外，作為液狀膜形成方法，并不限于本方法，可使用狹縫型的保護(hù)膜噴嘴，可以進(jìn)行彎液面涂布。另外，在本方法中，用吸嘴101的往復(fù)掃描不限于進(jìn)行8次(4個(gè)來回)。這里使用的藥液，可根據(jù)工藝適當(dāng)改變。
本實(shí)施方案是將第1干燥處理與液膜形成同時(shí)進(jìn)行的，但不限于此，也可在基板全面形成液膜后開始進(jìn)行干燥處理。
本實(shí)施方案的裝置構(gòu)成與第1實(shí)施方案中說明的圖1所示裝置相同，因此省略裝置說明。就干燥工藝進(jìn)行說明。
首先，與第1實(shí)施方案相同，向洗凈的被處理基板110上滴下藥液，開始形成液狀膜111。但是，在本實(shí)施方案中，以線狀(一筆畫的形狀)順次滴下層間絕緣膜(LKD21JSR制)，在基板上全面形成40μm厚的液狀膜111。
伴隨著被處理基板110的移動(dòng)，與真空泵103相連的吸嘴101的吸氣口覆蓋到被處理基板110上，吸走液狀膜111上的溶劑氛圍氣，從+x側(cè)(涂布開始側(cè))到-x側(cè)(涂布終了側(cè))開始第1干燥處理。另外，這里被處理基板110表面與吸嘴101之間的距離與第1實(shí)施方案相同，為2mm。
即使通過液狀膜111整個(gè)面后，液狀膜111中的溶劑殘留仍很多，液狀膜111a的厚度為10μm(圖5(a))。
因此，作為第2干燥處理，將被處理基板110表面與吸嘴101之間的距離設(shè)定為1.5mm后，從+x側(cè)(涂布開始側(cè))到-x側(cè)(涂布終了側(cè))，順次吸走液狀膜111上的溶劑氛圍氣。第2干燥處理后的液狀膜111厚度變?yōu)?μm。
接著，作為第3干燥處理，將被處理基板110表面與吸嘴101之間的距離設(shè)定為1mm后，從+x側(cè)(涂布開始側(cè))到-x側(cè)(涂布終了側(cè))，順次吸走液狀膜111上的溶劑氛圍氣。通過該處理，液狀膜111厚度變?yōu)?00nm。
接著，作為第4干燥處理，將被處理基板110表面與吸嘴101之間的距離設(shè)定為0.5mm后，從+x側(cè)(涂布開始側(cè))到-x側(cè)(涂布終了側(cè))，順次吸走液狀膜111上的溶劑氛圍氣。通過以上4步處理，液狀膜111中的溶劑被完全干燥，最終形成300nm均一的保護(hù)膜112(圖5(b))。
在本實(shí)施方案中，根據(jù)液狀膜111的厚度，通過將被處理基板110表面與吸嘴101之間的距離移近，提高干燥效率，形成均一性高的保護(hù)膜112。
本實(shí)施方案的成膜方法中，吸嘴101的尺寸、吸嘴101與被處理基板110表面之間的距離、基板移動(dòng)速度分別為但并不限于2×220mm，2mm→1.5mm→1mm→0.5mm，1.6mm/秒。另外，作為液狀膜形成方法，并不限于本方法，可使用狹縫型的保護(hù)膜吐出噴嘴，可以進(jìn)行彎液面涂布。另外，在本方法中，用吸嘴101的掃描慢慢漸近的同時(shí)進(jìn)行4次，但進(jìn)行4次以上也可以，4次以下也可以。另外，本方法是按照一個(gè)方向進(jìn)行的掃描，往復(fù)掃描也可以。這里使用的藥液，可根據(jù)工藝適當(dāng)改變。
本實(shí)施方案是將第1干燥處理與液膜形成同時(shí)進(jìn)行的，但不限于此，也可在基板全面形成液膜后開始進(jìn)行干燥處理。
本實(shí)施方案的裝置構(gòu)成與第1實(shí)施方案中說明的圖1所示裝置基本相同，因此省略裝置說明。但是，由于吸嘴101的構(gòu)造不同，因此對吸嘴101的構(gòu)造進(jìn)行說明。
圖6是本發(fā)明第5實(shí)施方案中吸嘴101的構(gòu)造示意圖。另外，在圖6中，與圖1相同的部分用同一符號表示，其說明省略。
如圖6所示，與真空泵103相連的吸氣口是狹縫型(2×220mm)的吸嘴101，與該吸嘴相對連接有與送風(fēng)機(jī)(氣流供給器)602相連的送風(fēng)口為狹縫型的供氣噴嘴601。另外，下面將吸嘴101與供氣噴嘴合稱為液狀膜干燥用噴嘴600。
如圖6所示，配置液狀膜干燥用噴嘴600使供氣噴嘴601在液狀膜形成的上流側(cè)，吸嘴101在下流側(cè)。另外，液狀膜干燥噴嘴600與被處理基板110表面的距離為與液狀膜111不接觸的1mm。
下面，對使用該成膜裝置的液狀膜111的形成和干燥工藝進(jìn)行說明。對液狀膜111的形成進(jìn)行說明。將保護(hù)膜滴液噴嘴在被處理基板110上沿y方向以1m/秒的速度進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)。如果保護(hù)膜滴液噴嘴移到被處理基板110以外，可將被處理基板110順次沿x方向移動(dòng)。從被處理基板110的+x側(cè)(涂布開始位置)到-x側(cè)(涂布終了位置)，使用化學(xué)增幅型DUV保護(hù)膜(M20GJSR制)以線狀(一筆畫的形狀)順次滴下，在被處理基板110上全面地形成40μm厚的液狀膜111。
在被處理基板110上全面地形成液狀膜111a后，將被處理基板110從涂布開始側(cè)到涂布終了側(cè)與前述液狀膜干燥噴嘴相對進(jìn)行掃描。此時(shí)，從供氣噴嘴601對液狀膜111b供給氣流，通過用吸嘴101吸引液狀膜111上的含有溶劑的該氣流，通過在液狀膜111上供氣噴嘴601的送風(fēng)口與吸嘴101的吸氣口之間產(chǎn)生氣流流動(dòng)，使液狀膜111中的溶劑干燥，形成厚度300nm的均一保護(hù)膜112。
在本實(shí)施方案中，通過增加氣流流動(dòng)，可提高干燥效率。另外，在本方法中使用具有極高流動(dòng)性的藥液時(shí)，通過預(yù)先供給氣流控制液狀膜111的干燥狀態(tài)，可防止吸嘴101直接將藥液吸走。
在本實(shí)施方案中，液狀膜形成和干燥處理是分別獨(dú)立進(jìn)行的，但也可以如第1實(shí)施方案那樣，以規(guī)定的時(shí)間差同時(shí)進(jìn)行。另外，也可象第2～第4實(shí)施方案那樣進(jìn)行數(shù)次處理(單方向，往復(fù))。另外，在本實(shí)施方案中，使用的是一側(cè)為供氣噴嘴、一側(cè)為吸嘴101形成一體的裝置，也可使用如圖7(a)所示，在吸氣口700a的兩側(cè)設(shè)置送風(fēng)口700b，吸嘴和供氣嘴成為一體的液狀膜干燥用噴嘴700。另外，也可使用如圖7(b)所示，在送風(fēng)口700b的兩側(cè)設(shè)置吸氣口700a，吸嘴和供氣嘴成為一體的液狀膜干燥用噴嘴700。另外，在圖7中，103是真空泵，603是送風(fēng)機(jī)。
本實(shí)施方案的成膜方法中，吸嘴101的尺寸，吸嘴101與被處理基板110表面之間的距離，保護(hù)膜噴嘴速度分別為但并不限于2×220mm，1mm，1m/秒。另外，作為液狀膜形成方法，并不限于本方法，可使用狹縫型的保護(hù)膜噴嘴，可以進(jìn)行彎液面涂布。這些成膜條件使用的藥液，可根據(jù)工藝適當(dāng)改變。
另外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方案，在不脫離其要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形實(shí)施都是可能的。發(fā)明的效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以抑制涂膜的膜厚不均現(xiàn)象，縮短形成涂膜所需的時(shí)間。
圖2第1實(shí)施方案中涉及的成膜裝置的變形例的簡要構(gòu)成示意圖。
圖3第2實(shí)施方案中涉及的成膜方法說明圖。
圖4第3實(shí)施方案中涉及的成膜方法說明圖。
圖5第4實(shí)施方案中涉及的成膜方法說明圖。
圖6第5實(shí)施方案中涉及的成膜裝置的液狀膜干燥用噴嘴的變形例的簡要構(gòu)成示意圖。
圖7第5實(shí)施方案中涉及的成膜裝置的簡要構(gòu)成示意圖。
權(quán)利要求
1.一種成膜方法，包括液狀膜形成工藝和干燥工藝，其中的液狀膜形成工藝是與被處理基板相對，在基板上調(diào)整至一定量展開，從滴液噴嘴滴下在溶劑中添加了固形成分的藥液，使前述滴液噴嘴與前述被處理基板相對移動(dòng)，在前述被處理基板整個(gè)面上形成液狀膜的工藝，其中的干燥工藝是為了除去前述液狀膜中的溶劑形成涂膜的工藝，其中，前述干燥工藝的進(jìn)行是在前述被處理基板上與該液狀膜表面不接觸的距離配置吸嘴，該吸嘴與該被處理基板相對移動(dòng)，同時(shí)前述吸嘴正下方的溶劑氛圍氣從該吸嘴的吸氣口被吸走。
2.權(quán)利要求1中記載的成膜方法，其特征在于，前述被處理基板上的液狀膜平坦化后，且在前述被處理基板上全面地形成液狀膜之前，一邊進(jìn)行前述液狀膜形成工藝，一邊進(jìn)行前述干燥工藝。
3.權(quán)利要求1中記載的成膜方法，其特征在于，通過使該被處理基板與前述吸嘴相對移動(dòng)，數(shù)次反復(fù)進(jìn)行對前述被處理基板整個(gè)面的干燥處理。
4.權(quán)利要求3中記載的成膜方法，其特征在于，在前述數(shù)次的干燥處理中，與前述被處理基板相對的前述吸嘴的移動(dòng)路徑是相同的。
5.權(quán)利要求3中記載的成膜方法，其特征在于，在前述數(shù)次的干燥處理中，第偶數(shù)次的干燥處理中與前述被處理基板相對的前述吸嘴的移動(dòng)路徑與第奇數(shù)次的移動(dòng)路徑相反。
6.權(quán)利要求3中記載的成膜方法，其特征在于，根據(jù)前次干燥處理后的前述液狀膜的干燥狀態(tài)，改變下一次干燥處理中前述吸嘴與該液狀膜表面之間的距離。
7.權(quán)利要求1中記載的成膜方法，其特征在于，在前述干燥工藝中，使用與外部氣流供給裝置相連的供氣嘴，向通過前述吸嘴的吸氣口吸走溶劑氛圍氣的被處理基板上的液狀膜供給氣流。
8.權(quán)利要求1中記載的成膜方法，其特征在于，從相對于前述被處理基板的前述吸嘴的相對移動(dòng)方向的前方，向被處理基板上的液狀膜供給氣流。
9.成膜裝置，其特征在于，該裝置具備下列部件與前述被處理基板相對配置的供給藥液的滴液噴嘴，與前述被處理基板相對配置，吸走通過從前述滴液噴嘴供給藥液而在前述被處理基板上形成的液狀膜上的溶劑氛圍氣的吸嘴，使前述被處理基板與前述滴液噴嘴相對移動(dòng)的第1移動(dòng)部，和使前述被處理基板與吸嘴相對移動(dòng)的第2移動(dòng)部。
10.權(quán)利要求9中記載的成膜裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備向前述被處理基板上的液狀膜供給氣流的供氣嘴。
11.權(quán)利要求9中記載的成膜裝置，其特征在于，前述吸嘴的吸氣口縱向的長度為前述被處理基板以上。
全文摘要
本發(fā)明提供了成膜方法和成膜裝置,液狀膜形成部分由保護(hù)膜滴液噴嘴102和使該保護(hù)膜滴液噴嘴102沿y方向移動(dòng)的噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)以及設(shè)置在直徑200mm的被處理基板110上的使被處理基板110沿x方向移動(dòng)的被處理基板移動(dòng)臺構(gòu)成。液狀膜干燥部分由吸嘴101和與吸嘴101相連的真空泵103構(gòu)成。另外,被處理基板移動(dòng)臺也是構(gòu)成液狀膜干燥部分的一部分。利用上述成膜方法及裝置,可以抑制涂膜的膜厚不均現(xiàn)象,縮短形成涂膜所需的時(shí)間。
文檔編號B05C5/02GK1347137SQ0114067
公開日2002年5月1日 申請日期2001年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月27日
發(fā)明者江間達(dá)彥, 伊藤信一 申請人:株式會社東芝